專利名稱：等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示裝置是一種利用通過氣體放電過程產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的平板顯示器。它包括多個放電室。
在多幀時間期間驅(qū)動等離子體顯示裝置。等離子體顯示裝置的一幀被劃分成多個子場，每個子場具有相應的亮度權(quán)數(shù)。通過在各子場的尋址階段中的尋址放電來在放電室中選擇點火放電室或熄火放電室，點火放電室維持放電維持時間段，以顯示圖像。
在尋址階段期間，掃描脈沖被施加到用于在行方向上限定放電室的顯示線，從而選擇點火放電室或熄火放電室。因此，需要分別相應于顯示線的掃描電路來向顯示線施加掃描脈沖。與顯示線的數(shù)目相對應的掃描電路會增加等離子體顯示裝置的生產(chǎn)成本。
在該背景技術(shù)部分公開的上述信息只是為了提高對本發(fā)明背景技術(shù)的理解，因此它可能包含不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在本國家已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于減少掃描電路數(shù)目的等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法。
根據(jù)一個示例性實施例，等離子體顯示裝置包括等離子體顯示面板，包括多個在第一方向上延伸的第一顯示區(qū)域、多個在第一方向上延伸的第二顯示區(qū)域、多個在與第一方向交叉的第二方向上延伸的第一電極、由多個第一顯示區(qū)域和多個第一電極限定的多個第一室、由多個第二顯示區(qū)域和多個第一電極限定的多個第二室；控制器，用于在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動等離子體顯示裝置，以將各幀劃分成包括第一子場和第二子場的多個子場；和驅(qū)動器。驅(qū)動器用于，在第一幀的第一子場中通過使用第一尋址方法，對熄火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將所述室中的至少一個置為點火狀態(tài)，來在多個第一室和/或多個第二室中選擇至少一個點火放電室；對至少一個點火放電室維持放電；在第一幀的第二子場中在第一尋址階段期間，通過使用第二尋址方法，對點火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將所述室中的至少一個置為熄火狀態(tài)，來在多個第一室中選擇至少一個熄火放電室；在第一尋址階段之后的第一維持階段期間，對在第一尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；在第一維持階段之后的第二尋址階段期間，通過使用第二尋址方法在多個第二室中選擇至少一個熄火放電室；在第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對在第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電。
根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例，提供了一種用于驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法。所述等離子體顯示裝置包括多個在第一方向上延伸的第一電極、多個在第一方向上延伸的第二電極、多個在與第一方向交叉的第二方向上延伸的第三電極、多個第一室、多個第二室，在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動等離子體顯示裝置。所述方法包括將各幀劃分成多個子場；在第一幀的至少一個子場中在第一尋址階段期間，通過使用第一尋址方法，對點火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將室中的至少一個置為熄火狀態(tài)，來在多個第一室中選擇至少一個熄火放電室；在第一尋址階段之后的第一維持階段期間，對在第一尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；在第一維持階段之后的第二尋址階段期間，通過使用尋址方法在多個第二室中選擇至少一個熄火放電室；在第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對在第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電，其中，多個第二電極被劃分成至少第一組第二電極和第二組第二電極，其中，多個第一室由在第一方向上延伸的多個第一顯示區(qū)域和多個第三電極限定，多個第二室由在第一方向上延伸的多個第二顯示區(qū)域和多個第三電極限定，其中，各第一顯示區(qū)域由第一組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，各第二顯示區(qū)域由第二組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，其中，各掃描線包括多個第一電極中相應的至少一個。
根據(jù)本發(fā)明又一示例性實施例，提供了一種用于驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法。所述等離子體顯示裝置包括多個在第一方向上延伸的第一電極、多個在第一方向上延伸的第二電極、多個在與第一方向交叉的第二方向上延伸的第三電極、多個第一室、多個第二室，在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動等離子體顯示裝置。所述方法包括將各幀劃分成多個包括第一子場和第二子場的子場；在第一幀的第一子場中在第一重置階段期間，初始化多個第一室；在第一尋址階段期間，通過使用尋址方法，對熄火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將室中的至少一個置為點火狀態(tài)，來在多個第一室中選擇至少一個第一點火放電室；在第一維持階段期間，對至少一個第一點火放電室維持放電；在第二重置階段期間，初始化多個第二室；在第二尋址階段期間，通過使用尋址方法在多個第二室中選擇至少一個第二點火放電室；在第二維持階段期間，對至少一個第二點火放電室維持放電，其中，多個第二電極被劃分成至少第一組第二電極和第二組第二電極，其中，多個第一室由在第一方向上延伸的多個第一顯示區(qū)域和多個第三電極限定，多個第二室由在第一方向上延伸的多個第二顯示區(qū)域和多個第三電極限定，其中，各第一顯示區(qū)域由第一組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，各第二顯示區(qū)域由第二組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，其中，各掃描線包括多個第一電極中相應的至少一個。
根據(jù)本發(fā)明再一示例性實施例，提供了一種用于驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法。所述等離子體顯示裝置包括多個第一電極、多個第二電極、多個與多個第一電極和多個第二電極交叉的第三電極，在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動等離子體顯示裝置。所述方法包括將各幀劃分成多個子場；在第一幀的至少一個子場中在重置階段期間，初始化多個第一室；在尋址階段期間，在多個第一室中選擇至少一個第一點火放電室；在維持階段期間，對至少一個第一點火放電室維持放電；在第二幀的至少一個子場中在重置階段期間，初始化多個第二室；在尋址階段期間，在多個第二室中選擇至少一個第二點火放電室；在維持階段期間，對至少一個第二點火放電室維持放電，其中，多個第二電極被劃分成至少第一組第二電極和第二組第二電極，其中，多個第一室由多個第一顯示區(qū)域和多個尋址電極限定，多個第二室由多個第二顯示區(qū)域和多個尋址電極限定，其中，各第一顯示區(qū)域由第一組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，各第二顯示區(qū)域由第二組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，其中，各掃描線包括多個第一電極中相應的至少一個。


圖1示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置的框圖。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的等離子體顯示面板(PDP)的電極布置圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的PDP的電極布置圖。
圖4示出了用于表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的框圖。
圖5示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動波形中的施加到第一子場SF1至第三子場SF3的驅(qū)動波形的示圖。
圖6示出了表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的在第四子場SF4中施加的驅(qū)動波形的示圖。
圖7示出了表示根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的施加到第四子場SF4的驅(qū)動波形的示圖。
圖8示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動波形中的施加到第五子場SF5的驅(qū)動波形的示圖。
圖9示出了表示用于補償Xodd線室(或奇數(shù)室)和Xeven線室(或偶數(shù)室)之間維持放電產(chǎn)生的次數(shù)的示圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的示例性實施例。
在下面的詳細描述中，只簡單地通過示出的方式示出和描述了本發(fā)明的特定示例性實施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知道的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以多種不同的方式修改所描述的實施例。因此，附圖和描述應被認為本質(zhì)上是示出性的而不是限制性的。整個說明書中相同的標號表示相同的元件。
在下面的描述中提及的壁電荷指形成和聚集在靠近放電室的電極的壁(例如，電介質(zhì)層)上的電荷。雖然壁電荷實際上不接觸電極，但是壁電荷將被描述成“形成”或“積聚”在電極上。此外，壁電壓指通過壁電荷而在放電室的壁上形成的電勢差，電極的壁電壓指由形成在電極上的壁電荷產(chǎn)生的電勢。
將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法。
首先，將參照圖1、圖2和圖3描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置。
圖1示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置的框圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置包括等離子體顯示面板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動器300、掃描電極驅(qū)動器400和維持電極驅(qū)動器500。
PDP 100包括在列方向上延伸的多個尋址電極A1至Am以及在行方向上延伸的成對的多個維持電極X1至Xn和多個掃描電極Y1至Yn。
控制器200接收外部視頻信號并輸出尋址電極驅(qū)動控制信號、維持電極驅(qū)動控制信號和掃描電極驅(qū)動控制信號。等離子體顯示裝置在幀時間期間驅(qū)動?？刂破?00將每幀劃分成分別具有亮度權(quán)數(shù)的多個子場，并在子場期間驅(qū)動等離子體顯示裝置。控制器200將多個X電極X1至Xn劃分成兩組。所述兩組之一包括奇數(shù)維持電極(圖4至圖9中的Xodd)，另一組包括偶數(shù)維持電極(圖4至圖9中的Xeven)。
在從控制器200接收尋址電極驅(qū)動控制信號之后，尋址電極驅(qū)動器300將驅(qū)動電壓施加到各尋址電極A1至Am。
在從控制器200接收掃描電極驅(qū)動控制信號之后，掃描電極驅(qū)動器400將驅(qū)動電壓施加到掃描電極Y，在從控制器200接收維持電極驅(qū)動控制信號之后，維持電極驅(qū)動器500將驅(qū)動電壓施加到維持電極X。
圖2示出了在圖1中示出的PDP的電極布置的一個示例性實施例。
在一個實施例的PDP 100中，尋址電極A1至Am形成在一個基底上，維持電極X1至Xn和掃描電極Y1至Yn形成在另一基底上，使得兩個基底彼此面對。如圖2所示，掃描電極Y1至Yn和維持電極X1至Xn限定用于顯示圖像的顯示區(qū)域L1至L(2n-1)，顯示區(qū)域L1至L(2n-1)包括第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域。更具體地講，第一顯示區(qū)域L1，...，L(2i-1)，...，L(2n-1)中的每個通過掃描電極Y1至Yn中的相應的一個和奇數(shù)維持電極X1，...，Xi，...，X(n-1)中的相應的一個來限定。為了便利起見，假定圖1至圖3中‘i’為奇數(shù)，‘n’為偶數(shù)。第二顯示區(qū)域L2，L3，...，L2i，...，L(2n-2)，L(2n-1)中的每個通過掃描電極Y1至Yn中的相應的一個和偶數(shù)維持電極X2，...，X(i+1)，...，Xn中的相應的一個來限定。例如，顯示區(qū)域L1通過掃描電極Y1和維持電極X1限定，顯示區(qū)域L2通過掃描電極Y1和維持電極X2限定。也就是說，兩個相鄰的第一顯示區(qū)域L(2i-1)和第二顯示區(qū)域L2i共用一個掃描電極Yi，即共用一條掃描線。掃描線是用于傳輸掃描脈沖的線，掃描電極Y1至Yn分別與多條掃描線相對應，所述多條掃描線分別連接到多個掃描電路。此外，掃描電極Y1至Yn中的每個可在概念上劃分為鄰近第一顯示區(qū)域的一部分(下文中稱為“奇數(shù)部分”)和鄰近第二顯示區(qū)域的另一部分(下文中稱為“偶數(shù)部分”)。也就是說，掃描電極Y1至Yn的奇數(shù)部分鄰近奇數(shù)維持電極，掃描電極Y1至Yn的偶數(shù)部分鄰近偶數(shù)維持電極。
位于顯示區(qū)域L1至L(2n-1)和尋址電極A1至Am的交叉區(qū)域處的放電空間分別限定放電室(下文中稱為“室”)28。室28被障肋29在行方向上劃分。障肋29在列方向上延伸并設(shè)置在兩個相鄰的尋址電極之間。維持電極X1至Xn中的每個包括匯流電極31a和透明電極31b，掃描電極Y1至Yn中的每個也包括匯流電極32a和透明電極32b。透明電極31b和32b分別連接到匯流電極31a和32a。這里，透明電極32b中鄰近奇數(shù)維持電極的部分可相應于奇數(shù)部分，透明電極32b中鄰近偶數(shù)維持電極的部分可相應于偶數(shù)部分。在一個實施例中，透明電極31b或32b的沿列方向的寬度(或尺寸)可比匯流電極31a或32a的沿列方向的寬度寬。在一個實施例中，透明電極31b或32b可由非透明材料形成。在一個實施例中，維持電極和掃描電極中的每個可通過沒有透明電極的寬匯流電極形成，或者可通過沒有匯流電極的透明電極形成。在一個實施例中，另外的障肋(未示出)可形成在匯流電極31a和32a上，使得室28可在列方向上被劃分。
根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例，由于兩個相鄰的顯示區(qū)域共用一個掃描電極或一個維持電極，所以與通過一對掃描電極和維持電極只限定一個顯示區(qū)域的構(gòu)造相比，可以減少維持電極和掃描電極的數(shù)目。例如，當驅(qū)動512個顯示區(qū)域時，在一個維持電極和一個掃描電極限定一個顯示區(qū)域的PDP中維持電極或掃描電極的數(shù)目為512。但是，在根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的PDP中，維持電極或掃描電極的數(shù)目可以為512的大約一半，即256。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例，在保持與電極共用一個顯示區(qū)域的傳統(tǒng)的PDP相同數(shù)目的維持電極和掃描電極的同時，PDP的顯示區(qū)域的數(shù)目可以翻倍?；蛘撸擯DP被設(shè)計成具有與維持電極和掃描電極共用一個顯示區(qū)域的傳統(tǒng)的PDP相同的分辨率時，維持電極或掃描電極的數(shù)目可減少大約一半。此外，由于兩個顯示區(qū)域共用一個掃描電極，即共用一條掃描線，所以連接到掃描電極(掃描線)的掃描電路的數(shù)目可減少大約一半。
上述的PDP構(gòu)造是一個示例。現(xiàn)在將描述在本發(fā)明的另一示例性實施例中采用的另一構(gòu)造。圖3示出了PDP 100′的電極布置圖的另一示例性實施例。PDP 100′可代替PDP 100使用在圖1的等離子體顯示裝置中。
如圖3所示，除了維持電極和掃描電極共用一個顯示區(qū)域外，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的PDP 100′的電極布置與根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的PDP 100的電極布置相似。也就是說，在PDP 100′中，障肋29′形成在掃描電極Yi′和維持電極X(i+1)′之間。因此，顯示區(qū)域Li′通過維持電極Xi′和掃描電極Yi′限定，其中掃描電極Yi′只在一邊與維持電極Xi′相鄰。因此，多個第一顯示區(qū)域L1′，...，Li′，...，L(n-1)′中的每個通過奇數(shù)維持電極X1′，...，Xi′，...，X(n-1)′中的相應的一個和奇數(shù)掃描電極Y1′，...，Yi′，...，Y(n-1)′中的相應的一個來限定。第二顯示區(qū)域L2′，...，L(i+1)′，...，Ln′中的每個通過偶數(shù)維持電極X2′，...，X(i+1)′，...，Xn′中的相應的一個和偶數(shù)掃描電極Y2′，...，Y(i+1)′，...，Yn′中的相應的一個來限定。在另一實施例中，多個第一顯示區(qū)域中的每個可通過奇數(shù)維持電極中的相應的一個和偶數(shù)掃描電極中的相應的一個來限定。第二顯示區(qū)域中的每個可通過偶數(shù)維持電極中的相應的一個和奇數(shù)掃描電極中的相應的一個來限定。此外，透明電極31b′和32b′不同于圖2中的透明電極31b和32b形成，并分別連接到匯流電極31a′和32a′。
此外，多條掃描線中的每條與一對掃描電極相對應。也就是說，每條掃描線包括奇數(shù)掃描電極之一和偶數(shù)掃描電極之一。因此，在尋址階段，掃描脈沖被同時施加到兩個掃描電極。結(jié)果，連接到掃描線的掃描電路的數(shù)目可減少大約一半。
現(xiàn)在，將描述具有根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例和第二示例性實施例的PDP的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法。下文中，為便于描述，將參照在圖2中示出的根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的PDP 100來描述驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法。除了掃描脈沖被同時施加到都相應于一條掃描線的奇數(shù)掃描電極之一和偶數(shù)掃描電極之一之外，驅(qū)動圖3中示出的PDP 100′的方法與驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的PDP 100的方法相似。
圖4示出了用于表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的框圖。
下文中，由第一顯示區(qū)域和尋址電極A1至Am限定的室將稱為“Xodd線室”(或奇數(shù)室)，由第二顯示區(qū)域和尋址電極A1至Am限定的室將稱為“Xeven線室”(或偶數(shù)室)。如上所述，第一顯示區(qū)域由奇數(shù)維持電極Xodd和掃描電極Y1至Yn限定，第二顯示區(qū)域由偶數(shù)維持電極Xeven和掃描電極Y1至Yn限定。此外，處于點火狀態(tài)的室具有足夠的壁電荷來產(chǎn)生維持階段的維持放電，處于點火狀態(tài)的室將稱為“點火放電室”，處于熄火狀態(tài)的室沒有足夠的壁電荷來產(chǎn)生維持階段的維持放電，處于熄火狀態(tài)的室將稱為“熄火放電室”。用于不管室在前一子場中是否經(jīng)歷了維持放電都將所有室重置放電以使這些室初始化的重置階段將稱為“主重置階段”(MR)。用于只將那些在前一子場中經(jīng)歷了維持放電的室重置放電以只使這些室初始化的重置階段將稱為“選擇重置階段”(SR)。此外，用于使用寫尋址方法的尋址階段將稱為“寫地址階段”(WA)，用于使用擦除尋址方法的尋址階段將稱為“擦除地址階段”(EA)。所述寫尋址方法是為了將已處于熄火狀態(tài)的室尋址放電，以將這個室設(shè)置成點火狀態(tài)或者將這個室轉(zhuǎn)換成點火狀態(tài)，所述擦除尋址方法是為了將已處于點火狀態(tài)的室尋址放電，以將這個室設(shè)置成熄火狀態(tài)或者將這個室轉(zhuǎn)換成熄火狀態(tài)。
如圖4所示，幀被劃分成奇數(shù)幀和偶數(shù)幀。在一個實施例中，幀可被劃分成兩組，兩組之一可包括一個或多個連續(xù)幀，另一組可包括一個或多個其它的連續(xù)幀。每幀被劃分成多個子場SF1至SF10。子場SF1至SF10各具有預定的權(quán)數(shù)。雖然在圖4中已示出子場SF1至SF10分別具有1、2、4、8、8、8、8、8、8和8的權(quán)數(shù)，但是在其它實施例中子場SF1至SF10可具有不同的權(quán)數(shù)。
在奇數(shù)幀的第一子場SF1至第三子場SF3中，對Xodd線室執(zhí)行子場操作，而Xeven線室不執(zhí)行子場操作。在偶數(shù)幀的第一子場SF1至第三子場SF3中，對Xeven線室執(zhí)行子場操作，而Xodd線室不執(zhí)行子場操作。因此，在奇數(shù)幀的第一子場SF1至第三子場SF3期間，基本上沒有光可從Xodd線室發(fā)射。相似地，在偶數(shù)幀的第一子場SF1至第三子場SF3期間，基本上沒有光可從Xeven線室發(fā)射。也就是說，相應于低灰階子場的在第一子場SF1至第三子場SF3期間的光發(fā)射是相對于兩幀(即，奇數(shù)幀和偶數(shù)幀)期間所有室來實現(xiàn)的。
下面幾段描述奇數(shù)幀期間驅(qū)動裝置的方法。奇數(shù)幀的第一子場SF1包括主重置階段MR、寫地址階段WA和維持階段S。接著，第二子場SF2和第三子場SF3各包括選擇重置階段SR、寫地址階段WA和維持階段S。如上所述，在第一子場SF1至第三子場SF3中，只對Xodd線室執(zhí)行重置、尋址和維持階段的操作。另外，由于第二子場SF2和第三子場SF3的重置階段SR被設(shè)置為選擇重置階段，所以可縮短重置階段并可增大對比度。在一個實施例中，主重置階段可代替選擇重置階段用于第二子場SF2或第三子場SF3的重置階段。
隨后，在奇數(shù)幀的第四子場SF4中，在對Xodd線室執(zhí)行選擇重置階段SR、第一寫地址階段WA1和第一維持階段S1的操作之后，對Xeven線室執(zhí)行主重置階段MR、第二寫地址階段WA2和第二維持階段S2的操作。由于在前面的子場SF1至SF3中Xeven線室已發(fā)生任何放電，所以在第四子場SF4中執(zhí)行主重置階段MR的操作，以使Xeven線室初始化。此外，當在第二維持階段S2期間Xeven線室產(chǎn)生維持放電時，Xodd線室再次產(chǎn)生維持放電。
在第五子場SF5至第十子場SF10中，對Xodd線室和Xeven線室都執(zhí)行子場操作。第五子場SF5至第十子場SF10各包括第一擦除地址階段EA1、第二擦除地址階段EA2、第一維持階段S1和第二維持階段S2。在第五子場SF5至第十子場SF10中，對Xodd線室執(zhí)行第一擦除地址階段EA1的操作和第一維持階段S1的操作。接著，對Xeven線室執(zhí)行第二擦除地址階段EA2的操作和第二維持階段S2的操作。由于在第四子場SF4的第二維持階段S2期間維持放電的室處于點火狀態(tài)，所以在第五子場SF5的擦除地址階段EA1和EA2期間在這些維持放電的室中選擇將被設(shè)置成熄火狀態(tài)的室。此外，在第六子場SF6至第十子場SF10的各擦除地址階段EA1和EA2期間，從在前面的子場的第二維持階段S2中維持放電的室(即，點火放電室)中選擇將被設(shè)置成熄火狀態(tài)的室。當在圖4的Xodd線室和Xeven線室中都示出維持階段S1或S2時，在Xodd線室和Xeven線室中產(chǎn)生維持放電。也就是說，維持脈沖被施加到奇數(shù)維持電極Xodd和偶數(shù)維持電極Xeven。
此外，除了Xodd線室和Xeven線室的操作次序相反之外，偶數(shù)幀的驅(qū)動方法與奇數(shù)幀的驅(qū)動方法基本相同，因此將省略對偶數(shù)幀的驅(qū)動方法的詳細描述。也就是說，在第一子場SF1至第三子場SF3中對Xeven線室執(zhí)行重置、寫地址和維持階段的操作。在第四子場SF4中，在對Xeven線室執(zhí)行重置、寫地址和維持階段的操作之后對Xodd線室執(zhí)行重置、寫地址和維持階段的操作。此外，在偶數(shù)幀的第五子場SF5至第十子場SF10中，對Xeven線室執(zhí)行擦除地址階段的操作和維持階段的操作，接著，對Xodd線室執(zhí)行擦除地址階段的操作和維持階段的操作。
在圖4中，因為當擦除尋址方法應用于擦除地址階段時在后面的子場中不能再將熄火放電室設(shè)置成點火狀態(tài)，所以第五子場SF5至第十子場SF10的權(quán)數(shù)與第四子場SF4的權(quán)數(shù)相同。在一個實施例中，第五子場SF5至第十子場SF10的各權(quán)數(shù)可被設(shè)置為不同于8的權(quán)數(shù)，例如可被設(shè)置為大于8的值，但是可以不表示所有256灰度級。因此，當?shù)谖遄訄鯯F5至第十子場SF10的權(quán)數(shù)被設(shè)置為不同于8的權(quán)值時，可使用半色調(diào)(half-toning)法例如抖動法來表示各256灰階。
現(xiàn)在，將參照圖5至圖9來描述用于使用圖4的驅(qū)動方法的驅(qū)動波形。奇數(shù)幀的驅(qū)動波形示出在圖5至圖9中。可以通過將在奇數(shù)幀期間施加到奇數(shù)維持電極Xodd的驅(qū)動波形施加到偶數(shù)維持電極Xeven并將在奇數(shù)幀期間施加到偶數(shù)維持電極Xeven的驅(qū)動波形施加到奇數(shù)維持電極Xodd來實現(xiàn)偶數(shù)幀的驅(qū)動波形。因此，下面將描述施加到奇數(shù)幀的驅(qū)動波形。
圖5示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動波形中的第一子場SF1至第三子場SF3的驅(qū)動波形的示圖。
如圖5所示，第一子場包括主重置階段MR、寫地址階段WA和維持階段S，第二子場和第三子場分別包括選擇重置階段SR、寫地址階段WA和維持階段S。
第一子場SF1的主重置階段MR包括擦除階段I、上升階段II和下降階段III。
在主重置階段MR的擦除階段I中，掃描電極Y1至Yn的電壓從電壓Vs逐漸降低到基準電壓(圖5中的0V)，而電壓Ve被施加到奇數(shù)維持電極Xodd和偶數(shù)維持電極Xeven。在所描述的實施例中，電壓Ve高于基準電壓0V。在擦除階段之前，即在先前幀的最后子場中，正壁電荷和負壁電荷分別形成在維持放電室的維持電極和掃描電極上。在所述的實施例中，在擦除階段I期間，這些壁電荷基本消除。因此，在先前幀的最后子場中維持放電的室的狀態(tài)變得相似于在最后子場中沒有維持放電的室的狀態(tài)。在一個實施例中，在擦除階段I期間，維持電極Xeven和Xodd的電壓可逐漸增大，而掃描電極Y1至Yn被偏置在基準電壓0V。在一個實施例中，用于消除壁電荷的至少一個脈沖，例如至少一個具有窄寬度的方脈沖，可被施加到掃描電極Y1至Yn和/或維持電極Xeven和Xodd。
隨后，在主重置階段MR的上升階段II中，掃描電極Y1至Yn的電壓從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset，而電壓Ve被施加到偶數(shù)維持電極Xeven且基準電壓0V被施加到奇數(shù)維持電極Xodd。此外，基準電壓0V被施加到尋址電極A1至Am。由于基準電壓0V被施加到奇數(shù)維持電極Xodd，所以在奇數(shù)維持電極Xodd和掃描電極Y1至Yn的奇數(shù)部分之間發(fā)生弱的重置放電。如上所述，掃描電極Y1至Yn的奇數(shù)部分可相應于圖3中示出的PDP 100′中的奇數(shù)掃描電極(圖3的Y1′，...，Yi′，...，Y(n-1)′)。由于電壓Ve被施加到偶數(shù)維持電極Xeven，所以在偶數(shù)維持電極Xeven和掃描電極Y1至Yn的偶數(shù)部分之間不發(fā)生重置放電。如上所述，掃描電極Y1至Yn的偶數(shù)部分可相應于圖3中示出的PDP 100′中的偶數(shù)掃描電極(Y2′，...，Y(i+1)′，...，Yn′)。此外，在掃描電極Y1至Yn和尋址電極A1至Am之間發(fā)生弱的重置放電。因此，負壁電荷形成在掃描電極Y1至Yn的奇數(shù)部分上。此外，正壁電荷形成在奇數(shù)維持電極Xodd上，負壁電荷形成在尋址電極A1至Am上。也就是說，重置放電只在Xodd線室中發(fā)生，從而使Xodd線室初始化。
此外，由于當電極電壓如圖5所示逐漸改變時在室中發(fā)生弱放電，所以形成壁電荷，使得外部電壓和壁電壓之和可保持在放電著火電壓。
此外，由于所有Xodd線室在第一子場SF1的主重置階段MR期間被初始化，所以電壓Vset可足夠高，以在各種條件下在室中產(chǎn)生放電。電壓Vs可低于掃描電極Y1至Yn和維持電極X1至Xn之間的放電著火電壓。電壓Vs可被設(shè)置成等于圖5中的維持階段S期間施加的維持脈沖的電壓，以減少用于在重置和維持階段期間施加電壓的電源數(shù)目，并且其它的電壓可代替電壓Vs。可設(shè)置電壓Ve，使得掃描電極Y1至Yn和偶數(shù)維持電極Xeven之間由于電壓Vset和電壓Ve之間的差而不會發(fā)生重置放電。
在主重置階段MR的下降階段III中，掃描電極Y1至Yn的電壓從電壓Vs逐漸降低到電壓Vnf在這種情況下，基準電壓0V被施加到偶數(shù)維持電極Xeven，電壓Ve被施加到奇數(shù)維持電極Xodd，基準電壓0V被施加到尋址電極A1至Am。然后，在掃描電極Y1至Yn的奇數(shù)部分和奇數(shù)維持電極Xodd之間以及在掃描電極Y1至Yn和尋址電極A1至Am之間發(fā)生弱的重置放電。因此，形成在掃描電極Y1至Yn的奇數(shù)部分上的負壁電荷以及形成在奇數(shù)維持電極Xodd和尋址電極A1至Am上的正壁電荷基本上消除。然而，由于在上升階段II中掃描電極Y1至Yn的偶數(shù)部分和偶數(shù)維持電極Xeven之間沒有產(chǎn)生弱放電，所以在下降階段III中接收基準電壓0V的偶數(shù)維持電極Xeven和掃描電極Y1至Yn的偶數(shù)部分之間不產(chǎn)生重置放電。因此，Xodd線室被重置放電，從而被初始化成熄火放電室，并具有用于尋址操作的壁電荷?？稍O(shè)置電壓Ve和電壓Vnf，使得掃描電極Y1至Yn的奇數(shù)部分和奇數(shù)維持電極Xodd之間的壁電壓可達到0V。因而，可防止在寫地址階段沒有尋址放電的熄火放電室在維持階段放電。此外，由于尋址電極A1至Am被保持在基準電壓0V，所以可通過電壓Vnf來確定掃描電極的偶數(shù)部分和尋址電極A1至Am之間的壁電壓。
由于在第一子場SF1的主重置階段重置放電只發(fā)生在Xodd線室中，所以適當?shù)挠糜趯ぶ凡僮鞯谋陔姾尚纬稍赬odd線室中。然而，由于在Xeven線室中沒有發(fā)生重置放電，所以在Xeven線室中沒有形成適當?shù)挠糜趯ぶ凡僮鞯谋陔姾?。此外，Xodd線室的壁電荷狀態(tài)由于重置放電而變?yōu)橄ɑ馉顟B(tài)。
隨后，在第一子場SF1的寫地址階段WA中，為了在Xodd線室中選擇點火放電室，具有電壓Vsc1的掃描脈沖被順次施加到掃描電極Y1至Yn(即，掃描線)，并且電壓Vsch被施加到?jīng)]有接收電壓Vsc1的掃描電極。在圖3中示出的PDP 100′中，掃描脈沖可順次施加到掃描線，即可順次施加到掃描電極對(Y1′和Y2′；Y3′和Y4′；...)。此外，基準電壓0V和電壓Ve被分別施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd。電壓Vsc1稱為掃描電壓，電壓Vsch稱為非掃描電壓。具有電壓Va的尋址脈沖被施加到穿過由接收電壓Vsc1的掃描電極限定的Xodd線室中將被選擇的室的尋址電極，其它的尋址電極被偏置在基準電壓0V。
然后，在由接收電壓Va的尋址電極、接收電壓Vsc1的掃描電極和接收電壓Ve的偶數(shù)維持電極Xeven形成的室中產(chǎn)生尋址放電。結(jié)果，正壁電荷形成在尋址放電室的掃描電極的奇數(shù)部分上，負壁電荷形成在尋址放電室的尋址電極和維持電極上。也就是說，Xodd線室中的尋址放電室被從熄火狀態(tài)設(shè)置成點火狀態(tài)，從而成為點火放電室。然而，由于在第一子場SF1的主重置階段MR中Xeven線室沒有被初始化并且在寫地址階段WA中偶數(shù)維持電極Xeven被偏置在基準電壓，所以在Xeven線室中不產(chǎn)生尋址放電。
在第一子場SF1的維持階段S中，具有電壓Vs的維持脈沖被交替地施加到掃描電極Y1至Yn和維持電極Xodd、Xeven。在第一子場SF1的寫地址階段WA中，由于維持脈沖而在被設(shè)置成點火狀態(tài)的室(即，點火放電室)中產(chǎn)生維持放電。
維持脈沖的數(shù)目可根據(jù)第一子場SF1的權(quán)數(shù)來適當?shù)卮_定。
除了應用于重置階段SR的驅(qū)動波形和應用于維持階段S的維持脈沖的數(shù)目之外，第二子場SF2和第三子場SF3的驅(qū)動波形與第一子場SF1的驅(qū)動波形相似。
更詳細地講，如圖5所示，在第二子場SF2和第三子場SF3的為選擇重置階段的重置階段SR中，掃描電極Y1至Yn的電壓從電壓Vs逐漸減小到電壓Vnf，而不是逐漸增加。因此，在先前子場中維持放電的室(即，點火放電室)重置放電，從而被設(shè)置成熄火放電室。
在第一子場SF1的維持階段S之后，由于最后的維持脈沖被施加到掃描電極Y1至Yn，所以負壁電荷和正壁電荷分別形成在維持放電室(即，Xodd線室中的在第一子場SF1中維持放電的室)的掃描電極的奇數(shù)部分和維持電極上。在基準電壓0V和電壓Ve被分別施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd的同時，掃描電極Y1至Yn的電壓在選擇重置階段SR中從電壓Vs逐漸下降到電壓Vnf。然后，重置放電發(fā)生在在第一子場SF1的維持階段維持放電的室中。然而，由于Xodd線室中在第一子場SF1中沒有維持放電的室被保持在第一子場SF1的主重置階段MR的壁電荷狀態(tài)(即，熄火狀態(tài))。也就是說，不需要對Xodd線室中的第一子場的熄火放電室重置放電。因此，選擇重置階段被應用于第二子場SF2的重置階段SR，所有Xodd線室在選擇重置階段SR期間被初始化成熄火狀態(tài)。
第三子場SF3的選擇重置階段SR的操作與第二子場SF2的選擇重置階段SR的操作相同，因此將省略對其詳細描述。在第二子場SF2和第三子場SF3的各維持階段S期間施加的維持脈沖的數(shù)目根據(jù)相應的子場SF2和SF3的權(quán)數(shù)來適當?shù)卮_定。
如上所述，在奇數(shù)幀的第一子場SF1至第三子場SF3中，只對Xodd線室執(zhí)行重置、寫地址和維持放電操作。在偶數(shù)幀的第一子場SF1至第三子場SF3中，以與上述相似的方式只對Xeven線室執(zhí)行重置、寫地址和維持放電操作。
圖6示出了表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的第四子場SF4的驅(qū)動波形的示圖。
首先，對Xodd線室執(zhí)行選擇重置階段SR、第一寫地址階段WA1和第一維持階段S1的操作。如圖6所示，除了由相應子場的權(quán)數(shù)確定的第一維持階段S1施加的維持脈沖的數(shù)目之外，在第四子場SF4中選擇重置階段SR、第一寫地址階段WA1和第一維持階段S1的驅(qū)動波形與第二子場SF2或第三子場SF3中的選擇重置階段SR、第一寫地址階段WA1和第一維持階段S1的驅(qū)動波形相似。
更詳細地講，在選擇重置階段SR中，執(zhí)行用于將Xodd線室初始化成熄火狀態(tài)的重置操作。也就是說，在電壓Ve被施加到奇數(shù)維持電極Xodd和基準電壓0V被施加到偶數(shù)維持電極Xeven的同時，掃描電極Y1至Yn的電壓從電壓Vs逐漸降低到電壓Vnf隨后，在第一寫地址階段WA1中，執(zhí)行用于在Xodd線室中選擇將被設(shè)置成點火放電室的室的寫地址操作。在第一維持階段S1中，通過將維持脈沖交替地施加到掃描電極Y1至Yn和維持電極Xodd、Xeven來執(zhí)行維持放電操作，以使所選擇的點火放電室維持放電。
接著，對Xeven線室執(zhí)行主重置階段MR、第二寫地址階段WA2和第二維持階段S2的操作。
如圖6所示，在主重置階段MR中，在基準電壓0V和電壓Ve被分別施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd的同時，掃描電極Y1至Yn的電壓從電壓Vs逐漸增加到電壓Vset。隨后，在電壓Ve和基準電壓0V被分別施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd的同時，掃描電極Y1至Yn的電壓從電壓Vs逐漸降低到電壓Vnf也就是說，在圖5中示出的第一子場SF1的主重置階段MR中施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd的驅(qū)動波形被分別施加到圖6中的奇數(shù)維持電極Xodd和偶數(shù)維持電極Xeven。因此，在Xeven線室中產(chǎn)生重置放電，使得Xeven線室被初始化成熄火狀態(tài)。
接著，在第二寫地址階段WA2中，由于電壓Ve和基準電壓0V被分別施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd，所以在Xeven線室中執(zhí)行寫地址操作。也就是說，通過尋址放電在Xeven線室中選擇點火放電室。結(jié)果，正壁電荷和負壁電荷分別形成在Xeven線室中的點火放電室的掃描電極的偶數(shù)部分和維持電極上。
在第二維持階段S2中，通過將維持脈沖交替地施加到掃描電極Y1至Yn和維持電極Xeven、Xodd來在第二寫地址階段WA2中選擇的點火放電室中產(chǎn)生維持放電。同時，由于在主重置階段MR和第二寫地址階段WA2中沒有產(chǎn)生放電，所以在第一維持階段S1中維持放電的室(即，Xodd線室的點火放電室)被保持在點火狀態(tài)。因此，當在第二維持階段S2中施加維持脈沖時，在在第一維持階段S1中維持放電的室(即，Xodd線室的點火放電室)中也產(chǎn)生維持放電。也就是說，在第二維持階段S2中，在第一寫地址階段WA1選擇的點火放電室和在第二寫地址階段WA2選擇的點火放電室維持放電。因此，由于Xodd線室在第一維持階段和第二維持階段中維持放電，所以與Xeven線室相比，Xodd線室中產(chǎn)生更多的維持放電。
另一方面，由于在第四子場SF4的第一維持階段S1中最后的維持脈沖被施加到掃描電極Y1至Yn，所以在第一維持階段S1之后，負壁電荷和正壁電荷分別形成在點火放電室的掃描電極的奇數(shù)部分和維持電極上。因此，形成壁電壓，使得維持電極的壁電勢高于掃描電極的奇數(shù)部分的壁電勢。由于在主重置階段MR中在Xodd線室中沒有產(chǎn)生重置放電，所以在主重置階段MR之后點火放電室的壁電荷狀態(tài)仍然保持。但是，在第二寫地址階段WA2中，由于當掃描電壓Vsc1順次施加到掃描電極Y1至Yn時基準電壓0V被施加到奇數(shù)維持電極Xodd，所以奇數(shù)維持電極Xodd的電壓高于掃描電極Y1至Yn的電壓。因此，通過壁電壓和在第二寫地址階段WA2中施加的電壓差|Vsc1|可在點火放電室中產(chǎn)生放電，從而可改變點火放電室的壁電荷狀態(tài)。結(jié)果，在第二維持階段S2中，這些點火放電室可不維持放電。
現(xiàn)在將參照圖7來描述用于防止在第一維持階段S1中維持放電的室的壁電荷變化的方法。
圖7示出了表示根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的第四子場SF4的驅(qū)動波形的示圖。如圖7所示，根據(jù)第二示例性實施例的第四子場的驅(qū)動波形還包括在主重置階段MR和第二寫地址階段WA2′之間的校正階段AS。此外，除了在第二寫地址階段WA2′中電壓Ve被施加到奇數(shù)維持電極Xodd之外，驅(qū)動波形與根據(jù)第一示例性實施例的驅(qū)動波形相同。
更具體地講，首先，在主重置階段MR之后的校正階段AS中，電壓Ve被施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd，基準電壓0V被施加到掃描電極Y1至Yn。由于Xeven線室在主重置階段MR中被初始化，所以在校正階段AS中沒有放電發(fā)生。但是，如上所述，在主重置階段MR中，Xodd線室中的在第一維持階段S1中維持放電的室(即，點火放電室)被保持第一維持階段S1之后的壁電荷狀態(tài)。也就是說，在第一維持階段S1之后，負壁電荷和正壁電荷分別形成在Xodd線室中的點火放電室的掃描電極的奇數(shù)部分和維持電極上。在這種情況下，由于電壓Ve被施加到奇數(shù)維持電極Xodd且基準電壓0V被施加到掃描電極Y1至Yn，所以通過壁電壓與電壓Ve之和，點火放電室在校正階段AS期間再次維持放電。雖然在圖7中示出的電壓Ve低于電壓Vs，但是在一個實施例中電壓Ve可被設(shè)置為相似于電壓Vs的電壓。然后，在第一維持階段S1中維持放電的點火放電室在校正階段AS中再次維持放電。當電壓Ve被設(shè)置成相似于電壓Vs的電壓時，電壓Vnf可被設(shè)置成更低的電壓。
如上所述，由于在第一維持階段S1中維持放電的點火放電室在校正階段AS中再次維持放電，所以負壁電荷和正壁電荷分別形成在點火放電室的維持電極和掃描電極的奇數(shù)部分上。在第二寫地址階段WA2′期間，在電壓Ve被施加到所有維持電極Xeven和Xodd的同時，掃描脈沖被順次施加到掃描電極Y1至Yn。因此，在第二寫地址階段WA2′期間，由于當施加掃描脈沖時在校正階段AS形成的壁電壓不產(chǎn)生放電，所以在第一維持階段S1中維持放電的點火放電室的壁電荷狀態(tài)不改變。此外，在第二寫地址階段WA2′期間以與圖6中示出的第二寫地址階段WA2的相似方式來在Xeven線室中選擇點火放電室。
圖8示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第五子場SF5的驅(qū)動波形的示圖。
如圖8所示，第五子場SF5包括用于Xodd線室的第一擦除地址階段EA1、第一維持階段S1、用于Xeven線室的第二擦除地址階段EA2、第二維持階段S2。為了使用擦除尋址方法，室需要處于點火狀態(tài)。由于在第四子場SF4中維持放電的室處于點火狀態(tài)，所以可接著第四子場SF4的維持階段S2設(shè)置第一擦除地址階段EA1。
在第五子場SF5的第一擦除地址階段EA1中，地電壓0V和電壓Ve′分別被施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd。具有電壓Vsc1′的掃描脈沖被順次施加到掃描電極Y1至Yn(即，掃描線)，電壓Vsch′被施加到?jīng)]有接收電壓Vsc1′的掃描電極。在圖3的PDP 100′中，具有電壓Vsc1′的掃描脈沖可順次施加到掃描線，即可以順次施加到掃描電極對。電壓Ve′低于在第一至第四子場的寫地址階段中施加的電壓Ve。由于在第四子場SF4的第二維持階段S2中最后的維持脈沖被施加到掃描電極Y1至Yn，所以負壁電荷和正壁電荷分別形成在在第四子場SF4的維持階段S2中維持放電的點火放電室的掃描電極和維持電極上。由于掃描電壓Vscl′和尋址電壓Va′之差(Va′+|Vsc1′|)被添加到由維持放電室的壁電荷形成的壁電壓，所以在接收掃描電壓Vsc1′的掃描電極和接收尋址電壓Va′的尋址電極之間產(chǎn)生弱放電。此時，由于電壓Ve′被施加到奇數(shù)維持電極Xodd，所以弱放電蔓延到奇數(shù)維持電極Xodd，使得在接收電壓Vsc1′的掃描電極和接收電壓Ve′的奇數(shù)維持電極之間產(chǎn)生尋址放電。結(jié)果，在由接收電壓Va′的尋址電極、接收電壓Vsc1′的掃描電極的奇數(shù)部分和接收電壓Ve′的奇數(shù)維持電極限定的點火放電室中壁電荷基本消除，使得這些點火放電室切換到熄火狀態(tài)(即，熄火放電室)。但是，由于偶數(shù)維持電極Xeven被偏置在基準電壓0V，所以在掃描電極和尋址電極之間產(chǎn)生的弱放電不蔓延到偶數(shù)維持電極Xeven。因此，當掃描電壓Vsc1′和尋址電壓Va′被施加到Xeven線室時，在Xeven線室處不執(zhí)行擦除地址操作。如上所述，可根據(jù)是否施加電壓Ve′來決定擦除地址操作。
由于最后的維持脈沖被施加到掃描電極Y1至Yn，所以負壁電荷和正壁電荷充分地形成在在第四子場SF4的維持階段S2中維持放電的室的掃描電極和維持電極上，因而可通過低于電壓Ve的電壓Ve′來執(zhí)行擦除地址操作。因此，如上所述，在第一擦除地址階段EA1中施加的電壓Ve′低于電壓Ve。此外，由于第一擦除地址階段EA1中的擦除操作是為了將維持放電室設(shè)置成熄火狀態(tài)，所以在圖8中，第一擦除地址階段EA1中的掃描電壓Vsc1′和非掃描電壓Vsch′可分別設(shè)置得比第一子場SF1至第四子場SF4的寫地址階段中的掃描電壓Vsc1和非掃描電壓Vsch高。此外，在第一擦除地址階段EA1施加的掃描脈沖的寬度可比在第一子場SF1至第四子場SF4的寫地址階段施加的掃描脈沖的寬度窄。由于擦除地址操作在尋址放電室中基本上不形成壁電荷，所以可減小擦除地址階段中的掃描脈沖的寬度。
在第五子場SF5的第一維持階段S1中，通過將維持脈沖交替地施加到掃描電極Y1至Yn和維持電極Xodd、Xeven來使保持點火狀態(tài)的室(即，Xeven線室的點火放電室和Xodd線室的點火放電室中的沒有尋址放電的室)維持放電。在這種情況下，維持脈沖的數(shù)目根據(jù)第五子場SF5的權(quán)數(shù)來適當?shù)剡x擇。
在第一維持階段S1中施加的維持脈沖能夠補充在第一擦除地址階段EA1中Xeven線室的失去的壁電荷。如上所述，當在第一擦除地址階段EA1中掃描電壓Vsc1′和尋址電壓Va′分別施加到掃描電極和尋址電極時，雖然基準電壓0V被施加到偶數(shù)維持電極Xeven，但是在Xeven線室的尋址電極和掃描電極的偶數(shù)部分之間產(chǎn)生弱放電。因此，由于形成在Xeven線室的點火放電室的尋址電極上的壁電荷通過弱放電而基本上消除，所以在第二擦除地址階段EA2中Xeven線室的點火放電室會不正確地執(zhí)行擦除地址操作。但是，通過第一維持階段S1的操作補充了所消除的壁電荷。由于在第一擦除地址階段EA1中沒有選擇Xeven線室的點火放電室，所以雖然在第一擦除地址階段EA1中消除了一些壁電荷，但是當在第一維持階段S1中施加維持脈沖時，Xeven線室的點火放電室產(chǎn)生維持放電。所消除的壁電荷通過維持放電來補充。
隨后，在第二擦除地址階段EA2中，電壓Ve′和基準電壓0V被分別施加到偶數(shù)維持電極Xeven和奇數(shù)維持電極Xodd。此外，具有電壓Vsc1′的掃描脈沖被順次施加到掃描電極Y1至Yn(即，掃描線)且電壓Vsch′被施加到?jīng)]有接收電壓Vsc1′的掃描電極。掃描脈沖可順次施加到掃描線，即可以順次施加到圖3中示出的PDP 100′中的掃描電極對。由于電壓Ve′被施加到偶數(shù)維持電極Xeven，所以在第二擦除地址階段EA2中從Xeven線室選擇將被設(shè)置成熄火放電室的室。
此外，在第二維持階段S2中，維持脈沖被交替地施加到掃描電極Y1至Yn和維持電極Xodd、Xeven。
然后，保持點火狀態(tài)的室(即，第一維持階段S1中維持放電的室和第二擦除地址階段EA2中Xeven線室的點火放電室中的沒有尋址放電的室)維持放電。這里，在第二維持階段S2中施加的維持脈沖的數(shù)目被設(shè)置成等于在第一維持階段S1中施加的維持脈沖的數(shù)目。此外，Xodd線室中保持點火狀態(tài)的室的一些壁電荷在第二擦除地址階段EA2中消除，但是所消除的壁電荷在第二維持階段S2中以與第一維持階段S1中相似的方式通過維持放電來補充。因此，在第五子場SF5之后的第六子場SF6的第一擦除地址階段EA1中Xodd線室能夠正確地執(zhí)行擦除地址操作。
施加到第六子場SF6至第十子場SF10的驅(qū)動波形與在圖8中示出的第五子場SF5的驅(qū)動波形相同，因而將省略對其詳細描述。
另一方面，與如上所述的第四子場中的Xeven線室的點火放電室相比，Xodd線室的點火放電室中產(chǎn)生更多的維持放電。然而，Xodd線室的維持放電的數(shù)目與Xeven線室的維持放電的數(shù)目之差可在后面的子場或后面的幀中補充。
首先，假定Xodd線室中的任何一個室和Xeven線室中的任何一個室在第四子場SF4中被設(shè)置成點火狀態(tài)，并且在第五子場SF5至第十子場SF10中的第j子場SFj中被設(shè)置成熄火狀態(tài)。然后，Xodd線室中的點火放電室從第四子場SF4中的第一維持階段S1至第(j-1)子場SF(j-1)中的第二維持階段S2維持放電。Xeven線室中的點火放電室從第四子場SF4中的第二維持階段S2至第j子場SFj中的第一維持階段S1維持放電。因此，在Xodd線室中的點火放電室中維持放電的數(shù)目與Xeven線室中的點火放電室中維持放電的數(shù)目相同。
接著，假定Xodd線室中的任何一個室和Xeven線室中的任何一個室在第四子場SF4中被設(shè)置成點火狀態(tài)，并且在第五子場SF5至第十子場SF10中不被設(shè)置成熄火狀態(tài)。然后，Xodd線室中的點火放電室從第四子場SF4中的第一維持階段S1至第十子場SF10中的第二維持階段S2維持放電。Xeven線室中的點火放電室從第四子場SF4中的第二維持階段S2至第10子場SF10中的第二維持階段S2維持放電。因此，在Xodd線室中的點火放電室中維持放電的數(shù)目大于Xeven線室中的點火放電室中維持放電的數(shù)目。但是，由于在偶數(shù)幀中以與奇數(shù)幀相反的次序在對Xodd線室執(zhí)行尋址操作之前對Xeven線室執(zhí)行尋址操作，所以在整個兩幀中Xodd線室和Xeven線室的維持放電的數(shù)目可相同。
另一方面，為了在一幀中相等地設(shè)置維持放電的數(shù)目，可在第五子場SF5至第十子場SF10之一中施加圖9中示出的驅(qū)動波形。圖9示出了表示用于補償Xodd線室和Xeven線室之間維持放電的數(shù)目的驅(qū)動波形的圖示。雖然在圖9中對第五子場SF5中的驅(qū)動波形額外設(shè)置了用于補償維持放電數(shù)目的補償維持階段S3，但是在圖9中示出的驅(qū)動波形可應用于第五子場至第十子場中的任何一個子場。在補償維持階段S3中，預定的電壓Vm被施加到奇數(shù)維持電極Xodd，使得Xodd線室不產(chǎn)生維持放電。此外，在補償維持階段S3中，維持脈沖被交替地施加到偶數(shù)維持電極Xeven和掃描電極Y1至Yn，使得Xeven線室產(chǎn)生維持放電。此外，補償維持階段S3的維持脈沖的數(shù)目被設(shè)置成與第一維持階段S1的維持脈沖的數(shù)目基本相同。因此，由于在補償維持階段S3中只有Xeven線室產(chǎn)生維持放電，所以可補償維持放電的數(shù)目之差。電壓Vm被設(shè)置成低于電壓Vs的電平，使得可不產(chǎn)生維持放電。在一個實施例中，奇數(shù)維持電極Xodd在補償維持階段S3中可浮置。
等離子體顯示裝置的上述驅(qū)動波形將在奇數(shù)幀中施加。在偶數(shù)幀中，在圖5至圖9中施加到奇數(shù)維持電極Xodd的驅(qū)動波形被施加到偶數(shù)維持電極Xeven。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，掃描線的數(shù)目是顯示區(qū)域的數(shù)目的大約一半。因此，能夠減少分別連接到掃描線的掃描電路的數(shù)目。此外，如圖2所示，當根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的PDP和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的PDP(即，其中維持電極和掃描電極限定一個顯示區(qū)域的PDP)實現(xiàn)相同的分辨率時，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的PDP的電極數(shù)目相比，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的PDP的掃描電極和維持電極的數(shù)目可減少一半。
此外，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例可提高對比度。由于在各第一子場SF1至第三子場SF3中只有Xodd線室產(chǎn)生重置階段中的重置放電，所以與Xodd線室和Xeven線室都產(chǎn)生重置放電的情況相比，可提高對比度。此外，因為由于在第四子場SF4中維持放電的室執(zhí)行擦除地址操作而導致在各第五子場SF5至第十子場SF10中不需要重置放電，所以可進一步提高對比度。此外，由于在第五子場SF5至第十子場SF10中執(zhí)行擦除地址操作，所以可高速執(zhí)行尋址操作。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，由于維持電極或掃描電極限定兩個顯示區(qū)域，所以減少了電極的數(shù)目，因此可減少掃描電路的數(shù)目。此外，由于掃描脈沖被同時施加到兩個相鄰的掃描電極，所以可減少掃描電路的數(shù)目。
雖然已經(jīng)結(jié)合特定的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應該明白，本發(fā)明不限于所公開的實施例，相反，本發(fā)明意在覆蓋包括在權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種修改和布置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置，包括等離子體顯示面板，包括多個在第一方向上延伸的第一顯示區(qū)域、多個在第一方向上延伸的第二顯示區(qū)域、多個在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一電極、由所述多個第一顯示區(qū)域和所述多個第一電極限定的多個第一室、由所述多個第二顯示區(qū)域和所述多個第一電極限定的多個第二室；控制器，用于在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動等離子體顯示裝置，以將各幀劃分成包括第一子場和第二子場的多個子場；驅(qū)動器，用于，在第一幀的第一子場中通過使用第一尋址方法，對熄火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將所述室中的所述至少一個置為點火狀態(tài)，來在所述多個第一室和/或所述多個第二室中選擇至少一個點火放電室；對所述至少一個點火放電室維持放電；在第一幀的第二子場中在第一尋址階段期間，通過使用第二尋址方法，對點火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將所述室中的所述至少一個置為熄火狀態(tài)，來在所述多個第一室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第一尋址階段之后的第一維持階段期間，對在所述第一尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；在所述第一維持階段之后的第二尋址階段期間，通過使用所述第二尋址方法在所述多個第二室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對在所述第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器還用于，在第二幀的第二子場中在第一尋址階段期間，通過使用所述第二尋址方法，在所述多個第二室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第一尋址階段之后的第一維持階段期間，對在所述第一尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；在所述第一維持階段之后的第二尋址階段期間，通過使用所述第二尋址方法，在所述多個第一室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對在所述第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器還用于，為了在第一幀的第一子場中選擇至少一個點火放電室在第一尋址階段期間，在所述多個第一室中選擇至少一個第一點火放電室；在第二尋址階段期間，在所述多個第二室中選擇至少一個第二點火放電室；為了在第一幀的第一子場中對所述至少一個點火放電室維持放電在所述第一尋址階段和所述第二尋址階段之間的第一維持階段期間，對所述至少一個第一點火放電室維持放電；在所述第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對所述至少一個第一點火放電室和所述至少一個第二點火放電室維持放電。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器還用于，在第二幀的第一子場中在第一尋址階段期間，通過使用所述第一尋址方法，在所述多個第二室中選擇至少一個第一點火放電室；在所述第一尋址階段之后的第一維持階段期間，對所述至少一個第一點火放電室維持放電；在所述第一維持階段之后的第二尋址階段期間，通過使用所述第一尋址方法，在所述多個第一室中選擇至少一個第二點火放電室；在所述第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對所述至少一個第一點火放電室和所述至少一個第二點火放電室維持放電，其中，第一子場先于第二子場。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示裝置，其中，第一幀的第一子場的權(quán)數(shù)與第二幀的第一子場的權(quán)數(shù)相同，第一幀的第二子場的權(quán)數(shù)與第二幀的第二子場的權(quán)數(shù)相同。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述多個子場還包括先于第一子場的第三子場，其中，所述驅(qū)動器還用于，在第一幀的第三子場中在尋址階段期間，通過使用所述第一尋址方法，在所述多個第一室中選擇至少一個第一點火放電室；在所述尋址階段之后的維持階段期間，對所述至少一個第一點火放電室維持放電；在第二幀的第三子場中在尋址階段期間，通過使用所述第一尋址方法，在所述多個第二室中選擇至少一個第二點火放電室；在所述尋址階段之后的維持階段期間，對所述至少一個第二點火放電室維持放電。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示裝置，其中，所述驅(qū)動器還用于在第一幀的第三子場期間基本上不在所述多個第二室中選擇點火放電室，在第二幀的第三子場期間基本上不在所述多個第一室中選擇點火放電室。
8.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示裝置，其中，第一幀的第三子場的權(quán)數(shù)與第二幀的第三子場的權(quán)數(shù)相同。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，在第一子場期間維持放電的所述至少一個點火放電室包括在所述第一尋址階段期間選擇的所述至少一個熄火放電室和在所述第二尋址階段期間選擇的所述至少一個熄火放電室。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中，所述等離子體顯示面板還包括多個在所述第一方向上延伸的第二電極，所述多個第二電極被劃分成第一組第二電極和第二組第二電極，其中，所述多個第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極限定，所述多個第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極限定。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置，其中，所述等離子體顯示面板還包括多個在所述第一方向上延伸的第三電極，其中，各第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極中的相應的一個和所述多個第三電極中的相應的一個限定，各第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極中的相應的一個和所述多個第三電極中的相應的一個限定。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置，其中，所述等離子體顯示裝置還包括多個在所述第一方向上延伸的第三電極，所述多個第三電極被劃分成至少第一組第三電極和第二組第三電極，其中，各第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極中相應的一個和所述第一組第三電極中相應的一個限定，各第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極中相應的一個和所述第二組第三電極中相應的一個限定，其中，當使用所述第一尋址方法和所述第二尋址方法時，所述驅(qū)動器同時將掃描信號施加到所述第一組第三電極中的一個和所述第二組第三電極中的一個。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一組第三電極和所述第二組第三電極之一包括所述第三電極中的奇數(shù)電極，另一組包括所述第三電極中的偶數(shù)電極。
14.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一組第二電極和所述第二組第二電極之一包括所述第二電極中的奇數(shù)電極，另一組包括所述第二電極中的偶數(shù)電極。
15.一種用于驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法，所述等離子體顯示裝置包括多個在第一方向上延伸的第一電極、多個在所述第一方向上延伸的第二電極、多個在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第三電極、多個第一室、多個第二室，在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動所述等離子體顯示裝置，所述方法包括將各幀劃分成多個子場；在第一幀的至少一個子場中在第一尋址階段期間，通過使用第一尋址方法，對點火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將所述室中的所述至少一個置為熄火狀態(tài)，來在所述多個第一室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第一尋址階段之后的第一維持階段期間，對在所述第一尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；在所述第一維持階段之后的第二尋址階段期間，通過使用所述尋址方法在所述多個第二室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對在所述第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；其中，所述多個第二電極被劃分成至少第一組第二電極和第二組第二電極，其中，所述多個第一室由在所述第一方向上延伸的多個第一顯示區(qū)域和所述多個第三電極限定，所述多個第二室由在所述第一方向上延伸的多個第二顯示區(qū)域和所述多個第三電極限定，其中，各第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，各第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極中相應的一個和所述多條掃描線中相應的一條限定，其中，各掃描線包括所述多個第一電極中相應的至少一個。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述多條掃描線分別相應于所述多個第一電極。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述多個第一電極被劃分成至少第一組第一電極和第二組第一電極，其中，各掃描線與所述第一組第一電極中相應的一個和所述第二組第一電極中相應的一個相對應，其中，各第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極中相應的一個和所述第一組第一電極中相應的一個限定，其中，各第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極中相應的一個和所述第二組第一電極中相應的一個限定。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一組第一電極和所述第二組第一電極之一包括所述第一電極中的奇數(shù)電極，另一組包括所述第一電極中的偶數(shù)電極。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，在所述多個第一室中選擇所述至少一個熄火放電室包括將第一電壓施加到所述第一組第二電極；將低于所述第一電壓的第二電壓施加到所述第二組第二電極；將第一掃描脈沖和第一尋址脈沖分別施加到將被選擇的所述至少一個熄火放電室的掃描線和第三電極，其中，在所述多個第二室中選擇所述至少一個熄火放電室包括將第三電壓施加到所述第一組第二電極；將高于所述第三電壓的第四電壓施加到所述第二組第二電極；將第二掃描脈沖和第二尋址脈沖分別施加到將被選擇的所述至少一個熄火放電室的掃描線和第三電極。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一電壓和所述第四電壓基本相同，所述第二電壓和所述第三電壓基本相同。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一掃描脈沖的掃描電壓基本等于所述第二掃描脈沖的掃描電壓，所述第一尋址脈沖的尋址電壓基本等于所述第二尋址脈沖的尋址電壓。
22.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在第二幀的至少一個子場中在第一尋址階段期間，通過使用所述尋址方法，在所述多個第二室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第一尋址階段之后的第一維持階段期間，對在所述第一尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；在所述第一維持階段之后的第二尋址階段期間，通過使用所述尋址方法在所述多個第一室中選擇至少一個熄火放電室；在所述第二尋址階段之后的第二維持階段期間，對在所述第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電。
23.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在第三維持階段期間，對在所述第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的所述第二室中的至少一個進一步維持放電。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述進一步維持放電包括，在所述第三維持階段期間將第一電壓施加到所述第一組第二電極；將高于所述第一電壓的第二電壓和低于所述第一電壓的第三電壓交替地施加到所述多條掃描線和所述第二組第二電極。
25.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一組第二電極和所述第二組第二電極之一包括所述第二電極中的奇數(shù)電極，另一組包括所述第二電極中的偶數(shù)電極。
26.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，在所述至少一個子場之前保持點火狀態(tài)的室中的至少一個包括在所述第一尋址階段期間將被選擇的所述至少一個熄火放電室和在所述第二尋址階段期間將被選擇的所述至少一個熄火放電室。
27.一種用于驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法，所述等離子體顯示裝置包括多個在第一方向上延伸的第一電極、多個在所述第一方向上延伸的第二電極、多個在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第三電極、多個第一室、多個第二室，在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動所述等離子體顯示裝置，所述方法包括將各幀劃分成多個包括第一子場和第二子場的子場；在第一幀的第一子場中在第一重置階段期間，初始化所述多個第一室；在第一尋址階段期間，通過使用尋址方法，對熄火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將所述室中的所述至少一個置為點火狀態(tài)，來在所述多個第一室中選擇至少一個第一點火放電室；在第一維持階段期間，對所述至少一個第一點火放電室維持放電；在第二重置階段期間，初始化所述多個第二室；在第二尋址階段期間，通過使用所述尋址方法在所述多個第二室中選擇至少一個第二點火放電室；在第二維持階段期間，對所述至少一個第二點火放電室維持放電，其中，所述多個第二電極被劃分成至少第一組第二電極和第二組第二電極，其中，所述多個第一室由在所述第一方向上延伸的多個第一顯示區(qū)域和所述多個第三電極限定，所述多個第二室由在所述第一方向上延伸的多個第二顯示區(qū)域和所述多個第三電極限定，其中，各第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，各第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極中相應的一個和所述多條掃描線中相應的一條限定，其中，各掃描線包括所述多個第一電極中相應的至少一個。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述多條掃描線分別相應于所述多個第一電極。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述多個第一電極被劃分成至少第一組第一電極和第二組第一電極，其中，各掃描線與所述第一組第一電極中相應的一個和所述第二組第一電極中相應的一個相對應，其中，各第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極中相應的一個和所述第一組第一電極中相應的一個限定，其中，各第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極中相應的一個和所述第二組第一電極中相應的一個限定。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述選擇所述至少一個第一點火放電室包括將第一電壓施加到所述第一組第二電極；將低于所述第一電壓的第二電壓施加到所述第二組第二電極；將第一掃描脈沖和第一尋址脈沖分別施加到所述至少一個第一點火放電室的掃描線和第三電極，其中，所述選擇所述至少一個第二點火放電室包括將第三電壓施加到所述第一組第二電極；將高于所述第三電壓的第四電壓施加到所述第二組第二電極；將第二掃描脈沖和第二尋址脈沖分別施加到所述至少一個第二點火放電室的掃描線和第三電極。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，還包括，在所述第二重置階段和所述第二尋址階段之間的階段期間，對所述至少一個第一點火放電室維持放電。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述對所述至少一個第一點火放電室進一步維持放電包括，將第一電壓施加到所述多條掃描線；將高于第一電壓的第二電壓施加到所述第一組第二電極和所述第二組第二電極，其中，所述選擇所述至少一個第二點火放電室包括將所述第二電壓施加到所述第一組第二電極和所述第二組第二電極；將掃描脈沖和尋址脈沖分別施加到所述至少一個第二點火放電室的所述掃描線和所述第三電極。
33.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，在所述第一重置階段期間，在所述第一子場之前保持點火狀態(tài)的第一室中的至少一個被重置放電，以初始化所述多個第一室；在所述第二重置階段期間，所述多個第二室被重置放電，以初始化所述多個第二室。
34.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述初始化所述多個第一室包括在將第一電壓施加到所述第一組第二電極、將低于所述第一電壓的第二電壓施加到所述第二組第二電極的同時，逐漸降低所述多條掃描線的電壓，其中，所述初始化所述多個第二室包括在將第三電壓施加到所述第一組第二電極、將低于所述第三電壓的第四電壓施加到所述第二組第二電極的同時，逐漸增加所述多條掃描線的電壓，在將第五電壓施加到所述第一組第二電極、將高于所述第五電壓的第六電壓施加到所述第二組第二電極的同時，逐漸降低所述多條掃描線的電壓。
35.如權(quán)利要求27所述的方法，還包括在所述第二維持階段期間對所述至少一個第一點火放電室進一步維持放電。
36.如權(quán)利要求27所述的方法，還包括在第二幀的第一子場中在第一重置階段期間，初始化所述多個第二室；在第一尋址階段期間，通過使用第一尋址方法，在所述多個第二室中選擇至少一個第三點火放電室；在第一維持階段期間，對所述至少一個第三點火放電室維持放電；在第二重置階段期間，初始化所述多個第一室；在第二尋址階段期間，通過使用所述第一尋址方法在所述多個第一室中選擇至少一個第四點火放電室；在第二維持階段期間，對所述至少一個第四點火放電室維持放電。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，還包括在第一幀的第二子場中通過使用所述第一尋址方法，在所述多個第一室中選擇至少一個第五點火放電室；對所述至少一個第五點火放電室維持放電；在所述多個第二室中基本上不選擇任何點火放電室；在第二幀的第二子場中通過使用所述第一尋址方法，在所述多個第二室中選擇至少一個第六點火放電室；對所述至少一個第六點火放電室維持放電；在所述多個第一室中基本上不選擇點火放電室，其中，所述第二子場先于所述第一子場。
38.如權(quán)利要求27所述的方法，還包括在第一幀的第二子場中在第一尋址階段期間，通過使用第二尋址方法，對點火狀態(tài)的室中的至少一個尋址放電，以將所述室中的所述至少一個置于熄火狀態(tài)，來在所述多個第一室中選擇至少一個熄火放電室；在第一維持階段期間，對在所述第一尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電；在第二尋址階段期間，通過使用所述第二尋址方法在所述多個第二室中選擇至少一個熄火放電室；在第二維持階段期間，對在所述第二尋址階段之后保持點火狀態(tài)的室中的至少一個維持放電。
39.一種用于驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法，所述等離子體顯示裝置包括多個第一電極、多個第二電極、多個與所述多個第一電極和所述多個第二電極交叉的第三電極，在包括第一幀和第二幀的幀期間驅(qū)動所述等離子體顯示裝置，所述方法包括將各幀劃分成多個子場；在第一幀的至少一個子場中在重置階段期間，初始化多個第一室；在尋址階段期間，在所述多個第一室中選擇至少一個第一點火放電室；在維持階段期間，對所述至少一個第一點火放電室維持放電；在第二幀的至少一個子場中在重置階段期間，初始化多個第二室；在尋址階段期間，在所述多個第二室中選擇至少一個第二點火放電室；在維持階段期間，對所述至少一個第二點火放電室維持放電，其中，所述多個第二電極被劃分成至少第一組第二電極和第二組第二電極，其中，所述多個第一室由多個第一顯示區(qū)域和多個尋址電極限定，所述多個第二室由多個第二顯示區(qū)域和所述多個尋址電極限定，其中，各第一顯示區(qū)域由所述第一組第二電極中相應的一個和多條掃描線中相應的一條限定，各第二顯示區(qū)域由所述第二組第二電極中相應的一個和所述多條掃描線中相應的一條限定，其中，各掃描線包括所述多個第一電極中相應的至少一個。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，還包括在第一幀的所述至少一個子場期間，在所述多個第二室中基本上不選擇點火放電室；在第二幀的所述至少一個子場期間，在所述多個第一室中基本上不選擇點火放電室。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其中，在第一幀的所述至少一個子場期間，所述多個第二室基本上不發(fā)光，在第二幀的所述至少一個子場期間，所述多個第一室基本上不發(fā)光。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示裝置，該等離子體顯示裝置包括等離子體顯示面板，該等離子體顯示面板包括在第一方向上延伸的第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域以及在與第一方向交叉的第二方向上延伸的第一電極。第一室由第一顯示區(qū)域和第一電極限定，第二室由第二顯示區(qū)域和第一電極限定。在幀期間驅(qū)動等離子體顯示裝置，各幀被劃分成多個子場。在第一幀的第一子場中，使用第一尋址方法，驅(qū)動器在第一室和/或第二室中選擇至少一個點火放電室。在第一幀的第二子場中，使用第二尋址方法，驅(qū)動器在第一室中選擇至少一個熄火放電室，在第二室中選擇至少一個熄火放電室。
文檔編號H04N5/66GK1949316SQ200610142248
公開日2007年4月18日 申請日期2006年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月12日
發(fā)明者金晙淵, 梁鶴哲, 許賢九, 金貞男 申請人:三星Sdi株式會社