專利名稱：磁路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可包含在揚(yáng)聲器(speaker)中的磁路。
技術(shù)背景圖9A是傳統(tǒng)的防磁型磁路101的示意性剖視圖，而圖9B是 圖9A的磁路的右側(cè)的說(shuō)明圖，示出流過(guò)該磁路的磁通。圖9A的防》茲型》茲路101包括下》茲輒102;中央極103,其 被布置在下磁軛102的前表面(圖中的上側(cè))的中央，以向前 (圖中的向上)突出；主》茲體104,其形成為環(huán)狀并^皮布置在 下磁扼102的前表面；環(huán)狀頂板105,其被布置在主》茲體104的 前表面；排斥磁體106,其形成為環(huán)狀并被布置在下磁軛102 的背面；以及罐狀磁軛蓋107,其被布置成包圍上述組成構(gòu)件， 具體地包圍下磁軛102、中央極103、主磁體104、頂板105、 以及排斥f茲體106。在上述防磁型磁路101中，通過(guò)排斥磁體106和磁輒蓋107 遮蔽泄漏/磁通，乂人而實(shí)現(xiàn)一定的防/磁效果。在該情況下，已經(jīng) 提出多種方法用于提高防磁效果。例如，公開(kāi)了一種防磁型^t路，該f茲路包括底板；中央 極，其被布置在底板的前表面的中央，以向前突出；主磁體， 其形成為環(huán)狀并被布置在底板的前表面；頂板，其被布置在主 石茲體的前表面；以及消f茲》茲體(cancellation magnet), 其#皮 固定地布置在底板的背面，并且利用與主磁體的極性相反的極 性磁化該消石茲;磁體。為了提高遮蔽泄漏;磁通的效果，該》茲路還 具有防磁蓋，該防磁蓋由磁性材料制成并且用于緊密地包圍上 述組成構(gòu)件的組件的背面，并且該防磁蓋被構(gòu)造成蓋的延伸到底板前表面的 一 部分的厚度等于或大于底板和頂板中較厚的一個(gè)的厚度(參照日本實(shí)開(kāi)平1-91395號(hào)公報(bào))。還公開(kāi)了一種防磁型磁路，該磁路包括中央極；第一磁 體，其形成為環(huán)狀并被布置在中央極周圍；前板，其被布置在 第一磁體的前表面；背板，其被布置在第一磁體的背面并被連 接到中央極；以及第二磁體，其形成為環(huán)狀，靠近背板布置并 且具有與第一磁體的；茲化方向相反的；茲化方向。為了提高減少 泄漏磁通的效果，該磁路還包括磁蓋，其被構(gòu)造成覆蓋由上 述組成構(gòu)件組成的組件的后側(cè)和周側(cè)；以及；茲性構(gòu)件，其被布 置在第二磁體的內(nèi)部(參照日本特開(kāi)平3-13200號(hào)公報(bào))。由上述日本專利文獻(xiàn)公開(kāi)的防磁型磁路基本上具有與圖 9A的防磁型磁路101相同的結(jié)構(gòu)，并且與防磁型磁路101具有 共同的問(wèn)題。其后將參照?qǐng)D9A和圖9B說(shuō)明這些問(wèn)題。參照?qǐng)D9A，磁軛蓋107被布置在主磁體104的外部，因此， 與主磁體10 4的外徑相比，防磁型磁路101的外徑不可避免地增 大了磁軛蓋107的材料的厚度的至少兩倍。在該情況下，如果 防磁型磁路101的外徑由于空間限制具有上限，則主磁體104 面臨更大的限制，并可阻止主磁體104具有適當(dāng)?shù)耐鈴剑瑢?dǎo)致 不能實(shí)現(xiàn)高的氣隙磁通密度。此外，具有高磁導(dǎo)率的磁輒蓋107被布置成完全覆蓋主磁 體104和排斥^茲體106，以-提高防^磁效果，并且當(dāng)由于尺寸限制 或其它原因而靠近主磁體104布置磁輒蓋107時(shí)，如圖9B所示， 產(chǎn)生通過(guò)頂板105與磁輒蓋107之間的氣隙的磁通線小2和通過(guò) 頂板105與中央極103之間的氣隙的磁通線cj) 1,并且通過(guò)中央 極103與頂板105之間的氣隙的磁通量減少了磁通線cj) 2的數(shù) 量，從而減小了氣隙的磁通密度。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)上述問(wèn)題已經(jīng)完成本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供 一種緊湊且廉價(jià)的^茲路，在該磁路中，可以在保持防磁效果的 同時(shí)增加氣隙的磁通密度，并且可以抵抗溫度變化穩(wěn)定地保持磁性能。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種磁路，其包括下；茲扼；中央極，其^皮布置在下》茲扼的前表面的 中央；主磁體，其具有環(huán)狀并且被布置在下》茲軛的前表面；頂 板，其具有環(huán)狀并且被布置在主磁體的前表面；排斥磁體，其 被布置在下磁軛的背面；以及磁軛蓋，其被布置成覆蓋排斥磁 體的背面和側(cè)面，其中磁軛蓋的外徑尺寸等于或者小于主磁體 的外徑。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種磁路，其包括 下磁軛；中央極，其^皮布置在下磁輒的前表面的中央；主》茲體， 其具有環(huán)狀并且被布置在下磁輒的前表面；頂板，其具有環(huán)狀 并且被布置在主磁體的前表面；排斥磁體，其被布置在下磁輒 的背面；以及磁軛蓋，其被布置成覆蓋排斥磁體的背面和側(cè)面 以及主石茲體的側(cè)面的至少 一 部分，其中頂^反的外徑尺寸等于或 者小于主i茲體的外徑。從而，本發(fā)明提供一種緊湊且廉價(jià)的磁路，在該磁路中， 可以在保持防/磁效果的同時(shí)增加氣隙的》茲通密度，并且可以抵 抗溫度變化穩(wěn)定地保持磁性能。


圖1 A是根據(jù)本發(fā)明的第 一 實(shí)施例的磁路的示意性剖視圖， 圖1B是圖1A的磁路的右側(cè)的說(shuō)明圖，示出其中流動(dòng)的磁通； 圖2是用于組裝圖1A的磁路的過(guò)程的一個(gè)例子的說(shuō)明圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的磁路的示意性剖視圖； 圖4是用于組裝圖3的磁路的過(guò)程的一個(gè)例子的說(shuō)明圖； 圖5A是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的磁路的示意性剖視圖，圖5B是圖5A的磁路的右側(cè)的說(shuō)明圖，示出其中流動(dòng)的磁通； 圖6是用于組裝圖5A的》茲路的過(guò)程的 一 個(gè)例子的說(shuō)明圖； 圖7A是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的磁路的局部示意性剖視圖，圖7B是圖7A的^f茲路的萬(wàn)茲軛蓋的立體圖；圖8A是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的磁路的示意性剖視圖，圖8B是圖8A的^t路的右側(cè)的說(shuō)明圖，示出其中流動(dòng)的》茲通；以及圖9A是傳統(tǒng)的防磁型磁路的示意性剖視圖，圖9B是圖9A 的磁路的右側(cè)的說(shuō)明圖，示出其中流動(dòng)的磁通。
具體實(shí)施方式
其后將參照

本發(fā)明的典型實(shí)施例。 第一實(shí)施例參照?qǐng)D1A,根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的磁路l包括下磁 軛2;中央極3，其^皮布置在下,茲軛2的前表面的中央，以向前 (圖中的向上)突出；主磁體4，其形成為圓環(huán)狀并被布置在 下f茲軛2的前表面；頂^反5，其形成為圓環(huán)狀并,皮布置在主f茲體 4的前表面；排斥磁體6，其形成為實(shí)心圓柱并被布置在下磁輒 2的背面；以及磁軛蓋7，其形成為(例如圖中)具有圓形中空 筒狀部和底板的罐狀構(gòu)造，并被布置成覆蓋排斥磁體6的背面 和側(cè)面。雖然在圖1A中磁軛蓋7的外徑被設(shè)定成等于主磁體的外 徑，但是作為選擇，磁軛蓋7的外徑可小于主磁體4的外徑。磁 軛蓋7的最前部可被布置成與主磁體4的背面接觸，或者被布置在主磁體4的后方。在圖1A中，頂板5的外徑被設(shè)定成小于主磁體4的外徑，但 是該配置不是必需的，頂板5的外徑可以被設(shè)定成等于主磁體4 的外徑。參照?qǐng)D1B,排斥；茲體6的許多磁通跟隨通過(guò)下磁軛2、中央 極3、氣隙g、頂一反5、主》茲體4和磁扼蓋7的/f茲徑。具有低磁導(dǎo) 率的空氣僅占該》茲徑的一小部分，因此具有低,茲阻的f茲通線cl) 3通過(guò)該》茲徑。因此，實(shí)現(xiàn)高氣隙磁通密度。此外，另 一》茲徑形成在主磁體4的外周部，由泄漏二磁通引 起的磁通線4) 4通過(guò)該磁徑。在具有磁通線4> 4的磁徑中，具有 低磁導(dǎo)率的空氣的比率高。因此，該磁徑具有高磁阻。因此， 磁通線4) 4具有比參照?qǐng)D9B所述的磁通線(J) 2更低的磁通。如果f茲軛蓋7的最前部被布置成與主》茲體4的背面接觸，則 靠近接觸區(qū)域的磁阻減小，并且在磁通線cb 4的數(shù)量減少的同 時(shí)磁通線cb 3的數(shù)量增加，因此，增大了氣隙g的》茲通密度。從 而，當(dāng)磁軛蓋7^皮布置成與主磁體4接觸時(shí)比當(dāng)磁軛蓋7不與主 磁體4接觸時(shí)實(shí)現(xiàn)了更高的氣隙磁通密度?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D2說(shuō)明用于組裝圖1A的磁路1的過(guò)程的例子。將主磁體4接合到下磁輒2的前表面，然后將頂板5接合到 主磁體4的前表面(步驟S1)。在步驟S1之前、之后或與步驟S1 同時(shí)將排斥磁體6接合到罐狀構(gòu)造的磁軛蓋7的底板的前表面 (步驟S2)。然后，將具有定位功能的組裝工具8可拆卸地設(shè)置到磁軛 蓋7的外周(步驟S3)。并且，將在步驟S1制備、并由下磁軛2、 主磁體4和頂板5組成的組裝單元放到組裝工具8的內(nèi)部，使得 通過(guò)組裝工具8的內(nèi)周引導(dǎo)主磁體4的外周，以在下磁軛2與排 斥磁體6之間涂布粘合劑的同時(shí)，在這些組成構(gòu)件之間適當(dāng)?shù)囟ㄎ?，由此利用確保的適當(dāng)定位將下磁軛2的背面粘接到排斥磁體6的前表面(步驟S4)。從而，完成了圖1A的磁路1。磁扼蓋7由如鐵等磁性材料制成，因此磁通線c|) 3的數(shù)量變得大于磁通線cj) 4的數(shù)量，由此，如參照?qǐng)D1B所述，增大了中央極3與頂板5之間的氣隙g的磁通密度。然而，通過(guò)主磁體4的磁力將由磁性材料制成的磁軛蓋7吸向主^茲體4，這可能導(dǎo)致破壞磁輒蓋7與下；茲扼2和其它組成構(gòu)件之間的定位。通過(guò)使用組裝工具8，可以在不受磁軛蓋7與主磁體4之間的磁力的影響下組裝磁路1,由此實(shí)現(xiàn)高的定位精度。在圖1A的磁路1中，由于磁軛蓋7的外徑被設(shè)定成等于或小 于主磁體4的外徑，因此可以增大氣隙g的石茲通密度，并且可以 實(shí)現(xiàn)提高磁效率。此外，因?yàn)榇怕穕的外徑、即f茲路l的整個(gè)直 徑尺寸^:限定為不超過(guò)主^茲體4的最大外徑，/人而防止增大不茲 路l的整個(gè)直徑尺寸，因此，特別當(dāng)限制磁路l的外徑并且期望 盡可能大地設(shè)定主》茲體4的外徑時(shí)， 一磁軛蓋7的外徑僅變化到主 磁體4的外徑的該結(jié)構(gòu)具有優(yōu)勢(shì)。此外，》茲扼蓋7的外徑不會(huì)變 得比主磁體4的外徑大，由此減小了磁軛蓋7的體積，并且降低 了材料成本。此外，當(dāng)與不具有磁軛蓋的簡(jiǎn)單防磁型磁路相比，根據(jù)本 實(shí)施例的磁路l具有以下優(yōu)點(diǎn)。在圖1A的磁路1中，來(lái)自排斥磁體6的許多磁通跟隨通過(guò)下 磁軛2并返回排斥磁體6的磁徑，并且由于磁路l中的該磁徑比 簡(jiǎn)單的防磁型磁路的磁徑包括更小比例的具有低磁導(dǎo)率的空 氣，因此圖1B所示的磁通線(])3的磁徑比簡(jiǎn)單的防磁型磁路中 的磁徑具有更低的磁阻，從而實(shí)現(xiàn)高氣隙磁通密度。此外，磁路l中的磁軛蓋7的最前部被布置成與主磁體4的背面接觸或者靠近主磁體4的背面，并且接觸或靠近區(qū)域附近 的磁阻減小，由此使在簡(jiǎn)單的防磁型磁路中變?yōu)樾孤┐磐ǖ闹鞔朋w4的磁通線4) 4部分地流入磁軛蓋7中而作為萬(wàn)茲通線cj) 3的 一部分，由此增大了氣隙磁通密度。因此減少了磁通線cj) 4的 數(shù)量，并且還減少了泄漏磁通，這導(dǎo)致提高防磁效果。并且，在磁路l中，磁軛蓋7被磁化，由此使排斥磁體6的 退磁場(chǎng)降低，并且使排斥磁體6的磁導(dǎo)率增加，因此，與簡(jiǎn)單 的防磁型磁路的排斥磁體相比，磁路1的排斥磁體6具有更高的 工作點(diǎn)(operating point )。結(jié)果，與簡(jiǎn)單的防磁型磁路相比， 磁路1不容易受退磁的影響，并且可以抵抗溫度變化保持穩(wěn)定 的磁性能(在高溫和低溫時(shí)更少退磁)。如前所述，》茲軛蓋7的最前部可以被布置成與主》茲體4的背 面齊平，從而，如圖1A/1B所示，使磁輒蓋7的最前部與主磁體 4的背面接觸，或者作為選擇，磁軛蓋7的最前部可以被布置在 主磁體4的背面。具體地，可以在主磁體4的背面與排斥磁體6 的前表面之間任意地布置磁軛蓋7的最前部。 第二實(shí)施例將參照?qǐng)D3和圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例。在示出第 二實(shí)施例的圖3中，用相同的附圖標(biāo)記表示與圖1A中的部件對(duì) 應(yīng)的任何部件，并且下面將省略其詳細(xì)i兌明。參照?qǐng)D3,根據(jù)第二實(shí)施例的磁路la與根據(jù)第 一 實(shí)施例的 圖1A的磁路1的不同之處僅在于還包括間隔物9,以下的說(shuō)明將 集中在與圖1A的磁路1的不同之處。間隔物9形成為環(huán)狀，由如樹(shù)脂等非磁性材料制成，并且 被設(shè)置在磁輒蓋7的最前部的內(nèi)周。間隔物9的內(nèi)徑大致等于下石茲輒2的外徑，由此可以通過(guò)用 作引導(dǎo)構(gòu)件的間隔物9將下磁軛2適當(dāng)?shù)厍曳€(wěn)固地布置在磁軛蓋7的內(nèi)部。此外，間隔物9由非磁性材料制成，因此不受主磁 體4的磁力的影響，由此磁輒蓋7不可能被吸引到主磁體4 。參照?qǐng)D4，將說(shuō)明用于組裝圖3的磁路la的過(guò)程的例子。將 主磁體4接合到下f茲軛2的前表面，然后將頂板5接合到主磁體4 的前表面(步驟S5)。在步驟S5之前、之后或與步驟S5同時(shí)地 將排斥磁體6接合到磁軛蓋7的底板的前表面，并且將間隔物9 安裝到磁輒蓋7的內(nèi)周(步驟S6)。然后，將在步驟S5制備、并由下》茲輒2、主磁體4和頂板5 組成的組裝單元接合到在步驟S6制備、并由排斥磁體6、磁軛 蓋7和間隔物9組成的組裝單元，使得在通過(guò)間隔物9的內(nèi)周引 導(dǎo)》茲軛2的外周的情況下，將下/f茲軛2》文到；茲輒蓋7的內(nèi)部，并 且使下磁軛2的背面與排斥磁體6的前表面接觸(步驟S7)。從而，在根據(jù)第二實(shí)施例的磁路la中，由于在磁軛蓋7的 最前部的內(nèi)周設(shè)置有間隔物9,因此當(dāng)將包括下；茲輒2的組裝單 元接合到設(shè)置在》茲軛蓋7中的排斥磁體6時(shí)，可以在不使用圖2 的組裝工具8的情況下，容易地布置該組裝單元。此外，間隔 物9由非》茲性材料制成，因此不受主》茲體4的磁力的影響，從而 避免了組裝過(guò)程中的困難。間隔物9不必是形成為環(huán)狀的單件體，可以由彼此分開(kāi)的 多個(gè)分離件構(gòu)成。 第三實(shí)施例將參照?qǐng)D5A、圖5B和圖6說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施例。在示出根據(jù)第三實(shí)施例的磁路lb的圖5A中，用相同的附圖標(biāo)記表示與圖1A對(duì)應(yīng)的任何部件，并且下面將省略其詳細(xì)說(shuō)明，將重點(diǎn)放在與前述實(shí)施例的不同之處上。根據(jù)第三實(shí)施例的磁路lb與根據(jù)第 一 和第二實(shí)施例的磁路l和la的不同之處在于磁輒蓋的結(jié)構(gòu)和布置。具體地，參照?qǐng)D5A,磁路lb的磁輒蓋7a被構(gòu)造成具有與主》茲體4的外徑大致 相等的內(nèi)徑，并且被布置成局部地包圍主磁體4，使得磁軛蓋 7a的一部分內(nèi)周面與主磁體4的一部分外周面緊密接觸。利用 該結(jié)構(gòu)，如圖5B所示，產(chǎn)生跟隨通過(guò)排斥磁體6、中央極3、氣 隙g、頂板5、上述主磁體4、以及磁輒蓋7a的磁徑的磁通線cf) 5。 由于圖5A的磁軛蓋7a與主磁體4彼此接觸的面積比圖1A的磁 輒蓋7與主磁體4彼此接觸的面積大，因此，圖5A的磁通線cj) 5 的石茲徑的f茲阻比圖1A的》茲通線4) 3的》茲徑的》茲阻j氐，因此可以 增加f茲通線cf) 5的數(shù)量。此外，如果圖5 A的主》茲體4和排斥^茲體6的外徑分別等于圖 1A的主磁體4和排斥磁體6的外徑，則與排斥磁體6的外周和磁 軛蓋7的內(nèi)周之間的徑向距離相比，排斥磁體6的外周與磁輒蓋 7a的內(nèi)周之間的徑向距離增大了磁軛蓋7a的厚度，由此增大了 從排斥f茲體6到不茲輒蓋7a的磁徑的》茲阻，從而減少了磁通線(j) 6 的數(shù)量，并且減少了由磁通線4) 6導(dǎo)致的磁泄漏。參照?qǐng)D6，以下將說(shuō)明用于組裝圖5A的；lU各lb的過(guò)程的例 子。將主磁體4接合到下磁軛2的前表面，然后將頂板5接合到 主磁體4的前表面(步驟S8)。在步驟S8之前、之后或與步驟S8 同時(shí)地將排斥磁體6接合到磁輒蓋7的前表面(步驟S9)。然后， 將在步驟S8制備、并由下磁軛2、主磁體4和頂板5組成的組裝 單元傾斜地放入磁軛蓋7a中，主磁體4的一部分外周被布置成 與磁軛蓋7a的最前部的內(nèi)周邊緣接觸，并且將該組裝單元緩慢 地傾斜地推入磁軛蓋7a中，直到將下磁軛2的背面接合到排斥 磁體6的前表面(步驟SIO)。雖然與根據(jù)第一實(shí)施例的磁路l相比，根據(jù)第三實(shí)施例的 磁路lb的外部尺寸增加，但是如果磁路lb的主磁體4和排斥磁 體6的外徑被設(shè)定為分別等于磁路l的主磁體4和排斥磁體6的外徑，則從主磁體4到磁軛蓋7a的磁通線(J) 5的數(shù)量增加，從而 增大氣隙磁通密度。此外，在磁路lb中，從排斥磁體6到》茲軛 蓋7a的磁通線c|) 6的數(shù)量減少，從而實(shí)現(xiàn)-提高防磁效果。在圖5A中，磁軛蓋7a的最前部被布置在主磁體4的大約中 間，但也可以被布置在主磁體4的前表面與背面之間(包括前 表面和背面)的任何位置。此外，在第三實(shí)施例的上述例子中， 磁扼蓋7a的內(nèi)周面一皮布置成與主磁體4的外周面接觸，但作為 選擇，磁扼蓋7a的內(nèi)周面可以靠近主石茲體4的外周面布置，在 該情況下，仍然可以一定程度地降j氐》茲阻。 第四實(shí)施例將參照?qǐng)D7A和圖7B說(shuō)明本發(fā)明的第四實(shí)施例。 在示出根據(jù)第四實(shí)施例的磁路lc的圖7A中，用相同的附圖 標(biāo)記表示與圖1A對(duì)應(yīng)的任何部件，并且以下將省略其詳細(xì)i兌明。參照?qǐng)D7 A,根據(jù)第四實(shí)施例的磁路1 c與根據(jù)第三實(shí)施例的 磁路lb類似，但是磁軛蓋的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第三實(shí)施例的磁路lb的 磁軛蓋的結(jié)構(gòu)不同。具體地，磁路lc的磁輒蓋7b包括形成在其 最前部區(qū)域、具體地在圓形中空筒狀部的前端部的一個(gè)或多個(gè) 槽IO,以使槽10從最前部區(qū)域向后延伸，并JU吏》茲輒蓋7b的內(nèi) 徑"稍小于"(而不是"大致等于")主磁體4的外徑。在圖7B 中，等間隔地布置12個(gè)槽10,但是本發(fā)明不限于該配置，而是 可以最優(yōu)地確定槽10的數(shù)量、尺寸和布置間隔。磁軛蓋7b的內(nèi)徑稍小于主磁體4的外徑，但是由于槽10形 成在磁輒蓋7b的最前部，因此當(dāng)將主磁體4從前端插入磁輒蓋 7b中時(shí)，強(qiáng)制打開(kāi)磁軛蓋7b的前端，由此可以將主磁體4接合 地裝配到磁輒蓋7b中。從而，由于可以使主磁體4與磁軛蓋7b緊密接觸，因此有效地降低了通過(guò)主磁體4與磁輒蓋7b之間的磁徑的；茲阻，因此可以實(shí)現(xiàn)提高氣隙磁通密度。第五實(shí)施例將參照?qǐng)D8A和圖8B說(shuō)明本發(fā)明的第五實(shí)施例。 圖8A所示的根據(jù)第五實(shí)施例的磁路ld與圖5A所示的根據(jù) 第三實(shí)施例的磁路lb類似，但是主磁體的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第三實(shí)施 例的磁路lb的主磁體的結(jié)構(gòu)不同。在說(shuō)明圖8A所示的例子中， 用相同的附圖標(biāo)記表示圖5A和圖8A共有的任何部件，并且以下 將省略其詳細(xì)說(shuō)明，將重點(diǎn)放在不同之處上。參照?qǐng)D8A，磁路ld的主磁體4a包括第一部分ll和第二部分 12,第二部分12被布置成與第一部分11的背面接觸，并且第二 部分12的外徑小于第 一部分11的外徑。f茲3各ld的^f茲輒蓋7c的內(nèi) 徑大致等于第二部分12的外徑并且小于第一部分ll的外徑，并 且將磁軛蓋7c的外徑設(shè)定為等于第 一部分ll的外徑。磁輒蓋7c 的最前部與第 一部分11的背面接觸，并且磁軛蓋7c的朝向最前 部布置的內(nèi)周面與第二部分12的外周面接觸。圖8 A的磁路1 d被構(gòu)造成可以將磁軛蓋7 c的最前部布置成 與主磁體4a (具體地，如上所述的第一部分ll)的背面接觸， 這與根據(jù)第 一實(shí)施例的圖1A的磁路1相同，因此可以將通過(guò)主 磁體4a的第一部分ll的磁通引導(dǎo)到磁輒蓋7c,由此可以提高中 央極3與頂板5之間的氣隙g的磁通密度(參照?qǐng)D8B)。此外，在磁路ld中，磁軛蓋7c的內(nèi)周面可以被布置成與主 磁體4a(具體地，如上所述的第二部分12)的外周面接觸，這 與根據(jù)第三實(shí)施例的圖5A的磁路lb相同，因此可以將通過(guò)主磁 體4a的第二部分12的磁通引導(dǎo)到磁輒蓋7c,由此提高氣隙g的 磁通密度。由于與根據(jù)第三實(shí)施例的》茲路1 b的主》茲體4的外徑 相比，主磁體4a包括外徑過(guò)大的第一部分11,因此》茲路ld實(shí)現(xiàn)比磁路lb更大的磁通勢(shì)。具體地，如圖8B所示，跟隨通過(guò)排斥 磁體6、中央極3、氣隙g、頂板5、主f茲體4a和一磁軛蓋7c的^茲徑 的磁通線(j) 7的數(shù)量增加為大于圖5B所示的磁通線c|) 5的數(shù)量。 從而，在根據(jù)第五實(shí)施例的磁路ld中， 一部分主磁體4a被 放大，由此在不增加整個(gè)磁路尺寸的情況下提高氣隙g的磁通 密度。在圖8A的第五實(shí)施例中被布置成與主》茲體4a的第 一部分 11的背面接觸的磁軛蓋7c的最前部不必與第 一部分11的背面 接觸，作為選擇，可以被布置成靠近第一部分ll的背面。也就 是說(shuō)，磁輒蓋7c的最前部可以被布置成位于第二部分12的前表 面與背面之間(包括前表面與背面)。此外，磁軛蓋7c的內(nèi)周面 不必被布置成與主f茲體4a的第二部分12的外周面4妻觸，作為選 擇，可以被布置成靠近第二部分12的外周面。此外，在圖8A所 示的第五實(shí)施例中，第一部分11和第二部分12彼此分離，但是 作為選擇，第一部分11和第二部分12可一體地形成為單件體。盡管已經(jīng)參照其特定的實(shí)施例示出并說(shuō)明了本發(fā)明，但是 應(yīng)該理解，本發(fā)明決不限于此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍 的前提下，本發(fā)明包含所有可能的修改和變形。例如，排斥》茲體6不必形成為圓形實(shí)心圓柱，作為選擇， 可以形成為環(huán)狀。此外，主》茲體4/4a和頂—反5不必形成為圓環(huán)， 而是可以具有任何環(huán)狀，例如形成為角狀構(gòu)造的中央部被挖空 的角環(huán)(angular ring),并且磁軛蓋7/7a/7b/7c可包括根據(jù)主 磁體4/4a的形狀構(gòu)造的中空筒狀部。
權(quán)利要求
1.一種磁路(1/1a/1b/1c/1d)，其包括下磁軛(2)；中央極(3)，其被布置在所述下磁軛(2)的前表面的中央；主磁體(4/4a)，其具有環(huán)狀并且被布置在所述下磁軛的所述前表面；頂板(5)，其具有環(huán)狀并且被布置在所述主磁體(4)的前表面；排斥磁體(6)，其被布置在所述下磁軛(2)的背面；以及磁軛蓋(7/7a/7b)，其被布置成覆蓋所述排斥磁體(6)的背面和側(cè)面，并且所述磁軛蓋的外徑等于或者小于所述主磁體(4)的外徑。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁路(l/la)，其特征在于，所述 磁軛蓋(7)的最前部被布置在所述主磁體(4)的背面與所 述排斥磁體(6)的前表面之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁路(la),其特征在于，還包 括間隔物(9 ),所述間隔物(9 )被布置在所述磁扼蓋(7 ) 的內(nèi)周處，以將所述下磁軛(2)相對(duì)于所述磁輒蓋(7)定 位，并且所述間隔物(9)被布置在所述主磁體(4)的所述 背面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁路(1/la),其特征在于，所述 頂板(5)的外徑等于或小于所述主磁體(4)的外徑。
5. —種磁路(lb/lc/ld),所述磁路包括 下磁輒(2 );中央極(3),其被布置在所述下磁軛的前表面的中央； 主磁體(4/4a )，其具有環(huán)狀并且被布置在所述下磁軛的所述前表面；頂板(5 )，其具有環(huán)狀并且被布置在所述主磁體(4 )的 前表面；排斥磁體(6),其被布置在所述下磁軛(2)的背面；以及磁軛蓋(7a/7b/7c)，其包括中空筒狀部，所述磁軛蓋被布 置成覆蓋所述排斥磁體的背面和側(cè)面，并且被布置成覆蓋所 述主f茲體(4)的側(cè)面的至少一部分，所述頂斧反(5)的外徑 等于或小于所述主萬(wàn)茲體(4)的外徑。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁路(lc)，其特征在于，所述磁 軛蓋(7b)在所述中空筒狀部具有至少一個(gè)槽，并且所述磁 軛蓋(7b)被布置成與所述主磁體(4)的所述側(cè)面接觸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁路(ld),其特征在于，所述 主磁體(4a)包括第一部分(11)和第二部分(12)，所述第 二部分(12)被布置成與所述第一部分(11)的背面接觸， 并且所述第二部分(12)的外徑小于所述第一部分(11 )的 外徑，所述磁軛蓋(7c)的外徑等于或小于所述第一部分(11 ) 的外徑并且大于所述第二部分(12)的外徑，其中，所述磁 軛蓋(7c)的最前部被布置在所述第二部分(12)的前表面 與背面之間。
全文摘要
提供一種磁路，其包括下磁軛；中央極，其被布置在下磁軛的前表面的中央；主磁體，其具有環(huán)狀并且被布置在下磁軛的前表面；頂板，其具有環(huán)狀并且被布置在主磁體的前表面；排斥磁體，其被布置在下磁軛的背面；以及磁軛蓋，其被布置成覆蓋排斥磁體的背面和側(cè)面，其中磁軛蓋的外徑尺寸等于或小于主磁體的外徑，由此可以提高氣隙(g)的磁通密度。從而，上述磁路實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的磁效率。
文檔編號(hào)H04R9/06GK101277552SQ200810005219
公開(kāi)日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月31日
發(fā)明者佐藤榮二 申請(qǐng)人:美蓓亞株式會(huì)社