專利名稱：電容式傳聲器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及傳聲器技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種電容式傳聲器芯片。
背景技術(shù)：
美國(guó)專利US5,870,4S2描述了基底做背極的傳聲器結(jié)構(gòu)，發(fā)明了懸臂 梁式振膜，懸臂梁一端固定，利用自由端邊緣與背極構(gòu)成電容，這種結(jié)構(gòu) 機(jī)械靈敏度對(duì)傳聲器靈敏度貢獻(xiàn)很大，懸臂結(jié)構(gòu)三端自由，振膜的姿態(tài)和 可靠性不易得到保證；美國(guó)公開專利US2006/0093170 Al，提出了外部懸 臂梁振膜，其中外部懸臂梁均勻分布的單膜結(jié)構(gòu)，利用振膜邊緣與背極形 成電容，懸臂梁提高了機(jī)械靈敏度對(duì)傳聲器輸出靈敏度的貢獻(xiàn)，對(duì)振膜殘 余應(yīng)力應(yīng)力要求比較嚴(yán)格。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種電容式傳聲器芯片，該電容式傳聲器芯片可 以改進(jìn)懸臂梁式振膜、外部懸臂梁振膜的性能。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供了一種電容式傳聲器芯片，該電容 式傳聲器芯片包括基底；與基底間隔第一預(yù)定距離的振膜，所述振膜以
懸臂梁的方式固定在基底上；下止擋，所述下止擋位于所述振膜之下，用 于限制所述振膜的位移量。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，提出了一種新結(jié)構(gòu)，主要包括:基底、振膜 支撐、上止擋、下止擋，其中基底作為背極，有足夠大的剛性，基底中間 設(shè)置貫通孔，作為聲孔；振膜邊緣或者振膜邊緣的引出懸梁通過振膜支撐 固定于基底之上，在振膜和背極之間有預(yù)先設(shè)計(jì)好的間距，振膜在無振膜 支撐的區(qū)域，為水平自由狀態(tài)，充分釋放振膜的殘余應(yīng)力；振膜自由端邊
5緣設(shè)置上止擋和下止擋，振膜之上為上止擋，振膜之下為下止擋，上止擋、 下止擋與振膜之間有預(yù)先設(shè)定好的微小間距，上止擋和下止擋限制振膜上 下位置，固定振膜的狀態(tài)，保證振膜的可靠性。
在振膜自由端邊緣設(shè)置懸梁結(jié)構(gòu)，下止擋設(shè)置在懸梁結(jié)構(gòu)的懸梁支撐 之下，電容傳聲器工作時(shí)，加在振膜和背極上電壓使懸梁支撐與下止擋相 抵，聲波使振膜產(chǎn)生的振動(dòng)變形將主要集中在懸梁上，振膜會(huì)保持柔軟的 特性。
振膜邊緣設(shè)有無數(shù)小孔改善了頻響特性，同時(shí)在工藝過程中這些小孔 也作為腐蝕孔，通過小孔腐蝕振膜之下原有的犧牲層。 振膜邊緣與背極形成電容結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的硅傳聲器芯片結(jié)構(gòu)，具有制作工藝簡(jiǎn)單，高靈敏度、低噪聲、 寬頻帶特性。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的電容式傳聲器芯片俯視圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的電容式傳聲器芯片沿圖AA虛線的剖面圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的電容式傳聲器芯片沿圖BB虛線的剖面圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的電容式傳聲器芯片仰視圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的電容式傳聲器芯片無振膜及上止擋俯視
圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的電容式傳聲器芯片俯視圖； 圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例的電容式傳聲器芯片沿圖AA虛線的剖面圖； 圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例的電容式傳聲器芯片沿圖BB虛線的剖面圖； 圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例的電容式傳聲器芯片無振膜及上止擋俯視
圖IO為本發(fā)明第三實(shí)施例的電容式傳聲器芯片俯視圖11為本發(fā)明第三實(shí)施例的電容式傳聲器芯片沿圖AA虛線的剖面
圖12為本發(fā)明第三實(shí)施例的電容式傳聲器芯片沿圖BB虛線的剖面
圖；圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例的電容式傳聲器芯片無振膜及上止擋俯視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明有多種不同形式的實(shí)施例，附圖1-13所示為本發(fā)明三個(gè)優(yōu)選實(shí)
例，下面對(duì)這三個(gè)實(shí)例進(jìn)行詳細(xì)說明。 實(shí)施例一
如圖l-5所示為本發(fā)明的第一實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的電容式傳聲器芯 片包括基底21;以及與基底21間隔第一預(yù)定距離的振膜25。所述振膜
25以懸臂梁的方式固定在基底上。電容式傳聲器芯片還包括下止擋23， 所述下止擋23位于所述振膜25下方或之下，用于限制所述振膜的位移量。 所述下止擋23與基底21相連，所述下止擋23與所述振膜25具有第二預(yù) 定距離，用于限制所述振膜的位移量。
電容式傳聲器芯片還包括上止擋26，所述上止擋26設(shè)置在所述振膜 25上方且固定于所述基底21，所述上止擋26與所述振膜25具有第三預(yù) 定距離，用于限制所述振膜的位移量。
在圖中所示的實(shí)例中，電容式傳聲器芯片是一種振膜在上、背極在下 的電容式傳聲器芯片結(jié)構(gòu)，其所示為方形振膜，也可以為圓形或者其它形 狀。如圖l-3所示，其特點(diǎn)為振膜一側(cè)邊緣固定，其它區(qū)域邊緣自由，自 由邊緣有上止擋和下止擋；基底作為背極，自下而上為基底2K振膜支 撐22、下止擋23、上止擋支撐24、振膜25及上止擋26，另外還有下電 極27、上電極28，振膜25邊緣和基底21構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。
振膜支撐22與下止擋23和上止擋26間隔預(yù)定的距離，以便獲得適 當(dāng)?shù)南拗扑稣衲の灰屏康男Ч?。如圖3中所示，所述上止擋26包括 固定部分，固定部分用于將所述上止擋26通過上止擋支撐24固定于所述 基底21;以及止擋部分，所述止擋部分用于限制所述振膜的位移量。更具 體而言，上止擋26為大體板狀結(jié)構(gòu)，且所述上止擋26的固定部分固定于 上止擋支撐24，而所述上止擋26的止擋部分從所述上止擋支撐24伸出。 所述下止擋23在所述基底21上的投影與所述上止擋26的止擋部分在所 述基底21上的投影至少部分重疊，或可以不重疊。
7如圖l、 3中所示，所述下止擋23可以位于所述振膜的邊緣部分，而
所述上止擋26的止擋部分可以位于所述振膜的邊緣部分。
作為選擇，所述上止擋26的止擋部分和所述下止擋23的位置是振膜 在振動(dòng)過程中振幅大體最大的區(qū)域或變形時(shí)變形量最大的區(qū)域。例如，如 圖1、 5中所示，用于將振膜固定于基底21的振膜支撐22與下止擋23和 上止擋26的止擋部分大體相對(duì)，即分別在振膜相對(duì)的兩側(cè)的邊緣部分。
如圖1中所示，振膜的振膜支撐22可以位于振膜邊緣部分。所述振 膜支撐22在基底上的位置可以是任何時(shí)當(dāng)?shù)奈恢?，以及本領(lǐng)域所述技術(shù) 人員公知的任何適當(dāng)?shù)奈恢谩?br> 基底21中心有貫通孔，為聲孔29，如圖4所示，聲孔29為截頭錐形， 也可以是其它形狀?；诪閷?dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料層。
如圖5所示，基底21上表面固連有振膜支撐22、下止擋23、上止擋 支撐24。振膜支撐22、下止擋23、上止擋支撐24在聲孔上開口之外區(qū)域， 其中一個(gè)或多個(gè)振膜支撐22位于聲孔29上開口一側(cè)，且距離開口邊緣有 預(yù)定的距離； 一個(gè)或多個(gè)下止擋23、 一個(gè)或多個(gè)上止擋支撐24位于聲孔 29上開口另一側(cè)或幾側(cè)，且距離開口邊緣有預(yù)定的距離?；?1上表面 一側(cè)，聲孔上開口之外區(qū)域設(shè)有下電極27。
振膜25覆于聲孔29之上，振膜25和基底21之間有作為第一預(yù)定距 離的預(yù)定距離。振膜25—端固定于振膜支撐22上表面，另一端或幾端懸 浮于下止擋23之上，振膜25與振膜下止擋23之間有作為第二預(yù)定距離 的微小間隙。振膜25邊緣部分有復(fù)數(shù)個(gè)小孔30，小孔30分部在聲孔29 上開口在振膜25上投影之外，在振膜支撐22區(qū)域無小孔。振膜為導(dǎo)電材 料或包含導(dǎo)電材料層。在支撐22區(qū)域的振膜25之上固結(jié)上電極28。
上止擋26固定于上止擋支撐24之上，其邊緣部分，即止擋部分伸出 覆于振膜邊緣，上止擋26和振膜之間有預(yù)先設(shè)定的作為第三預(yù)定距離的 微小間距。上止擋支撐24可位于振膜25區(qū)域之外，也可位于振膜25區(qū) 域之內(nèi)，圖中為位于振膜25之外的情況。
振膜25邊緣與基底21形成電容，振膜25除在振膜支撐22處固定外， 其它的區(qū)域處于自由懸浮狀態(tài)，在自由的一側(cè)或幾側(cè)的振膜的邊緣有下止 擋23和上止擋26的止擋部分限制，限制振膜的上下振動(dòng)或變形范圍。當(dāng)
8在上電極28、下電極27上加工作電壓后，振膜和基底由于靜電吸引，振
膜自由端變形較大，將搭到下止擋23上，下止擋23起到支撐作用；上止 擋26限制振膜受到?jīng)_擊或者變形過大，保證振膜25的可靠性。振膜25 一邊固定，其余各邊自由，振膜25內(nèi)部不存在殘余應(yīng)力，具有良好的振 動(dòng)性能，提高其靈敏度。
實(shí)施例二
如圖6-9所示為本發(fā)明的第二實(shí)施例，下面僅僅描述與第一實(shí)施例中 的不同部分。
電容式傳聲器芯片包括懸梁32,所述懸梁32的一端與所述振膜相連， 且所述懸梁32的另一端位于所述下止擋23上方或之上，通過所述下止擋 23限制所述另一端的位移量，限制所述振膜的位移量。下止擋23可以與 所述懸梁32的另一端連接或者與基底21連接。
在圖6中，所述懸梁32位于所述振膜之內(nèi)。作為選擇，所述懸梁32 可以位于所述振膜之外，即懸梁的一端與振膜的外邊緣相連，另一端位于 所述下止擋23上方或之上。此外，懸梁32可以是任何合適結(jié)構(gòu)的懸梁， 例如，直線狀的梁，曲線狀的梁，多個(gè)分梁形成的組合梁(如圖6中所示)， 或直線狀的梁和曲線狀的梁的組合。
圖中所示的電容式傳聲器芯片是一種振膜在上、背極在下的電容式傳 聲器芯片結(jié)構(gòu)，其所示為方形振膜，也可以為圓形或者其它形狀。如圖6-8 所示，振膜一側(cè)邊緣固定，其它區(qū)域邊緣自由，自由邊緣有懸梁結(jié)構(gòu)，懸 梁結(jié)構(gòu)下有下止擋，振膜邊緣有上止擋；基底作為背極，自下而上為基 底21、振膜支撐22、下止擋23、上止擋支撐24、振膜25、懸梁支撐31、 懸梁32及上止擋26，另外還有下電極27、上電極28，振膜25邊緣和基 底21構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。
基底21中心有貫通孔，為聲孔29，如圖4所示，聲孔29為截頭錐形， 也可以是其它形狀。基底為導(dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料層。
如圖9所示，基底21上表面固連有振膜支撐22、下止擋23、上止擋 支撐24。振膜支撐22、下止擋23、上止擋支撐24在聲孔上開口之外區(qū)域， 其中一個(gè)或多個(gè)振膜支撐22位于聲孔29上開口一側(cè)，且距離開口邊緣有預(yù)定的距離； 一個(gè)或多個(gè)下止擋23、 一個(gè)或多個(gè)上止擋支撐24位于聲孔 29上開口另一側(cè)或幾側(cè)，且距離開口邊緣有預(yù)定的距離。基底21上表面 一側(cè)，聲孔上開口之外區(qū)域設(shè)有下電極27。
振膜25覆于聲孔29之上，振膜25和背極21之間有預(yù)定距離。振膜 25 —端固定于振膜支撐22上表面，在振膜的另一端或幾端有懸梁結(jié)構(gòu)， 懸梁結(jié)構(gòu)包括懸梁支撐31和懸梁32，懸梁支撐31懸浮于下止擋23之上， 懸梁支撐31與振膜下止擋23之間有微小間隙。振膜25邊緣部分有復(fù)數(shù) 個(gè)小孔30，小孔30分布在聲孔29上開口在振膜25上投影之外區(qū)域，在 振膜支撐22區(qū)域無小孔。振膜為導(dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料層。與支撐22 固定區(qū)域的振膜25之上固結(jié)上電極28。
上止擋26固定于上止擋支撐24之上，其邊緣伸出覆于振膜邊緣，上 止擋26和振膜之間有預(yù)先設(shè)定的微小間距。上止擋支撐24可位于振膜25 區(qū)域之外，也可位于振膜25區(qū)域之內(nèi)，圖中為位于振膜25之外的情況。
振膜25邊緣與基底21形成電容，振膜25除在支撐22處固定外，其 它的區(qū)域在自由懸浮，在自由端的一側(cè)或幾側(cè)的懸梁支撐31下有下止擋 23，振膜自由端邊緣有上止擋26限制，固定振膜的上下狀態(tài)。當(dāng)在上電 極28、下電極27上加工作電壓后，振膜和基底由于靜電吸引，振膜自由 端變形較大，懸梁支撐31將搭到下止擋23上，下止擋23起到支撐作用； 上止擋26限制振膜受到?jīng)_擊或者變形過大，保證振膜25的可靠性。振膜 25—端固定，其余各端自由，振膜25內(nèi)部不存在殘余應(yīng)力，且自由端靠 懸梁結(jié)構(gòu)支撐，振動(dòng)時(shí)變形主要集中在懸梁上，具有良好的振動(dòng)性能，提 高其靈敏度。
實(shí)施例三
如圖10-13所示，在實(shí)施例三中，除了與上述第一和第二實(shí)施例的電 容式傳聲器芯片的相同部分之外，在根據(jù)實(shí)施例三的電容式傳聲器芯片 中，振膜支撐22位于所述振膜之外，所述振膜通過懸梁33在所述振膜之 外固定于所述基底。
此外，懸梁33可以是任何合適結(jié)構(gòu)的懸梁，例如，直線狀的梁，曲 線狀的梁，多個(gè)分梁形成的組合梁，或直線狀的梁和曲線狀的梁的組合。圖10-13所示的電容式傳聲器芯片是一種振膜在上、背極在下的電容 式傳聲器芯片結(jié)構(gòu)，其所示為方形振膜，也可以為圓形或者其它形狀。如 圖10-12所示，振膜通過引出懸梁固定，其它區(qū)域邊緣自由，自由邊緣有 懸梁結(jié)構(gòu)，懸梁結(jié)構(gòu)有下止擋支撐，振膜邊緣有上止擋；基底作為背極，
自下而上為基底21、振膜支撐22、下止擋23、上止擋支撐24、振膜25、 懸梁支撐31、懸梁32、引出懸梁33及上止擋26，另外還有下電極27、 上電極28，振膜25邊緣和基底21構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。
基底21中心有貫通孔，為聲孔29，如圖4所示，聲孔29為截頭錐形， 也可以是其它形狀?；诪閷?dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料層。
如圖13所示，基底21上表面固連有振膜支撐22、下止擋23、上止 擋支撐24。振膜支撐22、下止擋23、上止擋支撐24在聲孔上開口之外區(qū) 域，其中一個(gè)振膜支撐22位于聲孔29上開口一側(cè)，且距離開口邊緣有預(yù) 定的距離； 一個(gè)或多個(gè)下止擋23、 一個(gè)或多個(gè)上止擋支撐24位于聲孔29 上開口另一側(cè)或幾側(cè)，且距離幵口邊緣有預(yù)定的距離?；?1上表面一 側(cè)，聲孔上開口之外區(qū)域設(shè)有下電極27。
振膜25覆于聲孔29之上，振膜25和背極21之間有預(yù)定距離。振膜 25 —側(cè)通過引出懸梁33固定于振膜支撐22上表面，在振膜的另一端或幾 端有懸梁結(jié)構(gòu)，懸梁結(jié)構(gòu)包括懸梁支撐31和懸梁32，懸梁支撐31懸浮于 下止擋23之上，懸梁支撐31與振膜下止擋23之間有微小間隙。振膜25 邊緣部分有復(fù)數(shù)個(gè)小孔30，小孔30分部在聲孔29上開口在振膜25上投 影之外，在振膜支撐22區(qū)域無小孔。振膜為導(dǎo)電材料或包含導(dǎo)電材料層。 與支撐22固定區(qū)域的振膜25之上固結(jié)上電極28。
上止擋26固定于上止擋支撐24之上，其邊緣伸出覆于振膜邊緣，上 止擋26和振膜之間有預(yù)先設(shè)定的微小間距。上止擋支撐24可位于振膜25 區(qū)域之外，也可位于振膜25區(qū)域之內(nèi)，圖中為位于振膜25之外的情況。
振膜25邊緣與基底21形成電容，振膜25除通過引出懸梁33在支撐 22處固定，其它的區(qū)域自由懸浮，在自由端的一側(cè)或幾側(cè)的懸梁支撐31 下有下止擋23，振膜自由端邊緣有上止擋26限制，限制振膜的上下振動(dòng) 或變形量。當(dāng)在上電極28、下電極27上加工作電壓后，振膜和基底由于 靜電吸引，振膜自由端變形較大，懸梁支撐31將搭到下止擋23上，下止
ii擋23起到支撐作用；上止擋26限制振膜受到?jīng)_擊或者變形過大，保證振
膜25的可靠性。振膜25通過引出懸梁33固定，其余各端自由，振膜25 內(nèi)部不存在殘余應(yīng)力，且自由端靠懸梁結(jié)構(gòu)支撐，振動(dòng)時(shí)變形主要集中在 懸梁上，具有良好的振動(dòng)性能，提高其靈敏度。
上述各實(shí)施例中，振膜支撐22與振膜25可一體形成，這種情況，振 膜25為包含導(dǎo)電層的復(fù)合膜，在振膜支撐22區(qū)域只有絕緣層。下止擋23 與振膜25可一體形成，下止擋23與基底21有預(yù)定的微小間距，這種情 況，振膜為包含導(dǎo)電層的復(fù)合膜，在下止擋區(qū)域只有絕緣層。上止擋26 與上止擋支撐24可一體形成，為絕緣材料。
艮P，振膜支撐22可以通過在振膜25下面一體形成的部分代替，下止 擋23可與振膜25 —體形成，上止擋支撐24可由從上止擋26向下一體延 伸的部分代替。
此外，除了上述上止擋26和下止擋23的布置方式之外，上止擋26 和下止擋23可以設(shè)置在任何其它合適的位置，只要能夠限制振膜25的變 形或振動(dòng)幅度即可。
工藝實(shí)現(xiàn)
下面描述本發(fā)明的電容式傳聲器芯片的制造方法。 本發(fā)明傳聲器芯片由MEMS (Micro-eletro-mechanical system)加工工 藝制作而成，可以有多種工藝實(shí)施方案，下面是一種具體工藝步驟。
根據(jù)本發(fā)明的三種實(shí)施方式的圖1至13所示的電容式傳聲器芯片的
制造方法如下
1、 選用低阻雙面拋光硅片作為基底21，在硅片的第一側(cè)生長(zhǎng)2.5Pm PSG、 LTO、 TEOS氧化硅層作為犧牲層、支撐層、止擋層；
2、 用LPCVD方法在硅片兩側(cè)生長(zhǎng)3000A的氮化硅薄膜；
3、 用反應(yīng)離子刻蝕的方法局部去掉硅片第一側(cè)氮化硅薄膜，保留振 膜支撐、下止擋、上止擋處氮化硅；局部刻蝕第二側(cè)氮化硅薄膜，被刻蝕 的區(qū)域?qū)⒆鳛楦g硅片的窗口 ；
4、 在硅片的第一側(cè)繼續(xù)生長(zhǎng)0.5卩m微米PSG、 LTO、 TEOS氧化硅
層；
5、 用LPCVD的方法在硅片兩側(cè)生長(zhǎng)2um厚的低應(yīng)力多晶硅，并通
12過注入或者擴(kuò)散的方法形成N型或者P型的多晶硅層；
5、 用反應(yīng)離子刻蝕的方法刻出第一側(cè)多晶硅上所設(shè)計(jì)的圖形，形成
振膜結(jié)構(gòu)；
6、 在硅片的第一側(cè)再生長(zhǎng)0.5微米PSG、 LTO、 TEOS氧化硅層；
7、 用LPCVD的方法在硅片兩側(cè)生長(zhǎng)1 u m微米厚的低應(yīng)力多晶硅；
8、 用反應(yīng)離子刻蝕的方法刻出第一側(cè)多晶硅層上所設(shè)計(jì)的圖形，形 成上止擋形狀；
9、 用HF溶液腐蝕透正面氧化硅到硅基底；
10、 用濺射、蒸發(fā)或者電鍍的方法在硅片第一側(cè)制作上金屬電極和下 金屬電極；
11、 保護(hù)硅片第一側(cè)，用KOH溶液先去掉第二側(cè)多晶硅層，然后通 過體硅腐蝕腐蝕基底，腐蝕到氧化硅停止，以形成聲孔；
12、 用HF溶液通過振膜的聲孔、振膜邊緣、振膜上的小孔以及振膜 與上止擋間隙對(duì)氧化硅進(jìn)行腐蝕，最后形成發(fā)明所述的結(jié)構(gòu)。振膜支撐、 下止擋及上止擋支撐區(qū)域的尺寸遠(yuǎn)大于所腐蝕的尺寸，通過合理控制腐蝕 時(shí)間，保留足夠大的振膜支撐、下止擋及上止擋支撐區(qū)域。
盡管通過上述實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施例。在 不背離本發(fā)明的原理和構(gòu)思的情況下可以對(duì)實(shí)施例進(jìn)行修改，變更和替 換。
例如，上述實(shí)施方式中的各種特征、結(jié)構(gòu)和部件可以相互組合而形成 新的實(shí)施方式，除非這種組合是不可行的。
1權(quán)利要求
1、一種電容式傳聲器芯片，包括基底(21)；與基底(21)間隔第一預(yù)定距離的振膜(25)，所述振膜(25)以懸臂梁的方式固定在基底上；下止擋(23)，所述下止擋(23)位于所述振膜(25)之下，用于限制所述振膜的位移量。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電容式傳聲器芯片，還包括上止擋(26)，所述上止擋(26)設(shè)置在所述振膜(25)上方且固定 于所述基底(21)，所述上止擋(26)與所述振膜(25)具有第三預(yù)定距 離，用于限制所述振膜的位移量。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式傳聲器芯片，其中所述上止擋(26) 包括固定部分，固定部分用于將所述上止擋(26)固定于所述基底(21); 以及止擋部分，所述止擋部分用于限制所述振膜的位移量。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式傳聲器芯片，其中所述下止擋(23) 在所述基底(21)上的投影與所述上止擋(26)的止擋部分在所述基底(21) 上的投影至少部分重疊。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式傳聲器芯片，其中所述下止擋(23) 位于所述振膜的邊緣部分。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式傳聲器芯片，其中所述上止擋(26) 的止擋部分位于所述振膜的邊緣部分。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式傳聲器芯片，其中所述上止擋(26)的止擋部分和所述下止擋(23)的位置是振膜在振動(dòng)過程中振幅大體最大 的區(qū)域或變形時(shí)變形量最大的區(qū)域。
8、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式傳聲器芯片，其中所述振膜(25) 的固定位置在所述振膜(25)的第一側(cè)的邊緣部分，而所述上止擋(26) 的止擋部分和所述下止擋(23)在所述振膜的、與所述第一側(cè)相對(duì)的第二 側(cè)的邊緣部分。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式傳聲器芯片，其中所述振膜(25) 在振膜的邊緣部分固定于所述基底。
10、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電容式傳聲器芯片，其中所述振膜(25) 在所述振膜之外的區(qū)域通過梁(33)固定于所述基底。
11、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容式傳聲器芯片，還包括用于將所述上 止擋(26)固定于所述基底的上止擋支撐(24)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電容式傳聲器芯片，其中所述上止擋(26) 為大體板狀結(jié)構(gòu)，且所述上止擋(26)的固定部分固定于上止擋支撐(24)， 而所述上止擋(26)的止擋部分從所述上止擋支撐(24)伸出。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式傳聲器芯片，還包括懸梁(32)， 所述懸梁(32)的一端與所述振膜相連，且所述懸梁(32)的另一端位于 所述下止擋(23)之上，通過所述下止擋(23)限制所述另一端的位移量， 由此限制所述振膜的位移量。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電容式傳聲器芯片，其中所述懸梁(32) 位于所述振膜之內(nèi)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電容式傳聲器芯片，其中所述振膜(25)通過振膜支撐(22)固定于基底。
16、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式傳聲器芯片，其中所述下止擋(23)與基底(21)相連，且所述下止擋(23)與所述振膜(25)具有第二預(yù)定 距離。
17、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式傳聲器芯片，其中所述下止擋(23) 與所述振膜(25)相連，且所述下止擋(23)與所述基底(21)具有第二 預(yù)定距離。
全文摘要
本發(fā)明電容式傳聲器芯片，涉及傳聲器技術(shù)，利用振膜和基底即背極形成電容檢測(cè)結(jié)構(gòu)。振膜通過振膜支撐與背極上表面相連，形成懸臂結(jié)構(gòu)或準(zhǔn)自由振膜結(jié)構(gòu)，振膜在水平方向上保持自由，充分的釋放振膜的殘余應(yīng)力，提高振膜的上下振動(dòng)性能；在振膜自由端邊緣有上止擋和下止擋，保持振膜的穩(wěn)定狀態(tài)；振膜自由端邊緣可制作懸梁結(jié)構(gòu)，下止擋設(shè)在懸梁結(jié)構(gòu)之下，保持振膜柔軟的振動(dòng)特性。振膜邊緣設(shè)有的無數(shù)小孔改善頻響特性，同時(shí)作腐蝕孔；本發(fā)明具有高靈敏度、低噪聲、頻帶寬的特性，芯片的體積小，制作工藝簡(jiǎn)單，容易批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H04R19/00GK101516053SQ20081005787
公開日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2008年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月20日
發(fā)明者劉同慶, 宋青林, 龐勝利, 昕 潘, 陶永春 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司