專(zhuān)利名稱(chēng)：電容式傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及小型的電容式傳聲器。
背景技術(shù)：
一般地，小型的電容式傳聲器具有以下部分而構(gòu)成電容構(gòu)造部，其由振動(dòng)膜和背面電極板相對(duì)配置而構(gòu)成；阻抗轉(zhuǎn)換元件，其將該電容構(gòu)造部的靜電容量變化轉(zhuǎn)換為電阻抗；電路基板，其安裝該阻抗轉(zhuǎn)換元件；以及殼體，其收容這些部件。
這樣的電容式傳聲器的結(jié)構(gòu)為，在向上配置的狀態(tài)下，其電路基板在背面電極板的下方，與該背面電極板隔著規(guī)定間隔配置。此時(shí)，如例如“專(zhuān)利文獻(xiàn)1”所述，多數(shù)電容式傳聲器的結(jié)構(gòu)為，在電路基板的上表面上形成用于實(shí)現(xiàn)與背面電極板導(dǎo)通的導(dǎo)電層，同時(shí)在背面電極板和電路基板之間，配置與背面電極板和導(dǎo)電層相抵接，以實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)通的接觸彈簧。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2004-207807號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在搭載于移動(dòng)電話(huà)等上的電容式傳聲器中，強(qiáng)烈要求實(shí)現(xiàn)其薄型化，但如果使其薄型化到一定程度以上，則存在以下問(wèn)題。
即，一般地，小型的電容式傳聲器是可以通過(guò)其殼體和電路基板而承受某種程度外部負(fù)荷的構(gòu)造，但如果想將其大幅薄型化，則不得不使該殼體和電路基板也非常薄型化，所以強(qiáng)度大幅度下降，即使是小的負(fù)荷也容易發(fā)生彎曲變形。
特別是，在搭載于移動(dòng)電話(huà)等上的電容式傳聲器中，如上述“專(zhuān)利文獻(xiàn)1”記載的那樣，為了與移動(dòng)電話(huà)等的電路基板相導(dǎo)通而安裝彈性部件，因此電路基板上總是作用一定程度的外部負(fù)荷。
由于該外部負(fù)荷，電路基板向上方側(cè)彎曲變形，但如果該彎曲變形大到一定程度以上，該變形通過(guò)接觸彈簧波及到背面電極板上，則對(duì)電容式傳聲器的靈敏度和頻率特性造成影響，存在不能確保所期望的音頻特性的問(wèn)題。
本發(fā)明就是鑒于這種問(wèn)題而提出的，其目的在于，提供一種在薄型化的情況下也能確保所期望的音頻特性的電容式傳聲器。
本發(fā)明通過(guò)在接觸彈簧相對(duì)于背面電極板及電路基板的抵接構(gòu)造等上想辦法，以實(shí)現(xiàn)上述目的。
即，本發(fā)明涉及的電容式傳聲器具有電容構(gòu)造部，其由振動(dòng)膜和背面電極板相對(duì)配置而構(gòu)成；阻抗轉(zhuǎn)換元件，其將該電容構(gòu)造部的靜電容量變化轉(zhuǎn)換為電阻抗；電路基板，其安裝該阻抗轉(zhuǎn)換元件；以及殼體，其收容這些電容構(gòu)造部、阻抗轉(zhuǎn)換元件以及電路基板，其特征在于，所述電容構(gòu)造部以使所述背面電極板向下的方式配置，所述電路基板以在所述背面電極板的下方，與該背面電極板隔著規(guī)定間隔的方式配置，在所述電路基板的上表面上，形成用于與所述背面電極板相導(dǎo)通的導(dǎo)電層，在所述背面電極板和所述電路基板之間，配置與所述背面電極板和所述導(dǎo)電層相抵接，并使它們導(dǎo)通的接觸彈簧，該接觸彈簧上的與所述導(dǎo)電層的抵接部，和與所述背面電極板的抵接部，配置在水平方向上相互錯(cuò)開(kāi)的位置上，所述背面電極板的位于所述接觸彈簧和所述導(dǎo)電層的抵接位置的上方位置上的部分，構(gòu)成將該背面電極板在上下方向上貫通的空氣通路。
在上述結(jié)構(gòu)中，“下”或“下方”等表示方向性的表述，是為了便于明確電容式傳聲器的構(gòu)成部件之間的位置關(guān)系，并不是規(guī)定電容式傳聲器在實(shí)際使用時(shí)的方向性。
所述“接觸彈簧”，只要是以與背面電極板和電路基板的導(dǎo)電層相抵接而使它們導(dǎo)通的方式構(gòu)成，其材質(zhì)、形狀、大小等具體結(jié)構(gòu)并不特別限定。
所述“電路基板”，可以是僅安裝阻抗轉(zhuǎn)換元件的結(jié)構(gòu)，也可以是還安裝除此以外的電子部件(例如電容和電阻等)的結(jié)構(gòu)。
所述“空氣通路”，只要是以將背面電極板在上下方向上貫通的方式構(gòu)成，可以通過(guò)在背面電極板的外周緣部上形成凹形切口部來(lái)構(gòu)成，也可以通過(guò)在背面電極板上形成通孔來(lái)構(gòu)成。
發(fā)明的效果如上述結(jié)構(gòu)所示，本發(fā)明涉及的電容式傳聲器，電容構(gòu)造部以使其背面電極板向下的方式配置，同時(shí)電路基板以在該背面電極板的下方，與之隔著規(guī)定間隔的方式配置，并且，在電路基板的上表面上形成用于與背面電極板相導(dǎo)通的導(dǎo)電層，同時(shí)在背面電極板和電路基板之間，配置用于與背面電極板和導(dǎo)電層相抵接而導(dǎo)通的接觸彈簧，因?yàn)樵摻佑|彈簧上與導(dǎo)電層的抵接部(以下也稱(chēng)為“導(dǎo)電層抵接部”)和與背面電極板的抵接部(以下也稱(chēng)為“背面電極板抵接部”)，配置在水平方向上相互錯(cuò)開(kāi)的位置上，此外，背面電極板上的位于接觸彈簧與導(dǎo)電層的抵接位置上方的部分，構(gòu)成將該背面電極板在上下方向上貫通的空氣通路，所以，可以得到以下的作用效果。
即，通過(guò)這樣把導(dǎo)電層抵接部和背面電極板抵接部配置成在水平方向相互錯(cuò)開(kāi)，同時(shí)使背面電極板上位于所述抵接位置上方的部分構(gòu)成空氣通路，可以使電路基板的導(dǎo)電層、接觸彈簧、背面電極板不重疊在同一鉛垂線(xiàn)上。由此，即使電路基板因外部負(fù)荷而向上方側(cè)彎曲變形，也可以有效地抑制該變形通過(guò)接觸彈簧而波及到背面電極板上，這樣，可以有效地抑制對(duì)電容式傳聲器的靈敏度和頻率特性造成的影響。
因此由本發(fā)明，在使電容式傳聲器薄型化的情況下，也可以確保所期望的音頻特性。這樣，可以使該電容式傳聲器適用于搭載到移動(dòng)電話(huà)等上。
在上述結(jié)構(gòu)中，如上所述，接觸彈簧的具體結(jié)構(gòu)并沒(méi)有特別限定，只要是使該接觸彈簧形成環(huán)狀，同時(shí)在其周方向的多個(gè)部位上，形成向下方彎折的向下彎折部，使這多個(gè)向下彎折部中一部分向下彎折部與電路基板的導(dǎo)電層相抵接的結(jié)構(gòu)，就可以得到以下的作用效果。
即，電路基板在因外部負(fù)荷而彎曲變形時(shí)，由于在其振動(dòng)膜的中心位置向上方位移最大，所以通過(guò)使接觸彈簧形成環(huán)狀，在其多個(gè)向下彎折部中的一部分上與導(dǎo)電層抵接，可以使接觸彈簧在振動(dòng)膜的中心區(qū)域上，不夾在背面電極板和電路基板之間。由此，可以更有效地抑制電路基板的彎曲變形通過(guò)接觸彈簧而波及到背面電極板上。
在這種情況下，如果在電路基板的上表面上，以避開(kāi)振動(dòng)膜的中心區(qū)域的方式，以規(guī)定的圖案形成絕緣層，同時(shí)使接觸彈簧上的多個(gè)向下彎折部中不與所述導(dǎo)電層抵接的剩余的向下彎折部與該絕緣層相抵接，就可以容易地將接觸彈簧配置為水平。此時(shí)，由于構(gòu)成該絕緣層的圖案形狀被設(shè)定成避開(kāi)振動(dòng)膜的中心區(qū)域的形狀，所以通過(guò)形成該絕緣層，可以事先防止電路基板的彎曲變形波及到背面電極板上。
此外，在這種情況下，只要使振動(dòng)膜為具有大致橢圓形的振動(dòng)面形狀的結(jié)構(gòu)，同時(shí)將背面電極板的外形形狀設(shè)定成大致十字形，就可以得到以下的作用效果。
即，通過(guò)使振動(dòng)膜為具有大致橢圓形的振動(dòng)面形狀的結(jié)構(gòu)，可以高效利用空間地把電容構(gòu)造部收容于殼體內(nèi)，同時(shí)無(wú)須在背面電極板上設(shè)置其圓周方向的定位部分。此外，通過(guò)把背面電極板的外形形狀設(shè)定成大致十字形，不僅該背面電極板，對(duì)于接觸彈簧來(lái)說(shuō)，也可以容易地把其形狀設(shè)定成點(diǎn)對(duì)稱(chēng)形狀，這樣，可以容易地進(jìn)行電容式傳聲器的組裝。
在上述結(jié)構(gòu)中，殼體的具體結(jié)構(gòu)并不特別限定，但由于在該殼體的高度被設(shè)定為小于或等于1mm這樣的非常小的值的情況下，即使小的負(fù)荷也容易產(chǎn)生電路基板的彎曲變形，所以采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特別有效果。


圖1是在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的電容式傳聲器朝上配置狀態(tài)下表示的側(cè)剖面圖。
圖2是圖1的II-II線(xiàn)剖面圖。
圖3是圖1的III-III線(xiàn)剖面圖。
圖4是表示上述電容式傳聲器的阻抗轉(zhuǎn)換元件和2個(gè)電容向電路基板的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖5是將上述電容式傳聲器的電路基板、接觸彈簧、背面電極板分開(kāi)表示的斜視圖。
圖6是表示上述實(shí)施方式的作用的、與圖3相同的圖。
具體實(shí)施例方式
下面使用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的電容式傳聲器10朝上配置狀態(tài)下表示的側(cè)剖面圖。圖2和圖3是圖1的II-II線(xiàn)和III-III線(xiàn)剖面圖。
如這些圖所示，本電容式傳聲器10是背板駐極體型的電容式傳聲器，構(gòu)成為小型的電容式傳聲器，具有高度為0.6mm左右、直徑為6mm左右的矮的大致圓筒形的外形形狀。
該電容式傳聲器10，其殼體12內(nèi)收容了絕緣襯套14、電容構(gòu)造部16、接觸彈簧18、阻抗轉(zhuǎn)換元件20、2個(gè)電容22、24、以及電路基板26。
殼體12是下端部開(kāi)放的圓筒狀的金屬制部件，在以從上方側(cè)覆蓋上述各構(gòu)成部件的方式配置的狀態(tài)下，通過(guò)其周壁12b的下端12b1向內(nèi)周側(cè)彎折，卡邊固定在電路基板26的周緣部上。并且，在該殼體12上，其上表面部12c的與電容構(gòu)造部16相對(duì)的位置上形成音孔12a。
絕緣襯套14是用于將殼體12和電容構(gòu)造部16的背面電極板36電氣絕緣的合成樹(shù)脂制部件，由以下部分構(gòu)成第1環(huán)部14A，其沿殼體12的內(nèi)周面以環(huán)狀延伸；第2環(huán)部14B，其包圍電容構(gòu)造部16，延伸為環(huán)狀；以及加強(qiáng)梁部14C，其從該第2環(huán)部14B向電容構(gòu)造部16的外周側(cè)延伸到第1環(huán)14A。
電容構(gòu)造部16具有在殼體12圓周方向比在殼體12直徑方向上長(zhǎng)的橢圓形的外形形狀，與之相對(duì)應(yīng)，第2環(huán)部14B也以橢圓形的環(huán)狀延伸而形成。該第2環(huán)部14B以與延伸為圓形環(huán)狀的第1環(huán)部14A內(nèi)接的方式形成。此外，加強(qiáng)梁部14C在殼體12的大致中心上從第2環(huán)部14B向電容構(gòu)造部16的外周側(cè)垂直延伸至途中后，分叉成兩股延伸至第1環(huán)部14A。
于是，通過(guò)該絕緣襯套14，在殼體12內(nèi)形成了4個(gè)空間部C1、C2、C3、C4。
空間部C1是收容電容構(gòu)造部16的空間，形成在殼體12圓周方向比在殼體12直徑方向上長(zhǎng)的橢圓形的空間部。該橢圓形的短軸側(cè)的寬度設(shè)定為比殼體12的內(nèi)徑的一半還略小的值?？臻g部C2、C3與該空間部C1相鄰接，形成由第1環(huán)部14A、第2環(huán)部14B和加強(qiáng)梁部14C圍成的大致梯形的空間部?？臻g部C4形成由第1環(huán)部14A和加強(qiáng)梁部14C的分成兩股的部分圍成的大致扇形的空間部。
空間部C2與其他的空間部C1、C3、C4隔離，而空間部C3通過(guò)形成于第2環(huán)部14B的上表面上的連通槽14b1與空間部C1相連通，此外，空間部C4通過(guò)形成于加強(qiáng)梁部14C的分成兩股的一邊部分上表面的連通槽14b2與空間部C3相連通。這樣，通過(guò)使空間部C3、C4與空間部C1連通，使電容構(gòu)造部16的背壓空間充分地?cái)U(kuò)大。
該絕緣襯套14的外周面14c以從其下端向上端逐漸減小的方式形成錐狀，在其周方向4個(gè)部位形成定位用凸起部14d。這些定位用凸起部14d在周方向上以大致等間隔配置，以從其下端向上端大致鉛直面狀延伸的方式形成。通過(guò)這些定位用凸起部14d與殼體12的周壁12b的內(nèi)周面卡合，使絕緣襯套14相對(duì)于殼體12定位固定。
電容構(gòu)造部16由振動(dòng)膜組件32、墊圈34和背面電極板36組成，其外形形狀設(shè)定為與絕緣襯套14的第2環(huán)部14B的內(nèi)周面大致內(nèi)接的大小的橢圓形狀。
振動(dòng)膜組件32由金屬制的支撐環(huán)32B，和在該支撐環(huán)32B的下表面張?jiān)O(shè)固定的振動(dòng)膜32A構(gòu)成。振動(dòng)膜32A由上表面形成金屬蒸鍍膜的高分子薄膜構(gòu)成，具有在殼體12圓周方向比在殼體12直徑方向上長(zhǎng)的橢圓形的振動(dòng)面形狀。支撐環(huán)32B的外形形狀被設(shè)定成與絕緣襯套14的第2環(huán)部14B的內(nèi)周面形狀大致相同的形狀。
墊圈34由沿絕緣襯套14的第2環(huán)部14B的內(nèi)周面形狀延伸的金屬制的薄板環(huán)構(gòu)成。
背面電極板36由金屬制的電極板主體36A和熱熔接于該電極板主體36A的上表面上的駐極體層36B組成。該背面電極板36沿構(gòu)成絕緣襯套14的第2環(huán)部14B的內(nèi)周面的形狀的橢圓形的長(zhǎng)軸和短軸，形成十字形，其各端部延伸到第2環(huán)部14B的內(nèi)周面附近。在這樣形成十字形的背面電極板36上，在其外周緣的周方向4個(gè)部位上形成凹狀切口部36a，這4個(gè)凹狀切口部36a和第2環(huán)部14B的內(nèi)周面之間的部分，構(gòu)成將背面電極板36在上下方向上貫通的4個(gè)空氣通路A。
電容構(gòu)造部16中，振動(dòng)膜組件32的振動(dòng)膜32A和背面電極板36的駐極體層36B，通過(guò)墊圈34而隔著規(guī)定的微小間隔而相對(duì)。
阻抗轉(zhuǎn)換元件20是結(jié)型的場(chǎng)效應(yīng)三極管，將電容構(gòu)造部16的靜電容量變化轉(zhuǎn)換為電阻抗。此外，2個(gè)電容22、24是靜電容量不同的2種電容，為了去除噪音而設(shè)置。此外，阻抗轉(zhuǎn)換元件20以收容于空間部C2內(nèi)的狀態(tài)安裝在電路基板26上，2個(gè)電容22、24以任一個(gè)都收容于空間部C3的狀態(tài)安裝于電路基板26上。
此外，作為阻抗轉(zhuǎn)換元件20，除了上述的結(jié)型的場(chǎng)效應(yīng)三極管之外，也可以使用MOS型的場(chǎng)效應(yīng)三極管等。
圖4是表示阻抗轉(zhuǎn)換元件20及2個(gè)電容22、24向電路基板26的安裝構(gòu)造俯視圖。
如本圖所示，電路基板26由以下部分構(gòu)成基板主體42；在該基板主體42的上表面42a上以預(yù)定的圖案形成的導(dǎo)電層44A、44B、44C和絕緣層48；以及在該基板主體42的下表面42b(參照?qǐng)D1)形成的導(dǎo)電層46A、46B。
導(dǎo)電層46A形成于基板主體42的下表面42b的中心部，導(dǎo)電層46B以同心圓狀包圍該導(dǎo)電層46A的方式形成。此外，導(dǎo)電層46A通過(guò)通孔42c與導(dǎo)電層44C導(dǎo)通，導(dǎo)電層46B通過(guò)通孔42d與導(dǎo)電層44B導(dǎo)通。
絕緣層48使各導(dǎo)電層44A、44B、44C局部地露出，以與它們大致相同的膜厚形成。該絕緣層48，僅在與絕緣襯套14的空間部C 1對(duì)應(yīng)的橢圓E的內(nèi)側(cè)區(qū)域，在其周緣部的周方向的3個(gè)部位上形成突出狀，除此以外的部分的基板主體42的上表面42a直接露出。也就是說(shuō)，該絕緣層48，在橢圓E的內(nèi)側(cè)區(qū)域，位于橢圓E的長(zhǎng)軸和短軸之間的周方向4個(gè)部位中的3個(gè)部位上，形成突出狀延伸部48a。而在該周方向4個(gè)部位中剩余的1個(gè)部位上，相反地，形成向橢圓E的外側(cè)凹陷的凹部48b。在該凹部48b上，導(dǎo)電層44A以向橢圓E的中心部延伸到與各突出狀延伸部48a大致相同位置上的方式形成。
阻抗轉(zhuǎn)換元件20由具有長(zhǎng)方體形狀的芯片主體20A，和從該芯片主體20A向側(cè)方凸出的3個(gè)端子片20G、20S、20D組成。
端子片20G是構(gòu)成柵電極的端子部，以從芯片主體20A的一邊側(cè)壁的水平方向中央部的下端部向斜上方延伸的方式形成。其余的2個(gè)端子片20S、20D是構(gòu)成源電極及漏電極的端子部，以從芯片主體20A的另一邊側(cè)壁的水平方向兩端部附近部位的下端部向斜上方延伸的方式形成。
此外，構(gòu)成柵電極的端子片20G，通過(guò)導(dǎo)電層44A及接觸彈簧18，與背面電極板36的電極板主體36A相導(dǎo)通，構(gòu)成源電極的端子片20S通過(guò)導(dǎo)電層44B、導(dǎo)電層46B、殼體12及支撐環(huán)32B，與振動(dòng)膜32A相導(dǎo)通，構(gòu)成漏電極的端子片20D通過(guò)導(dǎo)電層44C，與導(dǎo)電層46A相導(dǎo)通。
阻抗轉(zhuǎn)換元件20向電路基板26的安裝是這樣進(jìn)行的，即在將其芯片主體20A載置于基板主體42的上表面42a上沒(méi)有形成導(dǎo)電層44A、44B、44C以及絕緣層48的主體露出部分上的狀態(tài)下，將該阻抗轉(zhuǎn)換元件20的各個(gè)端子片20G、20S、20D分別軟釬焊于各個(gè)導(dǎo)電層44A、44B、44C上。
各個(gè)電容22、24具有比阻抗轉(zhuǎn)換元件20高度略低的長(zhǎng)方體形狀，在配置于其長(zhǎng)邊方向的兩端面的1對(duì)端子部上，與導(dǎo)電層44B、44C相導(dǎo)通。這些電容22、24向電路基板26的安裝是這樣進(jìn)行的，即在將該電容22、24置載于基板主體42的上表面42a上沒(méi)有形成導(dǎo)電層44B、44C及絕緣層48的主體露出部分上的狀態(tài)下，將該電容22的各個(gè)端子部分別軟釬焊于各個(gè)導(dǎo)電層44B、44C上。
圖5是將電路基板26、接觸彈簧18、背面電極板36分開(kāi)表示的斜視圖。
如本圖所示，接觸彈簧18是以環(huán)狀延伸的金屬制的板簧，具有點(diǎn)對(duì)稱(chēng)形狀，其外形形狀被設(shè)定成比橢圓E稍小的大致八角形。該接觸彈簧18的位于橢圓E的長(zhǎng)軸和短軸上的周方向4個(gè)部位，構(gòu)成在水平方向上延伸的水平面部18A，同時(shí)，位于這些水平面部18A之間的周方向4個(gè)部位，構(gòu)成向下方彎折的向下彎折部18B。這些向下彎折部18B的形成方式為，將連接接觸彈簧18外周緣上的位于橢圓E的長(zhǎng)軸上和短軸上的頂點(diǎn)的線(xiàn)作為折彎線(xiàn)而進(jìn)行彎折，從而以規(guī)定的角度向下延伸，其最下端點(diǎn)18a位于三角形的頂點(diǎn)上。
此外，該接觸彈簧18，在其4個(gè)部位的水平面部18A上，與背面電極板36的電極板主體36A相抵接，同時(shí)，在該4個(gè)部位的向下彎折部18B中1個(gè)向下彎折部18B的最下端點(diǎn)18a上，與電路基板26的導(dǎo)電層44A相抵接，這樣，實(shí)現(xiàn)電極板主體36A和電路基板26的導(dǎo)電層44A的導(dǎo)通。此外，該接觸彈簧18，在剩余的3個(gè)向下彎折部18B的最下端點(diǎn)18a上，與絕緣層48的突出狀延伸部48a相抵接，這樣，在使4個(gè)部位的水平面部18A保持水平的狀態(tài)下，穩(wěn)定地安裝在背面電極板36和電路基板26之間。
本實(shí)施方式涉及的電容式傳聲器10的組裝是以如下方式進(jìn)行的，將殼體12上下反向配置，在該殼體12內(nèi)，將絕緣襯套14，構(gòu)成電容構(gòu)造部16的振動(dòng)膜組件32、墊圈34及背面電極板36，接觸彈簧18，安裝了阻抗轉(zhuǎn)換元件20及電容22、24的電路基板26依次組裝后，將殼體12的周壁12b的下端部12b1向內(nèi)周側(cè)折彎，卡邊固定在電路基板26的周緣部上。
此時(shí)，最先被組裝的絕緣襯套14在殼體12的上方，以其空間部C1的大致中心部和殼體12的音孔12a對(duì)齊的狀態(tài)，向殼體12內(nèi)插入到其上表面與殼體12的上表面部12c的內(nèi)表面抵接的位置。這時(shí)，形成于絕緣襯套14的外周面14c上的4個(gè)定位用凸起部14d與殼體12的周壁12b的內(nèi)周面相卡合，由此，絕緣襯套14以其上表面與殼體12的上表面部12c的內(nèi)表面面接觸的狀態(tài)，定位固定于該殼體12上。
然后，相對(duì)于被定位固定了的絕緣襯套14，將振動(dòng)膜組件32、墊圈34、背面電極板36及接觸彈簧18順次裝入其空間部C1中。此時(shí)，由于背面電極板36的外形形狀被設(shè)定成十字形，接觸彈簧18為大致八角形的外形形狀，具有點(diǎn)對(duì)稱(chēng)的形狀，所以不用注意其周方向上的方向性就可以裝入。
如上詳述，本實(shí)施方式涉及的電容式傳聲器10，電容構(gòu)造部16以使其背面電極板36向下的方式配置，同時(shí)電路基板26在該背面電極板36的下方，與之隔著規(guī)定間隔配置，此外，在電路基板26的上表面形成用于實(shí)現(xiàn)與背面電極板36相導(dǎo)通的導(dǎo)電層44A，同時(shí)在背面電極板36和電路基板26之間，配置與背面電極板36和導(dǎo)電層44A相抵接而實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)通的接觸彈簧18，因?yàn)樵摻佑|彈簧18上與導(dǎo)電層44A的抵接部即向下彎折部18B、以及與背面電極板36的抵接部即水平面部18A，被配置成在水平方向上互相錯(cuò)開(kāi)的位置上，此外，背面電極板36上，位于向下彎折部18B的最下端點(diǎn)18a上方的部分(即位于接觸彈簧18和導(dǎo)電層44A的抵接位置的上方的部分)，構(gòu)成將該背面電極板36在上下方向上貫通的空氣通路A，所以，可以得到以下的作用效果。
即，通過(guò)這樣將向下彎折部18B和水平面部18A配置成在水平方向上相互錯(cuò)開(kāi)，同時(shí)背面電極板36上位于向下彎折部18B的最下端點(diǎn)18a上方的部分構(gòu)成空氣通路A，可以使電路基板26的導(dǎo)電層44A、接觸彈簧18和背面電極板36不重疊在同一鉛垂線(xiàn)上。這樣，如圖6所示，即使電路基板26因外部負(fù)荷而向上方側(cè)彎曲變形，也可以有效地抑制該變形通過(guò)接觸彈簧18波及到背面電極板36上，由此，可以有效地抑制對(duì)電容式傳聲器10的靈敏度和頻率特性造成影響。
因此，由本實(shí)施方式，即使在將電容式傳聲器10薄型化的情況下，也可以確保所期望的音頻特性。這樣，可以適用于將該電容式傳聲器10搭載于移動(dòng)電話(huà)等上。
并且在本實(shí)施方式中，因?yàn)樵摻佑|彈簧18形成環(huán)狀，同時(shí)成為在其周方向4個(gè)部位上形成向下方彎折的向下彎折部18B的結(jié)構(gòu)，這4個(gè)向下彎折部18B中的1個(gè)與導(dǎo)電層44A相抵接，所以可以得到以下的作用效果。
即，如圖6所示，因?yàn)樵陔娐坊?6因外部負(fù)荷產(chǎn)生彎曲變形時(shí)，其振動(dòng)膜32A的中心位置向上方位移最大，所以通過(guò)使接觸彈簧18形成環(huán)狀，使這4個(gè)向下彎折部18B中的1個(gè)與導(dǎo)電層44A相抵接，可以使振動(dòng)膜32A的中心區(qū)域，在背面電極板36和電路基板26之間不夾有接觸彈簧18。這樣，可以更有效地抑制電路基板26的彎曲變形波及到背面電極板36上。
此外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)樵陔娐坊?6的基板主體42的上表面42a上，以避開(kāi)振動(dòng)膜32A的中心區(qū)域的方式，以規(guī)定的圖案形成絕緣層48，同時(shí)，接觸彈簧18的4個(gè)向下彎折部18B中沒(méi)有與導(dǎo)電層44A抵接的剩余3個(gè)向下彎折部18B，與這絕緣層48的3個(gè)突出狀延伸部48a相抵接，所以，可以水平地配置接觸彈簧18。
而且在本實(shí)施方式中，因?yàn)楸趁骐姌O板36上位于這剩余3個(gè)向下彎折部18B的最下端點(diǎn)18a上方的部分也構(gòu)成空氣通路A，所以可以使電路基板26的絕緣層48、接觸彈簧18和背面電極板36不重疊在同一鉛垂線(xiàn)上。由此，即使電路基板26因外部負(fù)荷而向上方彎曲變形，也可以有效地抑制該變形通過(guò)接觸彈簧18波及到背面電極板36上。
此外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)檎駝?dòng)膜32A具有橢圓形的振動(dòng)面形狀，背面電極板36的外形形狀被設(shè)定成十字形，所以可以得到如下的作用效果。
即，由于振動(dòng)膜32A具有橢圓形的振動(dòng)面形狀，所以可以將電容構(gòu)造部16有效利用空間地收容于殼體12內(nèi)，同時(shí)可以不需要在背面電極板36上設(shè)置其周方向的定位部。此外，通過(guò)將背面電極板36的外形形狀設(shè)定成十字形，不僅該背面電極板36，對(duì)于接觸彈簧18來(lái)說(shuō)，也可以把其形狀設(shè)定成點(diǎn)對(duì)稱(chēng)形狀，由此，可以容易地進(jìn)行電容式傳聲器10的組裝。
此外，在上述實(shí)施方式中，形成接觸彈簧18的4個(gè)向下彎折部18B中，1個(gè)向下彎折部18B與導(dǎo)電層44A相抵接，同時(shí)剩余的3個(gè)向下彎折部18B與絕緣層48相抵接的結(jié)構(gòu)，但也可以代之而采用例如2個(gè)向下彎折部18B與導(dǎo)電層44A相抵接，同時(shí)剩余的2個(gè)向下彎折部18B與絕緣層48相抵接的結(jié)構(gòu)等。
此外，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了振動(dòng)膜32A具有橢圓形的振動(dòng)面形狀的情況，但當(dāng)然也可以采用具有除此之外的振動(dòng)面形狀的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種電容式傳聲器，其具有電容構(gòu)造部，其由振動(dòng)膜和背面電極板相對(duì)配置而構(gòu)成；阻抗轉(zhuǎn)換元件，其將該電容構(gòu)造部的靜電容量變化轉(zhuǎn)換為電阻抗；電路基板，其安裝該阻抗轉(zhuǎn)換元件；以及殼體，其收容這些電容構(gòu)造部、阻抗轉(zhuǎn)換元件以及電路基板，其特征在于，所述電容構(gòu)造部以使所述背面電極板向下的方式配置，所述電路基板以在所述背面電極板的下方，與該背面電極板隔著規(guī)定間隔的方式配置，在所述電路基板的上表面上，形成用于實(shí)現(xiàn)與所述背面電極板相導(dǎo)通的導(dǎo)電層，在所述背面電極板和所述電路基板之間，配置與所述背面電極板和所述導(dǎo)電層相抵接，以使它們導(dǎo)通的接觸彈簧，該接觸彈簧的與所述導(dǎo)電層的抵接部和與所述背面電極板的抵接部，配置在水平方向上相互錯(cuò)開(kāi)的位置上，所述背面電極板的、位于所述接觸彈簧和所述導(dǎo)電層的抵接位置的上方位置上的部分，構(gòu)成使該背面電極板在上下方向上貫通的空氣通路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式傳聲器，其特征在于，所述接觸彈簧形成環(huán)狀，同時(shí)在該接觸彈簧的周方向的多個(gè)部位上，形成向下方彎折的向下彎折部，這些向下彎折部中的一部分向下彎折部與所述導(dǎo)電層相抵接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式傳聲器，其特征在于，在所述電路基板的上表面，以避開(kāi)所述振動(dòng)膜的中心區(qū)域的方式，以規(guī)定的圖案形成絕緣層，所述多個(gè)向下彎折部中，除了所述一部分向下彎折部以外的向下彎折部，與所述絕緣層相抵接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式傳聲器，其特征在于，所述振動(dòng)膜具有大致橢圓形的振動(dòng)面形狀，所述背面電極板的外形形狀被設(shè)定成大致十字形。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式傳聲器，其特征在于，所述振動(dòng)膜具有大致橢圓形的振動(dòng)面形狀，所述背面電極板的外形形狀被設(shè)定成大致十字形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的電容式傳聲器，其特征在于，所述殼體的高度，被設(shè)定為小于或等于1mm的值。
全文摘要
一種電容式傳聲器，在將其薄型化的情況下，也能確保所期望的音頻特性。接觸彈簧(18)中與電路基板(26)的導(dǎo)電層(44A)的抵接部即向下彎折部(18B)和與背面電極板(36)的抵接部即水平面部(18A)，被配置在水平方向互相錯(cuò)開(kāi)的位置上，同時(shí)在背面電極板(36)中位于接觸彈簧(18)與導(dǎo)電層(44A)的抵接位置的上方的部分構(gòu)成空氣通路(A)，這樣導(dǎo)電層(44A)、接觸彈簧(18)和背面電極板(36)不重疊在同一鉛垂線(xiàn)上。這樣即使電路基板(26)因外部負(fù)荷而向上方側(cè)彎曲變形，也可以有效抑制該變形通過(guò)接觸彈簧(18)波及到背面電極板(36)上，以不對(duì)電容式傳聲器(10)的靈敏度和音頻特性造成影響。
文檔編號(hào)H04R19/00GK1835646SQ20061005832
公開(kāi)日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月16日
發(fā)明者佃保德 申請(qǐng)人:星精密株式會(huì)社