專利名稱：一種硅傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及傳聲器領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種結(jié)構(gòu)簡單、加工 方便，抗干擾能力更強(qiáng)的硅傳聲器。
背景技術(shù)：
隨著當(dāng)今科技的迅速發(fā)展，在傳聲器領(lǐng)域技術(shù)也取得了長足的進(jìn)步，之前大家使用最多的駐極體電容傳聲器(ECM)將被一種新的硅 傳聲器取而代之，運(yùn)用微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical systems; MEMS)工藝所制成的硅傳聲器與傳統(tǒng)之駐極體傳聲器(ECM) 相比，其主要優(yōu)勢(shì)在于可大量效率性生產(chǎn)；容易與其它功效的微電 路整合；容易實(shí)現(xiàn)數(shù)字化；耐熱性強(qiáng)，能承受260。C的高溫回流焊接； 質(zhì)量一致且穩(wěn)定性高，在不同溫度的性能都十分穩(wěn)定，不會(huì)受溫度、 振動(dòng)、濕度及時(shí)間的影響；體積小，適合用在短小輕薄的應(yīng)用設(shè)計(jì)中 等等?，F(xiàn)有的硅傳聲器的結(jié)構(gòu)主要由外殼和線路板等部件組成，線^各板 上焊接有電容、硅膜及芯片等電器元件，聲孔設(shè)置于外殼上或是線路 板上。目前市面上聲孔設(shè)置于線路板上的結(jié)構(gòu)有兩種， 一種為直接在 硅膜之音腔下方開孔l的結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D1)，此種結(jié)構(gòu)抗氣流干擾能 力較差，使用中易于出現(xiàn)"噗、噗"的干擾聲導(dǎo)致信號(hào)失真現(xiàn)象嚴(yán)重； 另一種為在一塊線路板上制出Z形通道2的長聲道聲孔結(jié)構(gòu)(參照?qǐng)D 2)，此種結(jié)構(gòu)的抗干擾能力雖有所提高，但還不夠理想，達(dá)不到信 號(hào)更高要求的需要，且其制作加工復(fù)雜，不利市場(chǎng)竟?fàn)?。?shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺陷，主要目的是提供一種結(jié) 構(gòu)簡單、加工方便，抗干擾能力更強(qiáng)的硅傳聲器。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案 一種硅傳聲器，包括外殼、第一線路板以及第二線路板，該外殼與第 一線路板相配合且形成第 一空腔，第一線路板上設(shè)有硅膜單元， 且在第一線路板上對(duì)應(yīng)該硅膜單元所處的位置下方開設(shè)有一通孔，上 述硅膜單元位于第一空腔內(nèi)；第二線路板疊于第一線路^^反上，并與第 一線路板之間形成第二空腔，該第二空腔與前述通孔相連通；第二線 路板上設(shè)有 一聲孔，前述第二空腔通過該聲孔與外界連通。 所述聲孔偏離通孔一段距離。上述第一線路板上設(shè)有一與第二線路板形成上述第二空腔的凹位。上述第二線路板上設(shè)有一與第一線路板形成上述第二空腔的凹位。上述第一線路和第二線路板上各設(shè)有一可相互配合形成上述第 二空腔的凹位。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于通過聲孔、第二空 腔及通孔相連組成一供硅膜單元與外界空氣相通的聲道，外界信號(hào)通 過此聲道傳輸?shù)焦枘卧?，由于其傳輸過程中要經(jīng)過一較大空間的 第二空腔結(jié)構(gòu)，從而使硅傳聲器具有超強(qiáng)的抗氣流聲干擾能力，可有 效避免信號(hào)失真現(xiàn)象的發(fā)生。而且，外殼與第一線路板形成的較大密 閉之第一空腔結(jié)構(gòu)可以很好滿足硅麥后腔條件，使其具有較好的頻率 響應(yīng)與靈敏度性能。另外，本實(shí)用新型進(jìn)聲之第二空腔結(jié)構(gòu)由兩片線 路板層疊組配而成，結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，且可以實(shí)現(xiàn)貼片傳聲器進(jìn) 聲孔零高度安裝的要求。


圖1為一現(xiàn)有^l支術(shù)之硅傳聲器具體結(jié)構(gòu)；圖2為另一現(xiàn)有技術(shù)之硅傳聲器具體結(jié)構(gòu); 圖3為本實(shí)用新型之立體分解示意圖； 圖4為本實(shí)用新型之組配立體示意圖； 圖5為本實(shí)用新型之截面示意圖。 附圖標(biāo)識(shí)說明1、開孔2、Z形通道10、外殼20、第一線路板21、凹位22、通孔23、硅膜單元30、第二線路板31、聲孔40、第一空腔50、第二空腔具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明參照?qǐng)D3至圖5示出了本實(shí)用一實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，包括一方 形內(nèi)凹的外殼IO、第一線路板20以及第二線路板30。其中，外殼10固定于第一線路板20的下表面，并與第一線路板 20形成第一空腔40，外殼10與第一線路板20之間可采用導(dǎo)電膠、 焊料焊接或回流焊接等固接方式，以實(shí)現(xiàn)電路連接和密封連接，達(dá)到 抗高頻干擾和密封的效果，外殼IO是金屬材料或表面鍍有金屬的其 它材料。由于該第一空腔40為較大之密閉空腔結(jié)構(gòu)，可以很好滿足 硅麥后腔條件，使其具有較好的頻率響應(yīng)與靈敏度性能。第一線路板20下表面上固設(shè)有硅膜單元23等電器元件，第一線 路板20上對(duì)應(yīng)于硅膜單元23的音腔下方處設(shè)有通孔22，該通孔22 與前述第一空腔40連通。第二線路板30層疊于第一線路板20的上表面，第一線路板20 上表面設(shè)有一方形凹位21,此凹位21與第二線路板30組合形成第 二空腔50。第二線路板30上還設(shè)有聲孔31,該聲孔31偏離通孔22 —段距 離，前述第二空腔50通過此聲孔31與外界連通。藉此，通過聲孔21、第二空腔50及通孔22相連組成一供硅膜 單元23與外界空氣相通的聲道，外界信號(hào)通過此聲道傳輸?shù)焦枘?元23上，由于其傳輸過程中要經(jīng)過一較大空間的第二空腔結(jié)構(gòu)，從 而使硅傳聲器具有超強(qiáng)的抗氣流干擾能力，可有效避免信號(hào)失真現(xiàn)象 的發(fā)生。另外，本實(shí)用新型之第二空腔結(jié)構(gòu)由兩片線路板層疊組配而 成，結(jié)構(gòu)簡單，加工方便。以上所述，僅是本實(shí)用新型一種具有較佳音效的硅傳聲器的較佳 實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作任何限制，例如第二空 腔50的形成還可通過將凹位21設(shè)于第二線路板30的下表面的方式， 或是在第一線路板20和第二線路板30上均設(shè)置凹位21的組合方式。改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種硅傳聲器，其特征在于包括外殼、第一線路板以及第二線路板，該外殼與第一線路板相配合且形成第一空腔，第一線路板上設(shè)有硅膜單元，且在第一線路板上對(duì)應(yīng)該硅膜單元所處的位置下方開設(shè)有一通孔，上述硅膜單元位于第一空腔內(nèi)；第二線路板疊于第一線路板上，并與第一線路板之間形成第二空腔，該第二空腔與前述通孔相連通；第二線路板上設(shè)有一聲孔，前述第二空腔通過該聲孔與外界連通。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種硅傳聲器，其特征在于所述聲 孔偏離通孔一段距離。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種硅傳聲器，其特征在于上述第一線路板上設(shè)有一與第二線路板形成上述第二空腔的凹位。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅傳聲器，其特征在于上述第 二線路板上設(shè)有一與第一線路板形成上述第二空腔的凹位。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅傳聲器，其特征在于上述第 一線路和第二線路板上各設(shè)有一可相互配合形成上述第二空腔的凹 位。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種硅傳聲器，包括外殼、第一線路板以及第二線路板，該外殼與第一線路板相配合形成第一空腔，第一線路板上設(shè)有硅膜單元，在第一線路板上對(duì)應(yīng)該硅膜單元所處的位置下方開設(shè)有一通孔；第二線路板疊于第一線路板上，并與第一線路板之間形成第二空腔；第二線路板上設(shè)有一聲孔，前述第二空腔通過該聲孔與外界連通，通過聲孔、第二空腔及通孔相連組成一供硅膜單元與外界空氣相通的聲道。而且外殼與第一線路板形成的較大密閉第一空腔結(jié)構(gòu)可以很好滿足硅麥后腔條件，使其具有較好的頻率響應(yīng)與靈敏度性能。另外，本實(shí)用新型進(jìn)聲之第二空腔結(jié)構(gòu)由兩片線路板層疊組配而成，結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，且可以實(shí)現(xiàn)貼片傳聲器進(jìn)聲孔零高度安裝的要求。
文檔編號(hào)H04R19/00GK201114763SQ20072005804
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2007年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月9日
發(fā)明者溫增豐, 賀志堅(jiān), 鄭虎鳴 申請(qǐng)人:東莞泉聲電子有限公司