專利名稱：一種電容式微型硅麥克風(fēng)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅麥克風(fēng)及其制備方法，尤其是一種電容式微型硅麥克風(fēng)及其制 備方法，具體地說(shuō)是一種利用MEMS技術(shù)的微型硅麥克風(fēng)及其制備方法。
背景技術(shù)：
MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)技術(shù)是幾年來(lái)高速發(fā)展的一項(xiàng)高新 技術(shù)，與傳統(tǒng)對(duì)應(yīng)器件相比，MEMS器件在體積、功耗、重量等方面都具有十分明顯的優(yōu)勢(shì)， 而且其采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，可以實(shí)現(xiàn)MEMS器件的批量制造，能極好的控制生產(chǎn)成 本，提高器件的一致性。對(duì)于目前的MEMS產(chǎn)品，加速度計(jì)、壓力傳感器、陀螺儀、微鏡、硅麥 克風(fēng)等都已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)，在相應(yīng)的市場(chǎng)上都占有了一定的份額。硅麥克風(fēng)耐高溫、耗電量小以及體積小等特點(diǎn)，使得它在移動(dòng)電話、助聽(tīng)器、筆記 本電腦、PDA、攝像機(jī)等視聽(tīng)產(chǎn)品以及國(guó)防、國(guó)家安全等相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用將更加廣泛。從麥克風(fēng) 市場(chǎng)的預(yù)測(cè)和發(fā)展來(lái)看，硅麥克風(fēng)成為傳統(tǒng)駐極體麥克風(fēng)的替代產(chǎn)品已經(jīng)毋庸置疑，它提 供了令聲學(xué)工程師相當(dāng)滿意的相似的甚至更好的聲學(xué)性能。硅麥克風(fēng)在幾年以后將會(huì)成為 麥克風(fēng)市場(chǎng)上的主要產(chǎn)品。為了開(kāi)發(fā)出高靈敏度和寬帶寬的麥克風(fēng)，高性能振膜的制作至關(guān)重要，振膜制作 面臨的一個(gè)主要問(wèn)題就是振膜應(yīng)力的控制?，F(xiàn)有薄膜的制作主要采用淀積的方法得到，通 過(guò)淀積得到的振膜會(huì)存在較大的殘余應(yīng)力，殘余應(yīng)力對(duì)微型硅麥克風(fēng)的性能有較大影響， 大的殘余應(yīng)力能大幅度降低麥克風(fēng)的靈敏度，壓應(yīng)力還能減小麥克風(fēng)的耐壓能力，嚴(yán)重時(shí) 能使得麥克風(fēng)無(wú)法正常工作。另外，背極板的制作也至關(guān)重要，剛性背極是硅麥克風(fēng)有良好 頻率特性和低噪聲的前提條件。目前改善振膜殘余應(yīng)力通常有兩種方法，一是通過(guò)附加工藝，用退火的方式，這種 方式對(duì)工藝的控制要求極高，重復(fù)性不是很好；另外一種是通過(guò)結(jié)構(gòu)調(diào)整，如制作自由膜結(jié) 構(gòu)，但這種結(jié)構(gòu)的制作會(huì)導(dǎo)致工藝復(fù)雜度的增加，可能需要添加多步工藝，來(lái)控制振膜。而 實(shí)現(xiàn)剛性背極也是麥克風(fēng)制作過(guò)程中的一大難點(diǎn)，目前也是有兩種主要方法來(lái)解決，一是 制作厚背極，但是通過(guò)常規(guī)的淀積工藝很難得到需要的厚背極；還有一種方法是通過(guò)結(jié)構(gòu) 調(diào)整來(lái)提高背極板的剛性，但也是要增加工藝的復(fù)雜度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種電容式微型硅麥克風(fēng)及其 制備方法，其制造成本低、成品率高、工藝操作簡(jiǎn)單及滿足小尺寸的要求。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述電容式微型硅麥克風(fēng)，包括基板；所述基板的中心區(qū)淀積有振膜；基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置基板的表面還淀積有絕緣材料層；所述絕緣材料層覆蓋 在基板與振膜的表面，且與振膜間形成空腔；絕緣材料層與振膜相對(duì)應(yīng)的內(nèi)壁上設(shè)置固定 連接的背極板，所述背極板與振膜形成電容結(jié)構(gòu)；絕緣材料層與振膜相對(duì)應(yīng)的外壁上設(shè)置 若干聲孔，所述聲孔與絕緣材料層、振膜形成的腔體相連通；基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜的下部設(shè)置聲腔，所述聲腔的深度從基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜另一端表面延伸到振膜。所述振膜的一端設(shè)置振膜電極，所述振膜電極與振膜電性連接；所述背極板上設(shè) 有背極板電極，所述背極板電極與背極板電性連接。所述基板對(duì)應(yīng)于淀積振膜的表面設(shè)有 紋膜槽。所述絕緣材料層的材料包括氮化硅及聚酰亞胺。所述振膜上設(shè)有刻蝕孔。所述電容式微型硅麥克風(fēng)的制備方法包括如下步驟a、提供基板，并在基板的表面上設(shè)置紋膜槽；b、在所述基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置紋膜槽的 表面淀積振膜；C、選擇性的掩蔽和刻蝕振膜，得到基板中心區(qū)的振膜；d、在上述基板對(duì)應(yīng) 于設(shè)置振膜的表面上淀積犧牲層，所述犧牲層覆蓋基板及振膜相對(duì)應(yīng)的表面；e、選擇性的 掩蔽和刻蝕犧牲層，得到基板中心區(qū)的犧牲層，并在振膜的一端形成金屬注入孔，所述金屬 注入孔從犧牲層的表面延伸到振膜；f、在犧牲層的表面及金屬注入孔內(nèi)均淀積金屬，在犧 牲層的表面上形成背極板，所述背極板位于振膜的上方；所述振膜對(duì)應(yīng)于設(shè)置金屬注入孔 的表面形成振膜電極；g、在基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置犧牲層的表面上淀積絕緣材料，形成絕緣材料 層，所述絕緣材料層包覆基板、犧牲層、背極板及振膜電極的表面；h、選擇性的掩蔽和刻蝕 絕緣材料層，去除振膜電極上的絕緣材料層，在所述背極板上得到背極板電極與聲孔，所述 聲孔從絕緣材料層的表面延伸到犧牲層；i、選擇性的掩蔽和刻蝕基板對(duì)應(yīng)于淀積振膜的另 一表面，在基板對(duì)應(yīng)于淀積振膜的另一端形成聲腔，所述聲腔位于振膜的下方；聲腔的深度 從基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜的另一端表面延伸到振膜；j、刻蝕犧牲層，去除絕緣材料層包圍的 犧牲層。所述步驟c中，選擇性的掩蔽和刻蝕振膜，得到位于基板中心區(qū)的振膜，并在振膜 上形成刻蝕孔。所述振膜為導(dǎo)電多晶硅或氧化支撐層、氧化層與導(dǎo)電層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。所 述步驟f中淀積的金屬包括金、鎘、鎳或銀。所述犧牲層的材料包括磷硅玻璃或鋁。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)振膜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)靈活，可為紋膜結(jié)構(gòu)，也可為平膜結(jié)構(gòu)。振膜可采用 單一的多晶硅材料通過(guò)高溫退火工藝形成，也可以采用絕緣支撐層、絕緣層與導(dǎo)電層相互 配合形成，達(dá)到來(lái)降低殘余應(yīng)力的目的。通過(guò)犧牲層與絕緣材料層的設(shè)置，背極板與振膜間 的距離可控，既能滿足較強(qiáng)的剛性要求，又能減小寄生電容。制備電容式微型硅麥克風(fēng)的方 法成品率高，成本低，工藝容易實(shí)現(xiàn)，能滿足小尺寸要求，并且適合大批量生產(chǎn)。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2 圖10為本發(fā)明具體實(shí)施工藝步驟示意圖，其中圖2為基板上形成紋膜槽后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為形成絕緣支撐層與絕緣層后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為刻蝕振膜與絕緣層后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為形成犧牲層后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為形成背極板后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為形成聲孔后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為形成聲腔后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為去除犧牲層后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖10為本發(fā)明具有刻蝕孔的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖11為一種振膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖1 圖11所示本發(fā)明包括基板1、紋膜槽2、絕緣支撐層3、絕緣層4、振膜5、 犧牲層6、振膜電極7、背極板8、絕緣材料層9、聲孔10、聲腔11、可動(dòng)梁12、刻蝕孔13及金 屬注入孔14如圖1和圖10所示所述基板1的表面上凹設(shè)有紋膜槽2，基板1對(duì)應(yīng)于設(shè)置紋膜 槽2的表面淀積振膜5。所述振膜5為導(dǎo)電多晶硅或絕緣支撐層3、絕緣層4與導(dǎo)電層形成 復(fù)合結(jié)構(gòu)。當(dāng)振膜5為絕緣支撐層3、絕緣層4與導(dǎo)電層形成復(fù)合結(jié)構(gòu)時(shí)，絕緣支撐層3淀 積在基板1對(duì)應(yīng)于設(shè)置紋膜槽2的表面；所述絕緣支撐層3上再依次淀積絕緣層4與導(dǎo)電 層；通過(guò)絕緣支撐層3與絕緣層4的相互配合，能夠減少振膜5的殘余應(yīng)力。振膜5也可以 采用多晶硅材料，但是需要對(duì)淀積的導(dǎo)電多晶硅進(jìn)行高溫退火。所述振膜5位于基板1的 中心區(qū)；振膜5為絕緣支撐層3、絕緣層4與導(dǎo)電層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)時(shí)，通過(guò)選擇性的掩蔽 和刻蝕復(fù)合結(jié)構(gòu)，使絕緣支撐層3、絕緣層4與導(dǎo)電層形成的振膜5位于基板1的中心區(qū)。所述基板1上還設(shè)有絕緣材料層9 ；所述絕緣材料層9覆蓋在基板1的表面，并與 振膜5形成空腔。所述絕緣材料層9的材料為氮化硅或聚酰亞胺等其他材料。絕緣材料層 9與振膜5相對(duì)應(yīng)的內(nèi)壁上設(shè)置背極板8，所述背極板8與振膜5具有一定的距離，分別形成 電容的上極板與下極板，背極板8與振膜5構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。所述絕緣材料層9與振膜5 — 端相對(duì)應(yīng)的表面設(shè)置金屬注入孔14，所述金屬注入孔14從絕緣材料層9表面伸入到振膜5 的端部，從而將絕緣材料層9與振膜5形成的空腔與外部相連通。振膜5對(duì)應(yīng)于設(shè)置金屬 注入孔14的端部淀積有振膜電極7，所述振膜電極7與振膜5電性連接。所述背極板8上 設(shè)置有背極板電極，所述背極板電極與背極板8電性連接。背極板8的上部設(shè)置聲孔10，所述聲孔10為陣列設(shè)置。所述聲孔10與絕緣材料 層9、振膜5形成的腔體相連通。聲孔10按振膜5以及背極板8形狀排成陣列結(jié)構(gòu)，可以用 于形成過(guò)濾一定頻率或一定頻率范圍內(nèi)的聲學(xué)濾波器，傳播聲壓，調(diào)節(jié)振膜5與背極板8之 間的阻尼，減小噪聲；所述聲孔10可為圓形、方形、橢圓等任意形狀，不同形狀的聲孔，具有 不同的性能影響，如圓形聲孔，有利于釋放空氣壓力，更有效減小壓膜阻尼，但是會(huì)增加工 藝制作的復(fù)雜性；方形聲孔容易制作，但是會(huì)引起應(yīng)力集中問(wèn)題，也會(huì)影響麥克風(fēng)性能?；?對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜5的下部設(shè)置有聲腔11，所述聲腔11位于振膜5的正下 方。聲腔11的深度從基板1對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜5另一端的表面，延伸到振膜5 ；聲腔11的寬 度小于振膜5的長(zhǎng)度。所述振膜5上設(shè)有刻蝕孔13，所述刻蝕孔13能夠減小阻尼，平衡聲 壓。腔體11的大小直接影響硅麥克風(fēng)的性能，特別是其低頻特性。在不影響芯片尺寸的前 提下，盡量增大聲腔11 ；聲腔的形狀根據(jù)不同的工藝可以為圓形或方形，由于受振膜5形狀 以及麥克風(fēng)性能的影響，聲腔11的形狀也需要根據(jù)振膜5的形狀來(lái)設(shè)計(jì)。圖11為振膜5的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11所示，絕緣支撐層3、絕緣層4及導(dǎo)電層形 成振膜5。紋膜槽2設(shè)置在絕緣支撐層3、絕緣層4及導(dǎo)電層形成振膜5的內(nèi)圈。所述振膜 5上設(shè)有刻蝕孔13，所述刻蝕孔13均勻排列在振膜5上。為了提高麥克風(fēng)的靈敏度，所述 振膜5周面上還設(shè)置有可動(dòng)梁12。
上述結(jié)構(gòu)的電容式微型硅麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)通過(guò)如下工藝步驟實(shí)現(xiàn)a、提供基板1，并在基板1的表面上設(shè)置紋膜槽2，如圖2所示；當(dāng)基板1上不設(shè)置紋膜槽2時(shí)，基板1上就能夠得到對(duì)應(yīng)的平膜的振膜5結(jié)構(gòu)；所述基板1的材料為硅；b、在所述基板1對(duì)應(yīng)于設(shè)置紋膜槽2的表面淀積振膜5，所述基板1的表面及紋膜 槽2內(nèi)均形成振膜5，形成紋膜結(jié)構(gòu)的振膜5 ；所述振膜5可以是在基板1的對(duì)應(yīng)于設(shè)置紋膜槽2的表面淀積導(dǎo)電多晶硅并經(jīng)高 溫退火形成；所述振膜5也可以是在基板1對(duì)應(yīng)于設(shè)置紋膜槽2的表面淀積絕緣支撐層3、 絕緣層4及導(dǎo)電層形成，如圖3所示；所述絕緣支撐層3與絕緣層4間相互配合，能夠減小 振膜5的殘余應(yīng)力；所述絕緣支撐層3的材料可以為氧化硅；絕緣層4的材料可以為氮化 娃；C、選擇性的掩蔽和刻蝕振膜5，得到基板1中心區(qū)的振膜5 ；當(dāng)振膜5由絕緣支撐層3、絕緣層4及導(dǎo)電層形成時(shí)，絕緣支撐層3、絕緣層4及導(dǎo) 電層均位于基板1的中心區(qū)，如圖4所示；選擇性的掩蔽和刻蝕振膜5，得到位于基板1中心區(qū)的振膜5，并在振膜5上形成 刻蝕孔13，如圖10所示；所述刻蝕孔13能夠減小阻尼，平衡聲壓；d、在上述基板1對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜5的表面上淀積犧牲層6，所述犧牲層6覆蓋基板 1及振膜5相對(duì)應(yīng)的表面，如圖5所示；所述振膜5與背極板8形成電容的上下極板，所述犧牲層6的材料可為磷硅玻璃 或鋁等材料；通過(guò)后續(xù)工藝對(duì)犧牲層6進(jìn)行處理，能夠形成電容的上下極板之間的空隙；犧 牲層6的厚度決定了電容上下基板間的距離，而電容上下極板間距離的大小直接影響了麥 克風(fēng)的靈敏度、可靠性及信噪比等性能；從而通過(guò)控制淀積犧牲層6的厚度，實(shí)現(xiàn)了控制振 膜5與背極板8間形成的電容上下極板間的距離，操作方便；e、選擇性的掩蔽和刻蝕犧牲層6，得到基板1中心區(qū)的犧牲層6，并在振膜5的一 端形成金屬注入孔14，所述金屬注入孔14從犧牲層6的表面延伸到振膜5 ；f、在犧牲層6的表面及金屬注入孔14內(nèi)均淀積金屬，所述金屬可以為金、鎘、鎳或 銀等材料；在犧牲層6的表面上形成背極板8，所述背極板8位于振膜5的上方；所述振膜 5對(duì)應(yīng)于設(shè)置金屬注入孔14的表面形成振膜電極7，如圖6所示；g、在基板1對(duì)應(yīng)于設(shè)置犧牲層6的表面上淀積絕緣材料，形成絕緣材料層9，所述 絕緣材料層9包覆基板1、犧牲層6、背極板8及振膜電極7的表面；所述絕緣材料層9的材 料可以為氮化硅或聚酰亞胺等材料；h、選擇性的掩蔽和刻蝕絕緣材料層9，去除振膜電極7上的絕緣材料層9，在所述 背極板8上得到背極板電極與聲孔10，所述聲孔10從絕緣材料層9的表面延伸到犧牲層 6，如圖7所示；i、選擇性的掩蔽和刻蝕基板1對(duì)應(yīng)于淀積振膜5的另一表面，在基板1對(duì)應(yīng)于淀 積振膜5的另一端形成聲腔11，所述聲腔11位于振膜5的下方；聲腔11的深度從基板1對(duì) 應(yīng)于設(shè)置振膜5的另一端表面延伸到振膜5，如圖8所示；j、刻蝕犧牲層6，去除絕緣材料層9包圍的犧牲層6，從而形成微型硅麥克風(fēng)的結(jié) 構(gòu)，如圖9所示。
如圖1和圖10所示，使用時(shí)，將振膜5上的振膜電極7、背極板8上的背極板電極 分別與外部檢測(cè)設(shè)備連接，所述振膜5與背極板8間形成電容結(jié)構(gòu)。當(dāng)外部聲音從聲腔11 或聲孔10進(jìn)入時(shí)，進(jìn)入聲腔11或聲孔10的聲音會(huì)對(duì)振膜5產(chǎn)生作用力；振膜5的表面受 到作用力后會(huì)相應(yīng)的發(fā)生形變。當(dāng)振膜5發(fā)生形變時(shí)，振膜5與背極板8形成的電容結(jié)構(gòu) 也會(huì)發(fā)生對(duì)應(yīng)的變化；通過(guò)檢測(cè)振膜電極7與背極板電極輸出的變化，來(lái)檢測(cè)對(duì)應(yīng)的聲音 信號(hào)。本發(fā)明振膜5結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)靈活，可為紋膜結(jié)構(gòu)，也可為平膜結(jié)構(gòu)。振膜5可采用單一的多晶硅材料通過(guò)高溫退火工藝形成，也可以采用絕緣支撐層3、絕緣層4與導(dǎo)電層相互配 合形成，達(dá)到來(lái)降低殘余應(yīng)力的目的。通過(guò)犧牲層6與絕緣材料層9的設(shè)置，背極板8與振 膜5間的距離可控，既能滿足較強(qiáng)的剛性要求，又能減小寄生電容。制備電容式微型硅麥克 風(fēng)的方法成品率高，成本低，工藝容易實(shí)現(xiàn)，能滿足小尺寸要求，并且適合大批量生產(chǎn)。
權(quán)利要求
一種電容式微型硅麥克風(fēng)，包括基板(1)；其特征是所述基板(1)的中心區(qū)淀積有振膜(5)；基板(1)對(duì)應(yīng)于設(shè)置基板(1)的表面還淀積有絕緣材料層(9)；所述絕緣材料層(9)覆蓋在基板(1)與振膜(5)的表面，且與振膜(5)間形成空腔；絕緣材料層(9)與振膜(5)相對(duì)應(yīng)的內(nèi)壁上設(shè)置固定連接的背極板(8)，所述背極板(8)與振膜(5)形成電容結(jié)構(gòu)；絕緣材料層(9)與振膜(5)相對(duì)應(yīng)的外壁上設(shè)置若干聲孔(10)，所述聲孔(10)與絕緣材料層(9)、振膜(5)形成的腔體相連通；基板(1)對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜(5)的下部設(shè)置聲腔(11)，所述聲腔(11)的深度從基板(1)對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜(5)另一端表面延伸到振膜(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征是所述振膜(5)的一端設(shè)置 振膜電極(7)，所述振膜電極(7)與振膜(5)電性連接；所述背極板(8)上設(shè)有背極板電極， 所述背極板電極與背極板(8)電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征是所述基板(1)對(duì)應(yīng)于淀積 振膜(5)的表面設(shè)有紋膜槽(2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征是所述絕緣材料層(9)的材 料包括氮化硅或聚酰亞胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征是所述振膜(5)上設(shè)有刻蝕 孔(13)。
6.一種電容式微型硅麥克風(fēng)的制備方法，其特征是，所述制備方法包括如下步驟(a)、提供基板(1)，并在基板⑴的表面上設(shè)置紋膜槽⑵；(b)、在所述基板(1)對(duì)應(yīng)于設(shè)置紋膜槽(2)的表面淀積振膜(5)；(c)、選擇性的掩蔽和刻蝕振膜(5)，得到基板⑴中心區(qū)的振膜(5)；(d)、在上述基板(1)對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜(5)的表面上淀積犧牲層(6)，所述犧牲層(6)覆 蓋基板(1)及振膜(5)相對(duì)應(yīng)的表面；(e)、選擇性的掩蔽和刻蝕犧牲層(6)，得到基板(1)中心區(qū)的犧牲層(6)，并在振膜(5) 的一端形成金屬注入孔(14)，所述金屬注入孔(14)從犧牲層(6)的表面延伸到振膜(5)；(f)、在犧牲層(6)的表面及金屬注入孔(14)內(nèi)均淀積金屬，在犧牲層(6)的表面上形 成背極板(8)，所述背極板(8)位于振膜(5)的上方；所述振膜(5)對(duì)應(yīng)于設(shè)置金屬注入孔 (14)的表面形成振膜電極(7)；(g)、在基板(1)對(duì)應(yīng)于設(shè)置犧牲層(6)的表面上淀積絕緣材料，形成絕緣材料層(9)， 所述絕緣材料層(9)包覆基板(1)、犧牲層(6)、背極板(8)及振膜電極(7)的表面；(h)、選擇性的掩蔽和刻蝕絕緣材料層(9)，去除振膜電極(7)上的絕緣材料層(9)，在 所述背極板(8)上得到背極板電極與聲孔(10)，所述聲孔(10)從絕緣材料層(9)的表面延 伸到犧牲層(6)；(i)、選擇性的掩蔽和刻蝕基板(1)對(duì)應(yīng)于淀積振膜(5)的另一表面，在基板(1)對(duì)應(yīng) 于淀積振膜(5)的另一端形成聲腔(11)，所述聲腔(11)位于振膜(5)的下方；聲腔(11)的 深度從基板(1)對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜(5)的另一端表面延伸到振膜(5)；(j)、刻蝕犧牲層(6)，去除絕緣材料層(9)包圍的犧牲層(6)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容式微型硅麥克風(fēng)的制備方法，其特征是所述振膜(5) 上形成刻蝕孔(13)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容式微型硅麥克風(fēng)的制備方法，其特征是所述振膜(5)為導(dǎo)電多晶硅或氧化支撐層(3)、氧化層(4)與導(dǎo)電層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容式微型硅麥克風(fēng)的制備方法，其特征是所述步驟(f) 中淀積的金屬包括金、鎘、鎳或銀。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容式微型硅麥克風(fēng)的制備方法，其特征是所述犧牲層 (6)的材料包括磷硅玻璃或鋁。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電容式微型硅麥克風(fēng)及其制備方法。其包括基板；所述基板的中心區(qū)淀積有振膜；基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置基板的表面還淀積有絕緣材料層；所述絕緣材料層覆蓋在基板與振膜的表面，且與振膜間形成空腔；絕緣材料層與振膜相對(duì)應(yīng)的內(nèi)壁上設(shè)置固定連接的背極板，所述背極板與振膜形成電容結(jié)構(gòu)；絕緣材料層與振膜相對(duì)應(yīng)的外壁上設(shè)置若干聲孔，所述聲孔與絕緣材料層、振膜形成的腔體相連通；基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜的下部設(shè)置聲腔，所述聲腔的深度從基板對(duì)應(yīng)于設(shè)置振膜另一端表面延伸到振膜。本發(fā)明制造成本低、成品率高、工藝操作簡(jiǎn)單及滿足小尺寸的要求。
文檔編號(hào)H04R19/04GK101835079SQ20101014250
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者劉同慶, 沈紹群 申請(qǐng)人:無(wú)錫芯感智半導(dǎo)體有限公司