專利名稱：分頻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種音箱內(nèi)的分頻器，尤其是涉及一種音箱內(nèi)兩單元二分頻結(jié)構(gòu)的饋給中低音單元或三單元三分頻結(jié)構(gòu)的饋給中音單元、并將輸入音頻電流按高、低音分開的電路和電路結(jié)構(gòu)的分頻器。
背景技術(shù)：
分頻器又叫分音器，現(xiàn)有的分頻器，以兩單元二分頻為例，常見有二階的LC低通電路，在分頻點以外的應(yīng)衰減頻率只有12db/倍頻程下降率，特別是在分頻點以外的一至兩個倍頻程范圍內(nèi)衰減量不足，以致形成分離切割不明顯，通帶外不應(yīng)有的音頻信號在低音單元中放出；同理，高音單元也因這種原因使中音串入高音單元中放出，這兩種因素結(jié)合使在兩只單元交叉工作的頻率范圍內(nèi)合成的音質(zhì)不佳，以致影響放音的質(zhì)量。
例如，通常兩單元二分頻所采用的低音單元，目前它的頻率響應(yīng)上限已達(dá)3KHz-5KKHz左右，如果將低音單元的分頻點設(shè)置在3KHz則fd倍頻(6KHz)只衰減9db左右，12KHz時也只有衰減21db，這時，不需要的高音電流串入低音單元，干擾放音純度。因此，設(shè)計者不得不將低音單元的分頻點往低頻方向移動，市場上商品音箱的fd一般設(shè)置在＜2KHz，例如fd＝1.5KHz，這時3KHz衰減量9db，6KHz衰減達(dá)21db，12KHz衰減可達(dá)33db，這樣才基本滿足設(shè)計與實用要求，這種設(shè)計方案以犧牲低音單元的通頻帶寬度為代價來換取通帶外合適的衰減量，如

圖1所示，圖1也是傳統(tǒng)二階LC低通濾波電路的效果。
傳統(tǒng)的補救方法只能是將高音單元的分頻點也往低移動，來補償中低單元1.5K-3KHz響應(yīng)的不足。結(jié)果造成高音單元的功率承擔(dān)過重，使高、低兩單元合成時的狀態(tài)變壞，聲音還原顯得單薄，干硬。
也有采用一節(jié)電感的所謂一階低通電路，以這種軟著陸的狀態(tài)來配合高通電路，以此增加兩只喇叭工作的重合區(qū)域來弱化前面指出的那些電路的缺點，但這需要用高、低音單元本身的特性來配合。該技術(shù)也是目前音箱分頻(音)技術(shù)的另一支流。
二階LC低通濾波電路的分頻點無論怎樣設(shè)置其衰減斜率不會變，仍是按12db/倍頻程下降，如何在二階LC低通電路內(nèi)提高切割的斜率和效率而又同時增加它的通頻帶寬度這對矛盾成為音箱內(nèi)分頻器的技術(shù)瓶頸。而二階以外的LC低通電路雖然能提高衰減斜率，但它在傳輸過程中頻響起伏不定，電路會產(chǎn)生嚴(yán)重的相位失真和增加線圈的內(nèi)阻以致降低效率，這些電路因缺陷過多而不被采用失去實用意義。

實用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點，本實用新型提供一種音箱內(nèi)兩單元二分頻結(jié)構(gòu)的饋給中低音單元或三單元三分頻結(jié)構(gòu)的饋給中音單元、并將輸入音頻電流按高、低音分開的電路和電路結(jié)構(gòu)的分頻器，它能在通帶內(nèi)提供更平直的響應(yīng)，通帶外提供比二階120db滾降率更快的衰減特性，超過18db的滾降特性，使中低單元或中音單元與高音單元之間的干擾大幅減輕。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種分頻器，包括主線圈L1和負(fù)載電阻R，所述主線圈L1并聯(lián)電容C1，C1與L1構(gòu)成并聯(lián)諧振，在靠近主線圈L1處設(shè)有副線圈L2，該副線圈L2串接電容C2通地，L2C2構(gòu)成串聯(lián)諧振電路，在負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容C4，該負(fù)載電阻R串接L3、C3、R3構(gòu)成的并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)。
所述負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容CX1和RX1濾波電路。所述負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容CX2和RX2濾波電路。
所述負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容CX3和RX3濾波電路。
本實用新型的有益效果是利用另置副線圈L2與相應(yīng)的電容C2組成諧振電路，并參與主線圈L1耦合，以高Q值的諧振電路，僅通過部份頻率信號的耦合來實現(xiàn)通帶外的附加衰減，這樣，通帶內(nèi)由數(shù)值較低的主線圈L1實現(xiàn)通路，通帶外以主線圈L1與副線圈L2的電感磁耦合來實現(xiàn)高斜率的衰減，有效提高通頻帶寬度與衰減帶陡峭度，并且附加的電路還壓抑了LC電路通常固有的不均勻性性，使喇叭單元工作在非常良好的狀態(tài)中；另外還在低音單元接地的回路中接了一個L3、C3、R3組成的諧振電路，這個諧振頻率設(shè)定在衰減轉(zhuǎn)折頻率附近，當(dāng)諧振時，它呈現(xiàn)的諧振阻抗較高，提高了低音單元冷端的電位，使流過低音單元的電流減少，又一次切除了阻帶外的高頻電流，幫助了提高衰減斜率陡峭度；同理，并聯(lián)諧振電路也是基于同一目的，以上這幾項諧振電路的諧振頻率被均勻安排在欲衰減的頻率上，也稱參差調(diào)諧，參差調(diào)節(jié)可構(gòu)成矩形的頻響特性。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。
圖1是現(xiàn)有二階低通濾波電路圖；圖2是本實用新型所述低通濾波電路圖3是本實用新型電路圖；圖4是本實用新型用于三單元三分頻的中頻電路圖。
具體實施方式參見圖2和圖3，一種分頻器，包括主線圈L1和負(fù)載電阻R，所述主線圈L1并聯(lián)電容C1，C1與L1構(gòu)成并聯(lián)諧振，在靠近主線圈L1處設(shè)有副線圈L2，該副線圈L2串接電容C2通地，L2C2構(gòu)成串聯(lián)諧振電路，在負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容C4，該負(fù)載電阻R串接L3、C3、R3構(gòu)成的并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)。
負(fù)載電阻R并不直接接地，而是串接了L3、C3、R3構(gòu)成的并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)，它的諧振頻率選在fd以高的頻率上，工程設(shè)計上根據(jù)低音單元的特性不同，取4-5KHZ左右在fd以外加速衰減率，R3是控制L3、C3諧振Q值，使之有良好的轉(zhuǎn)彎特性；主線圈L1并聯(lián)了一只電容C1，它與L1構(gòu)成并聯(lián)諧振，它的諧振點選在10KHZ左右，在這個頻率附近呈現(xiàn)很高的輸入阻抗不讓高頻電流通過R；以上兩項措施還不足以阻擋高音音頻電流的通過，因為在工程上，圖2的L1值比圖1的L值要小30％左右，也就是圖2電路的通帶要比圖1寬很多，同時通帶過后的阻帶特性更要陡峭很多才可達(dá)到設(shè)計目的，因此，本實用新型采用了增加一個L2副線圈，L2與主線圈L1靠近，還串接了一個電容C2通地，L2C2構(gòu)成串聯(lián)諧振電路，它諧振在人耳最高可聽音頻的頻率20KHZ左右，諧振時呈現(xiàn)很低的阻抗，對地相當(dāng)于短路，由于它靠近L1主線圈與其實現(xiàn)“磁耦合”，這個很低的阻抗被反射到主線圈L1去，吸收了很大的20KHZ附近的電流，這樣衰減頻率點以外的聲音信號就比較徹底地阻擋在負(fù)載R之外了，它們共同的作用使其具有陡峭的斜率，工程中調(diào)節(jié)L2副線圈與主線圈L1的具體靠近位置(即耦合的松緊)也可調(diào)節(jié)吸收深度以達(dá)到設(shè)計目的；另外圖2中C4是并聯(lián)在R兩端，工程上R實際就是低音單元，C4的并聯(lián)會使其產(chǎn)生抑制正常聲音的結(jié)果，C4的增大會使聲音惡化。圖1由于fd以高的頻率信號電流是靠C4實現(xiàn)衰減的，所以C4不能減少。而圖2則由于有幾項新的措施衰減fd以高的信號電流，所以對C4的依賴大大減輕。C4可以減少50％左右，使放音質(zhì)量提高。
權(quán)利要求1.一種分頻器，包括主線圈L1和負(fù)載電阻R，其特征是所述主線圈L1并聯(lián)電容C1，C1與L1構(gòu)成并聯(lián)諧振，在靠近主線圈L1處設(shè)有副線圈L2，該副線圈L2串接電容C2通地，L2C2構(gòu)成串聯(lián)諧振電路，在負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容C4，該負(fù)載電阻R串接L3、C3、R3構(gòu)成的并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分頻器，其特征是所述負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容CX1和RX1濾波電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2所述的一種分頻器，其特征是所述負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容CX2和RX2濾波電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-2所述的一種分頻器，其特征是所述負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容CX3和RX3濾波電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種分頻器，其特征是所述負(fù)載電阻R兩端并聯(lián)有電容CX3和RX3濾波電路。
專利摘要本實用新型涉及一種分頻器，包括主線圈L
文檔編號H04R3/12GK2886961SQ200620058310
公開日2007年4月4日 申請日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者劉鐵 申請人:劉鐵