專利名稱：用于電光調制器的具有射頻信號監(jiān)測功能的集成終端的制作方法
用于電光調制器的具有射頻信號監(jiān)測功能的集成終端 對相關申請的交叉引用
本發(fā)明要求于2006年10月19日提交的60/862,062號美國專利申請的優(yōu)先權，在 此通過參考將其合并入本申請中。技術領域[2]本發(fā)明涉及一種用于電光調制器的集成射頻終端，在用于射頻信號監(jiān)測時，該集成 射頻終端既可用作射頻終端又可用作射頻功率分配器。發(fā)明背景[3]為了正確操作電光調制器，輸入端口 (大多數情況下是輸入連接器)處的最小射頻 反射是一個重要技術指標。如果射頻反射太高，可使射頻信號源的操作不穩(wěn)定，或由于 給信號通道加入反相反射偽差而破壞信號的保真性。在封裝電光調制器中有許多反射 源，但主要由三個位置產生，即，射頻終端、輸入連接器到輸入板之間的界面和輸入板 到調制器芯片之間的界面。[4]射頻終端的主要功能是在工作頻帶范圍上與電光調制器電極的阻抗電匹配，以確保 在電光調制器的輸入端口處具有最小的射頻反射。輸入連接器是封裝電光調制器連接到 外界的接口 。輸入板是調制器芯片和輸入連接器之間的接口 。射頻終端吸收殘余射頻功 率使對電光調制器的工作產生最小的擾動。[5]如果射頻終端的阻抗和在工作頻帶范圍上的電光調制器的阻抗正好匹配，就沒有射 頻功率反射回射頻輸入端口 。在工作頻帶范圍上的合適阻抗特性大概是射頻終端的最重 要特征。作為用于電光調制器的好的射頻終端，還要考慮其他一些重要特征，如射頻功 率處理(或耗散)能力、溫度穩(wěn)定性、易加工、小尺寸、低成本和低寄生參數等。[6] —般在射頻段的電信號被送入輸入連接器。輸入板提供輸入連接器和電光調制器芯 片之間的電轉換，其中，通過電光效應，在光波導中傳播的光波被在電極中傳播的電波 或射頻波調制。未使用的或殘余的電或射頻功率被排卸到電極末端的射頻終端。如圖1所示是一個簡化的現有技術的光通信系統(tǒng)100的例子，其采用本發(fā)明的電光 調制器107。光通信系統(tǒng)100包括發(fā)射器110、接收器109和傳輸介質108,該傳輸介質 108將發(fā)射器IIO連接到接收器109。傳輸介質通常為光纖。[8]發(fā)射器110包括一個激光器104，其根據從激光控制器103接收的激光控制信號來 工作。[9]透鏡光纖，或尾纖113接收光信號112。透鏡光纖113與隔離器105耦合，以減少 向激光器104的光學反射。在一個實施例中，光學隔離器105與偏振器(未示出)結合 以進一步減少向激光器104的光學反射。在另一個實施例中，透鏡光纖113直接與電光 調制器107耦合，而不通過隔離器105。[10]電光調制器107接收來自激光器104的經輸入光纖106傳輸的光學信號112。電光 調制器107包括兩個波導114和115。控制器102獨立控制每個波導114和115,或采 用一個信號對它們進行控制。在電光調制器107的輸入端116處接收光學信號112，并 在每個波導114和115中對該光學信號112進行調制。來自每個波導114和115的調制 光信號在電光調制器107的輸出端117被合成為一個調制光信號。電光調制器107可以 執(zhí)行調幅、或調相、或其組合，以對所接收的光信號112的光進行線性調頻。被合成、 被調制的光信號通過光纖108傳輸到接收器109.[11]控制器102接收來自數據源101經傳輸線118傳輸的數字數據信號，并響應所接收 信號而產生調制控制信號。該調制控制信號經導線119和120被引入電光調制器107。 調制控制信號指示光信號112的預定調制值和所需調制啁啾參數。例如，電光調制器107 接收調制控制信號，相應地，每個波導114和115的相對傳播速率發(fā)生改變，以產生所 需的調制啁啾參數值。單個控制信號可不對稱地與波導114和115相互作用，而產生一 個固定調啾值。[12]控制器102也加入一個經導線121傳輸到電光調制器107的偏置信號，以設置其工 作點。偏置信號可以是預設的或響應不斷變化的環(huán)境條件生成，如溫度、偏壓漂移或積 聚在電光波導附近的電荷。[13]上述現有技術的系統(tǒng)的電光調制器107中，可以加入根據本發(fā)明的在此披露的射頻 終端，這是有利的，附加的射頻輸出監(jiān)測線122可以將所述射頻終端連接到射頻探測或 監(jiān)測電路123。[14]圖2是圖1中的光通信系統(tǒng)100的現有技術的封裝電光馬赫*曾德爾 (Mach-Zehnder)調制器的俯視平面圖。光纜206與調制器芯片207的光輸入端216光 連通。光纜206將來自光源或激光器(未示出)的光信號提供到輸入端216。光信號由 第一光Y-連接器225分成兩個相等的信號。射頻電極226和227形成電傳輸線，以將 射頻信號從電輸入端口 201傳送到電輸出端口 202。射頻信號經連接到電輸入端口 201 的射頻互連板228，由外部信號源來提供。分開的光信號沿光波導229和230傳播，并 被射頻信號的電場調制。射頻信號與分開的光信號的相互作用或調制的距離被稱為相互 作用距離，并主要由調制器設計決定。[15]使用的主要有兩大類型的鈮酸鋰(LiNb03 )電光Mach-Zehnder (MZ)調制器，X 切和Z切型，圖2僅顯示X切型。[16]第二光Y-連接器231將兩分開光信號合成單個調制光信號。耦合至調制器芯片207 上的光輸出端217上的光纜208,將合成光信號傳送到光通信系統(tǒng)的的后續(xù)段(未示出)。[17]調制器芯片207包括基片234,在一實施例中，該基片由X切型鈮酸鋰(LiNb03 ) 制成，約1000微米厚。在另一實施例中，調制器芯片207由Z切型鈮酸鋰(LiNb03) 制成。[18]光波導229和230可通過將鈦擴散到基片234中制成。在一實施例中，在基片234 上作出條或溝(未示出)，在溝中沉積鈦，然后升溫以使鈦擴散到基片，從而制得光波 導229和230。光波導229和230約7微米寬，3微米深。[19]總之，現有技術射頻終端板235位于電極226和227的電輸出端口以吸收未使用或 殘余射頻功率。[20]根據本發(fā)明的在此披露的射頻終端板235也可以包括集成射頻監(jiān)測輸出端口 236， 該端口緊湊和易加工，有利地應用于探測、監(jiān)測或反饋電路中。常用的用于電光調制器的射頻終端是集總元件和厚或薄的薄膜電阻。用于電光調 制器的集總元件電阻通常是表面安裝的，如圖3所示。如圖4所示的作為射頻終端的厚 或薄的薄膜電阻由混合電路技術制造。[22]圖3a和圖3b分別是俯視平面圖和A-A'剖面圖，示出了對應于圖2中射頻終端板 235的現有技術射頻終端板335。射頻終端板335通常在陶瓷基片236上制成，也可用 物理和電學性能類似的其它材料制得。射頻傳輸線337的一短段，或是共面波導(CPW) 或是微帶線，從位于射頻終端板335邊緣的終端輸入端口 302延伸到射頻終端339。射 頻終端339可以是電阻，或是電阻和電抗無源元件的復雜電路。在這個實施例中示出的 是一集總元件形式的表面安裝電阻。接地電極338通過通孔340連接到電接地板341。 圖2中的調制器芯片207的電輸出端口 202與終端輸入端口 302之間的電連接一般是通 過金線連接的。[23]集總元件電阻的主要缺點是需要另外的焊接處理和可能具有高的寄生微波參數。[24]圖4a和圖4b分別是圖2中射頻終端板235的替代形式的俯視圖和剖視圖。該射頻 終端板435除了射頻終端339外與圖3a中的終端板具有相似的元件。射頻終端439是 連接在射頻終端線437和接地電極438之間的薄或厚的薄膜電阻。射頻終端也可由電阻 和電抗的薄或厚的薄膜元件的復雜電路形成。接地電極438通過通孔440與電接地板441 連接。圖2的調制器芯片207的電輸出端口 202與終端輸入端口 402之間的電連接一 般是通過金線連接的。[25]如圖4所示，作為射頻終端的厚或薄的薄膜電阻可用混合電路技術制得，相比集總 元件電阻，該電阻易于大容量生產，成本低、容易加工，重復性好，尺寸小，但是，很 難在可感知電帶寬上得到 一 個好的阻抗匹配。[26]厚或薄的薄膜終端的形狀對它的頻率特性和固有寄生效應有極大的影響。射頻終端 不僅是射頻功率吸收器，也是電光調制器電極和電接地之間的轉換部件。不同的幾何形 狀極大地影響終端阻抗匹配，特別是當終端元件的長度和尺寸足夠大以致影響在高頻時 的射頻阻抗時。錐形是電磁波轉換的理想形狀。在圖5的實施例中，在兩個具有很大不 同的電/射頻特性的傳輸線之間的電/射頻轉換器被設計成錐形。[27]圖5是圖4a中射頻終端板435的另 一種形式的現有技術的俯視圖。射頻傳輸線537 從終端輸入口 502延伸到射頻終端539,所述射頻終端是具有分布阻抗的薄或厚薄膜電 阻。錐形的射頻終端539,窄的一頭位于射頻終端線537的一端，寬的一頭連接到接地 電極538。梯形射頻終端539的錐面可以是線性的、兩次、指數或其它漸變曲線以確保 射頻功率的平均耗散，從而使射頻反射最小。[28]在光纖通信系統(tǒng)中，用于電光調制器的前端射頻信號探測裝置的一般結構包括位于 電光調制器輸入連接器前方的可從市場獲得的射頻功率分配器/耦合器。在該應用中，耦 合器通常有高耦合率，也就是說，射頻功率的大部分通過主通道進入電光調制器，只有 一小部分(例如1%)的射頻功率進入耦合通道，用于監(jiān)測射頻信號。由耦合通道拾取 的這一小部分射頻功率經由射頻分配器/耦合器上的射頻連接器，并被送入射頻信號探測 或監(jiān)測電路的輸入端口。然后，錐形射頻信號被一個(單個式)或兩個(平衡式)射頻 二極管探測到，所探測的信號可被用作射頻信號探測電路的輸入信號。[29]這種裝置的主要缺點是額外的射頻功率損失和體積大。在輸入信號通過射頻調制器 前， 一些射頻功率由于分接而損失。額外的分配器/耦合器需要更大的空間，并使加工成 本增力口。[30]對于光纖通信系統(tǒng)中的電光調制器， 一種試圖解決功率損失問題的裝置是后端射頻 探測方案。射頻功率分配器/耦合器位于射頻調制器的輸出端口。在該應用中，耦合器通 常也有高耦合率，也就是說，射頻功率的大部分通過主通道進入電光調制器，只有一小 部分(例如1%)的射頻功率進入耦合通道。當從電光調制器出來的未使用的射頻信號 被送入射頻分配器/耦合器的輸入端，射頻功率的大部分通過主通道進入大容量射頻電阻 終端，通常50歐姆。由耦合通道拾取的這一小部分射頻功率被送入射頻信號探測或監(jiān) 測電路的輸入端口，在該端口，錐形射頻信號可以被一個(單個式)或兩個(平衡式) 射頻二極管探測到。[31]采用混合PCB技術，也可將包括射頻二極管和無源元件的射頻探測電路集成到陶 瓷基片上的射頻終端板中。[32]上述實施例中，監(jiān)測靠近電光調制器的射頻環(huán)境需要大量而且可能很貴的部件，如 射頻功率分配器/耦合器和附帶連接器，這些部件本身可能是寄生阻抗源和反射源。 發(fā)明內容[33]本發(fā)明的目的是提供一種集成于同一芯片上的，具有用于監(jiān)測的射頻分接頭的終 端，從而獲得較寬調制頻帶上的改進性能。[34]因此，本發(fā)明涉及一種具有內置監(jiān)測端口的射頻終端，此端口能夠在緊湊和低寄生 配置下用來優(yōu)化電光調制器或相似器件的性能。[35]此發(fā)明的另一方面涉及一種基于分布電阻的射頻終端，此電阻有一個特定的形狀使 射頻終端的輸入阻抗和監(jiān)測端口的輸出阻抗可以根據具體的需要進行調節(jié)。


[36]下文將參照附圖對本發(fā)明進行更為詳細的介紹，附圖所示為優(yōu)選實施方式，其 中[37]圖1為現有技術的光通信系統(tǒng)的示意框圖，所述系統(tǒng)包括激光二極管、外部調制 器和光電探測器二極管，該系統(tǒng)在光纖或類似的光波導中傳輸光信號的領域中是眾所周 知的；[38]圖2示出了典型的現有技術的封裝電光(EO)調制器，包括調制器芯片、輸入互連 和射頻(RF)終端；[39]圖3a和3b分別為現有技術的平面圖和剖面圖，示出了用于電光調制器的通常為表 面安裝的集總元件電阻器；[40]圖4a和4b分別為現有技術的平面圖和剖面圖，示出了作為射頻終端的厚膜或薄 膜的電阻器；[41]圖5為現有技術的錐形的平面圖，該錐形用于具有兩種截然不同的電/射頻特性的 傳輸線之間的電/射頻轉換；[42]圖6為根據本發(fā)明的用于電光調制器的等效的RF信號監(jiān)測電路；[43]圖7為根據本發(fā)明的被組合到一個元件中的射頻終端和射頻功率分配器的平面 圖；以及[44]圖8為梯形分布電阻的平面圖，其顯示了設計尺寸。
具體實施方式
[45]此處描述的本發(fā)明將射頻終端和射頻功率分配器電阻集成到一個元件中。主要目的 是使集成元件集成到射頻終端，使其在工作頻段具有低射頻反射和低寄生參數的優(yōu)秀射 頻特性。作為集成終端電阻，它也可以作為射頻功率/電壓分配器。除了優(yōu)越的電特性和 射頻性能，這樣的裝置的其它優(yōu)點還有易于設計、體積小、容易生產、好的溫度穩(wěn)定性 和低成本。[46]同時具有射頻終端和射頻信號監(jiān)測的優(yōu)化改進方案在圖6中作為等效電路示出。 殘余的射頻功率通過輸入端口 652從EO調制器進入到射頻芯片651，從輸入端口 652 傳導到射頻功率/電壓分配器655。在這種配置中的RF功率/電壓分配器通常由兩個 電阻656, 657組成，電阻656和657之間的比率根據所需要的分接值或分配率決定。 分接的殘余R F功率從監(jiān)測輸出端口 658輸出。RF終端電阻653被連接在輸入端口 652 和才矣地端654之間。[47]因為RF芯片651被連接到EO調制器的電傳輸線輸出電極，所以EO調制器的殘 余RF功率不會引起EO調制器的額外RF功率損耗。RF功率監(jiān)測器的RF功率/電壓 分配器655的兩個電阻656, 657可以是集總元件或薄/厚膜電阻，并和RF終端電阻 653連同RF信號監(jiān)測電路被集成到同一PCB板上。因此，這種設計可以大大減小部件 的尺寸和生產的成本。[48]然而，在所述方案中，射頻終端電阻653和包括電阻656, 657的RF功率/電壓 分配器655是分立的元件但并聯，如圖6所示。這兩個元件對電的/RF性能有截然不 同的要求。RF終端電阻653通常被設計用來在工作頻帶完成與輸入端口 652的良好匹 配，而包含電阻656, 657的RF功率/電壓分配器655有其自身的要求，例如穩(wěn)定的檢 出率(pickoff ratio )、易于調整或設置電阻值和易于將監(jiān)測輸出端口 658處的適當的源 阻抗提供給監(jiān)測二極管或其他電子元件。在電路中將寬頻RF終端設計成與高質量RF 功率/電壓分配器并聯是很難的。[49]圖7示出了集成RF終端板735的俯視平面圖。來自EO調制器(未在圖中顯示) 的殘余RF功率輸入到與射頻傳輸線737連接的輸入端口 702。通常情況下，連接EO 調制器電輸出電極到RF傳輸線或CPW 737采用多線連接，EO調制器接地電極和終端 接地板748也采用多線連接。終端接地板748通過通孔750和終端接地連接。[50]集成RF電阻739的結構是逐漸加寬的變寬錐體，和相反的逐漸變窄的變窄錐體。 阻抗材料的縱向切片的傳遞電阻和結構的寬度成反比，隨著錐體特性阻抗逐漸增加，漸 增或漸減的寬度可以使電阻不斷減小。錐形結構可以使傳輸波的RF阻抗改變，同樣， 阻抗錐體被用來將一個RF阻抗與另一個RF阻抗匹配。例如，可以利用錐形傳輸線將 50歐姆的同軸電纜變?yōu)?5歐姆的同軸電纜。結果，因為阻抗慢慢降低，功率沿著結構 的長度慢慢損耗。當在此結構中，圓錐的結構是逐漸變窄，阻抗沿著長度而增加，仍繼 續(xù)消耗RF功率。圓錐變寬變窄結構可以提供無損失阻抗和有損失阻抗(損失阻抗會導 致射頻功率損失)的結合和優(yōu)化的RF阻抗匹配。[51]射頻電阻739的形狀近似于頂部被截平的風箏，從射頻傳輸線737延伸到第二接 地板738,它可以被看作是具有變化寬度的電傳輸線。其寬度單調增加，直到中間段760， 在中間段760的寬度是不變的，然后寬度單調減小，直到第二接地板738,第二接地板 738依次通過通孔740接終端接地端。[52]射頻分接頭輸出端口由射頻分接頭電極762 (優(yōu)選金屬棒)提供，分接頭電極762 被連接到位于中間段760的射頻電阻739的兩側。射頻電阻739的錐形邊緣761， 763 可以定制以獲得所需的特性，例如在最小射頻反射下射頻功率的平滑消耗的特性。錐形 邊緣的外形761, 763可以通過線性、二次、指數和任何其它隨著傳輸線距離而漸變的 函數得到。[53]射頻電阻739可以由有確定薄膜電阻值的炭填充聚合物形成。電阻的精確目標阻抗 值可以通過激光微加工實現。[54]射頻功率分配率或分束率可以通過調整射頻電阻739的上部和下部的梯形尺寸實 現。從射頻分接頭電極762分接的射頻功率被輸入到射頻信號檢測電路(未在圖中顯示)。 采用混合PCB技術，也可以將包括射頻二極管和無源元件的射頻信號檢測電路集成到 陶瓷基片734上的射頻終端板735中。[55]分束率的值一般在-6dB和-20( 之間，但大多數實際應用優(yōu)選大約-lOdB。[56]對于輸入端口 702，輸入阻抗值用來提供與電光(EO)光調制器上的傳輸線電極阻抗 匹配的最佳射頻。而阻抗值隨具體的EO調制器設計變化，范圍通常是大約30歐姆到 75歐姆，大多數鈮酸鋰的典型值是40歐姆。射頻分接頭電極762在另 一方面逐漸工作 到標準50歐姆射頻電路，所以它們的源阻抗被設計用來匹配該值。 [57]如圖8所示，形狀近似于可能帶有曲邊的不對稱菱形的射頻電阻839的直流/低頻 阻值，可以用積分方程式或通過下面的公式對水平方向的小切片求和估算得到[58] Ri = SRs*Sh/[t*f(xO][59] Rs是阻抗材料的薄膜阻值，Sh是片的高度，t是阻抗材料的厚度，f(Xi)是第i片 的曲線函數。[60] 輸入終端827形成頂部，接地終端828形成底部，分接頭終端在射頻電阻829的 兩側。圓形邊860， 870可以是直線，也可以是根據函數f(Xi)的向內的曲線，如虛線861， 871所示。[61]射頻電阻839由三部分兩個近似的梯形結構和一個中心長方形結構組成，如圖 8所示。利用上面的公式，可以分別計算上部和下部的直流/低頻阻值R,和R2。類似的， 也可以計算長方形部分的阻值Rr。因此總的直流/低頻阻值是Rl, R2和R r的總和。[62]射頻信號檢測電路正常操作所需的電壓分配率由R!/( R!+ R》決定。在此結構中， 總的高度H是兩個梯形部分高度ln ，h2和長方形高度h3的總和。射頻終端其它參數是 寬度W和薄膜電阻值Rs 。[63]通過調整寬度W,三部分的高度ht ,h2和h3,薄膜電阻值Rs,所需要的射頻終端 的總阻值和射頻信號檢測的電壓/功率分配率的值可以分別優(yōu)化。[64]已經描述了作為EO調制器應用的集成射頻終端，其具有用于射頻信號監(jiān)測的射頻 終端和射頻功率/電壓分配器的功能。終端阻值和功率分配值可以被分別調整和同時被優(yōu) 化。單器件顯示了優(yōu)越的射頻/電特性，也就是寬工作頻帶和低寄生參數。帶有兩個分接 頭的集成射頻終端或相似的形狀可以實現在最低反射下從EO調制器電極的阻抗到接地 端進行平滑轉變。[65]此處所披露的所述集成射頻終端也可以被用作單獨的器件或用在其它類型的集成 光調制器中，例如在半導體材料上和在任何電光或光電器件上的電吸收(EA)和電光 馬赫*曾德爾調制器(EO MZ),這些應用只需要射頻終端或需要射頻終端和射頻功率/ 電壓分配器的組合。[66]總之，所披露的用于光調制器的射頻終端，包括具有從光調制器接收殘余射頻調制 信號的輸入端口的襯底芯片；包括襯底芯片上的一個可以提供電直流和射頻回路的地連 接；包括襯底芯片上的阻抗傳輸線，所述傳輸線具有寬度和長度，所述長度從輸入終端 延伸到接地終端，以吸收所述殘余射頻調制信號，其中，所述輸入終端被連接到所述輸 入端口 ，所述接地終端被連接到所述地連接；還包括在村底芯片上的射頻分接頭輸出端 口 ，所述射頻分接頭輸出端口被連接到阻抗傳輸線的中間段的邊緣，用于按殘余射頻調 制信號的分束率耦合輸出射頻監(jiān)測信號。分束率的范圍一般為大約-6dB至U -20dB。[67]阻抗傳輸線的寬度可以有一個從地端到中間段的變寬錐形和一個從中間段到射頻 輸入端的變窄錐形。[68]變寬錐形或變窄錐形可以由線性、二次和指數輪廓函數中的一個決定。變寬錐形或 變窄錐形可以由激光微加工來調節(jié)。[69]阻抗傳輸線可以由薄膜或厚膜阻抗材料制成。碳填充聚合物是適合于阻抗傳輸線 的材料。[70]阻抗傳輸線路可以是共面波導或微帶線。[71] 射頻分接輸出端口的阻抗范圍為大約30歐姆到75歐姆。[72]村底芯片由陶瓷或半導體組成?？刹捎没旌螾CB技術生產襯底芯片。
權利要求
1.一種用于光調制器的射頻終端，其包括襯底芯片，其具有從所述光調制器接收殘余射頻調制信號的輸入端口；在所述襯底芯片上的接地，用以提供電直流和射頻回路；在所述襯底芯片上的阻抗傳輸線，所述傳輸線具有寬度和長度，所述長度從輸入終端延伸到接地終端，以吸收所述殘余射頻調制信號，其中，所述輸入終端被連接到所述輸入端口，所述接地終端被連接到所述接地；以及在所述襯底芯片上的射頻分接頭輸出端口，所述輸出端口被連接到阻抗傳輸線中間段的邊緣，以按殘余射頻調制信號的分束率耦合輸出射頻監(jiān)測信號。
2. 如權利要求1所述的射頻終端，其特征在于，所述阻抗傳輸線的寬度具有從所述接 地終端到所述中間段的變寬錐形和從所述中間段到所述射頻輸入端口的變窄錐形。
3. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述變寬錐形或變窄錐形由輪廓函數 確定，所述輪廓函數為線性、二次和指數輪廓函數中的一個。
4. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述阻抗傳輸線包括阻抗材料，所述 阻抗材料選自薄膜和厚膜中的一個。
5. 如權利要求4所迷的射頻終端，其特征在于，所述阻抗材料包括炭填充聚合物。
6. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述變寬錐形或所述變窄錐形是激光 加工的。
7. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述阻抗傳輸線是共面波導和微帶線 中的一個。
8. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述分束率在大約-6dB和-20dB之間。
9. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述射頻分接頭輸出端口的阻值在大 約30歐姆和75歐姆之間。
10. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述襯底芯片包括陶覺和半導體中的 一個。
11. 如權利要求2所述的射頻終端，其特征在于，所述村底芯片由混合PCB技術制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種射頻終端，該射頻終端用于在電光(EO)光調制器上的傳輸線電極終端減少電信號反射。所披露的終端包括一個射頻分接頭，該射頻分接頭可以在EO調制器上監(jiān)測射頻功率和反射情況。集成終端/分接頭也可以和探測電路集成(例如射頻二極管和無源元件)，以提高性能、降低生產成本和實現更加緊湊而有效的封裝。
文檔編號H04B10/12GK101166063SQ20071016322
公開日2008年4月23日 申請日期2007年10月19日 優(yōu)先權日2006年10月19日
發(fā)明者姜文彥, 格雷戈里·麥克布賴恩, 約瑟夫·P.·法里納 申請人:Jds尤尼弗思公司