專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
—般地說，圖像傳感器是可將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器 大體被分成電荷耦合器件(CCD)和互補型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器(CIS)。 CMOS圖像傳感器可具有下述結(jié)構(gòu)其中，將光信號轉(zhuǎn)換成電信號的光電二極管區(qū)和處理該 電信號的晶體管區(qū)被水平地設(shè)置。在水平型圖像傳感器中，由于光電二極管區(qū)和晶體管區(qū) 被水平地設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中，因此，在有限的區(qū)域內(nèi)擴大光學(xué)傳感部分(被稱為"填充因 數(shù)")會存在局限性。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的實施例提供了一種圖像傳感器及其制造方 法，該圖像傳感器能夠提供晶體管電路和光電二極管的垂直集成方式。根據(jù)實施例，一種圖 像傳感器可以包括包括讀出電路的半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底上和/或上方的互連件 和層間介電層，互連件被連接到讀出電路；位于層間介電件上和/或上方的圖像傳感器件； 位于圖像傳感器件中的溝槽，溝槽對應(yīng)于互連件；位于溝槽的側(cè)壁上和/或上方的緩沖層； 位于緩沖層上的阻擋圖案，阻擋圖案有選擇地暴露溝槽的底面；穿過位于阻擋圖案下方的 圖像傳感器件和層間介電件并且暴露互連件的導(dǎo)通孔；以及位于導(dǎo)通孔中的金屬接觸件。
根據(jù)實施例，一種圖像傳感器的制造方法包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底中形成讀 出電路；在半導(dǎo)體襯底上和/或上方形成互連件和層間介電件，互連件被連接到讀出電路； 在層間介電件上和/或上方形成圖像傳感器件；在圖像傳感器件上和/或上方形成掩模，掩 模暴露對應(yīng)于互連件的圖像傳感器件；利用掩模作為蝕刻掩模，在圖像傳感器件中形成溝 槽；利用在溝槽的形成中產(chǎn)生的聚合物，在溝槽的側(cè)壁上和/或上方形成緩沖層；在緩沖層 上和/或上方形成阻擋圖案；利用阻擋圖案，形成暴露互連件的導(dǎo)通孔；以及在導(dǎo)通孔中形 成金屬接觸件。 本發(fā)明可增加填充因數(shù)、正常執(zhí)行光電荷的信號輸出、改善器件的電特性并簡化 工藝。


圖1至圖11是示出根據(jù)實施例的圖像傳感器的示例性制造過程的剖面圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)實施例的圖像傳感器及其制造方法。實施例 不局限于CM0S圖像傳感器。例如，可以將實施例應(yīng)用到使用光電二極管的所有圖像傳感器 (例如CCD圖像傳感器)中。
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圖11是示出根據(jù)實施例的圖像傳感器的剖面圖。根據(jù)實施例，圖像傳感器可以包 括包括讀出電路120的半導(dǎo)體襯底100 ;位于半導(dǎo)體襯底100上和/或上方的互連件150 和層間介電層160，該互連件150連接到讀出電路120 ;位于層間介電件160上和/或上方 的圖像傳感器件200 ;位于圖像傳感器件200中的溝槽250，該溝槽250對應(yīng)于互連件150 ; 位于溝槽250的側(cè)壁上的緩沖層260 ;位于緩沖層260上和/或上方的阻擋圖案275，該阻 擋圖案275有選擇地暴露溝槽250的底面；穿過位于所述阻擋圖案275下方的圖像傳感器 件200和層間介電件160并且暴露互連件150的導(dǎo)通孔285 ;以及位于導(dǎo)通孔285中的金 屬接觸件300。 圖像傳感器件200可以包括堆疊在其中的第一摻雜層210、本征層220以及第二摻 雜層230。溝槽250的底面可以暴露第一摻雜層210。緩沖層260可以由聚合物組成。例 如，緩沖層260可以是這樣一種聚合物，該聚合物是在溝槽的蝕刻中產(chǎn)生的副產(chǎn)品。阻擋圖 案275可以由氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層組成。由于緩沖層260可以形成在溝槽 250的側(cè)壁上，圖像傳感器件200和阻擋圖案275之間的界面應(yīng)力被減到最小，從而改善了 器件的電特性。 此外，由于阻擋圖案275可以僅形成在溝槽250的側(cè)壁上，因此激活了圖像傳感器 件200的PIN隔離，從而實現(xiàn)光電荷的正常信號輸出。 將參照在下文中示出圖像傳感器的制造方法的附圖來描述圖11中沒有說明的附 圖標(biāo)記。在下文中，將參照圖1至圖11描述根據(jù)實施例的圖像傳感器的制造方法。
參見圖l，在包括讀出電路120的半導(dǎo)體襯底100上和/或上方形成互連件150和 層間介電件160。半導(dǎo)體襯底100可以是單晶硅襯底或者多晶硅襯底，也可以是摻雜有P-型 雜質(zhì)或者N-型雜質(zhì)的襯底。例如，在半導(dǎo)體襯底100中形成器件隔離層110，以限定有源 區(qū)。在有源區(qū)中形成用于單位像素的包括晶體管的讀出電路120。讀出電路120可以包括 轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)121、復(fù)位晶體管(Rx)123、驅(qū)動晶體管(Dx)125以及選擇晶體管(Sx)127。 此后，可以形成包括浮置擴散區(qū)(FD)131的離子注入?yún)^(qū)130和每個晶體管的源極/漏極區(qū) 133、 135和137。讀出電路120也可以應(yīng)用于3Tr或者5Tr結(jié)構(gòu)。 在半導(dǎo)體襯底100中形成讀出電路120可以包括在第一襯底100中形成電結(jié)區(qū) (electrical junction region) 140，以及在該電結(jié)區(qū)140上形成連接到互連件150的多點 接觸件(poly contact) 147。例如，電結(jié)區(qū)140可以是PN結(jié)140，但是并不局限于此。例如， 電結(jié)區(qū)140可以包括形成在第二導(dǎo)電型阱141上或者第二導(dǎo)電型外延層上的第一導(dǎo)電型離 子注入層143，以及形成在第一導(dǎo)電型離子注入層143上的第二導(dǎo)電型離子注入層145。例 如，如圖1所示，PN結(jié)140可以是P0(145)/N-(143)/P-(141)結(jié)，但是并不局限于此。半導(dǎo)
體襯底ioo可以是第二導(dǎo)電型，但是并不局限于此。 根據(jù)實施例，可以設(shè)計器件以在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)的源極和漏極之間提供電勢差， 從而使光電荷能夠全部傾卸(full dumping)。因此，由于在光電二極管中產(chǎn)生的光電荷被 傾卸到浮置擴散區(qū)，所以能夠提高輸出圖像的靈敏度。也就是說，可以在包括讀出電路120 的第一襯底100中形成電結(jié)區(qū)140，以在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)121的源極和漏極之間提供電勢 差，從而使光電荷能夠全部傾卸(參見圖2)。因此，例如，與簡單地將光電二極管連接到^ 結(jié)等的情況(諸如在現(xiàn)有的圖像傳感器中)不同，根據(jù)實施例的圖像傳感器可以避免飽和 度的減小和靈敏度的下降。
第一導(dǎo)電型連接件147可以形成在光電二極管和讀出電路120之間，以生成暢通 的(smooth)光電荷轉(zhuǎn)移路徑，從而能夠?qū)惦娏髟礈p到最小并且抑制飽和度的減小和靈 敏度的下降。為此，根據(jù)實施例，N+摻雜區(qū)可以形成為用于位于P0/N-/P-結(jié)140的表面上 的歐姆接觸的第一導(dǎo)電型連接件147?？梢孕纬蒒+區(qū)147以通過P0 145來接觸N-143。
另一方面，可以將第一導(dǎo)電型連接件147的寬度減到最小以抑制第一導(dǎo)電型連接 件147變成泄漏源(leakage source)。為此，根據(jù)實施例，在蝕刻第一金屬接觸件151a之 后，可以進(jìn)行插塞植入(implant)，但是并不局限于此。例如，在形成離子注入圖案之后，可 以利用離子注入圖案作為離子注入掩模來形成第一導(dǎo)電型連接件147。
換句話說，實質(zhì)上僅在所描述的接觸形成區(qū)局部地進(jìn)行N+摻雜的一個原因是將 暗信號減到最小并且有助于歐姆接觸的形成。如果整個Tx源極區(qū)都是N+摻雜，則由于硅 表面懸掛鍵(dangling bond)，可能增加暗信號。 圖3示出讀出電路的另一種結(jié)構(gòu)。如圖3所示，第一導(dǎo)電型連接件148可以形成 在電結(jié)區(qū)140的一側(cè)。參見圖3，可以在？0/^-/ -結(jié)140處形成N+連接區(qū)148，以獲得歐 姆接觸。在這種情況下，在N+連接區(qū)148和M1C接觸件151a的形成過程中，可以產(chǎn)生泄漏 源。這是因為在將反向偏置施加到P0/N-/P-結(jié)140的同時，由于操作，在Si表面上方可能 產(chǎn)生電場(EF)。在接觸件形成過程中在電場里面產(chǎn)生的晶體缺陷可能變成泄漏源。
此外，當(dāng)在？0/^-/ -結(jié)140的表面上形成N+連接區(qū)148時，由于N+/P0結(jié) 148/145，可能會額外產(chǎn)生電場。這種電場也可能變成泄漏源。也就是說，根據(jù)實施例第一 接觸插塞151a的部分形成在沒有摻雜PO層但是包括N+連接區(qū)148的有源區(qū)中，并且該第 一接觸插塞151a連接到N-結(jié)143。因此，在半導(dǎo)體襯底100的表面上方不會產(chǎn)生電場，這 有助于將3D集成CIS的暗電流減到最小。 重新參見圖l，可以在半導(dǎo)體襯底100上和/或上方形成層間介電件160和互連 件150?；ミB件150可以包括第二金屬接觸件151a、第一金屬件(Ml)151、第二金屬件 (M2)152以及第三金屬件(M3)153，但是實施例并不局限于此。在形成第三金屬件153后， 可以沉淀絕緣層以覆蓋第三金屬件153，并且可以平坦化該絕緣層以形成層間介電件160。 這樣，可以在半導(dǎo)體襯底100上暴露具有均勻的表面輪廓的層間介電件160的表面。
參見圖4，可以在層間介電件160上和/或上方形成圖像傳感器件200。圖像傳感 器件200可以是PIN二極管，該PIN二極管包括第一摻雜層(N-型)210、本征層(1-型)220 以及第二摻雜層(P-型)230。例如，通過將N-型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入到晶體載流子襯底(未 示出)的深區(qū)，可以形成圖像傳感器件200的第一摻雜層210。通過將P-型雜質(zhì)進(jìn)行離子 注入到其淺區(qū)，可以形成第二摻雜層230。本征層220可以形成在第一摻雜層210和第二摻 雜層230之間。在實施例中，可以形成本征層220以具有比第一和第二摻雜層230更大的 區(qū)域。在這種情況下，可以擴大耗盡區(qū)以增加光電子的產(chǎn)生。 其次，在載流子襯底的第一摻雜層210位于層間介電件160上和/或上方之后，可 執(zhí)行接合工藝，以將載流子襯底接合到半導(dǎo)體襯底100。此后，通過熱處理或者機械沖擊， 將載流子襯底(其上方形成有氫層)去除，以暴露接合到層間介電件160的圖像傳感器件 200的第二摻雜層230的表面。 因此，圖像傳感器件200可以形成在讀出電路120上方，從而增加填充因數(shù)并且抑 制圖像傳感器件200的缺陷。此外，圖像傳感器件200可以接合到具有均勻的表面輪廓的
6層間介電件160，從而使物理接合強度能夠最大化。 其次，可以在圖像傳感器件200上和/或上方形成硬掩模層240。該硬掩模層240 可以保護(hù)圖像傳感器件200的表面。例如，硬掩模層240可以由氧化物或者氮化物組成。參 見圖5，可以在硬掩模層240上形成光致抗蝕劑圖案。該光致抗蝕劑圖案10可以有選擇地 暴露對應(yīng)于第三金屬件153的硬掩模層240。 利用光致抗蝕劑圖案10作為蝕刻掩模，對硬掩模245進(jìn)行蝕刻工藝。該硬掩模 245可以暴露對應(yīng)于第三金屬件153的圖像傳感器件200。盡管形成了硬掩模245，但是由 于硬掩模245和光致抗蝕劑圖案10的蝕刻率，光致抗蝕劑圖案10仍然可以殘留。其次，利 用光致抗蝕劑圖案10和硬掩模245作為蝕刻掩模，可進(jìn)行蝕刻工藝以形成溝槽250。例如， 通過利用HBr和C12作為蝕刻氣體的蝕刻工藝，可形成溝槽250。該溝槽250的底面可以有 選擇地暴露圖像傳感器件200中的第一摻雜層210。 也就是說，通過溝槽250的底面可以有選擇地暴露對應(yīng)于第三金屬件153的摻雜 層210。由于溝槽250被延伸到第一摻雜層210的一定深度，所以溝槽250的側(cè)壁可以暴露 第二摻雜層230和本征層220的全部以及第一摻雜層210的一部分。 此外，當(dāng)在圖像傳感器件200上進(jìn)行蝕刻工藝以形成溝槽250時，可以在溝槽250 的側(cè)壁上形成緩沖層260。該緩沖層260可以由聚合物組成，該聚合物是在形成溝槽250時 產(chǎn)生的副產(chǎn)品。例如，聚合物可以具有諸如C-C、C-H以及C1-C之類的接合結(jié)構(gòu)?？梢孕?成緩沖層260以便利用在蝕刻工藝中產(chǎn)生的聚合物將該緩沖層260僅連接到溝槽250的側(cè) 壁，其中，光致抗蝕劑圖案10和硬掩模245用作蝕刻掩模。特別地，在形成溝槽250的過程 中可以施加偏置電壓以便僅將聚合物附在溝槽250的側(cè)壁，從而形成緩沖層260。由于緩沖 層260僅有選擇地形成在溝槽250的側(cè)壁上，或者實質(zhì)上如此，因此在用于隔離第一摻雜層 210、本征層220以及第二摻雜層230的蝕刻工藝中，等離子損傷可以被最小化。此外，緩沖 層260可以將圖像傳感器件200和在隨后的工藝中形成的阻擋層270之間的結(jié)應(yīng)力減到最 小。 參見圖6，沿著硬掩模245和包括溝槽250和緩沖層260的圖像傳感器件200的表 面形成阻擋層270。例如，阻擋層270可以由氧化物-氮化物-氧化物(O-N-O)組成。阻擋 層270可以沿著溝槽250的底面以及位于溝槽250的側(cè)壁上的緩沖層以很薄的厚度形成。 由于緩沖層260形成在溝槽250的側(cè)壁上，所以阻擋層和圖像傳感器件200之間的界面應(yīng) 力可以被最小化，因此改善了電特性。 參見圖7，可以在緩沖層260上和/或上方形成阻擋圖案275。通過在阻擋層270 上執(zhí)行毯覆式蝕刻工藝，該阻擋圖案275可以有選擇地僅形成在對應(yīng)于溝槽250的側(cè)壁的 緩沖層260上。因此，緩沖層260和阻擋圖案275可以形成在溝槽250的側(cè)壁上，并且第一 摻雜層210可以有選擇地暴露在溝槽250的底面上。 參見圖8，第一導(dǎo)通孔280可以形成為穿過圖像傳感器件200的第一摻雜層210。 該第一導(dǎo)通孔280可以有選擇地暴露層間絕緣層160的表面。例如，通過利用硬掩模245 和阻擋圖案275作為蝕刻掩模的蝕刻工藝，可以形成第一導(dǎo)通孔280。該第一導(dǎo)通孔280可 以有選擇地去除被利用阻擋圖案275作為蝕刻掩模的蝕刻工藝暴露的第一摻雜層210。
參見圖9，可以向下延伸第一導(dǎo)通孔以形成第二導(dǎo)通孔285，該第二導(dǎo)通孔285暴 露第三金屬件153。通過穿過層間介電件160，該第二導(dǎo)通孔285可以有選擇地暴露第三金屬件153的表面。例如，通過利用硬掩模245和阻擋圖案275作為蝕刻掩模的蝕刻工藝，可 以形成第二導(dǎo)通孔285。因此，本征層220和第二摻雜層230可以被阻擋圖案275覆蓋，并 且第一摻雜層210和第三金屬件153可以通過第一導(dǎo)通孔280和第二導(dǎo)通孔285被暴露。
參見圖IO至圖11，金屬接觸件300可以形成在溝槽250以及第一和第二導(dǎo)通孔 280、285中。第一摻雜層210可通過金屬接觸件300和第三互連件150電連接到讀出電路 120。在于圖像傳感器件200上和/或上方形成金屬層290以間隙填充(g即-fill)溝槽 250以及第一和第二導(dǎo)通孔280、285之后，可通過平坦化工藝形成金屬接觸件300。例如， 金屬接觸件300可以由諸如W、 Al、 Ti、 Ta/Ti、 TiN、 Ti/TiN以及Cu等金屬材料中的一種金 屬材料組成。 可以在第一和第二導(dǎo)通孔280、285中形成金屬接觸件300，以電連接至第三金屬 件153和第一摻雜層210的第一摻雜層210。此外，通過緩沖層260和阻擋圖案275，可以 將金屬接觸件300與圖像傳感器件200的本征層220和第二摻雜層230電隔離。由于用于 將圖像傳感器件200中產(chǎn)生的光電荷傳遞到讀出電路120的金屬接觸件300僅被物理并電 連接到第一摻雜層210，因此圖像傳感器能夠輸出正常的信號。也就是說，由于金屬接觸件 300通過阻擋圖案275與本征層220和第二摻雜層230物理隔離，并且該金屬接觸件300僅 電連接到第一摻雜層210，因此，可以抑制光電二極管短路。 通過像素隔離層，可以將圖像傳感器件200分成多個單位像素。此外，可以在圖像 傳感器件上方上形成電極、濾色鏡以及微透鏡。 根據(jù)實施例，圖像傳感器件形成在其中形成有讀出電路的半導(dǎo)體襯底上，因此，能 夠增加填充因數(shù)。通過形成溝槽和穿過圖像傳感器件的導(dǎo)通孔以及在導(dǎo)通孔中形成金屬接 觸件，以將圖像傳感器件的電子傳遞到讀出電路，從而可以正常執(zhí)行光電荷的信號輸出。由 于阻擋圖案可以形成在溝槽的側(cè)壁上，使得金屬接觸件僅電連接到圖像傳感器件的第一摻 雜層，因此該圖像傳感器件可以作為光電二極管被操作。 此外，在用于圖像傳感器件的PIN隔離的溝槽的形成過程中，可以在溝槽的側(cè)壁 上形成緩沖層，從而將阻擋圖案和圖像傳感器件之間的界面應(yīng)力減到最小，因此提高了諸 如泄漏和阻抗等電特性。由于可以通過利用阻擋圖案作為蝕刻掩模的蝕刻工藝暴露連接至 讀出電路的互連件，因此，不需要分離的掩模，從而簡化了工藝。 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言明顯的和顯而易見的是，可以對公開的實施例進(jìn)行各種 改進(jìn)和變化。因此，公開的實施例旨在涵蓋明顯的和顯而易見的改進(jìn)和變化，只要它們落入 所附權(quán)利要求及其等效范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種圖像傳感器，包括包括讀出電路的半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底上的互連件和層間介電層，所述互連件被連接到所述讀出電路；位于所述層間介電件上的圖像傳感器件；位于所述圖像傳感器件中的溝槽，所述溝槽對應(yīng)于所述互連件；位于所述溝槽的側(cè)壁上的緩沖層；位于所述緩沖層上的阻擋圖案，所述阻擋圖案有選擇地暴露所述溝槽的底面；穿過位于所述阻擋圖案下方的所述圖像傳感器件和所述層間介電件并且暴露所述互連件的導(dǎo)通孔；以及位于所述導(dǎo)通孔中的金屬接觸件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述圖像傳感器件包括堆疊在其中的第一 摻雜層、本征層以及第二摻雜層，并且所述溝槽的底面暴露所述第一摻雜層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述緩沖層是由聚合物組成的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述阻擋圖案是由氧化物_氮化物_氧化 物層，即0N0層，組成的。
5. —種圖像傳感器的制造方法，包括以下步驟 在半導(dǎo)體襯底中形成讀出電路；在所述半導(dǎo)體襯底上形成互連件和層間介電件，所述互連件被連接到所述讀出電路； 在所述層間介電件上形成圖像傳感器件；在所述圖像傳感器件上形成掩模，所述掩模暴露對應(yīng)于所述互連件的所述圖像傳感器件；利用所述掩模作為蝕刻掩模，在所述圖像傳感器件中形成溝槽； 利用在所述溝槽的形成中產(chǎn)生的聚合物，在所述溝槽的側(cè)壁上形成緩沖層； 在所述緩沖層上形成阻擋圖案；利用所述阻擋圖案形成暴露所述互連件的導(dǎo)通孔；以及 在所述導(dǎo)通孔中形成金屬接觸件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述溝槽和所述緩沖層的形成包括以下步驟 在所述圖像傳感器件上形成硬掩模層；在所述硬掩模層上形成光致抗蝕劑圖案，所述光致抗蝕劑圖案暴露對應(yīng)于所述互連件 的所述硬掩模層；利用所述光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，形成有選擇地暴露所述圖像傳感器件的硬掩模；利用所述光致抗蝕劑圖案和所述硬掩模作為蝕刻掩模，蝕刻所述圖像傳感器件，以及 通過將聚合物附著在所述溝槽的側(cè)壁，形成所述緩沖層，所述聚合物是在所述溝槽的 形成中產(chǎn)生的副產(chǎn)品。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中偏置電壓在蝕刻工藝中被施加，以形成所述緩沖層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述阻擋圖案的形成包括以下步驟 沿著其上形成有所述緩沖層的所述溝槽的表面，在所述圖像傳感器件上形成阻擋層；以及在所述阻擋層上進(jìn)行毯覆式蝕刻工藝，以暴露所述圖像傳感器件的上表面和所述溝槽 的底面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述阻擋圖案由0N0層組成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述圖像傳感器件包括堆疊在其中的第一摻雜 層、本征層以及第二摻雜層，并且所述溝槽的底面暴露所述第一摻雜層。
全文摘要
本發(fā)明包括一種圖像傳感器及其制造方法，其中圖像傳感器包括半導(dǎo)體襯底、互連件和層間介電件、圖像傳感器件、溝槽、緩沖層、阻擋圖案、導(dǎo)通孔以及金屬接觸件。半導(dǎo)體襯底包括讀出電路?；ミB件和層間介電層形成在半導(dǎo)體襯底上和/或上方，同時互連件被連接到讀出電路。圖像傳感器件可以形成在層間介電件上和/或上方，并且溝槽可以形成在圖像傳感器件中，溝槽對應(yīng)于互連件。緩沖層可以形成在溝槽的側(cè)壁上。阻擋圖案可以形成在具有導(dǎo)通孔的緩沖層上，導(dǎo)通孔穿過位于阻擋圖案下方的圖像傳感器件和層間介電件，并且暴露互連件。金屬接觸件可形成在導(dǎo)通孔中。本發(fā)明可增加填充因數(shù)、正常執(zhí)行光電荷的信號輸出、改善器件的電特性并簡化工藝。
文檔編號H04N5/374GK101771061SQ20091026528
公開日2010年7月7日 申請日期2009年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者尹基準(zhǔn) 申請人:東部高科股份有限公司