專利名稱：發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思涉及用于發(fā)射和接收電壓信號的系統(tǒng)和方法，更具體地，涉及用于發(fā)
射和接收具有低電壓差的差分電壓信號的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
在玻璃上的芯片(COG)環(huán)境中用作傳輸通道的金屬線的電阻，以及金屬線和基片 間的電容都相對較高。當(dāng)通過COG態(tài)中的金屬線發(fā)射和接收的信號是電流信號時，信號的 傳輸速度將隨著電阻和電容的增加而減慢。這樣，難以增加用于在COG環(huán)境中發(fā)射和接收 電壓信號的系統(tǒng)的工作頻率。同時，COG環(huán)境中的電阻和電容將使得發(fā)射和接收的信號失真。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思內(nèi)容的一方面，提供了一種用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)。該系統(tǒng) 包括發(fā)射機(jī)，其轉(zhuǎn)換第一參考電壓和第二參考電壓，并產(chǎn)生第一和第二電壓信號，以及接 收機(jī)，其接收所述第一和第二電壓信號。所述發(fā)射機(jī)包括參考電壓產(chǎn)生器，其產(chǎn)生所述第 一參考電壓和所述第二參考電壓；以及開關(guān)塊，其轉(zhuǎn)換所述第一參考電壓和所述第二參考 電壓，并輸出該所述第一和第二電壓信號。所述接收機(jī)包括具有兩個端子的電阻器，所述第 一和第二電壓信號提供至這兩個端子。 根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思內(nèi)容的另一方面，提供了一種用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)，其包 括具有發(fā)射機(jī)的時間控制器，用于將顯示數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成第一和第二電壓信號，并用于發(fā)射該 第一和第二電壓信號至包括接收機(jī)的有源驅(qū)動器。所述時間控制器包括參考電壓產(chǎn)生器， 其產(chǎn)生所述第一參考電壓和所述第二參考電壓；以及開關(guān)塊，其轉(zhuǎn)換所述第一參考電壓和 所述第二參考電壓，并輸出所述第一和第二電壓信號。所述有源驅(qū)動器包括電阻器，所述第 一和第二電壓信號施加到該電阻器上。 根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思內(nèi)容的再一方面，提供了一種在發(fā)射機(jī)與接收機(jī)之間發(fā)射和接收 信號的方法。該方法包括將要被發(fā)射機(jī)發(fā)射的信號轉(zhuǎn)換為至少兩個電壓信號；在該接收 機(jī)處接收轉(zhuǎn)換后的電壓信號；以及對所接收的電壓信號進(jìn)行均衡并且比較該均衡后的電壓 信號，其中該接收機(jī)安裝在玻璃基片上。


本發(fā)明構(gòu)思的各個實施例將參考以下附圖進(jìn)一步詳述，其中
圖1是示出根據(jù)一個示范性實施例的、用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)的框圖； 圖2是示出根據(jù)一個示范性實施例的、圖1所示的系統(tǒng)的參考電壓發(fā)射機(jī)的電路
圖3是示出根據(jù)一個示范性實施例的、圖1中所示系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換模塊的電路圖4是示出根據(jù)一個示范性實施例的、當(dāng)圖1的系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換模塊的第二和第三轉(zhuǎn)換陣列接通時產(chǎn)生的電壓信號的框圖； 圖5是示出根據(jù)一個示范性實施例的、當(dāng)圖1的系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換模塊的第一和第四轉(zhuǎn) 換陣列接通時產(chǎn)生的電壓信號的框圖； 圖6是示出根據(jù)一個示范性實施例的、圖1所示系統(tǒng)的等效電路模型的電路圖；
圖7示出根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于兩個電壓信號的幅值而得到的對帶寬 和電壓增益的計算機(jī)仿真結(jié)果； 圖8示出根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于發(fā)射終端的電阻分量變化而得到的對 帶寬和電磁干擾(EMI)的計算機(jī)仿真結(jié)果； 圖9示出根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于接收終端的電阻分量變化而得到的對 帶寬和電壓增益的計算機(jī)仿真結(jié)果； 圖IO是示出用于比較目的的包括本發(fā)明構(gòu)思的一個實施例的不同實施方式的電 特性的表格； 圖11示出了用于比較目的的包括本發(fā)明構(gòu)思的一個實施例的對一種接口方式中 電特性的仿真結(jié)果； 圖12是示出根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于被發(fā)射信號類型的輸入/輸出信號 的波形圖；以及 圖13是示出根據(jù)另一個示范性實施例的、用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)的框圖。
具體實施例方式
將參考附圖對多個不同的實施例進(jìn)行更加充分的說明，在各附圖中示出了各示范
性實施例。然而本發(fā)明構(gòu)思可通過各種不同形式實現(xiàn)，不應(yīng)僅解釋為受限于所出的示范性
實施例。事實上是，這些實施例僅僅是作為例子而提供的，用于向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員解釋
本發(fā)明構(gòu)思。因此，對于某些實施例來說，沒有描述熟知的過程、元件和相關(guān)技術(shù)。貫穿附
圖和文字說明中，相同的附圖標(biāo)記用于指示相同或類似的元件。 圖1是示出根據(jù)一個實施例的用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)100的框圖。 參考圖l，用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)100包括發(fā)射機(jī)110、接收機(jī)150、和用于電
連接發(fā)射機(jī)110和接收機(jī)150的傳輸線130。該信號可包括例如具有低電壓差的差分電壓
信號。例如，發(fā)射機(jī)110可被安裝在印刷電路板(PCB)上，接收機(jī)150可被安裝在玻璃基片
上，該P(yáng)CB和該玻璃基片可被連接到柔性印刷電路板(FPC)。 發(fā)射機(jī)IIO包括參考電壓產(chǎn)生器lll，其產(chǎn)生第一和第二參考電壓VTOP和VBOT， 以及開關(guān)塊115，其轉(zhuǎn)換第一和第二參考電壓VT0P和VB0T，并輸出第一和第二電壓信號V3 和V4。兩個開關(guān)等效電阻Rn指示構(gòu)成開關(guān)塊115的金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管開關(guān) 的等效導(dǎo)通電阻(turn on resistors)指示。 電連接發(fā)射機(jī)110和接收機(jī)150的傳輸線130包括PCB、FPC和安裝在玻璃基片上 的金屬線MET_GLA。 PCB、 FPC和金屬導(dǎo)線MET_GLA中的每個都具有恒定阻抗分量。
接收機(jī)150包括連接到傳輸線130的電阻R『用于均衡電阻R^兩端的電壓的均 衡器(EQ) 151、和用于比較所均衡的電壓的比較器(Com) 152。電流源153向比較器152提 供電流。 首先將參考圖2詳細(xì)描述圖1所示的參考電壓產(chǎn)生器111。
6
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個示范性實施例的圖1所示的系統(tǒng)100的參考電 壓發(fā)射機(jī)111的電路圖。參考圖2，參考電壓產(chǎn)生器111包括第一參考電壓產(chǎn)生器112和第 二參考電壓產(chǎn)生器113。 第一參考電壓產(chǎn)生器112利用負(fù)反饋電路響應(yīng)于第一偏置電壓VP而產(chǎn)生第一參 考電壓VTOP，第一參考電壓產(chǎn)生器112包括第一差分運(yùn)算放大器0P1和第一金屬氧化物半 導(dǎo)體(MOS)晶體管M1。第一差分運(yùn)算放大器0P1接收施加到該第一差分運(yùn)算放大器0P1的 第一輸入端(+)上的第一偏置電壓VP，并且產(chǎn)生的第一參考電壓VTOP被施加到該第一差分 運(yùn)算放大器0P1的第二輸入端(_)。第一 MOS晶體管Ml的第一端連接到提供電壓VDD的 第一電壓源，并且第一差分運(yùn)算放大器0P1的輸出端連接到該第一MOS晶體管M1的柵極。 第一MOS晶體管M1響應(yīng)于來自第一差分運(yùn)算放大器0P1的輸出端的輸出電壓而在該第一 MOS晶體管Ml的第二端處產(chǎn)生該第一參考電壓VTOP。 第二參考電壓產(chǎn)生器113利用負(fù)反饋電路響應(yīng)于第二偏置電壓VN而產(chǎn)生第二參 考電壓VB0T，第二參考電壓產(chǎn)生器113包括第二差分運(yùn)算放大器0P2和第二MOS晶體管M2。 第二差分運(yùn)算放大器0P2接收施加到該第二差分運(yùn)算放大器0P2的第一輸入端(-)上的第 二偏置電壓VN，并且產(chǎn)生的第二參考電壓VBOT施加到該第二差分運(yùn)算放大器0P2的第二輸 入端(+)。第二 MOS晶體管M2的第一端連接到接地電壓源GND，并且第二差分運(yùn)算放大器 0P2的輸出端連接到該第二 MOS晶體管M2的柵極。第二 MOS晶體管M2響應(yīng)于來自第二差 分運(yùn)算放大器0P2的輸出端的輸出電壓而在該第二 MOS晶體管M2的第二端處產(chǎn)生該第二 參考電壓VBOT。 由第一參考電壓產(chǎn)生器112和第二參考電壓產(chǎn)生器113分別產(chǎn)生的第一參考電壓 VTOP和第二參考電壓VBOT保持為恒量，與該第一參考電壓產(chǎn)生器112的負(fù)載和該第二參考 電壓產(chǎn)生器113的負(fù)載無關(guān)。 參考圖1和圖3，開關(guān)塊115包括四個開關(guān)陣列SW1到SW4。第一開關(guān)陣列SW1響 應(yīng)于第一轉(zhuǎn)換控制信號DNP1到DNP4(見圖3)中的至少一個而轉(zhuǎn)換第一參考電壓VT0P，并 輸出第二電壓信號V4至第四節(jié)點(diǎn)N4。第二開關(guān)陣列SW2響應(yīng)于第二轉(zhuǎn)換控制信號DPP1到 DPP4(見圖3)中的至少一個而轉(zhuǎn)換第一參考電壓VT0P，并輸出第一電壓信號V3至第三節(jié) 點(diǎn)N3。第三開關(guān)陣列SW3響應(yīng)于第三轉(zhuǎn)換控制信號DPN1到DPN4中的至少一個而轉(zhuǎn)換第二 參考電壓VB0T，并輸出第二電壓信號V4至第四節(jié)點(diǎn)N4。第四開關(guān)陣列SW4響應(yīng)于第四轉(zhuǎn) 換控制信號DNN1到DNN4中的至少一個而轉(zhuǎn)換第二參考電壓VBOT，并輸出第一電壓信號V3 至第三節(jié)點(diǎn)N3。 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個示范性實施例的、圖1所示系統(tǒng)100的開關(guān)塊 115的電路圖。 參考圖3，盡管圖1中顯示了單個代表性開關(guān)，但在描述的實施例中每個開關(guān)陣列 SW1到SW4可包括四個并行連接的開關(guān)。但是，根據(jù)不同的可選實施例，在每個開關(guān)陣列中 并且并行連接的開關(guān)數(shù)量可大于或小于四個。 第一開關(guān)陣列SW1包括四個第一開關(guān)晶體管M11到M14。每個第一開關(guān)晶體管M11 到M14，分別響應(yīng)于施加到這些第一開關(guān)晶體管Mil至M14相應(yīng)柵極上的第一開關(guān)控制信 號DNP1至DNP4，而轉(zhuǎn)換施加到該第一開關(guān)陣列SW1的第一端上的第一參考電壓VT0P。這 些第一開關(guān)晶體管Mil到M14向連接到該第一開關(guān)陣列SW1的第二端的第四節(jié)點(diǎn)N4輸出
7第二電壓信號V4。 第二開關(guān)陣列SW2包括四個第二開關(guān)晶體管M21到M24。每個第二開關(guān)晶體管M21 到M24，分別響應(yīng)施加到這些第二開關(guān)晶體管M21至M24相應(yīng)柵極上的第二開關(guān)控制信號 DPP1至DPP4，而轉(zhuǎn)換施加到該第二開關(guān)陣列SW2的第一端上的第一參考電壓VTOP。這些第 二開關(guān)晶體管M21到M24向連接到該第二開關(guān)陣列SW2的第二端的第三節(jié)點(diǎn)N3輸出第一 電壓信號V3。 第三開關(guān)陣列SW3包括四個第三開關(guān)晶體管M31到M34。每個第三開關(guān)晶體管M31 到M34，分別響應(yīng)施加到這些第三開關(guān)晶體管M31至M34相應(yīng)柵極上的第三開關(guān)控制信號 DPN1至DPN4，而轉(zhuǎn)換施加到該第三開關(guān)陣列SW3的第一端上的第二參考電壓VB0T。這些第 三開關(guān)晶體管M31到M34向連接到該第三開關(guān)陣列SW3的第二端的第四節(jié)點(diǎn)N4輸出第二 電壓信號V4。 第四開關(guān)陣列SW4包括四個第四開關(guān)晶體管M41到M44。每個第四開關(guān)晶體管M41 到M44，分別響應(yīng)施加到這些第四開關(guān)晶體管M41至M44相應(yīng)柵極上的第四開關(guān)控制信號 DNN1至DNN4，而轉(zhuǎn)換施加到該第四開關(guān)陣列SW4的第一端上的第二參考電壓VB0T。這些第 四開關(guān)晶體管M41到M44向連接到該第四開關(guān)陣列SW4的第二端的第三節(jié)點(diǎn)N3輸出第一 電壓信號V3。 分別包含在第一到第四開關(guān)陣列SW1到SW4的第一、第二、第三和第四開關(guān)晶體管 Mil到M14、M21到M24、M31到M34、M41到M44中的每組，都彼此并行連接。這樣，當(dāng)所有的 四個開關(guān)晶體管Mll到M14、M21到M24、M31到M34、或M41到M44都接通時，產(chǎn)生的等效阻 抗會小于當(dāng)少于四個的開關(guān)晶體管接通時產(chǎn)生的等效阻抗。這樣，越少開關(guān)晶體管接通，相 應(yīng)的開關(guān)陣列的等效阻抗就越高。 第一到第四開關(guān)陣列SW1到SW4中每個的等效阻抗將影響發(fā)射機(jī)110和接收機(jī) 150之間的電壓增益，以及發(fā)射機(jī)110輸出的差分電壓信號的頻率。下面將詳細(xì)介紹。
圖1和圖3中示出的開關(guān)陣列SW1到SW4可成對的激活或不激活(接通和關(guān)斷)。 例如，在一個實施例中，由第一開關(guān)陣列SW1和第四開關(guān)陣列SW4構(gòu)成的一對共同地接通和 關(guān)斷，以及由第二開關(guān)陣列SW2和第三開關(guān)陣列SW3構(gòu)成的一對共同地接通和關(guān)斷，如下所 述。 圖4是示出根據(jù)一個示范性實施例的、當(dāng)圖1的系統(tǒng)的開關(guān)塊115的第二和第三 開關(guān)陣列SW2和SW3接通時產(chǎn)生的電壓信號的框圖。 參考圖4，當(dāng)?shù)诙偷谌_關(guān)陣列SW2和SW3接通時，形成的直流電流(DC)通路從 第一參考電壓產(chǎn)生器112，通過第二開關(guān)陣列SW2、上傳輸線I^、電阻R『下傳輸線R^、和第 三開關(guān)陣列SW3，直到第二參考電壓VB0T。這樣，施加到接收機(jī)150的比較器152的正輸入 端(+)的電壓，高于施加到比較器152的負(fù)輸入端(-)的電壓。這里，每個上和下傳輸線RcH 均由每個PCB、FPC、和安裝在玻璃基片上的金屬線ME乙GLA的等效電阻的模擬總和構(gòu)成，其 包含于傳輸線130中。 圖5是示出根據(jù)一個示范性實施例的、當(dāng)圖1的系統(tǒng)的開關(guān)塊115的第一和第四 開關(guān)陣列SW1和SW4接通時產(chǎn)生的電壓信號的框圖。 參考圖5，當(dāng)?shù)谝缓偷谒拈_關(guān)陣列SW1和SW4接通時，形成的DC通路從第一參考電 壓產(chǎn)生器112，通過第一開關(guān)陣列SW1、下傳輸線I^、電阻R『上傳輸線R^、和第四開關(guān)陣列SW4，直到第二參考電壓VB0T。這樣，施加到接收機(jī)150的比較器152的正輸入端(+)的電 壓，低于施加到比較器152的負(fù)輸入端(_)的電壓。 在該接收機(jī)150的電阻RKX兩端的DC壓降相對量，由第一開關(guān)控制信號DNP1到 DNP4至第四開關(guān)控制信號DNN1到DNN4確定。接收機(jī)150的電阻RKX兩端的DC電壓降由 比較器152轉(zhuǎn)換。 利用要由發(fā)射機(jī)110向接收機(jī)150傳輸?shù)臄?shù)據(jù)，來確定第一開關(guān)控制信號DNP1到 DNP4至第四開關(guān)控制信號DNN1至ljDNN4的邏輯值。當(dāng)圖1中示出的用于發(fā)射和接收信號的 系統(tǒng)100例如是在玻璃上芯片(COG)環(huán)境中所實施的圖像重現(xiàn)設(shè)備時，發(fā)射機(jī)110可以是 時間控制器，而接收機(jī)150可以是驅(qū)動顯示面板的源驅(qū)動器。 當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)控制信號DNP1到DNP4至第四開關(guān)控制信號DNN1到DNN4的邏輯值確 定時，顯示數(shù)據(jù)的值將被提出。 通過執(zhí)行由圖1中所示的系統(tǒng)100實施的發(fā)射和接收電壓信號的方法，可以最小 化被發(fā)射或被接收的電壓信號的幅值。根據(jù)一個實施例的用于發(fā)射和接收電壓信號的方 法，基本上等同于用于發(fā)射和接收差分電流信號的相關(guān)方法，因為由于傳輸線130的電特 性，在圖4和5所示的DC通路上會存在漏電流，以及在圖4和5中示出的DC通路中存在信 號的延遲分量。但是，在第一參考電壓VTOP和第二參考電壓VBOT的源之間僅存在電阻分 量。在根據(jù)一個實施例的用于發(fā)射和接收電壓信號的方法中，漏電流和延遲分量的幅值非 實質(zhì)性地影響接收機(jī)150的電阻RKX正端子上的DC電壓。 另外，由于接收機(jī)150的電阻I^兩端子上的DC壓降實際上被放大了，因此進(jìn)一步
降低了該信號的漏電流及延遲分量幅值對DC電壓的影響。因此，即使考慮到該影響，第一
參考電壓VTOP和第二參考電壓VBOT的電勢差別也被最小化。通過減少電阻RKX兩端子上
的DC壓降幅值，可以降低整個系統(tǒng)的能量消耗，并且提高系統(tǒng)的傳輸速度。 另外，系統(tǒng)IOO可調(diào)整該系統(tǒng)100的用于發(fā)射和接收信號的電壓增益，以及被發(fā)射
或接收的信號的帶寬。 在用于發(fā)射和接收差分電流信號的相關(guān)方法的情況下，發(fā)射機(jī)110的輸出電壓 VTX(t)和接收機(jī)150的輸入電壓Kt)將利用等式1獲得，如下:
■ = + ~)(1 - 一，rl = d +
r股(0 = (1 - e《),iC = + r2,= i 股C丄(等式D 參考等式1， IIN為將被發(fā)射或接收的電流信號的幅值，RCH為傳輸線130的等效電 阻，RKX為接收機(jī)150的電阻RKX的阻值，Cs為傳輸線130和玻璃基片之間的等效電容，以及 (^為負(fù)載電容。此外，將被傳輸?shù)碾娏餍盘? 的總延遲分量、為兩個延遲分量的總和 ("+ t 2)。 圖6是示出根據(jù)一個示范性實施例的、圖1所示系統(tǒng)100的等效電路模型的電路
圖6中所示系統(tǒng)的電壓增益可使用等式2獲得，如下 (l-一),^(i C耽)(^ (等式2)
9
電壓信號的頻率fMX可由等式3獲得，如下
= =，"，(等式3) 參考等式2和3，圖6中所示系統(tǒng)的電壓增益由傳輸線130的等效電阻RCH和接收 機(jī)150的電阻RKX的阻抗RKX決定。電壓信號的頻率fMX由傳輸線130的等效電阻RCH和接 收機(jī)150的電阻RKX的阻抗RKX，以及負(fù)載電容的電容值決定。由于傳輸線130的等效電 阻RCH和負(fù)載電容的電容值&是固定的，僅有接收機(jī)150的電阻RKX的阻抗RKX變化以改變 電壓增益。 例如，接收機(jī)150的電阻R^的阻抗R^增力B，則圖6中所示的系統(tǒng)電壓增益增加， 而電壓信號的頻率fMX降低。相反地，隨著傳輸線130的等效電阻RCH降低，圖6中所示的 系統(tǒng)電壓增益降低，電壓信號的頻率fMX增加。 現(xiàn)在將說明圖1中所示的用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)100的實驗條件和計算機(jī)仿 圖7示出根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于兩個電壓信號的幅值而得到的對帶寬 和電壓增益的計算機(jī)仿真結(jié)果。 參考圖7，由于電壓信號(V。D = |V「V2|)的幅值減小，如從約600mV減小到約 200mV，帶寬增加了 ，而同時電壓增益降低了 。帶寬是發(fā)射和接收頻率可使用范圍。
圖8示出根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于發(fā)射終端的電阻分量變化而得到的對 帶寬和電磁干擾(EMI)的計算機(jī)仿真結(jié)果。 參考圖8，發(fā)射機(jī)110的電阻值分量是指構(gòu)成開關(guān)塊115的多個開關(guān)的導(dǎo)通電阻。 每個開關(guān)陣列例如包括四個開關(guān)晶體管，并且每個開關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻為約320 Q 。這 樣，只要并行連接的開關(guān)晶體管順序接通，發(fā)射機(jī)110的信道電阻值分量從320Q減少到 160 Q 、120 Q禾卩80Q 。 隨著發(fā)射機(jī)110的電阻增加，如從約80 Q到約320 Q ，系統(tǒng)的EMI增加，同時發(fā)射 頻率的可使用范圍(帶寬)降低。 圖9示出根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于接收終端的電阻分量變化而得到的對 帶寬和電磁干擾的計算機(jī)仿真結(jié)果。 參考圖9，隨著接收機(jī)150的電阻RKX的電阻值增加，例如從約400 Q到約800 Q ，
電壓增益增加，接收頻率的帶寬降低。并且，當(dāng)在接收機(jī)150中不使用電阻I^時(開路)，
電壓增益進(jìn)一步增加，而頻率的帶寬進(jìn)一步降低。 圖7到圖9中的結(jié)果可由等式2和3定性分析而推斷出。 圖IO是示出用于比較目的的包括本發(fā)明構(gòu)思的一個實施例的不同體系結(jié)構(gòu)的電 特性的表格。 參考圖lO，mLVDS和WiseBusTM實施方式具有比根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的用于發(fā)射和接收 信號的系統(tǒng)更大的平均電流值，和更大的峰值電流幅值。更大的平均電流和峰值電流導(dǎo)致 更大的功率損耗。當(dāng)系統(tǒng)小型化時，在系統(tǒng)中使用的單元尺寸被減小了，系統(tǒng)的更大功率損 耗會反向地影響組成系統(tǒng)的產(chǎn)品的競爭力。 圖11示出了用于比較目的的包括本發(fā)明構(gòu)思的一個實施例的對一種接口方式中 電特性的仿真結(jié)果。
參考圖ll，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的系統(tǒng)情況下，仿真結(jié)果確認(rèn)了與mLVDS和 WiseBus 實施方式相比，發(fā)射信號DATA的格式和時鐘信號CLK中的格式每個都具有更小 的偏移。 圖12是根據(jù)一個示范性實施例的、相應(yīng)于發(fā)射信號的類型的輸入/輸出信號的波 形圖。 參考圖12，當(dāng)發(fā)射信號是電流信號VTX_CM1時，響應(yīng)特性優(yōu)于當(dāng)發(fā)射信號是電壓 信號VTX_VM1時的響應(yīng)特性。在接收信號情況下，電壓信號VRX_VM1響應(yīng)于約為1. 2納秒 (ns)，而電流信號VRX_CM1響應(yīng)于約為7. lns，其比電壓信號VRX_VM1的響應(yīng)時間慢五倍。
圖13是示出根據(jù)另一個示范性實施例的、用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)的框圖。
參考圖13，當(dāng)在點(diǎn)對點(diǎn)方式中使用多段發(fā)射和接收數(shù)據(jù)時，可以采用根據(jù)描述過 的示范性實施例的用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)。 如上所述，可以在顯示系統(tǒng)中使用本發(fā)明構(gòu)思的各實施例。但是，各種實施例也 可應(yīng)用到顯示驅(qū)動集成電路(DDI)中，例如有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)、等離子體顯示面板 (PDP)、液晶顯示器(LCD)、柔性驅(qū)動集成電路(D-IC)等。
需要注意，也將實質(zhì)上提高體現(xiàn)不同實施例的產(chǎn)品的競爭力。 已經(jīng)結(jié)合示例性實施例描述了本發(fā)明構(gòu)思，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明了在不脫離本發(fā) 明構(gòu)思教導(dǎo)的精神和范圍下可作出不同的變化及修改。因此，應(yīng)該理解以上實施例為解釋 性的說明而非限制性的說明。 本申請要求于2008年12月1日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請 No. 10-2008-0120685的優(yōu)先權(quán)，其主題通過引用方式并入本申請。
權(quán)利要求
一種用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括發(fā)射機(jī)，用于轉(zhuǎn)換第一參考電壓和第二參考電壓，并產(chǎn)生第一和第二電壓信號；以及接收機(jī)，用于接收所述第一和第二電壓信號，其中，所述發(fā)射機(jī)包括參考電壓產(chǎn)生器，用于產(chǎn)生所述第一參考電壓和所述第二參考電壓；以及開關(guān)塊，用于轉(zhuǎn)換所述第一參考電壓和第二參考電壓，并輸出所述第一和第二電壓信號，以及其中所述接收機(jī)包括具有兩個端子的電阻，所述第一和第二電壓信號施加到所述兩個端子上。
2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述參考電壓產(chǎn)生器包括第一參考電壓產(chǎn)生器和第 二參考電壓產(chǎn)生器，其中所述第一參考電壓產(chǎn)生器包括第一差分運(yùn)算放大器，包括第一和第二輸入端以及輸出端，其中第一偏置電壓施加到 所述第一差分運(yùn)算放大器的第一輸入端；以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管，其中所述第一MOS晶體管的第一端連接到第一電源，所述第一 M0S晶體管的柵極連接到所述第一差分運(yùn)算放大器的輸出端，所述第一 M0S晶體管連接到所述第一差分運(yùn)算放大器的第二輸入端，所述第一MOS晶體管響應(yīng)于來自所述第一差分運(yùn)算放大器的輸出端的輸出電壓而在該第一 M0S晶體管的第二端上產(chǎn)生所述 第一參考電壓；以及其中所述第二參考電壓產(chǎn)生器包括第二差分運(yùn)算放大器，包括第一和第二輸入端以及輸出端，其中第二偏置電壓施加到 所述第二差分運(yùn)算放大器的第一輸入端；以及第二M0S晶體管，其中所述第二MOS晶體管的第一端連接到接地電壓源，所述第二MOS 晶體管的柵極連接到所述第二差分運(yùn)算放大器的輸出端，所述第二MOS晶體管連接到所述 第二差分運(yùn)算放大器的第二輸入端，所述第二MOS晶體管響應(yīng)于來自所述第二差分運(yùn)算放 大器的輸出端的輸出電壓而在該第二MOS晶體管的第二端上產(chǎn)生第二參考電壓。
3. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中所述開關(guān)塊包括第一開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第一開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換第一參考電壓，并 輸出第二電壓信號；第二開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第二開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換第一參考電壓，并 輸出第一電壓信號；第三開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第三開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換第二參考電壓，并 輸出第二電壓信號；以及第四開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第四開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換第二參考電壓，并 輸出第一電壓信號。
4. 如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述第一開關(guān)陣列包括至少一個第-其響應(yīng)于多個第一開關(guān)控制信號中的一個第一開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第-輸出第二電壓信號，其中所述第二開關(guān)陣列包括至少一個第二開關(guān)晶體管，其響應(yīng)于多個第二開關(guān)控制信 號中的一個第二開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第一參考電壓，并輸出第一電壓信號， -開關(guān)晶體管， -參考電壓，并其中所述第三開關(guān)陣列包括至少一個第三開關(guān)晶體管，其響應(yīng)多個第三開關(guān)控制信號 中的一個第三開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第二參考電壓，并輸出第二電壓信號，以及其中所述第四開關(guān)陣列包括至少一個第四開關(guān)晶體管，其響應(yīng)多個第四開關(guān)控制信號 中的一個第四開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第二參考電壓，并輸出第一 電壓信號。
5. 如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中第一開關(guān)陣列和第四開關(guān)陣列的一對共同地接通和 關(guān)斷，以及第二開關(guān)陣列和第三開關(guān)陣列的一對共同地接通和關(guān)斷。
6. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述接收機(jī)還包括均衡器，用于均衡所述電阻兩端 的電壓降。
7. 如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述接收機(jī)還包括比較器，用于比較所述均衡器輸 出的均衡后電壓的幅值。
8. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中第一參考電壓和第二參考電壓中的一個包括時鐘信號。
9. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中第一參考電壓和第二參考電壓中的另一個包括數(shù)據(jù)。
10. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述接收機(jī)安裝在玻璃基片上，并且傳輸線包括安 裝在該玻璃基片上的金屬線。
11. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)用于顯示驅(qū)動集成電路(DDI)、有機(jī)發(fā)光 二極管(0LED)、等離子體顯示面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)、或柔性驅(qū)動集成電路(D-IC)中。
12. —種用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括時間控制器，該時間控制器包含發(fā) 射機(jī)，用于將顯示數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為第一和第二電壓信號，并且將該第一和第二電壓信號發(fā)射到 包含接收機(jī)的有源驅(qū)動器，其中所述時間控制器包括參考電壓產(chǎn)生器，用于產(chǎn)生第一參考電壓和第二參考電壓；以及開關(guān)塊，用于轉(zhuǎn)換所述第一參考電壓和所述第二參考電壓，并輸出所述第一和第二電 壓信號，并且其中所述有源驅(qū)動器包含電阻，所述第一和第二電壓信號施加到該電阻上。
13. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述參考電壓產(chǎn)生器包括第一參考電壓產(chǎn)生器和 第二參考電壓產(chǎn)生器，其中所述第一參考電壓產(chǎn)生器包括第一差分運(yùn)算放大器，包括第一和第二輸入端以及輸出端，其中第一偏置電壓施加到 所述第一差分運(yùn)算放大器的第一輸入端；以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，其中所述第一MOS晶體管的第一端連接到第一 電源，并且所述第一MOS晶體管的柵極連接到所述第一差分運(yùn)算放大器的輸出端，所述第 一MOS晶體管連接到所述第一差分運(yùn)算放大器的第二輸入端，所述第一MOS晶體管響應(yīng)于 來自所述第一差分運(yùn)算放大器的輸出端的輸出電壓而在該第一 MOS晶體管的第二端上產(chǎn) 生第一參考電壓；以及其中所述第二參考電壓產(chǎn)生器包括第二差分運(yùn)算放大器，包括第一和第二輸入端以及輸出端，其中第二偏置電壓施加到 所述第二差分運(yùn)算放大器的第一輸入端；以及第二MOS晶體管，其中所述第二MOS晶體管的第一端連接到接地電壓源，并且所述第二M0S晶體管的柵極連接到所述第二差分運(yùn)算放大器的輸出端，所述第二MOS晶體管連接到 所述第二差分運(yùn)算放大器的第二輸入端，所述第二MOS晶體管響應(yīng)于來自所述第二差分運(yùn) 算放大器輸出端的輸出電壓而在該第二MOS晶體管的第二端上產(chǎn)生第二參考電壓。
14. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述開關(guān)塊包括第一開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第一開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換所述第一參考電 壓，并輸出第二電壓信號；第二開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第二開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換所述第一參考電 壓，并輸出第一電壓信號；第三開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第三開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換所述第二參考電 壓，并輸出第二電壓信號；以及第四開關(guān)陣列，響應(yīng)于多個第四開關(guān)控制信號中的至少一個而轉(zhuǎn)換所述第二參考電 壓，并輸出第一電壓信號。
15. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述第一開關(guān)陣列包括至少一個第一開關(guān)晶體 管，其響應(yīng)于多個第一開關(guān)控制信號中的一個第一開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第一參考電 壓，并輸出第二電壓信號， 其中所述第二開關(guān)陣列包括至少一個第二開關(guān)晶體管，其響應(yīng)于多個第二開關(guān)控制信 號中的一個第二開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第一參考電壓，并輸出第一電壓信號，其中所述第三開關(guān)陣列包括至少一個第三開關(guān)晶體管，其響應(yīng)于多個第三開關(guān)控制信 號中的一個第三開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第二參考電壓，并輸出第二電壓信號，以及其中所述第四開關(guān)陣列包括至少一個第四開關(guān)晶體管，其響應(yīng)于多個第四開關(guān)控制信 號中的一個第四開關(guān)控制信號而轉(zhuǎn)換所述第二參考電壓，并輸出第一 電壓信號。
16. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中第一開關(guān)陣列和第四開關(guān)陣列的一對共同地接通 和關(guān)斷，以及第二開關(guān)陣列和第三開關(guān)陣列的一對共同地接通和關(guān)斷。
17. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中第一、第二、第三和第四開關(guān)控制信號中至少一個 的每個由顯示數(shù)據(jù)來確定。
18. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中第一、第二、第三和第四開關(guān)控制信號中至少一個 的每個，是考慮到所述時間控制器的輸出端和有源驅(qū)動器的輸出端之間的電壓增益、以及 決定著第一和第二電壓信號頻率范圍的帶寬而確定的。
19. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中第一參考電壓和第二參考電壓中的一個包括時鐘 信號，并且第一參考電壓和第二參考電壓中的另一個包括數(shù)據(jù)。
20. —種用于在發(fā)射機(jī)和接收機(jī)之間發(fā)射和接收信號的方法，所述方法包括 由發(fā)射機(jī)將待發(fā)射信號轉(zhuǎn)換為至少兩個電壓信號； 在接收機(jī)處接收轉(zhuǎn)換后的電壓信號；以及 對接收到的電壓信號進(jìn)行均衡，并且比較均衡后的電壓信號， 其中所述接收機(jī)安裝在玻璃基片上。
全文摘要
一種用于發(fā)射和接收信號的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括發(fā)射機(jī)，其轉(zhuǎn)換第一參考電壓和第二參考電壓，并產(chǎn)生第一和第二電壓信號，以及接收機(jī)，其接收所述第一和第二電壓信號。所述發(fā)射機(jī)包括參考電壓產(chǎn)生器，其產(chǎn)生所述第一參考電壓和所述第二參考電壓；以及開關(guān)塊，其轉(zhuǎn)換所述第一參考電壓和所述第二參考電壓，并輸出所述第一和第二電壓信號。所述接收機(jī)包括具有兩個端子的電阻，所述第一和第二電壓信號施加到所述兩個端子上。
文檔編號H04B1/40GK101764626SQ20091025847
公開日2010年6月30日 申請日期2009年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月1日
發(fā)明者李在烈, 林正泌, 白東勛, 金智勛 申請人:三星電子株式會社