專利名稱：一種控制功率放大的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種控制功率放大的方法及裝置。
技術(shù)背景在無線通信系統(tǒng)中，射頻功率放大器是網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的關(guān)鍵組件之一。射頻 功率放大器在本質(zhì)上是一個能量轉(zhuǎn)換器，作用是把電源的直流能量轉(zhuǎn)變?yōu)樯?頻能量通過天線發(fā)射出去，其射頻功率與電源供給的直流功率之比，稱為功率放大器的效率;/，效率是功率放大器的重要指標(biāo)。以基站中的功率放大器 為例，它與基站系統(tǒng)的電源、散熱、體積、風(fēng)扇、噪音等諸多因素直接相關(guān)， 高的功率放大器效率，可以提升基站系統(tǒng)的可靠性，P條低設(shè)備成本；對于電 信運營商而言，則可以有效的降低系統(tǒng)運行成本，以及后期的維護(hù)成本。 功率放大器效率/7的計算公式如下<formula>formula see original document page 5</formula>其中Power —為射頻功率，Power — tfc為直流功率。<formula>formula see original document page 5</formula>[2] ^為直流電源的電壓，^為直流電源的電流。因為在整個能量轉(zhuǎn)換的過程中，總會有一部分直流能量變?yōu)闊崮芏鴁L白 白地耗散掉，所以功率放大器的實際效率總是低于100%。目前的基站功率放大器，為了兼顧效率和線性指標(biāo)，其靜態(tài)工作點通常 都設(shè)置在A類或AB類，即功率放大器的靜態(tài)工作電流；>(L4,以目前廣泛 使用的功率》丈大管LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,橫 向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)為例，當(dāng)使用該功率放大管的功率放大器電壓偏置 為AB類時，且功率放大器處于飽和輸出狀態(tài)時，效率達(dá)到最高；但隨著輸 出功率的降低，效率會逐步下降。這就意味著電源供給的直流能量轉(zhuǎn)化為熱 能的比例將隨著效率的下降而上升。當(dāng)功率;^文大器無射頻功率輸出時，耗散的直流功率為 Po雷jcJ必x/勿 [3]對于基站系統(tǒng)而言，功率放大器無射頻功率輸出的狀態(tài)通常是頻繁發(fā)生 的(如無用戶接入的情況)，根據(jù)上面的分析可知，對于常規(guī)的A類或AB 類放大器而言，該時間段的靜態(tài)功率是被白白耗散掉的，從而導(dǎo)致功率放大 器的整體效率降低。為了提高功率放大器的整體效率，現(xiàn)有技術(shù)中所采取的方案是當(dāng)功率 放大器處于無射頻功率輸出狀態(tài)時，將功率放大器中功率放大管的漏極電壓 調(diào)整為0V,由公式[3]可知，此時Povvw—& = 0『，即耗散的直流功率為。上述方法雖然從一定程度上提高了功率放大器的整體效率，但是在實現(xiàn) 本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)該方案中還存在如下一些問題1) 響應(yīng)時間慢，^用場景少，功率放大器效率提升有限。 功率^:大管的漏^it常工作在高電壓(如28V)、大電流(如10A)的狀態(tài)下，其供電單元必須是大功率電源。由于受到諸多因素的限制，如大容量電容 的充》丈電，為保證安全的緩啟動等，該類電源輸出電壓的建立或關(guān)閉時間，通 常都需要幾秒甚至數(shù)十秒。而在正常情況下，基站系統(tǒng)的業(yè)務(wù)需求的時間周期遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于1S，例如GSM 通信系統(tǒng)，每個用戶的時隙周期僅為577uS，在一個時隙周期內(nèi)，有可能有用 戶接入(需要開啟功率放大器)，也有可能無用戶接入(需要關(guān)閉功率放大器), 而漏極電壓控制方案無法跟蹤如此快速的變化，為保證正常通信，只能長時間 維持功率放大管漏極端口電壓為正常工作電壓不變，這樣就會有一部分靜態(tài)功 耗被白白地耗散掉?；谝陨显?，上述漏極電壓控制方案的實際應(yīng)用的場景非常有限，通常 只能用于夜間長時間無用戶接入的情況，因此對功率放大器效率的提升并不明 顯，節(jié)能效果十分有限。2) 控制電路復(fù)雜，成本高，可靠性低。漏極電壓控制方案，處理的是高電壓，大電流的信號，需要用到較多的大 功率器件，電路實現(xiàn)比較復(fù)雜，成本較高，且可靠性相對較低，容易帶來質(zhì)量H急
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種控制功率放大的方法、裝置、 一種基站及一 種終端，通過降低無輸出功率時間段的靜態(tài)功率耗散，提高功率放大器的效率。本發(fā)明的實施例提供了 一種控制功率放大的方法，包括以下步驟 根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)輸出相應(yīng)的電壓信號；將所述電壓信號施加于功率放大器中至少一個功率放大管的柵極或基極。 本發(fā)明的實施例提供了一種發(fā)射機(jī)，包括主控單元，用于獲取發(fā)射機(jī)所在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相 應(yīng)的電壓控制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號； 功率放大單元,根據(jù)電壓控制單元施加在其內(nèi)部功率放大管柵極或基極上 的所述電壓信號打開或關(guān)閉。本發(fā)明的實施例還提供了一種基站，包括主控單元，用于獲取基站所處的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控 制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號；功率放大單元，根據(jù)電壓控制單元施加在其內(nèi)部功率放大管柵極或基極上 的所述電壓信號打開或關(guān)閉。本發(fā)明的實施例還提供了 一種終端，包括主控單元，用于獲取終端所處的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控 制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號；功率放大單元,根據(jù)電壓控制單元施加在其內(nèi)部功率放大管柵極或基極上 的所述電壓信號打開或關(guān)閉。本發(fā)明的實施例還提供了一種控制功率放大的裝置，包括主控單元，用于獲取設(shè)備所處的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控
制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號至功率 放大單元內(nèi)部功率放大管的柵極或基極上。與現(xiàn)有技術(shù)方案相比本發(fā)明的實施例具有以下有益效果響應(yīng)時間快，應(yīng)用場景多，可以最大限度的提升功放效率。功率放大管的柵極， 一般都工作在低電壓(如3V)，小電流(如5mA)的狀態(tài)下，電路中 沒有大的電容，充放電時間可以做到/^級，或更低。從而可以實現(xiàn)功率放大 管以相同的速度開啟或關(guān)閉，十分有利于對控制信號的快速響應(yīng)。通^于功 率放大管的柵極或基極的控制，就能實現(xiàn)時隙級的靜態(tài)功耗降低，從而最大 限度的避免無謂能量耗散?？刂齐娐泛唵?，成本低，可靠性高。如上所述電壓控制單元處理的是低電 壓，小電流信號，電路實現(xiàn)簡單，成本低，可靠性高。


圖l是本發(fā)明的實施例一中控制功率放大的方法流程圖；圖2是本發(fā)明的實施例一中功率放大器射頻功率輸出與時隙的關(guān)系示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)AB類功率放大器功耗與時隙的關(guān)系示意圖； 圖4是本發(fā)明實施例一中功率放大器功耗與時隙的關(guān)系示意圖； 圖5是本發(fā)明的實施例二中電壓控制功率放大系統(tǒng)的示意圖，其中電壓 控制單元連接了 一個功率放大管的柵極；圖6是本發(fā)明的實施例二中主控單元示意圖；圖7是本發(fā)明的實施例二中控制功率放大系統(tǒng)的示意圖，其中電壓控制 單元連接了兩個功率放大管的柵極；圖8是本發(fā)明的實施例三中將電壓控制單元集成于主控單元的功率放大 系統(tǒng)示意圖；圖9是本發(fā)明的實施例四中將電壓控制單元集成于功率放大器的功率放 大系統(tǒng)示意圖；圖10是本發(fā)明的實施例五中控制功率放大系統(tǒng)的示意圖，其中功率放 大器為并行或并聯(lián)工作狀態(tài)；圖11是本發(fā)明的實施例六中控制功率放大系統(tǒng)的示意圖，其中功率放 大器為串聯(lián)工作狀態(tài)。
具體實施方式
本發(fā)明的實施例根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)輸出相應(yīng)的電壓信號至功率放 大管的柵極或基極，而功率放大管在該電壓信號的控制下根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備狀態(tài) 的需要開啟或關(guān)閉，以達(dá)到提高功率放大器效率的目的。以下結(jié)合附圖，通過具體實施例對本發(fā)明的方案作進(jìn)一步說明。 本發(fā)明的實施例一，公開了一種功率放大的方法，如圖l所示，包括如 下步驟步驟S101、根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)輸出相應(yīng)的電壓信號； 該步驟首先獲取與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的信息，這些信息包括信令、業(yè)務(wù)信息、 外部控制信號、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)部時鐘信號等，根據(jù)這些信息的一種或多種的組 合可以判斷網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)可以為閑狀態(tài)或忙狀態(tài)， 閑狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無輸出射頻信號的需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無用戶接入或處 于空閑的時隙或收到關(guān)閉功率放大器控制信號等狀態(tài)；忙狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備 有輸出射頻信號的需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有用戶接入或處于非空閑時隙或收到 開啟功率放大器控制信號的狀態(tài)。以基站為例，在終端接入時，如果信令中 所指配的信道類型是主BCCH信道(廣播控制信道)或PDTCH信道(分組 數(shù)據(jù)業(yè)^f言道)，則判斷網(wǎng)絡(luò)設(shè)備為忙狀態(tài)，即有射頻信號輸出的需求。得到網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)后，再根據(jù)對應(yīng)狀態(tài)輸出相應(yīng)的電壓信號。當(dāng)系 統(tǒng)處于忙狀態(tài)時，輸出與忙狀態(tài)對應(yīng)的電壓信號；當(dāng)系統(tǒng)處于閑狀態(tài)時，輸 出與閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓信號。而電壓信號的取值對于不同的功率放大管也會 有所差異，以功率;^丈大管為N溝道的LDMOS為例，其中忙狀態(tài)所對應(yīng)的電 壓信號可以是2V 5V,閑狀態(tài)所對應(yīng)的電壓信號可以是0V 2V。若功率放大 管為N溝道耗盡型GaAs MESFET時，則忙狀態(tài)所對應(yīng)的電壓信號可以是 一4V 0V，閑狀態(tài)所對應(yīng)的電壓信號可以是-5V -4V。
步驟S102、將所述電壓信號施加于功率放大器中功率放大管的柵極或基極。當(dāng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備處于忙狀態(tài)時，將忙狀態(tài)對應(yīng)的電壓信號施加于功率^:大器中 一個或多個功率;^史大管的柵極或基極，此時功率》文大管工作于;^文大區(qū)，功率 放大器有射頻功率輸出；當(dāng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備處于閑狀態(tài)時，將閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓信 號施加于功率放大器中一個或多個功率放大管的柵極或基極，此時功率放大 管處于截止?fàn)顟B(tài)，功率;^文大器無射頻功率輸出，且無靜態(tài)功率壽毛散。在介紹完了本發(fā)明的方法實施例后，下面將通過具體的例子說明本發(fā)明 方法實施例的功率放大器的直流功率耗散與現(xiàn)有4支術(shù)功率》文大器的直流功率 耗散方面的區(qū)別。假設(shè)圖2為本發(fā)明實施例一的A類或AB類功率放大器在8個時隙周期 內(nèi)射頻功率輸出與時隙的關(guān)系示意圖，pf軸表示射頻輸出功率，t軸表示時隙。時隙2、 4、 6為空閑時隙，功率放大器無射頻功率輸出；時隙l、 3、 5、 7、 8為非空閑時隙，功率放大器有射頻功率輸出。圖3是在圖2所示射頻功率輸出狀態(tài)下，現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)AB類功率放 大器功耗與時隙的關(guān)系示意圖，Pql軸表示功率放大器的功耗，Vgl軸表示 功率放大器內(nèi)功率放大管的柵極偏置電壓，虛線Vgsl表示所述功率放大管 當(dāng)前柵極偏置電壓，從圖中可以看到Vgsl是恒定的( 一般取值在2V 5V )， 在空閑時隙2、 4、 6內(nèi)功率庫毛散不為0。圖4是在圖2所示射頻功率輸出狀態(tài)下，應(yīng)用本方法后的A類或AB類 功率放大器功耗與時隙的關(guān)系示意圖，Pq2軸表示功率放大器的功耗，Vg2 軸表示功率放大器內(nèi)功率放大管的柵極偏置電壓，虛線Vgs2表示所述功率 放大管當(dāng)前柵極偏置電壓，從圖中可以看出，Vgs2隨時隙的狀態(tài)而改變，在 空閑時隙2、 4、 6內(nèi)，Vgs2取0 2V,此時功率》文大管關(guān)閉，功率》文大器功 率耗散為0，在非空閑時隙l、 3、 5、 7、 8內(nèi)，Vgs2取2V 5V,此時功率放 大管工作于放大區(qū)，功率放大器有射頻功率輸出。當(dāng)功率放大器中的功率放大管采用雙極型晶體管時，仍然可以使用上述 方法來提高功率放大器的效率，區(qū)別只是上述Vgs2表示雙極型晶體管基極
偏置電壓，且其在空閑時隙與非空閑時隙的取值范圍可以根據(jù)具體晶體管的 參數(shù)做調(diào)整。如上所述，由于電壓信號(如上述Vgs2)的電壓取值較小，電壓控制電 路無須配置大電容、大電感，響應(yīng)時間可以達(dá)到時隙級，采用本發(fā)明的實施例方法，可以使功率》欠大器的功率耗散明顯低于現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)AB類功率 放大器的功率耗散，從而可以有效提升功率放大器的效率。上述功率放大方法可以運用在射頻發(fā)射機(jī)中，也可以運用在但不限于基 站、無線終端、服務(wù)器、交換機(jī)、基站控制器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。本發(fā)明的實施例二中，4是供了一種控制功率方丈大系統(tǒng)，如圖5所示，包括 主控單元200，電壓控制單元210，功率放大器220:如圖6所示，主控單元200用于獲取網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā) 送相應(yīng)的電壓控制信號。主控單元200包括信息獲取模塊202,狀態(tài)獲:^t塊204和信息發(fā)送模塊 206。信息獲取^莫塊202通過端口 A21獲取與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的信息，這些信息 包括信令、業(yè)務(wù)信息、外部控制信號、網(wǎng)絡(luò)i殳備內(nèi)部時鐘信號等，其中可以 在主控單元中設(shè)定這些信號的優(yōu)先級，例如可以將外部控制信號的優(yōu)先級設(shè) 為最高，當(dāng)收到故障告警信號或強(qiáng)行關(guān)閉發(fā)射機(jī)或功率放大器的信號時，即 使此時由信令判斷可知網(wǎng)絡(luò)設(shè)備處于非空閑時隙，主控單元依然會按照優(yōu)先 級將網(wǎng)絡(luò)設(shè)備狀態(tài)判斷為閑狀態(tài)。狀態(tài)獲^^莫塊204用于根據(jù)上述信息判斷網(wǎng)絡(luò)設(shè)備當(dāng)前所處的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò) 設(shè)備的狀態(tài)可以為閑狀態(tài)或忙狀態(tài)，閑狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無輸出射頻信號的 需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無用戶接入或處于空閑的時隙或收到關(guān)閉功率放大器控 制信號等狀態(tài)；忙狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有輸出射頻信號的需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備 有用戶接入或處于非空閑時隙或收到開啟功率;^丈大器控制信號的狀態(tài)。信號發(fā)送模塊206用于根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信 號。例如，閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài) 所對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓'T，來表示。也可以采用反邏輯表示 的方式，即閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài)所對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓'T，來表示。該電壓控制信號由端口 A22輸出。所述主控單元200可以是一個集成芯片或集成芯片的一個功能模塊，例如 可以在手機(jī)等無線終端的控制芯片中集成該功能^f莫塊；該主控單元200也可 以是基站控制器的一部分，電壓控制信號可以直接由基站控制器通過信令信 道傳送給基站側(cè)的發(fā)射機(jī)；該主控單元200也可以直接集成在發(fā)射^U的單板 上。電壓控制單元210，與主控單元200相連，通過B21端口接收來自主控單 元200的電壓控制信號，根據(jù)所述電壓控制信號獲取電壓信號，并將獲取的 電壓信號通過端口 B22施加于功率放大器220內(nèi)功率放大管221的柵極或基 極上。對于不同的功率放大管，電壓信號的取值會有所不同，以功率放大管 為N溝道的LDMOS為例，其中電壓控制信號為'T，(忙狀態(tài))時所對應(yīng)的 電壓信號可以是2V 5V，電壓控制信號為"0"(閑狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信 號可以是0V 2V。若功率力欠大管為N溝道耗盡型GaAs MESFET時，則電壓 控制信號為"1"(忙狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是-4V 0V,電壓控制信 號為"0"(閑狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是-5V -4V。電壓控制單元可 以由模擬開關(guān)電路或數(shù)模轉(zhuǎn)換電路構(gòu)成，該電壓控制單元可以單獨設(shè)置，也 可以作為 一個功能^^莫塊集成在主控單元中。功率放大器220，用于根據(jù)施加于其內(nèi)功率放大管221柵極或基^l上的偏 置電壓信號打開或關(guān)閉。其端口 C21用于接收射頻信號，端口 C22用于連接 恒定的電源電壓^，端口 C23用于輸出射頻信號。所述功率放大器220可以是A類或AB類放大器，其內(nèi)部功率放大管221 可以是但不限于以下類型的功率放大管LDMOS 、 GaAs MESFET (砷化鎵 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、BJT (雙極型晶體管)、JFET (結(jié)型場效應(yīng)管) 或GAN (氮化鉀晶體管)。當(dāng)功率^:大器由多個功率;^大管構(gòu)成時，電壓控制單元可以通過控制功率 放大器內(nèi)一個或多個功率放大管的柵極或基極電壓，來控制功率放大器的打 開或關(guān)閉。如圖7所示，主控單元300通過端口 A31獲取與網(wǎng)絡(luò)i殳備相關(guān)的
信息，端口 A32向電壓控制單元310的端口 B31傳送相應(yīng)的電壓控制信號， 電壓控制單元310響應(yīng)該信號，端口 B32輸出相應(yīng)電壓信號至所連4妄的功率 放大器320中的功率放大管321的柵極或基極和功率放大管322的柵極或基 極。功率^:大器320的端口 C31用于接收射頻信號，端口 C32用于連接恒定 的電源電壓^，端口 C33用于輸出射頻信號。在實際應(yīng)用中可以根據(jù)功率放 大器的具體內(nèi)部結(jié)構(gòu)，確定電壓控制單元所連接控制的功率放大管。當(dāng)控制 多個功率放大管時，電壓信號可以是多路，且每路電壓信號可以根據(jù)功率放大器的具體情況有所不同。因為電壓控制單元處理的是低電壓，低電流信號，所需電路結(jié)構(gòu)簡單，制 造成本低廉；另外，由于電路組件少，電路的穩(wěn)定性也得到了提升。上述控制功率放大系統(tǒng)可以運用在射頻發(fā)射機(jī)中，也可以運用在基站或無 線終端等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。當(dāng)上述控制功率;^大系統(tǒng)運用于無線終端時，為了簡 化設(shè)備連接，提高集成度，可以直接將電壓控制單元集成在主控單元中，也 可以將主控單元、電壓控制單元、功率放大單元集成在一個芯片，或芯片的 功能模塊中。本發(fā)明的實施例三中，提供了 一種電壓控制單元集成于主控單元的功率放 大系統(tǒng)，如圖8所示，包括主控單元400,功率放大器420。主控單元400，集成了電壓控制單元401，其端口 A41為信息輸入端口， 用來獲取與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的信息，這些信息包括信令、業(yè)務(wù)信息、外部控制 信號、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)部時鐘信號等的至少一種。根據(jù)上述信息判斷網(wǎng)絡(luò)設(shè)備當(dāng) 前所處的狀態(tài)。并根據(jù)該狀態(tài)在功率放大管421的柵極或基極施加偏置電壓 信號。網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)可以為閑狀態(tài)或忙狀態(tài)，閑狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無輸出射頻 信號的需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無用戶接入或處于空閑的時隙或收到關(guān)閉功率放 大器控制信號等狀態(tài)；忙狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有輸出射頻信號的需求，例如網(wǎng) 絡(luò)設(shè)備有用戶接入或處于非空閑時隙或收到開啟功率放大器控制信號的狀 態(tài)。以GSM移動終端為例，在終端建立連接的過程中，網(wǎng)絡(luò)側(cè)會下發(fā)一個 業(yè)務(wù)信道指配消息，消息中指定了該終端可以使用的時隙的序號，主控單元 獲取該消息，結(jié)合內(nèi)部時鐘，當(dāng)指定時隙到來時，主控單元會判定終端處于
忙狀態(tài)。集成在主控單元400內(nèi)的電壓控制單元根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的具體狀態(tài)輸出電壓信號，該電壓信號通過端口 A42施加于功率放大管421的柵極或基極。對 應(yīng)不同的功率放大管，電壓信號的取值會有所不同，以功率放大管為N溝道 的LDMOS為例，當(dāng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備處于忙狀態(tài)時所對應(yīng)的電壓信號可以是2V 5V， 處于閑狀態(tài)時所對應(yīng)的電壓信號可以是0V 2V。若功率放大管為N溝道耗盡 型GaAsMESFET時，則忙狀態(tài)所對應(yīng)的電壓信號可以是-4V 0V，閑狀態(tài)所 對應(yīng)的電壓信號可以是-5V -4V。功率放大器420，用于根據(jù)施加于其功率放大管421的柵極或基極上的所 述電壓信號打開或關(guān)閉。其端口 C41用于接收射頻信號，端口 C42用于連接 恒定的電源電壓^，端口 C43用于輸出射頻信號。所述功率放大器420可以是A類或AB類放大器，其內(nèi)部功率放大管421 可以是但不限于以下類型的功率放大管LDMOS 、 GaAs MESFET (砷化鎵 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、BJT (雙極型晶體管)、JFET (結(jié)型場效應(yīng)管) 或GAN (氮化鉀晶體管)。電壓控制單元直接集成在主控單元里，不僅提高了設(shè)備的集成度，筒化了 配置連線，而且顯著降低了控制信號的延時，使電壓信號的響應(yīng)更加及時。 除此之外，主控單元400的功能也可以由一個專用集成電^各或CPU或FPGA (可編程邏輯門陣列)來實現(xiàn)。上述控制功率放大系統(tǒng)可以運用在射頻發(fā)射機(jī)中，也可以運用在基站或無 線終端等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。根據(jù)具體情況需要，也可以將電壓控制單元直接集成在功率放大器中。本發(fā)明的實施例四中，提供了一種電壓控制單元集成于功率放大器的功率 放大系統(tǒng)，如圖9所示，包括主控單元500,功率放大器520。主控單元500,其端口 A51為信息輸入端口，用來獲取與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的 信息，這些信息包括信令、業(yè)務(wù)信息、外部控制信號、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)部時鐘信 號等的至少一種。根據(jù)上述信息判斷網(wǎng)絡(luò)設(shè)備當(dāng)前所處的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)可以為閑狀態(tài)或忙狀態(tài)，閑狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無輸出射頻 信號的需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無用戶接入或處于空閑的時隙或收到關(guān)閉功率放大器控制信號等狀態(tài)；忙狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有輸出射頻信號的需求，例如網(wǎng) 絡(luò)設(shè)備有用戶接入或處于非空閑時隙或收到開啟功率放大器控制信號的狀 態(tài)。主控單元500根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號。例如， 閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài)所對應(yīng)的電 壓控制信號可以用邏輯電壓'T，來表示。也可以采用反邏輯表示的方式，即 閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài)所對應(yīng)的電 壓控制信號可以用邏輯電壓"1"來表示。該電壓控制信號由端口 A52輸出。 主控單元500可以是一個集成芯片或集成芯片的一個功能才莫塊，該主控單元 也可以是基站控制器的一部分，電壓控制信號可以直接由基站控制器通過信 令信道傳送給基站側(cè)的發(fā)射機(jī)，該主控單元也可以集成在基站的基帶信號處 理子系統(tǒng)內(nèi)，或可以直接集成在發(fā)射機(jī)的單板上。功率放大器520,集成了電壓控制單元522，其端口 C54接收來自主控單 元500的電壓控制信號，所述電壓控制單元522響應(yīng)電壓控制信號，將對應(yīng) 的電壓信號施加于功率放大管521的柵極或基極，功率放大管會隨該電壓信 號打開或關(guān)閉。對應(yīng)不同的功率放大管，電壓信號的取值會有所不同，以功 率放大管為N溝道的LDMOS為例，其中電壓控制信號為"1"(忙狀態(tài))時 所對應(yīng)的電壓信號可以是2V 5V，電壓控制信號為"O"(閑狀態(tài))時所對應(yīng) 的電壓信號可以是0V 2V。若功率放大管為N溝道耗盡型GaAs MESFET時， 則電壓控制信號為"1"(忙狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是-4V 0V，電壓 控制信號為"0"(閑狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是-5V -4V。其端口 C51 用于接收射頻信號，端口 C52用于連接恒定的電源電壓^，端口 C53用于 輸出射頻信號。所述功率放大器520可以是A類或AB類放大器，其內(nèi)部功率放大管521 可以是但不限于以下類型的功率放大管LDMOS、 GaAs MESFET (砷化鎵 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、BJT(雙極型晶體管)、JFET(結(jié)型場效應(yīng)管) 或GAN (氮化鉀晶體管)。所述的功率放大器520也可以是一個集成電路， 其內(nèi)的的電壓控制單元可以由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路或模擬開關(guān)電路實現(xiàn)。
將電壓控制單元集成于功率放大器，提高了功率放大器的通用性，且由于 電壓信號所經(jīng)傳輸路徑較短，可以有效避免電壓信號被其他信號干擾，適用 于當(dāng)主控單元離功率放大器距離較遠(yuǎn)的情況。上述控制功率放大系統(tǒng)可以運用在射頻發(fā)射機(jī)中，也可以運用在基站或無 線終端等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。本發(fā)明的實施例五中，提供了一種電壓控制功率放大系統(tǒng)，其中功率》文大器為多個并行或并聯(lián)工作狀態(tài)，如圖10所示，包括主控單元600,電壓控 制單元610，以及由功率放大器一 620,功率》文大器二 630,功率》文大器三640 組成的功率放大單元。主控單元600，其端口 A61為信息輸入端口，用來獲取與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的 信息，這些信息包括信令、業(yè)務(wù)信息、外部控制信號、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)部時鐘信 號等的至少 一 種。根據(jù)上述信息判斷網(wǎng)絡(luò)設(shè)備當(dāng)前所處的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)可以為閑狀態(tài)或忙狀態(tài)，閑狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無輸出射頻 信號的需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無用戶接入或處于空閑的時隙或收到關(guān)閉功率放 大器控制信號等狀態(tài)；忙狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有輸出射頻信號的需求，例如網(wǎng) 絡(luò)設(shè)備有用戶接入或處于非空閑時隙或收到開啟功率放大器控制信號的狀 態(tài)。主控單元600根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號。例如， 閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài)所對應(yīng)的電 壓控制信號可以用邏輯電壓"1"來表示。也可以采用反邏輯表示的方式，即 閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài)所對應(yīng)的電 壓控制信號可以用邏輯電壓"1"來表示。該電壓控制信號由端口 A62輸出。 當(dāng)功率放大單元由多個功率放大器組成時，主控單元可以輸出多路獨立的電 壓控制信號，每一路電壓控制信號的邏輯表示方式可以同上所述。主控單元 600可以是一個集成芯片或集成芯片的一個功能沖莫塊該主控單元也可以A^ 站控制器的一部分，電壓控制信號可以直接由基站控制器通過信令信道傳送 給基站側(cè)的發(fā)射機(jī)，該主控單元也可以直接集成在發(fā)射機(jī)的單板上。電壓控制單元610,與主控單元600柏連，通過B61端口接收來自主控單 元600的電壓控制信號，根據(jù)所述電壓控制信號獲取電壓信號，并將獲取的
電壓信號通過端口 B62分別施加于功率》文大管621 、631和641的沖冊才及或621、 631和641的基極上，在這里端口 B62可以輸出獨立的三^各電壓信號，對三 個功率放大器進(jìn)行獨立控制，也可以只輸出一路電壓信號對三個功率放大器 統(tǒng)一控制，對于不同的功率放大管，電壓信號的取值會有所不同，以功率放 大管為N溝道的LDMOS為例，其中電壓控制信號為"1"(忙狀態(tài))時所對 應(yīng)的電壓信號可以是2V 5V,電壓控制信號為"0"(閑狀態(tài))時所對應(yīng)的電 壓信號可以是0V 2V。若功率放大管為N溝道耗盡型GaAsMESFET時，則 電壓控制信號為"1"(忙狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是-4V 0V，電壓控 制信號為"0"(閑狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是-5V -4V。電壓控制單 元可以由模擬開關(guān)電路或數(shù)模轉(zhuǎn)換電路構(gòu)成，它可以單獨設(shè)置，也可以作為 一個功能模塊集成在主控單元中或功率放大單元中。當(dāng)功率放大器一620,功率放大器二 630,功率放大器三640處于并行工 作狀態(tài)時，即其端口 C61、 C64、 C67分別用于接收三路獨立的射頻信號，端 口 C63、 C66、 C69分別用于輸出放大后的三路射頻信號。每一個功率放大器 根據(jù)施加于其功率放大管柵極或基極上的所述電壓信號打開或關(guān)閉。所述功 率放大器一 620、功率放大器二 630、功率放大器三640可以包括一個或多個 功率》文大管，端口C62、 C65、 C68分別用于連接恒定的電源電壓^。當(dāng)所述功率放大器處于并聯(lián)工作狀態(tài)時，即端口C61、 C64、 C67同時接 收一路射頻信號，所述射頻信號分成三路，分別經(jīng)過所述三個功率^L大器;^ 大后在端口 C63、 C66、 C69合為一路射頻信號輸出。每一個功率放大器根據(jù) 施加于其功率放大管柵極或基極上的偏置電壓信號打開或關(guān)閉。所述功率放 大器一620、功率放大器二630、功率放大器三640可以包括一個或多個功率 放大管，端口 C62、 C65、 C68分別用于連接恒定的電源電壓F^。主控單元 可以根據(jù)輸入射頻功率的大小，通過電壓信號控制處于開啟狀態(tài)的功率放大 器的數(shù)量，使總的功率放大單元的效率得到提升。例如輸入射頻信號功率較 小的時候，只開啟一個功率放大器，輸入射頻信號功率較大的時候，開啟三 個功率放大器。也可以通過一路電壓信號對三個功率放大器統(tǒng)一控制，以達(dá) 到使輸出功率倍增的效果。所述功率放大器一620、功率放大器二630、功率放大器三640可以是A管LDMOS、 GaAsMESFET (砷化鎵金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、BJT (雙 極型晶體管)、JFET (結(jié)型場效應(yīng)管)或GAN (氮化鉀晶體管)。主控單元通過電壓控制單元輸出多路電壓信號，實現(xiàn)了對多路功率放大器 集中控制，節(jié)省了設(shè)備成本，提高了功率放大器效率。上述控制功率放大系統(tǒng)可以運用在射頻發(fā)射機(jī)中，也可以運用在基站或無 線終端等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。為了得到更大的增益，有時需要數(shù)個功率放大器串聯(lián)工作，本發(fā)明的實施 例六中，提供了一種電壓控制功率放大系統(tǒng)，其中功率放大器為串聯(lián)工作狀 態(tài)，如圖ll所示，包括主控單元700,電壓控制單元710,以及由功率放 大器一720,功率放大器二730，功率放大器三740組成的功率放大單元。主控單元700,其端口 A71為信息輸入端口，用來獲取與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的 信息，這些信息包括信令、業(yè)務(wù)信息、外部控制信號、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)部時鐘信 號等的至少一種。根據(jù)上述信息判斷網(wǎng)絡(luò)設(shè)備當(dāng)前所處的狀態(tài)。網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)可以為閑狀態(tài)或忙狀態(tài)，閑狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無輸出射頻 信號的需求，例如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無用戶接入或處于空閑的時隙或收到關(guān)閉功率放 大器控制信號等狀態(tài)；忙狀態(tài)是指網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有輸出射頻信號的需求，例如網(wǎng) 絡(luò)設(shè)備有用戶接入或處于非空閑時隙或收到開啟功率放大器控制信號的狀 態(tài)。主控單元700根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號。例如， 閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài)所對應(yīng)的電 壓控制信號可以用邏輯電壓'T，來表示。也可以采用反邏輯表示的方式，即 閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓控制信號可以用邏輯電壓"0"來表示，忙狀態(tài)所對應(yīng)的電 壓控制信號可以用邏輯電壓"1"來表示。該電壓控制信號由端口 A72輸出。 當(dāng)功率放大單元由多個功率放大器組成時，主控單元可以輸出多路獨立的電 壓控制信號，每一路電壓控制信號的邏輯表示方式可以同上所述。主控單元 700可以是一個集成芯片或集成芯片的一個功能模塊該主控單元也可以M 站控制器的一部分，電壓控制信號可以直接由基站控制器通過信令信道傳送 給基站側(cè)的發(fā)射機(jī)，該主控單元也可以直接集成在發(fā)射機(jī)的單板上。
電壓控制單元710,與主控單元700相連，通過B71端口接收來自主控單 元700的電壓控制信號，根據(jù)所述電壓控制信號獲取電壓信號，并將獲取的 電壓信號通過端口 B72分別施加于功率放大管721、 731和741的柵極或功 率放大管721、 731和741的基極上，在這里端口 B72可以輸出獨立的三路 電壓信號對三個功率放大器進(jìn)行獨立控制，也可以只輸出一路電壓信號對三 個功率放大器統(tǒng)一控制。另外，對于串聯(lián)的功率;^丈大器，可以只對其中個別 的功率放大器施加電壓信號，如在這個實施例中，就可以只對最后一級功率 放大器740中的功率放大管741的柵極施加電壓信號。對于不同的功率放大 管，電壓信號的取值會有所不同，以功率放大管為N溝道的LDMOS為例， 其中電壓控制信號為"1"(忙狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是2V 5V，電 壓控制信號為"0"(閑狀態(tài))時所對應(yīng)的電壓信號可以是0V 2V。若功率放 大管為N溝道耗盡型GaAs MESFET時，則電壓控制信號為"1"(忙狀態(tài)) 時所對應(yīng)的電壓信號可以是-4V 0V,電壓控制信號為"0"(閑狀態(tài))時所對 應(yīng)的電壓信號可以是-5V -4V。電壓控制單元可以由^f莫擬開關(guān)電路或數(shù)模轉(zhuǎn) 換電路構(gòu)成，它可以單獨設(shè)置，也可以作為一個功能模塊集成在主控單元中 或功率放大單元中。功率放大器一720,功率放大器二730，功率放大器三740處于串聯(lián)工作 狀態(tài)，每一個功率放大器根據(jù)施加于其功率放大管柵極或基極上的偏置電壓 信號打開或關(guān)閉。所述功率》文大器一720、功率》丈大器二730、功率》文大器三 740可以包括一個或多個功率;^文大管，。端口 C71為射頻信號輸入端，端口 C73、 C74相連，端口 C76、 C77相連使射頻信號分別經(jīng)過3級放大后由端口 C79輸出，端口C72、 C75、 C78分別用于連接恒定的電源電壓f^ 。所述功率放大器一720、功率放大器二730、功率放大器三740可以為A 類或AB類放大器，其內(nèi)部功率放大管可以是但不限于以下類型的功率放大 管LDMOS、 GaAsMESFET (砷化鎵金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、BJT (雙 極型晶體管)、JFET (結(jié)型場效應(yīng)管)或GAN (氮化鉀晶體管)。上述控制功率放大系統(tǒng)可以運用在射頻發(fā)射機(jī)中，也可以運用在基站或無 線終端等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。以上公開的僅為本發(fā)明的幾個具體實施例，但是，本發(fā)明并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種控制功率放大的方法，其特征在于，包括以下步驟根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)輸出相應(yīng)的電壓信號；將所述電壓信號施加于功率放大器中至少一個功率放大管的柵極或基極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制功率放大的方法，其特征在于，所述的方 法進(jìn)一步包括獲取與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的信息，所述信息為信令或業(yè)務(wù)信息或控制信號或內(nèi) 部時鐘信號；根據(jù)所述與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備相關(guān)的信息確定所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制功率放大的方法，其特征在于，根據(jù)網(wǎng)絡(luò) i殳備所處的狀態(tài)輸出相應(yīng)的電壓信號的步驟具體包括當(dāng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)為忙狀態(tài)時，輸出與忙狀態(tài)對應(yīng)的電壓信號； 當(dāng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)為閑狀態(tài)時，輸出與閑狀態(tài)對應(yīng)的電壓信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制功率放大的方法，其特征在于 所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的閑狀態(tài)是指所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備無輸出射頻信號的需求； 所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的忙狀態(tài)是指所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備有輸出射頻信號的需求。
5. —種發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述發(fā)射機(jī)包括主控單元，用于獲取發(fā)射機(jī)所在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相 應(yīng)的電壓控制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號；功率放大單元，根據(jù)電壓控制單元施加在其內(nèi)部功率放大管柵極或基極上 的所述電壓信號打開或關(guān)閉。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述主控單元還包括信息獲取模塊，用于獲取發(fā)射機(jī)所在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的相關(guān)信息，所述信息為信 令或業(yè)務(wù)信息或控制信號或內(nèi)部時鐘信號；狀態(tài)獲取模塊，用于根據(jù)所述信息獲取發(fā)射機(jī)所在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)；信號發(fā)送模塊，用于根據(jù)所述網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號。
7. —種基站，其特征在于，包括主控單元，用于獲取基站所處的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號；功率放大單元,根據(jù)電壓控制單元施加在其內(nèi)部功率放大管柵極或基極上 的所述電壓信號打開或關(guān)閉。
8. 如權(quán)利要求7所述的基站，其特征在于，所述主控單元還包括信息獲耳^莫塊，用于獲取與基站相關(guān)的信息，所述信息為信令或業(yè)務(wù)信息 或控制信號或內(nèi)部時鐘信號；狀態(tài)獲iWt塊，用于根據(jù)所述信息獲取基站所處的狀態(tài)； 信號發(fā)送模塊，用于根據(jù)所述基站所處的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號。
9. 如權(quán)利要求7或8所述的基站，其特征在于所述功率放大單元包括一個功率放大器，或至少兩個功率放大器通過串聯(lián) 或并聯(lián)或并行的組合。
10. —種終端，其特征在于，包括主控單元，用于獲取終端所處的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控 制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號； 功率放大單元，根據(jù)電壓控制單元施加在其內(nèi)部功率放大管柵極或基極上 的所述電壓信號打開或關(guān)閉。
11. 如權(quán)利要求IO所述的終端，其特征在于，所述主控單元還包括信息獲:^t塊，用于獲取與終端相關(guān)的信息，所述信息為信令或業(yè)務(wù)信息 或控制信號或內(nèi)部時鐘信號；狀態(tài)獲取^莫塊，用于根據(jù)所述信息獲取終端所處的狀態(tài)；信號發(fā)送模塊，用于根據(jù)所述終端所處的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號。
12. —種控制功率放大的裝置，其特征在于，包括主控單元，用于獲取設(shè)備所處的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控 制信號； 電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號至功率 放大單元內(nèi)部功率放大管的柵極或基極上。
13.如權(quán)利要求12所述的控制功率放大的裝置，其特征在于，所述主控 單元還包括信息獲取模塊，用于獲取與設(shè)備相關(guān)的信息，所述信息為信令或業(yè)務(wù)信息 或控制信號或內(nèi)部時鐘信號；狀態(tài)獲取模塊，用于根據(jù)所述信息獲取設(shè)備所處的狀態(tài)； 信號發(fā)送模塊，用于根據(jù)所述設(shè)備所處的狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種控制功率放大的方法及裝置。其中，控制功率放大的方法包括如下步驟根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備所處的狀態(tài)輸出相應(yīng)的電壓信號；將所述電壓信號施加于功率放大器中至少一個功率放大管的柵極或基極。本發(fā)明還公開了一種控制功率放大的裝置，該裝置包括主控單元，用于獲取設(shè)備所處的狀態(tài)，并根據(jù)所述狀態(tài)發(fā)送相應(yīng)的電壓控制信號；電壓控制單元，用于根據(jù)所述電壓控制信號，輸出相應(yīng)的電壓信號至功率放大單元內(nèi)部功率放大管的柵極或基極上。通過本發(fā)明所提供的方案，可以消除功率放大器在無射頻功率輸出時間段的靜態(tài)功率耗散，提高功率放大器的效率。
文檔編號H04B7/005GK101114860SQ200710076519
公開日2008年1月30日 申請日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日
發(fā)明者捷 孫, 孫益軍, 孫益平, 張希坤, 殷為民, 衛(wèi) 陳 申請人:華為技術(shù)有限公司