專利名稱：硅電容麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅電容麥克風(fēng)，尤其涉及一種微機(jī)電麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
隨著無(wú)線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來(lái)越多，用戶對(duì)移動(dòng)電話的要求已不 僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移 動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的麥克風(fēng)作為移動(dòng)電話的語(yǔ)音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好 壞直接影響通話質(zhì)量。 而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Micro-Electro-Mech anical-System Microphone,簡(jiǎn)稱MEMS)，相關(guān)技術(shù)中，MEMS麥克風(fēng)包括基底、背板和振膜。 當(dāng)聲波同時(shí)作用于振膜和背板時(shí)，背板在聲波的作用下回產(chǎn)生輕微的振動(dòng)。而MEMS的微結(jié) 構(gòu)幾何尺寸是微米量級(jí)的，背板在聲波作用下的輕微振動(dòng)會(huì)對(duì)聲學(xué)性能產(chǎn)生較大影響。所 以，有必要提供一種可以提高聲學(xué)性能的硅電容麥克風(fēng)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型需解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種聲學(xué)性能得到改善的硅電容麥克風(fēng)。 根據(jù)上述需解決的技術(shù)問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種硅電容麥克風(fēng)，包括設(shè)有空腔的基底、設(shè) 置在基底上的背板和振膜，背板與振膜相對(duì)設(shè)置，分別與背板和振膜耦合的第一電極和第 二電極，背板上設(shè)有聲孔，所述背板的厚度至少為振膜厚度的1. 5倍。 優(yōu)選的，所述振膜位于所述背板和基底之間。 優(yōu)選的，在所述振膜與背板之間設(shè)置有防吸附裝置。 優(yōu)選的，所述防吸附裝置為設(shè)置在背板與振膜相對(duì)的平面上的第一凸起 優(yōu)選的，所述防吸附裝置為設(shè)置在振膜與背板相對(duì)的平面上的第二凸起。 本實(shí)用新型的有益效果在于由于背板的厚度至少是振膜厚度的1.5倍，當(dāng)聲波
同時(shí)作用于振膜和背板時(shí)，背板在聲波的作用下的輕微的振動(dòng)對(duì)聲學(xué)特性影響較小，從而
提高了硅電容麥克風(fēng)的聲學(xué)特性。 由于振膜在基底和背板之間，所以降低了工藝難度，減少了工藝步驟，降低了批量 生產(chǎn)的成本；由于背板和振膜之間有防吸附裝置，即背板上或振膜上有凸起，防止了背板和 振膜吸附在一起。

圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的立體分解圖； 圖2是實(shí)用新型提供一個(gè)實(shí)施例的剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。[0015] 參見(jiàn)圖1和圖2，在本實(shí)用新型提供的一個(gè)實(shí)施例中，硅電容麥克風(fēng)1包括設(shè)有空 腔16的基底11，與基底11相連的支撐層14，設(shè)置在支撐層14上的背板13和振膜12，背板 13與振膜12相對(duì)設(shè)置，背板13上設(shè)有聲孔131，振膜12位于背板13與基底11之間，硅電 容麥克風(fēng)1還包括與背板13耦合的第一電極(未圖示)和與振膜耦合的第二電極(未圖 示)。 背板13和振膜12形成電容結(jié)構(gòu)，在聲波的作用下背板13和振膜12同時(shí)相對(duì)運(yùn) 動(dòng)，改變振膜12和背板13之間的間隙產(chǎn)生電容變化量，實(shí)現(xiàn)聲電轉(zhuǎn)換。為了避免背板13 的振動(dòng)會(huì)對(duì)硅電容麥克風(fēng)1的聲學(xué)性能產(chǎn)生較大的影響，通過(guò)模擬仿真，得到背板13的厚 度至少大于振膜12厚度的1. 5倍，背板13的振動(dòng)對(duì)振膜12的聲學(xué)特性影響較小，從而提 高硅電容麥克風(fēng)1的聲學(xué)特性。 其中，背板13與振膜12之間設(shè)有防背板13與振膜12吸附在一起的防吸附裝置。 該防吸附裝置可以是設(shè)置在背板13與振膜12相對(duì)的平面上的第一凸起132。該第一凸起 132可以防止振膜12與背板13吸附在一起。防吸附裝置還可以是設(shè)置在振膜12與背板相 對(duì)的平面上的第二凸起(未圖示)，還可以是分別設(shè)置在振膜12或背板13上的凹槽。 振膜12可以為圓形或矩形。也可以是其他形狀。振膜12可以位于基底11與背 板13之間，也可以是背板13位于振膜12和基底11之間。 無(wú)論上述哪種實(shí)施方式，振膜12都可以采用多晶硅材料。 以上所述的僅是本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本 實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種硅電容麥克風(fēng)，包括設(shè)有空腔的基底、設(shè)置在基底上的背板和振膜，背板與振膜相對(duì)設(shè)置，分別與背板和振膜耦合的第一電極和第二電極，背板上設(shè)有聲孔，其特征在于所述背板的厚度至少為振膜厚度的1.5倍。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于所述振膜位于所述背板和基底 之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于在所述振膜與背板之間設(shè) 置有防吸附裝置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于所述防吸附裝置為設(shè)置在背板 與振膜相對(duì)的平面上的第一凸起。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于所述防吸附裝置為設(shè)置在振膜 與背板相對(duì)的平面上的第二凸起。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種硅電容麥克風(fēng)，包括設(shè)有空腔的基底、設(shè)置在基底上的背板和振膜，背板與振膜相對(duì)設(shè)置，分別與背板和振膜耦合的第一電極和第二電極，背板上設(shè)有聲孔，所述背板的厚度至少大于振膜厚度的1.5倍?？梢蕴岣吖桦娙蓰溈孙L(fēng)的聲學(xué)性能。
文檔編號(hào)H04R19/04GK201491260SQ20092013259
公開(kāi)日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月5日
發(fā)明者孟珍奎 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(常州)有限公司;瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司