專利名稱：用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片及其輸入電路、數(shù)字麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域，尤其涉及一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片及其輸入電 路、數(shù)字麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
數(shù)字麥克風(fēng)是直接輸出數(shù)字脈沖信號(hào)的麥克風(fēng)電聲組件。數(shù)字麥克風(fēng)具有抗干擾 能力強(qiáng)、集成度高、易于使用等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于對(duì)功耗和體積敏感的便攜式設(shè)備。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖，可以包括麥克風(fēng)11和處理 芯片12，其中，處理芯片12可以包括輸入電路120、放大電路121和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路122。其 中，麥克風(fēng)11將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化為模擬電信號(hào)并發(fā)送給處理芯片12，處理芯片12中的輸入電 路120接收該模擬電信號(hào)，然后放大電路121放大該模擬電信號(hào)，模數(shù)轉(zhuǎn)換電路122將放大 后的模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)并輸出。發(fā)明人在研究本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，麥克風(fēng)11輸出的模擬電信號(hào) 帶有高頻干擾信號(hào)，輸入電路120發(fā)送給放大電路121的模擬電信號(hào)帶有較強(qiáng)的高頻干擾 信號(hào)，導(dǎo)致處理芯片12的抗高頻干擾的能力較差。此外，輸入電路120的電源中也攜帶有 高頻干擾信號(hào)，導(dǎo)致輸入電路120的高頻電源抑制比較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片及其輸入電路、數(shù)字麥克風(fēng)，用以實(shí) 現(xiàn)提高芯片的抗高頻干擾的能力，同時(shí)提高輸入電路的高頻電源抑制比。本發(fā)明提供一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片的輸入電路，包括PMOS管，所述PMOS管的柵極包括第一支路以及第二支路，所述第一支路用于接收 麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，所述PMOS管的源極包括第三支路和第四支路，所述PMOS管的漏 極連接接地信號(hào)；電阻，一端與所述PMOS管的柵極的第二支路連接，另一端連接所述接地信號(hào)；電流源，與所述PMOS管的源極的第四支路連接；低通濾波器，一端與所述PMOS管的源極的第三支路連接，另一端連接放大電路。本發(fā)明還提供一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片，包括輸入電路、放大電路和模數(shù) 轉(zhuǎn)換電路，所述輸入電路包括PMOS管，所述PMOS管的柵極包括第一支路以及第二支路，所述第一支路用于接收 麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，所述PMOS管的源極包括第三支路和第四支路，所述PMOS管的漏 極連接接地信號(hào)；電阻，一端與所述PMOS管的柵極的第二支路連接，另一端連接所述接地信號(hào)；電流源，與所述PMOS管的源極的第四支路連接；低通濾波器，一端與所述PMOS管的源極的第三支路連接，另一端連接放大電路。本發(fā)明還提供一種數(shù)字麥克風(fēng)，包括麥克風(fēng)和處理芯片，所述處理芯片包括輸入
3電路、放大電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，所述輸入電路包括PMOS管，所述PMOS管的柵極包括第一支路以及第二支路，所述第一支路用于接收 麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，所述PMOS管的源極包括第三支路和第四支路，所述PMOS管的漏 極連接接地信號(hào)；電阻，一端與所述PMOS管的柵極的第二支路連接，另一端連接所述接地信號(hào)；電流源，與所述PMOS管的源極的第四支路連接；低通濾波器，一端與所述PMOS管的源極的第三支路連接，另一端連接放大電路。在本發(fā)明中，麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)輸入PMOS管的柵極的第一支路后，通過 PMOS管偏置后，從PMOS管的源極的第三支路輸出模擬電信號(hào)，該模擬電信號(hào)經(jīng)低通濾波器 進(jìn)行低通濾波后發(fā)送給放大電路，由于低通濾波器濾除了模擬電信號(hào)中的高頻干擾信號(hào)， 因此，提高了處理芯片的抗高頻干擾的能力。同時(shí)，低通濾波器也濾除了輸入電路的電源中 攜帶的高頻干擾信號(hào)，提高了輸入電路的高頻電源抑制比。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片的輸入電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明數(shù)字麥克風(fēng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片的輸入電路實(shí)施例如圖2所示，為本發(fā)明用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片的輸入電路實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意 圖，可以包括PMOS管21、電阻22、電流源23和低通濾波器24。其中，PMOS管21的柵極可以包括第一支路211和第二支路212，PMOS管21的源 極可以包括第三支路213和第四支路214。第一支路211用于接收麥克風(fēng)輸出的模擬電信 號(hào)，PMOS管21的漏極216連接接地信號(hào)。電阻22的一端與第二支路212連接，另一端連 接接地信號(hào)。電流源23與第四支路214連接。低通濾波器24的一端與PMOS管21的源極 的第三支路213連接，另一端與放大電路連接。在本實(shí)施例中，麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)輸入PMOS管21的柵極的第一支路211 后，通過PMOS管21偏置后，從PMOS管21的源極的第三支路213輸出模擬電信號(hào)，該模擬 電信號(hào)經(jīng)低通濾波器24進(jìn)行低通濾波后發(fā)送給放大電路，由于低通濾波器24濾除了模擬 電信號(hào)中的高頻干擾信號(hào)，因此，提高了處理芯片的抗高頻干擾的能力。同時(shí)，低通濾波器 24也濾除了輸入電路的電源中攜帶的高頻干擾信號(hào)，提高了輸入電路的高頻電源抑制比。另外，為了減小第一支路所在焊盤(Pad)與襯底之間的寄生電容，PMOS管21的源 極還可以包括第五支路215，第五支路215用于連接第一支路211所在焊盤正下方的金屬 層，該金屬層的面積大于焊盤的面積。具體地，焊盤正下方可以有多個(gè)金屬層，第五支路215 可以與任一金屬層連接。此外，在本實(shí)施例中，電阻22的阻值可以大于或等于IOG歐姆，優(yōu)選地，電阻22的
4阻值大于或等于20G歐姆。用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片實(shí)施例如圖3所示，為本發(fā)明用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，可以包 括輸入電路31、放大電路121和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路122，放大電路121與輸入電路31連接，模數(shù) 轉(zhuǎn)換電路122與放大電路121連接。輸入電路31可以包括前述用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯 片的輸入電路實(shí)施例中任一組件，在此不再贅述。在本實(shí)施例中，輸入電路31接收麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，該模擬電信號(hào)經(jīng)輸入 電路31中的低通濾波器24進(jìn)行低通濾波后發(fā)送給放大電路，由于低通濾波器24濾除了模 擬電信號(hào)中的高頻干擾信號(hào)，因此，提高了處理芯片的抗高頻干擾的能力。同時(shí)，低通濾波 器24也濾除了輸入電路的電源中攜帶的高頻干擾信號(hào)，提高了輸入電路的高頻電源抑制 比。數(shù)字麥克風(fēng)實(shí)施例如圖4所示，為本發(fā)明數(shù)字麥克風(fēng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，可以包括麥克風(fēng)11和處 理芯片41，處理芯片41可以包括輸入電路31、放大電路121和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路122，輸入電路 31與麥克風(fēng)11連接，放大電路121與輸入電路31連接，模數(shù)轉(zhuǎn)換電路122與放大電路121 連接。其中，輸入電路31可以包括前述用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片的輸入電路實(shí)施例中任 一組件，在此不再贅述。在本實(shí)施例中，輸入電路31接收麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，該模擬電信號(hào)經(jīng)輸入 電路31中的低通濾波器24進(jìn)行低通濾波后發(fā)送給放大電路，由于低通濾波器24濾除了模 擬電信號(hào)中的高頻干擾信號(hào)，因此，提高了處理芯片的抗高頻干擾的能力。同時(shí)，低通濾波 器24也濾除了輸入電路的電源中攜帶的高頻干擾信號(hào)，提高了輸入電路的高頻電源抑制 比。本發(fā)明所述的技術(shù)方案并不限于具體實(shí)施方式
中所述的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員 根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案得出其他的實(shí)施方式，同樣屬于本發(fā)明的技術(shù)創(chuàng)新范圍。
權(quán)利要求
一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片的輸入電路，其特征在于，包括PMOS管，所述PMOS管的柵極包括第一支路以及第二支路，所述第一支路用于接收麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，所述PMOS管的源極包括第三支路和第四支路，所述PMOS管的漏極連接接地信號(hào)；電阻，一端與所述PMOS管的柵極的第二支路連接，另一端連接所述接地信號(hào)；電流源，與所述PMOS管的源極的第四支路連接；低通濾波器，一端與所述PMOS管的源極的第三支路連接，另一端連接放大電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸入電路，其特征在于，所述PMOS管的源極還包括第五支路， 所述第五支路用于連接所述第一支路所在焊盤正下方的任一金屬層，所述金屬層的面積大 于所述焊盤的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輸入電路，其特征在于，所述電阻的阻值大于或等于20G 歐姆。
4.一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片，包括輸入電路、放大電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，其特征 在于，所述輸入電路包括PMOS管，所述PMOS管的柵極包括第一支路以及第二支路，所述第一支路用于接收麥克 風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，所述PMOS管的源極包括第三支路和第四支路，所述PMOS管的漏極連 接接地信號(hào)；電阻，一端與所述PMOS管的柵極的第二支路連接，另一端連接所述接地信號(hào)；電流源，與所述PMOS管的源極的第四支路連接；低通濾波器，一端與所述PMOS管的源極的第三支路連接，另一端連接放大電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理芯片，其特征在于，所述PMOS管的源極還包括第五支路， 所述第五支路用于連接所述第一支路所在焊盤正下方的任一金屬層，所述金屬層的面積大 于所述焊盤的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的處理芯片，其特征在于，所述電阻的阻值大于或等于20G 歐姆。
7.一種數(shù)字麥克風(fēng)，包括麥克風(fēng)和處理芯片，所述處理芯片包括輸入電路、放大電路和 模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述輸入電路包括PMOS管，所述PMOS管的柵極包括第一支路以及第二支路，所述第一支路用于接收麥克 風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，所述PMOS管的源極包括第三支路和第四支路，所述PMOS管的漏極連 接接地信號(hào)；電阻，一端與所述PMOS管的柵極的第二支路連接，另一端連接所述接地信號(hào)；電流源，與所述PMOS管的源極的第四支路連接；低通濾波器，一端與所述PMOS管的源極的第三支路連接，另一端連接放大電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的數(shù)字麥克風(fēng)，其特征在于，所述PMOS管的源極還包括第五支 路，所述第五支路用于連接所述第一支路所在焊盤正下方的任一金屬層，所述金屬層的面 積大于所述焊盤的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的數(shù)字麥克風(fēng)，其特征在于，所述電阻的阻值大于或等于 20G歐姆。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片及其輸入電路、數(shù)字麥克風(fēng)。其中，所述用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片的輸入電路包括PMOS管，所述PMOS管的柵極包括第一支路以及第二支路，所述第一支路用于接收麥克風(fēng)輸出的模擬電信號(hào)，所述PMOS管的源極包括第三支路和第四支路，所述PMOS管的漏極連接接地信號(hào)；電阻，一端與所述PMOS管的柵極的第二支路連接，另一端連接所述接地信號(hào)；電流源，與所述PMOS管的源極的第四支路連接；低通濾波器，一端與所述PMOS管的源極的第三支路連接，另一端連接放大電路。本發(fā)明可以提高芯片的抗高頻干擾的能力，同時(shí)提高輸入電路的高頻電源抑制比。
文檔編號(hào)H04R19/04GK101964936SQ20101050591
公開日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2010年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月9日
發(fā)明者曹靖, 王建庭, 王文靜, 白蓉蓉 申請(qǐng)人:北京昆騰微電子有限公司