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信號傳送系統(tǒng)及方法

文檔序號:7743417閱讀:227來源:國知局
專利名稱:信號傳送系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種信號傳送系統(tǒng)及方法,特別涉及一種信號傳送系統(tǒng)及方法,其可充分使用數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的頻寬,無需使用電混頻器即可產(chǎn)生參考光載波,從而個別地調(diào)整光載波與信號的光功率比例,使得光功率使用效率達(dá)到最優(yōu)化。
背景技術(shù)
目前寬頻接取技術(shù)正快速的發(fā)展,采用銅線的超高速數(shù)字用戶回路 (Very-high-bit-rate Digital Subscriber Line 2,VDSL2)已經(jīng)可以達(dá)到 100Mbps,無線通訊技術(shù)的無線局域網(wǎng)絡(luò)(Wireless LAN,WLAN)和超寬頻(Ultra-Wide Band,UffB)技術(shù)也都突破100Mbps,并且更宣稱要達(dá)到Kibps的傳輸速率。未來不只是個人電腦與手機(jī),監(jiān)視照相機(jī)、醫(yī)療感應(yīng)器等電子儀器也可以連結(jié)上網(wǎng),傳輸速度顯得特別重要。光纖網(wǎng)絡(luò)具有穩(wěn)定、超大頻寬且長距離傳輸?shù)膬?yōu)點(diǎn),非常適合將各種有線與無線的寬頻接取網(wǎng)絡(luò)連結(jié)到局端。然而,目前光纖寬頻網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)(Fiber-to-the-x,F(xiàn)TTx)的頻寬只有1至2. 5Gbps,在3 至5年后勢必遭遇到瓶頸,無法適應(yīng)這些寬頻接取網(wǎng)絡(luò)龐大數(shù)據(jù)量的需求?,F(xiàn)有的傳輸系統(tǒng)利用正交頻分復(fù)用技術(shù)(Orthogonal FrequencyDivision Multiplexing, OFDM)將10(ibps的信號載在2GHz頻寬之內(nèi)。FTTx所需使用的10(ibps光收發(fā)器可以利用多階(Multilevel)光調(diào)制方式并搭配OFDM多載波傳輸技術(shù),則可以利用低速激光激光器與光二極管達(dá)到10(ibpS傳輸速率。利用多重載波的OFDM技術(shù)搭配64正交幅度調(diào)制(Quadrature Amplitude Modulation,QAM),將高速10(ibps的串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為并行的多通道數(shù)據(jù),載在0. 1至2GHz的頻寬之內(nèi)。如此,不僅可以降低每個子載波(Subcarrier) 傳輸數(shù)據(jù)速率與占用的頻寬以解決光纖色散的問題,同時也可以避免使用單一載波系統(tǒng)所需的反饋均衡(Feedback Equalization)。此外,OFDM系統(tǒng)只需要在每個子載波上放一個乘法器,便可以調(diào)整每個子載波通道的增益,以達(dá)到幾近平坦的通道響應(yīng)。因此,這種系統(tǒng)也比較容易操作在10(ibpS高速的電路。但是,現(xiàn)有的光學(xué)式OFDM在接收端產(chǎn)生互調(diào)失真(Inter-modulation Distortion, IMD)干擾現(xiàn)象。一般的光學(xué)式OFDM在接收端接收時,因?yàn)楣饨邮掌髟谶M(jìn)行光轉(zhuǎn)電的過程中,具有平方器的效果,所以接收的光學(xué)式OFDM信號會平方,產(chǎn)生次載波互相拍差(Beat)的現(xiàn)象,這些拍差的信號頻率會落在次載波兩兩之間的頻率差,從基頻到原本信號所占的頻寬都會分布,這些拍差的信號即所謂“互調(diào)失真”,因?yàn)樗植嫉念l段剛好和所要接收的OFDM信號頻段重疊,所以會造成嚴(yán)重干擾,導(dǎo)致信號接收錯誤。將欲傳送的OFDM信號在傳送端予以升頻,且升頻的頻率只要高于原本信號的頻寬(也就是IMD所分布的頻段),在接收端就可以避免IMD的干擾。利用下列數(shù)學(xué)式解釋如下[ (t) cos ( ω c+ ω RF) t+cos ω ct]2= m2 (t) cos2 (ω c+ ω EF) t+cos2 ω ct+2m (t) cos ω ct X cos (ω c+ ω EF) t m2(t)+m(t) cosco RFt+high frequency terms
4
平方括弧中的式子!11(0(308( 。+(0皿^+(308 4為傳送端光調(diào)制之后送出的光信號,m(t)為想要接收的信號,ω。為光載波頻率,ωKF為在傳送端升頻的頻率。因?yàn)樾盘栐趥魉投松l至《KF,所以經(jīng)過光調(diào)制器之后會比光載波高出coKF的頻率。在接收端接收, 也就是經(jīng)過平方器之后,會產(chǎn)生各項(xiàng)的自我平方項(xiàng),以及兩兩之間的頻率加減項(xiàng)。高頻項(xiàng) (highfrequency terms)可以利用濾波器予以濾除,保留2m⑴的IMD,以及實(shí)際要接收的信號!?。、泞恰癪)^)。由于m(t)已經(jīng)升頻至COkf頻率,而COkf頻率高于IMD所分布的頻段, 因此可以解決IMD的干擾。簡言之,為了解決干擾問題,現(xiàn)有技術(shù)大多利用電混頻器(Mixer)來升頻,但是電混頻器會嚴(yán)重地降低信噪比。另一解決此干擾問題的現(xiàn)有技術(shù)是將信號擺在DAC高頻段位置,但此技術(shù)只使用DAC的一半頻寬,浪費(fèi)數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(Digital to Analog Converter, DAC)頻寬。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種信號傳送系統(tǒng)及方法,其可充分使用DAC頻寬,無需使用電混頻器即可產(chǎn)生參考光載波,從而便個別地調(diào)整光載波與信號的光功率比例,使得光功率使用效率達(dá)到最優(yōu)化。本發(fā)明的信號傳送系統(tǒng)的一實(shí)施例,包含數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器、光調(diào)制器、第一電耦合器、第二電耦合器、光移相器以及光耦合器,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器包含用于傳送第一光載波的第一光波導(dǎo)、用于傳送第二光載波的第二光波導(dǎo)、設(shè)置于該第一光波導(dǎo)上的第一電極以及設(shè)置于該第二光波導(dǎo)上的第二電極;該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器用于將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬電信號;該第一電耦合器用于將該模擬電信號及第一電載波耦合至該第一電極而產(chǎn)生第一調(diào)制波;該第二電耦合器用于將該模擬電信號及第二電載波耦合至該第二電極而產(chǎn)生第二調(diào)制波,該第一電載波與該第二電載波具有預(yù)定相位差;該光移相器用于將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位;該光耦合器,用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而產(chǎn)生光輸出信號,但本發(fā)明并不以此為限。本發(fā)明的信號傳送方法的一實(shí)施例,包含提供光調(diào)制器,其包含用于傳送第一光載波的第一光波導(dǎo)、用于傳送第二光載波的第二光波導(dǎo)、設(shè)置于該第一光波導(dǎo)上的第一電極以及設(shè)置于該第二光波導(dǎo)上的第二電極;將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成該模擬電信號;耦合該模擬電信號及第一電載波至該第一電極以產(chǎn)生第一調(diào)制波;耦合該模擬電信號及第二電載波合至該第二電極以產(chǎn)生第二調(diào)制波,該第一電載波與該第二電載波具有預(yù)定相位差;將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位;耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波以產(chǎn)生光輸出信號,但本發(fā)明并不以此為限。上文已相當(dāng)廣泛地概述了本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn),從而使下文的本發(fā)明詳細(xì)描述得以獲得較佳的了解。構(gòu)成本發(fā)明的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解,可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例作為修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)或過程而實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)了解,這類等效建構(gòu)無法脫離權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。


通過參照前述說明及下列圖式,本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)得以獲得完全了解。圖1例示本發(fā)明的升頻裝置的一實(shí)施例;圖2例示本發(fā)明的光調(diào)制器的轉(zhuǎn)換曲線的一實(shí)施例;圖3至圖5例示本發(fā)明的升頻裝置的頻譜變化的一實(shí)施例;圖6例示本發(fā)明的信號傳送系統(tǒng)的一實(shí)施例;以及圖7至圖9例示本發(fā)明的信號傳送系統(tǒng)的頻譜變化的一實(shí)施例;主要元件符號說明10升頻裝置
12光波產(chǎn)生器
14光分路器
16電波產(chǎn)生器
18電移相器
20光調(diào)制器
22第-一光波導(dǎo)
24第-二光波導(dǎo)
26第-一電極
28第-二電極
32第-一電耦合器
34第-二電耦合器
36光移相器
38光華禹合器
40參考光載波
42基板
100信號傳送系統(tǒng)
102數(shù)據(jù)源
104數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器
106光輸出信號
具體實(shí)施例方式圖1例示本發(fā)明的升頻裝置10的一實(shí)施例。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該升頻裝置 10包含光分路器14、電波產(chǎn)生器16、電移相器18、光調(diào)制器20、第一電耦合器32、第二電耦合器34、光移相器36以及光耦合器38,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中, 該升頻裝置10另包含光波產(chǎn)生器12 (例如激光光源),其用于產(chǎn)生激光光波,該光分路器 14用于將該光波分成第一光載波及第二光載波。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該電波產(chǎn)生器16 用于產(chǎn)生第一電載波及第二電載波,該電移相器18用于將該第二電載波位移90度相位,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20包含用于傳送該第一光載波的第一光波導(dǎo)22、用于傳送該第二光載波的第二光波導(dǎo)24、設(shè)置于該第一光波導(dǎo)22上的第一電極沈以及設(shè)置于該第二光波導(dǎo)M上的第二電極觀,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一電耦合器32用于將該第一電載波耦合至該第一電極沈而產(chǎn)生第一調(diào)制波 (根據(jù)該第一電載波的振幅/相位調(diào)制該第一光載波的振幅/相位以產(chǎn)生該第一調(diào)制波), 該第二電耦合器34用于將該第二電載波耦合至該第二電極觀而產(chǎn)生第二調(diào)制波(根據(jù)該第二電載波的振幅/相位調(diào)制該第二光載波的振幅/相位以產(chǎn)生該第二調(diào)制波),該第一電載波與該第二電載波具有預(yù)定相位差(例如90度),該光移相器36用于將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位(例如90度),該光耦合器38用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而產(chǎn)生參考光載波40,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20是雙邊帶調(diào)制器,其包含鈮酸鋰基板42, 該光分路器14是設(shè)置于該基板42內(nèi)的Y型波導(dǎo),其用于分別耦合該第一光載波及該第二光載波至該第一光波導(dǎo)22及該第二光波導(dǎo)24,該光耦合器38是設(shè)置于該基板42內(nèi)的Y型波導(dǎo),其用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而形成該參考光載波40,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光移相器36是設(shè)置于該第二光波導(dǎo)24上的第三電極,其通過施加預(yù)定電壓而將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位(例如90度),但本發(fā)明并不以此為限。圖2例示本發(fā)明的光調(diào)制器20的轉(zhuǎn)換曲線的一實(shí)施例。若將該光調(diào)制器20的偏壓點(diǎn)設(shè)定為νπ,亦即轉(zhuǎn)換曲線的谷底,將導(dǎo)致輸出光載波信號消失。相對地,若將該光調(diào)制器20的偏壓點(diǎn)設(shè)定為2νπ,亦即轉(zhuǎn)換曲線的谷峰,奇數(shù)倍頻的光次載波信號都消失,只剩下光載波與偶數(shù)倍頻的光次載波信號(詳見本申請發(fā)明人的論文JOURNAL OFLIGHTffAVE TECHNOLOGY, VOL. 26,NO. 15,2008 年 8 月 1 日)。圖3至圖5例示本發(fā)明的升頻裝置10的頻譜變化的一實(shí)施例。參考圖3,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一電載波(頻率為fKF)通過該第一電耦合器32予以耦合至該光調(diào)制器 20的第一電極沈,調(diào)制在該第一電極沈下方的第一光波導(dǎo)22內(nèi)傳播的第一光載波而形成該第一調(diào)制波,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20被偏壓于預(yù)定偏壓(νπ),因此該第一光載波(ω。)被抑制不見了,而該第一電載波(ωκρ)則被調(diào)制到距離該第一光載波(ω。)兩旁頻率fKF的位置,亦即該第一調(diào)制波包含右邊帶(ω。+coKF) 與左邊帶(ω。-coRF),但本發(fā)明并不以此為限。參考圖4,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第二電載波(頻率為fKF)經(jīng)由該電移相器18 位移90度相位后,通過該第一電耦合器34予以耦合至該光調(diào)制器20的第二電極觀,調(diào)制在該第一電極觀下方的第一光波導(dǎo)M內(nèi)傳播的第一光載波而產(chǎn)生該第二調(diào)制波,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20被偏壓于預(yù)定偏壓(νπ),因此該第一光載波(ω。)被抑制不見了,而該第一電載波(ωκρ)則被調(diào)制到距離該第二光載波 (ω。)兩旁頻率fKF的位置,即該第二調(diào)制波包含右邊帶(ω。+coKF)與左邊帶(ω。-coRF),但本發(fā)明并不以此為限。之后,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光移相器36將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位,使得該左邊帶(ω。_ωκρ)的相位與該右邊帶(ω。+ωκρ)的相位相反,但本發(fā)明并不以此為限。參考圖5,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光耦合器38用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而產(chǎn)生參考光載波40,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一調(diào)制波的左邊帶(ω。-ωκ》與該第二調(diào)制波的左邊帶(ω。-ωκ》的相位相反,產(chǎn)生破壞性干涉而彼此抵消;相對地,該第一調(diào)制波的右邊帶(ω。+ωκ》與該第二調(diào)制波的右邊帶(ωε+ωΕρ)的相位相同,產(chǎn)生建設(shè)性干涉而形成該參考光載波40,但本發(fā)明并不以此為限。 簡言之,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該升頻裝置10將該光波產(chǎn)生器12的光波的頻率由ω。升頻至 ω c+COkfo圖6例示本發(fā)明的信號傳送系統(tǒng)100的一實(shí)施例。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該信號傳送系統(tǒng)100包含數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器104、光波產(chǎn)生器12、光分路器14、電波產(chǎn)生器16、電移相器18、光調(diào)制器20、第一電耦合器32、第二電耦合器34、光移相器36以及光耦合器38, 但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器104用于將數(shù)據(jù)源102的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬電信號,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光波產(chǎn)生器12用于產(chǎn)生光波,該光分路器14用于將該光波分成第一光載波及第二光載波,該電波產(chǎn)生器16用于產(chǎn)生第一電載波及第二電載波,該電移相器18用于將該第二電載波位移90度相位,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20包含用于傳送該第一光載波的第一光波導(dǎo)22、用于傳送該第二光載波的第二光波導(dǎo)24、設(shè)置于該第一光波導(dǎo)22上的第一電極沈以及設(shè)置于該第二光波導(dǎo)M上的第二電極觀,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一電耦合器32用于將該第一電載波及該模擬電信號耦合至該第一電極沈而產(chǎn)生第一調(diào)制波,該第二電耦合器34用于將該第二電載波及該模擬電信號耦合至該第二電極觀而產(chǎn)生第二調(diào)制波,該第一電載波與該第二電載波具有預(yù)定相位差(例如90度),該光移相器36用于將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位(例如90度),該光耦合器38用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而產(chǎn)生參考光載波40,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20是雙邊帶調(diào)制器,其包含鈮酸鋰基板42, 該光分路器14是設(shè)置于該基板42內(nèi)之一 Y型波導(dǎo),其用于分別耦合該第一光載波及該第二光載波至該第一光波導(dǎo)22及該第二光波導(dǎo)24,該光耦合器38是設(shè)置于該基板42內(nèi)的 Y型波導(dǎo),其用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而形成該參考光載波,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光移相器36是設(shè)置于該第二光波導(dǎo)M上的第三電極, 其通過施加預(yù)定電壓而將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位(例如90度),但本發(fā)明并不以此為限。圖7至圖9例示本發(fā)明的信號傳送系統(tǒng)100的頻譜變化的一實(shí)施例。參考圖7,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第一電載波(頻率為fKF)及該模擬電信號通過該第一電耦合器32 予以耦合至該光調(diào)制器20的第一電極沈,調(diào)制在該第一電極沈下方的第一光波導(dǎo)22內(nèi)傳播的第一光載波而形成該第一調(diào)制波,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20被偏壓于預(yù)定偏壓(V π ),因此該第一光載波(ω。)被抑制不見了,而該第一電載波(Okf)則被調(diào)制到距離該第一光載波(ω。)兩旁頻率fKF的位置,亦即該第一調(diào)制波包含右邊帶(ω。+ωκ》與左邊帶(ω。-ωκ》,但本發(fā)明并不以此為限。此外,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該模擬電信號維持在基頻,且DAC頻寬不需要分成兩半,因此可以充分使用DAC頻寬,但本發(fā)明并不以此為限。此外,該模擬電信號自始都維持在基頻來處理,因此可以大大降低復(fù)雜度,但本發(fā)明并不以此為限。參考圖8,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該第二電載波(頻率為fKF)經(jīng)由該電移相器 18位移90度相位后,該第二電耦合器34耦合該模擬電信號及移相后的第二電載波至該光調(diào)制器20的第二電極觀,調(diào)制在該第一電極觀下方的第一光波導(dǎo)M內(nèi)傳播的第一光載波而產(chǎn)生該第二調(diào)制波,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光調(diào)制器20被偏壓于預(yù)定偏壓(νπ),因此該第一光載波(ω。)被抑制不見了,而該第一電載波 (ωΕΡ)則被調(diào)制到距離該第二光載波(ω。)兩旁頻率fKF的位置,即該第二調(diào)制波包含右邊帶(ω。+ωκρ)與左邊帶(ω。-ω RF),但本發(fā)明并不以此為限。之后,在本發(fā)明的一實(shí)施例中, 該光移相器36將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位,使得該左邊帶(ω。-coKF)的相位與該右邊帶 (ωε+ωΕρ)的相位相反,但本發(fā)明并不以此為限。參考圖9,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,該光耦合器38用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而產(chǎn)生輸出光信號106,但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明之一實(shí)施例中,該第一調(diào)制波的左邊帶(ω。-ωκ》與該第二調(diào)制波的左邊帶(ω。-ωκ》的相位相反,產(chǎn)生破壞性干涉而彼此抵消;相對地,該第一調(diào)制波的右邊帶(ω。+ωκ》與該第二調(diào)制波的右邊帶 (ωε+ωΕΡ)的相位相同,產(chǎn)生建設(shè)性干涉而形成該輸出光信號106,但本發(fā)明并不以此為限。 此外,在本發(fā)明的一實(shí)施例中,DAC頻寬不需要分成兩半,因此可以充分使用DAC頻寬,但本發(fā)明并不以此為限。此外,該模擬電信號自始都維持在基頻來處理,因此可以大大降低復(fù)雜度,但本發(fā)明并不以此為限。簡言之,本發(fā)明提出一種新式光升頻技術(shù),將該模擬電信號在基頻進(jìn)行光調(diào)制,而升頻所需的虛擬參考光載波則利用電載波來進(jìn)行新穎的單邊帶(Single Sideband)光調(diào)制機(jī)制產(chǎn)生,因此電載波不需要經(jīng)過DAC,所以該模擬電信號可以充分利用DAC頻寬。此外, 電載波和模擬電信號是利用電耦合器予以耦合至光調(diào)制器,因此不需要使用電混頻器。再者,該參考光載波可以通過調(diào)整電載波的功率而個別地調(diào)整參考光載波與模擬電信號的光功率比例,使得光功率使用效率達(dá)到最優(yōu)化。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上,然而本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解,在不背離權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi),本發(fā)明的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如,上文揭示的許多過程可以不同的方法實(shí)施或以其它過程予以取代,或者采用上述二種方式的組合。此外,本申請的權(quán)利范圍并不局限于上文揭示的特定實(shí)施例的過程、機(jī)構(gòu)、制造、 物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解,基于本發(fā)明教示及揭示過程、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟,無論現(xiàn)在已存在或日后開發(fā)的,其與本申請實(shí)施例揭示的是以實(shí)質(zhì)相同的方式執(zhí)行實(shí)質(zhì)相同的功能,而達(dá)到實(shí)質(zhì)相同的結(jié)果,也可使用于本發(fā)明。因此,權(quán)利要求書是用以涵蓋此類過程、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步馬聚ο
權(quán)利要求
1.一種信號傳送系統(tǒng),包含數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器,用于將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬電信號; 光調(diào)制器,包含第一光波導(dǎo),用于傳送第一光載波; 第二光波導(dǎo),用于傳送第二光載波; 第一電極,設(shè)置于該第一光波導(dǎo)上;以及第二電極,設(shè)置于該第二光波導(dǎo)上;第一電耦合器,用于將該模擬電信號及第一電載波耦合至該第一電極而產(chǎn)生第一調(diào)制波;第二電耦合器,用于將該模擬電信號及第二電載波耦合至該第二電極而產(chǎn)生第二調(diào)制波,該第一電載波與該第二電載波具有預(yù)定相位差; 光移相器,用于將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位;以及光耦合器,用于耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波而產(chǎn)生光輸出信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號傳送系統(tǒng),其還包含電波產(chǎn)生器,用于產(chǎn)生該第一電載波及該第二電載波;以及電移相器,用于將該第二電載波位移90度相位。
3 根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號傳送系統(tǒng),其中該光耦合器被偏壓于Vη。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號傳送系統(tǒng),其中該第一電載波與該第二電載波的預(yù)定相位差為90度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號傳送系統(tǒng),其中該第一光載波的頻率為《c,該第一電載波的頻率為《RF,該光調(diào)制器、該光移相器及該電移相器用于產(chǎn)生參考光載波,其頻率為 ωc+ω RF0
6.一種信號傳送方法,包含下列步驟 將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成該模擬電信號; 提供光調(diào)制器,包含第一光波導(dǎo),用于傳送第一光載波; 第二光波導(dǎo),用于傳送第二光載波; 第一電極,設(shè)置于該第一光波導(dǎo)上;以及第二電極,設(shè)置于該第二光波導(dǎo)上;耦合該模擬電信號及第一電載波至該第一電極以產(chǎn)生第一調(diào)制波; 耦合該模擬電信號及第二電載波至該第二電極產(chǎn)生第二調(diào)制波,該第一電載波與該第二電載波具有預(yù)定相位差;將該該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位;以及耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波以產(chǎn)生光輸出信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的信號傳送方法,其還包含 產(chǎn)生該第一電載波及該第二電載波;以及將該第二電載波位移90度相位。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的信號傳送方法,其還包含將該光調(diào)制器偏壓于Vπ。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的信號傳送方法,其中該第一電載波與該第二電載波的預(yù)定相位差為90度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的信號傳送方法,其中該第一光載波的頻率為ω。,該第一電載波的頻率為ω RF,該光輸出信號包含參考光載波,其頻率為ω。+ωκρ。
全文摘要
本發(fā)明涉及信號傳送系統(tǒng)及方法。本發(fā)明的信號傳送方法的一實(shí)施例,包含提供光調(diào)制器,其包含用于傳送第一光載波的第一光波導(dǎo)、用于傳送第二光載波的第二光波導(dǎo)、設(shè)置于該第一光波導(dǎo)上的第一電極以及設(shè)置于該第二光波導(dǎo)上的第二電極;將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成該模擬電信號;耦合該模擬電信號及第一電載波至該第一電極以產(chǎn)生第一調(diào)制波;耦合該模擬電信號及第二電載波至該第二電極以產(chǎn)生第二調(diào)制波,該第一電載波與該第二電載波具有預(yù)定相位差;將該第二調(diào)制波位移預(yù)定相位;耦合該第一調(diào)制波及該第二調(diào)制波以產(chǎn)生光輸出信號,但本發(fā)明并不以此為限。
文檔編號H04L27/26GK102158450SQ20101012233
公開日2011年8月17日 申請日期2010年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者徐達(dá)儒, 林俊廷, 江文智, 祁甡, 陳智弘 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
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