專利名稱：一種靜音電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及音頻輸出設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靜音電路。
背景技術(shù)：
如圖1所，現(xiàn)有的靜音電路通常是采用單只NPN三極管并聯(lián)在音頻信號(hào)電路中， 通常是并聯(lián)在功放電路的輸入端，但由于普通晶體三極管的導(dǎo)通內(nèi)阻很高，往往靜音效果 不佳，即使在靜音電路啟動(dòng)時(shí)依然會(huì)有較大的殘余輸出，給用戶帶來很多煩惱，尤其是在用 耳機(jī)端口時(shí)，由于耳機(jī)靈敏度非常高，又屬于近場聆聽，只要有一點(diǎn)點(diǎn)殘余輸出都會(huì)比較明 顯。如圖2所示，即使采用兩只同極性普通三極管反相并聯(lián)后連接在功放電路的輸入端，也 不能徹底解決殘余輸出問題。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種靜音電路，能在啟動(dòng)靜 音功能后，有效消功放電路中的殘余輸出。為了達(dá)到上述技術(shù)效果，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種靜音電路，包括音頻信號(hào) 輸入電路，在所述音頻信號(hào)輸入電路中并聯(lián)一個(gè)MOS場效應(yīng)管，其中，所述MOS場效應(yīng)管的 柵極通過第一電阻與靜音處理器相連，漏極與所述音頻信號(hào)輸入電路相連，源極接地，在所 述MOS管的柵極與地之間連接有第二電阻。優(yōu)選的，所述MOS場效應(yīng)管為N型MOS管。優(yōu)選的，在所述MOS管的柵極與地之間還連接有一個(gè)用于濾除雜波干擾的電容， 該電容與所述MOS管的柵極與地之間連接的電阻并聯(lián)。優(yōu)選的，所述靜音處理器輸出高電平有效。實(shí)施本實(shí)用新型實(shí)施例，在所述音頻信號(hào)輸入電路中并聯(lián)一個(gè)MOS場效應(yīng)管，利 用MOS管的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻很低，對高阻抗的音頻信號(hào)通道而言幾乎相當(dāng)于短路的原理，使得 啟動(dòng)靜音電路時(shí)，后級(jí)功放幾乎得不到任何信號(hào)，沒有殘余輸出。利用本實(shí)用新型實(shí)施例提 供的靜音電路，能有效消除電視、音響設(shè)備中開關(guān)機(jī)的噗噗雜音以及各種切換動(dòng)作中的雜 音，以及在播放音樂時(shí)按下MUTE靜音按鍵可以實(shí)現(xiàn)徹底靜音，尤其是對于耳機(jī)用戶更為明
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為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅 是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提 下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種靜音電路的電路原理圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中另一種靜音電路的電路原理圖；[0012]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例中一種靜音電路的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的 實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下 所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例中，在所述音頻信號(hào)輸入電路中并聯(lián)一個(gè)MOS場效應(yīng)管，利用 MOS管的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻很低，對高阻抗的音頻信號(hào)通道而言幾乎相當(dāng)于短路的原理，使得啟 動(dòng)靜音電路時(shí)，后級(jí)功放幾乎得不到任何信號(hào)，徹底消除殘余輸出。 下面將結(jié)合附圖更詳細(xì)的描述本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例。參見圖3，為本實(shí)用新型實(shí)施例中一種靜音電路的電路原理圖，其中，串聯(lián)的電 容Cl、電阻Rl、電阻R2和電容C2組成音頻信號(hào)輸入電路，其中，圖3中Tl端口為音頻信 號(hào)輸入電路的音頻輸入端，T2端口為音頻信號(hào)輸入電路的音頻輸出端，T2端口連接后級(jí) 功放電路，在所述音頻信號(hào)輸入電路中并聯(lián)一個(gè)MOS場效應(yīng)管Q1，所述MOS場效應(yīng)管Ql 的柵極通過第一電阻R3與靜音處理器Mute-controle相連，在圖3中，所述靜音處理器 Mute-controle未示出，其連接在圖3所示的T3端口，Ql的源極接地，漏極與所述音頻信 號(hào)輸入電路相連，實(shí)際應(yīng)用時(shí)，，Ql的漏極不限制于連接在音頻信號(hào)輸入電路的某一具體位 置，只需要連接在功放耦合電容之前，以保證MOS管的漏極上沒有直流電源即可。在所述 MOS管Ql的柵極與地之間連接有第二電阻R4。其中，第一電阻R3和第二電阻R4均為分壓 電阻，設(shè)置在電路中主要是為了保護(hù)MOS管Ql不被燒壞，其具體電阻值需要在應(yīng)用中根據(jù) 實(shí)際情況配置。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述MOS場效應(yīng)管一般為N型MOS管，所述靜音電 路在所述靜音處理器輸出高電平時(shí)才有效。當(dāng)系統(tǒng)正常工作時(shí)，所述靜音處理器輸出的電平為低，即MOS管Ql的柵極G的電 平為低時(shí)，Ql的漏極D與源極S相當(dāng)于開路，對音頻信號(hào)無影響，后級(jí)功放電路正常工作， 將接收到的音頻信號(hào)進(jìn)行放大處理后，通過其左右聲道音頻信號(hào)輸出。當(dāng)系統(tǒng)需要靜音時(shí)，所述靜音處理器Mute-controle發(fā)出高電平的靜音Mute信 號(hào)，MOS管Ql導(dǎo)通，由于MOS管Ql的漏極與源極之間的導(dǎo)通內(nèi)阻Rds很低，通常在幾十毫 歐姆到幾百毫歐姆，對高阻抗的音頻信號(hào)通道而言幾乎相當(dāng)于短路，因此在所述靜音處理 器發(fā)出高電平信號(hào)后，后級(jí)功放幾乎得不到任何信號(hào)，使電路進(jìn)入靜音模式，徹底消除殘余 輸出。所述靜音處理器Mute-controle發(fā)出高/低電平可以通過軟件方式控制，也可以 通過其他觸發(fā)方式觸發(fā)，方式不限。本實(shí)用新型實(shí)施例中，在所述MOS管的柵極與地之間還可以連接一個(gè)容量較小的 電容以濾除雜波干擾，其電容值在1000PF 0. IUF之間，該電容與所述MOS管的柵極與地 之間連接的電阻并聯(lián)，可以通過調(diào)整這個(gè)電容與R4的阻止來實(shí)現(xiàn)控制靜音的緩沖釋放時(shí) 間。實(shí)施本實(shí)用新型實(shí)施例，在所述音頻信號(hào)輸入電路中并聯(lián)一個(gè)MOS場效應(yīng)管，利 用MOS管的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻很低，對高阻抗的音頻信號(hào)通道而言幾乎相當(dāng)于短路的原理，使得啟動(dòng)靜音電路時(shí)，后級(jí)功放幾乎得不到任何信號(hào)，所以沒有殘余輸出。利用本實(shí)用新型實(shí)施 例提供的靜音電路，能有效消除電視、音響設(shè)備中開關(guān)機(jī)的噗噗雜音以及各種切換動(dòng)作中 的雜音，以及在播放音樂時(shí)按下MUTE靜音按鍵可以實(shí)現(xiàn)徹底靜音，尤其是對于耳機(jī)用戶更 為明顯，且電路結(jié)構(gòu)簡單，體積小，成本低廉，可靠。 以上所揭露的僅為本實(shí)用新型一種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用 新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的 范圍。
權(quán)利要求一種靜音電路，包括音頻信號(hào)輸入電路，其特征在于，在所述音頻信號(hào)輸入電路中并聯(lián)一個(gè)MOS場效應(yīng)管，其中，所述MOS場效應(yīng)管的柵極通過第一電阻與靜音處理器相連，漏極與所述音頻信號(hào)輸入電路相連，源極接地，在所述MOS管的柵極與地之間連接有第二電阻。
2.如權(quán)利要求1所述的靜音電路，其特征在于，所述MOS場效應(yīng)管為N型MOS管。
3.如權(quán)利要求2所述的靜音電路，其特征在于，在所述MOS管的柵極與地之間還連接 有一個(gè)用于濾除雜波干擾的電容，該電容與所述MOS管的柵極與地之間連接的第二電阻并聯(lián)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的靜音電路，其特征在于，所述靜音處理器輸出高電 平有效。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種靜音電路，包括音頻信號(hào)輸入電路，在所述音頻信號(hào)輸入電路中并聯(lián)一個(gè)MOS場效應(yīng)管，其中，所述MOS場效應(yīng)管的柵極通過一個(gè)電阻與靜音處理器相連，漏極與所述音頻信號(hào)輸入電路相連，源極接地，在所述MOS管的柵極與地之間連接有另一個(gè)電阻。利用MOS管的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻很低，對高阻抗的音頻信號(hào)通道而言幾乎相當(dāng)于短路的原理，使得啟動(dòng)靜音電路時(shí)，后級(jí)功放幾乎得不到任何信號(hào)，徹底消除殘余輸出，能有效消除電視、音響設(shè)備中開關(guān)機(jī)的噗噗雜音以及各種切換動(dòng)作中的雜音，以及在播放音樂時(shí)按下靜音按鍵可以實(shí)現(xiàn)徹底靜音，尤其是對于耳機(jī)用戶更為明顯，且電路結(jié)構(gòu)簡單，體積小，成本低廉，可靠。
文檔編號(hào)H04R3/00GK201623840SQ20102013891
公開日2010年11月3日 申請日期2010年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月18日
發(fā)明者于豪 申請人:康佳集團(tuán)股份有限公司