專利名稱：串聯(lián)降頻式分頻器的制作方法
串聯(lián)降頻式分頻器方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及音箱分頻器，尤其是三分頻及以上的分頻器。技術(shù)背景目前的一階串聯(lián)分頻器具有元件少，成本低的優(yōu)點(diǎn)，但是一階分頻器所有 的揚(yáng)聲器兩端為全頻帶信號(hào)，分頻效果不太理想。而并聯(lián)分頻器一般采用二階 或二階以上的分頻電路，效果相對(duì)好，但是元件較多，成本高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提出 一種串聯(lián)降頻式 分頻器，采用較少的元件可以獲得一階以上的高效分頻，能夠提高分頻器的性 價(jià)比。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明專利提出了一種串聯(lián)降頻式分頻器，包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器、n-2個(gè)中音揚(yáng)聲器、 一個(gè)低音揚(yáng)聲器，n>2，還包括與上述揚(yáng)聲器數(shù) 量相對(duì)應(yīng)的n-l個(gè)電感和n-l個(gè)電容，所述n-l個(gè)電感依次串聯(lián)在輸入端與輸 出端之間，每個(gè)電感的后端與地之間分別并聯(lián)有一個(gè)電容，第一電感的兩端并 聯(lián)有高音揚(yáng)聲器，其它電感的兩端分別并聯(lián)一個(gè)中音揚(yáng)聲器，輸出端與地之間 并聯(lián)低音揚(yáng)聲器。作為優(yōu)選，所述高音揚(yáng)聲器的正極與第一電感的一端之間還串聯(lián)有高音附 加電路；每個(gè)中音揚(yáng)聲器的正極與電感的一端之間還串聯(lián)有中音附加電路；低 音揚(yáng)聲器的兩端并聯(lián)有低音補(bǔ)償電路。作為優(yōu)選，所述高音附加電路由串聯(lián)的高音衰減電阻和高音串聯(lián)分頻電容 組成；中音附加電路由串聯(lián)的中音衰減電阻和中音串聯(lián)分頻電容組成；低音補(bǔ) 償電路由串聯(lián)的低音衰減電阻和低音串聯(lián)分頻電容組成。作為優(yōu)選，每?jī)蓚€(gè)相連電感之間還串聯(lián)有分隔電感，第n-l電感與輸出端 之間也串聯(lián)有分隔電感。目的使得各分頻點(diǎn)可以來開距離，防止交叉點(diǎn)出現(xiàn)峰 谷。作為優(yōu)選，所述高音揚(yáng)聲器的正極與與第一電感的一端之間還串聯(lián)有電容 串聯(lián)分頻電容。作為優(yōu)選，所述中音揚(yáng)聲器的數(shù)量為一個(gè)，所述第一電感、第二電感依次 串聯(lián)在輸入端與輸出端之間，第一電感、第二電感的后端與地之間分別并聯(lián)有 第一電容、第二電容，第一電感的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器，第二電感的兩端并 聯(lián)有中音揚(yáng)聲器，輸出端與地之間并聯(lián)低音揚(yáng)聲器。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明專利還提出了一種中音串聯(lián)降頻式分頻器，包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器、n-2個(gè)中音揚(yáng)聲器、 一個(gè)低音揚(yáng)聲器，n》3，還包括與上述揚(yáng) 聲器數(shù)量相對(duì)應(yīng)的n個(gè)電感和n-1個(gè)電容，所述n個(gè)電感依次串聯(lián)在輸入端與 輸出端之間，第一電感的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器，每個(gè)中音揚(yáng)聲器與一個(gè)電容 串聯(lián)后，接于每個(gè)電感的后端與地之間，輸出端與地之間并聯(lián)低音揚(yáng)聲器。本發(fā)明專利的有益效果本發(fā)明采用與一階串聯(lián)分頻器相等數(shù)量的元件， 達(dá)到了一階以上的分頻效果，中音揚(yáng)聲器、低音揚(yáng)聲器兩端不是全頻帶，類似 為并聯(lián)分頻電路。在降低成本的基礎(chǔ)上提高了分頻效果，提高了分頻器的性價(jià) 比。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的 限定。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例一的電路原理圖； 圖2是本發(fā)明實(shí)施例二的電路原理圖； 圖3是本發(fā)明實(shí)施例三的電路原理圖； 圖4是本發(fā)明實(shí)施例四的電路原理圖;五的電路原理圖； 圖6是本發(fā)明實(shí)施例六的電路原理圖； 圖7是本發(fā)明實(shí)施例七的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一參閱圖l，為三分頻串聯(lián)降頻式分頻器，包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器T、 一個(gè)中音 揚(yáng)聲器M、 一個(gè)低音揚(yáng)聲器W、第一電感L,、第二電感U、第一電容d、第二電容G，所述第一電感Li、第二電感L2依次串聯(lián)在輸入端A與輸出端B之間，第 一電感L、第二電感L2的后端與地之間分別并聯(lián)有第一電容d、第二電容G， 第一電感L,的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器T，第二電感L2的兩端并聯(lián)有中音揚(yáng)聲器M， 輸出端B與地之間并聯(lián)低音揚(yáng)聲器W。本發(fā)明的主分頻電路為由多個(gè)電感L與多個(gè)電容C組成的低通電路。分頻 點(diǎn)依次降低，揚(yáng)聲器按照分頻點(diǎn)的不同，跨接在相應(yīng)的分頻點(diǎn)位置。本實(shí)施例 的三分頻為典型的分頻器。信號(hào)從輸入端A到輸出端B，依次由第一電感U第一電容d，第二電感 U第二電容C2組成的低通分頻電路，低音揚(yáng)聲器W接在輸出端B與地之間；中 音揚(yáng)聲器M并聯(lián)在第二電感L2上，高音揚(yáng)聲器T并聯(lián)在第一電感L上。第一電 感L與第一電容d組成第一個(gè)分頻點(diǎn)。第二電感L與第二電容C2組成第二個(gè)分 頻點(diǎn)。分頻點(diǎn)從第一個(gè)，第二個(gè)等依次降低。如第一分頻點(diǎn)為5000Hz，第二分頻點(diǎn)為1500Hz。分頻點(diǎn)的計(jì)算公式為標(biāo) 準(zhǔn)的二階-3db分頻公式。第一電感L,與第一電容d組成5000Hz的分頻點(diǎn)。 L尸0.36mH， C=2. 8uF。第二電感U與第二電容G組成1500Hz的分頻點(diǎn)。U二l. 2 Mh， C2=9. 3 uF。本分頻器電路與串聯(lián)分頻比較，高音部分簡(jiǎn)化了高音通道回路。串聯(lián)分頻 器高音需第一電容C1，第二電容C2串聯(lián)的，而第二電容C2容量較大，高頻內(nèi) 阻增加，提高了電容內(nèi)阻，經(jīng)過簡(jiǎn)化后，高音回路只由第一電容C1有利于高減少內(nèi)阻。中、低音部分按工作原理來說，本電路采用了逐段濾除的方式進(jìn)行分頻，第一個(gè)為第一電感L,,第一電容d組成的5000Hz分頻點(diǎn)。第二個(gè)為第二 電感L2，第二電容G組成的1500Hz分頻點(diǎn)，中音跨接在5000Hz與1500Hz之間， 而低音接在1500Hz以下。從高音揚(yáng)聲器T電路來看主要由第一電感L,與第一電容d組成的仿二階分 頻(仿二階的定義類似二階又不完全相同，后續(xù)名詞相同解釋)；中音揚(yáng)聲器 M為第一電感L,與第一電容C,組成的仿二階分頻低通部分，由第二電感U與第 二電容C2組成仿二階高通部分;低音揚(yáng)聲器W為由第一電感U第一電容d，第 二電感U第二電容C2組成的仿四分頻低通電路。實(shí)施例二參閱圖2，為n分頻多階串聯(lián)降頻式分頻器，包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器T、 n-2 個(gè)中音揚(yáng)聲器M^ M2、 ...、 Mn—2、 一個(gè)低音揚(yáng)聲器W， n》2，還包括與上述揚(yáng)聲 器數(shù)量相對(duì)應(yīng)的n-l個(gè)電感L、 L2、 ...、 d和n-l個(gè)電容d、 C2、 ...、 Ch， 所述n-l個(gè)電感L,、 L2、 ...、 Ln—,依次串聯(lián)在輸入端A與輸出端B之間，每個(gè)電 感的后端與地之間分別并聯(lián)有一個(gè)電容，第一電感L的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器 T，其它電感L的兩端分別并聯(lián)一個(gè)中音揚(yáng)聲器，輸出端B與地之間并聯(lián)低音揚(yáng) 聲器W。所述高音揚(yáng)聲器T的正極與第一電感L,的一端之間還串聯(lián)有高音附加電路； 每個(gè)中音揚(yáng)聲器的正極與電感的一端之間還串聯(lián)有中音附加電路；低音揚(yáng)聲器W 的兩端并聯(lián)有低音補(bǔ)償電路。所述高音附加電路由串聯(lián)的高音衰減電阻rt和高音串聯(lián)分頻電容Ct組成； 中音附加電路由串聯(lián)的中音衰減電阻rm和中音串聯(lián)分頻電容C、,組成；低音補(bǔ)償電路由串聯(lián)的低音衰減電阻Rw和低音串聯(lián)分頻電容Cw組成。本實(shí)施例的電路可以實(shí)現(xiàn)若干個(gè)分頻，依次是U d， U G， U C:,， U C廣.等組 成的低通電路，每個(gè)電感上接一個(gè)揚(yáng)聲器，最后的低音接在輸出端B上，分頻 點(diǎn)依次降低。當(dāng)分頻數(shù)量大于3個(gè)時(shí)，分頻點(diǎn)為一個(gè)倍頻時(shí)，效果更加理想。例如五分頻的分頻點(diǎn)為6000、 3000、 1500、 750Hz時(shí)，剛好為倍頻。通過上述說明，本發(fā)明從而實(shí)現(xiàn)降低元件數(shù)量，又有一階以上分頻方式。其特點(diǎn)是具有串聯(lián)分頻元件少的優(yōu)點(diǎn)，又有并聯(lián)分頻多階分頻中效果好的優(yōu)點(diǎn)，集他們之優(yōu)點(diǎn)為一體。本實(shí)施例是可以實(shí)現(xiàn)n分頻的分頻電路。n為正整數(shù)。本實(shí)施例n分頻電路由主分頻電路，及n個(gè)揚(yáng)聲器附加電路組成。主分頻 電路由多個(gè)電感及多個(gè)電容組成。主分頻由第一電感L，第一電容d，第二電 感U，第二電容G……第n-l電感L,，第n-l電容C依次組成的低通分頻網(wǎng) 絡(luò)電路。高音揚(yáng)聲器T及其附加電路，并聯(lián)于第一電感L上；附加電路由串聯(lián) 分頻電容CT，衰減電阻RT及高音揚(yáng)聲器T組成。中音揚(yáng)聲器M,及其附加電路， 并聯(lián)于第二電感U上，附加電路由串聯(lián)分頻電容CM,，中音衰減電阻脂i及中音 揚(yáng)聲器M,組成?！幸魮P(yáng)聲器M『2及其附加電路并聯(lián)與第n-l電感匚上，附加電路由串聯(lián)分頻電容CM-2，衰減電阻RM"及中音揚(yáng)聲器Mn-2組成。低音揚(yáng)聲器及其附加電路，低音揚(yáng)聲器并聯(lián)于輸出端B與地之間，低通揚(yáng)聲器阻抗補(bǔ)償電 路由電容CW與電阻RW串聯(lián)后，并聯(lián)于輸出端B與地之間。 實(shí)施例三參閱圖3，為高音改進(jìn)的三分頻串聯(lián)降頻式分頻器，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上增 加了串聯(lián)分頻電容CT，電容串聯(lián)分頻電容CT串聯(lián)在高音揚(yáng)聲器T的正極與與第 一電感L,的一端之間。實(shí)施例四參閱圖4， -6db降落點(diǎn)交叉三分頻串聯(lián)降頻式分頻器，在實(shí)施例一、二的 基礎(chǔ)上，在第一電感L,與第二電感L2之間串聯(lián)分隔電感，在第二電感L2與輸出 端B之間串聯(lián)分隔電感。目的使得各分頻點(diǎn)可以來開距離，防止交叉點(diǎn)出現(xiàn)峰 谷。實(shí)施例五參閱圖5，為中音串聯(lián)(與低通電容串聯(lián))的三分頻器。改進(jìn)了中音揚(yáng)聲器接線方式。中音揚(yáng)聲器M與第二電容C2串聯(lián)，中音衰減電阻RM與中音揚(yáng)聲器M 并聯(lián)；在中音與輸出端B之間增加了第三電感L3。本實(shí)施例中采用的是三分頻，同理，可以采用2個(gè)或以上的中音，構(gòu)成多 分頻。具體為包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器T、 n-2個(gè)中音揚(yáng)聲器Mh M2、 . . . 、 Mn—2、 一個(gè)低音揚(yáng)聲器W， n>3，還包括與上述揚(yáng)聲器數(shù)量相對(duì)應(yīng)的n個(gè)電感L,、 L2.....L和n-l個(gè)電容C,、 C2、 ...、 Cn-,，所述n個(gè)電感U L2.....L依次串聯(lián)在輸入端A與輸出端B之間，第一電感L,的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器T，每個(gè)中音揚(yáng) 聲器與一個(gè)電容串聯(lián)后，接于每個(gè)電感的后端與地之間，輸出端B與地之間并 聯(lián)低音揚(yáng)聲器W。實(shí)施例六參閱圖6，為本發(fā)明與并聯(lián)分頻公用時(shí)的電路圖。本發(fā)明與并聯(lián)分頻高音部 分共同使用的電路圖。高音部分由電感LT與電容CT及高音組成標(biāo)準(zhǔn)的并聯(lián)二 階分頻電路。實(shí)施例七參閱圖7，本實(shí)施例是多分頻串聯(lián)降頻式分頻器，是在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上， 將三分頻擴(kuò)展到多分頻。本發(fā)明的分頻電路為由電感L與電容C組成的低通電路，或者說電感串聯(lián) 而成。分頻點(diǎn)依次降低。并可以加上與傳統(tǒng)的揚(yáng)聲器附加電路，例如衰減電阻， 阻抗補(bǔ)償電路。且中音揚(yáng)聲器可與電容C串聯(lián)。也可以與并聯(lián)分頻器一同使用。 應(yīng)用廣泛，方式靈活。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.串聯(lián)降頻式分頻器，包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器(T)、n-2個(gè)中音揚(yáng)聲器(M1、M2、...、Mn-2)、一個(gè)低音揚(yáng)聲器(W)，n≥2，其特征在于還包括與上述揚(yáng)聲器數(shù)量相對(duì)應(yīng)的n-1個(gè)電感(L1、L2、...、Ln-1)和n-1個(gè)電容(C1、C2、...、Cn-1)，所述n-1個(gè)電感(L1、L2、...、Ln-1)依次串聯(lián)在輸入端(A)與輸出端(B)之間，每個(gè)電感的后端與地之間分別并聯(lián)有一個(gè)電容，第一電感(L1)的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器(T)，其它電感(L1)的兩端分別并聯(lián)一個(gè)中音揚(yáng)聲器，輸出端(B)與地之間并聯(lián)低音揚(yáng)聲器(W)。
2. 如權(quán)利要求l所述的串聯(lián)降頻式分頻器，其特征在于所述高音揚(yáng)聲器(T) 的正極與第一電感(LJ的一端之間還串聯(lián)有高音附加電路；每個(gè)中音揚(yáng)聲 器的正極與電感的一端之間還串聯(lián)有中音附加電路；低音揚(yáng)聲器(W)的兩端并聯(lián)有低音補(bǔ)償電路。
3. 如權(quán)利要求2所述的串聯(lián)降頻式分頻器，其特征在于所述高音附加電路由 串聯(lián)的高音衰減電阻(Rt)和高音串聯(lián)分頻電容(CT)組成；中音附加電路由 串聯(lián)的中音衰減電阻(Rm)和中音串聯(lián)分頻電容(CM)組成；低音補(bǔ)償電路由 串聯(lián)的低音衰減電阻(R"和低音串聯(lián)分頻電容(Cw)組成。
4. 如權(quán)利要求3所述的串聯(lián)降頻式分頻器，其特征在于每?jī)蓚€(gè)相連電感之間還串聯(lián)有分隔電感，第n-1電感(Lw)與輸出端(B)之間也串聯(lián)有分隔電 感。
5. 如權(quán)利要求l所述的串聯(lián)降頻式分頻器，其特征在于所述高音揚(yáng)聲器(T) 的正極與與第一電感(L)的一端之間還串聯(lián)有電容串聯(lián)分頻電容(CT)。
6. 如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)降頻式分頻器，其特征在于所述中音揚(yáng)聲器的數(shù)量為一個(gè)，所述第一電感(L,)、第二電感(L2)依次串聯(lián)在輸入端(A)與輸 出端(B)之間，第一電感(LO、第二電感(L2)的后端與地之間分別并聯(lián)有 第一電容(C丄第二電容(G)，第一電感(L,)的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器(T)， 第二電感(L2)的兩端并聯(lián)有中音揚(yáng)聲器(M,)，輸出端(B)與地之間并聯(lián)低 音揚(yáng)聲器(W)。
7.中音串聯(lián)降頻式分頻器，包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器(T)、 n-2個(gè)中音揚(yáng)聲器(M,、M2.....Mn—2)、 一個(gè)低音揚(yáng)聲器(W)， n>3，其特征在于還包括與上述揚(yáng)聲器數(shù)量相對(duì)應(yīng)的n個(gè)電感(U L2.....L )和n-l個(gè)電容(d、 C2、...、Ch)，所述n個(gè)電感(L,、 L2.....L,，)依次串聯(lián)在輸入端(A)與輸出端(B)之間，第一電感(L,)的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器(T)，每個(gè)中音揚(yáng)聲器與一 個(gè)電容串聯(lián)后，接于每個(gè)電感的后端與地之間，輸出端(B)與地之間并聯(lián)低 音揚(yáng)聲器(W)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種串聯(lián)降頻式分頻器，包括一個(gè)高音揚(yáng)聲器、n-2個(gè)中音揚(yáng)聲器、一個(gè)低音揚(yáng)聲器，n≥3，還包括與上述揚(yáng)聲器數(shù)量相對(duì)應(yīng)的n-1個(gè)電感和n-1個(gè)電容，所述n-1個(gè)電感依次串聯(lián)在輸入端與輸出端之間，每個(gè)電感的后端與地之間分別并聯(lián)有一個(gè)電容，第一電感的兩端并聯(lián)有高音揚(yáng)聲器，其它電感的兩端分別并聯(lián)一個(gè)中音揚(yáng)聲器，輸出端與地之間并聯(lián)低音揚(yáng)聲器。本發(fā)明采用與一階串聯(lián)分頻器相等數(shù)量的元件，達(dá)到了一階以上的分頻效果，中音揚(yáng)聲器、低音揚(yáng)聲器兩端不是全頻帶，類似為并聯(lián)分頻電路。在降低成本的基礎(chǔ)上提高了分頻效果，提高了分頻器的性價(jià)比。
文檔編號(hào)H04R3/14GK101330771SQ200810120058
公開日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月17日
發(fā)明者葉建峰 申請(qǐng)人:葉建峰