專利名稱：硅基麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
硅基麥克風(fēng)
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種麥克風(fēng)，尤其是一種硅基麥克風(fēng)。背景技術(shù)：
隨著無(wú)線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來(lái)越多，用戶對(duì)移動(dòng)電話的要求已不 僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移 動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的麥克風(fēng)作為移動(dòng)電話的語(yǔ)音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好 壞直接影響通話質(zhì)量。目前應(yīng)用較多的麥克風(fēng)包括傳統(tǒng)的駐極體麥克風(fēng)和新興的微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Mi cro-Electro-Mechanical-System Microphone,簡(jiǎn)稱 MEMS 麥克風(fēng))，MEMS 麥克風(fēng)是基于硅 基半導(dǎo)體材料制成，故又稱硅基麥克風(fēng)。其封裝體積比傳統(tǒng)的駐極體麥克風(fēng)小，性能也佳。 因而，近幾年，硅基MEMS麥克風(fēng)取得了很大的發(fā)展空間。如圖5所示，為現(xiàn)有常見(jiàn)的MEMS硅基麥克風(fēng)1，其包括內(nèi)部設(shè)有空腔的基底10和 與基底表面貼合的絕緣層11，在絕緣層之上，還設(shè)有形成電容效應(yīng)的背基板12和振膜(圖 中未顯示)，背極板與振膜相對(duì)且與振膜間隔一定距離，當(dāng)聲音氣流從背極板的通孔傳到振 膜上時(shí)，振膜上下振動(dòng)以產(chǎn)生位移，改變電容器的電容量，電容量的改變使電容器的輸出端 產(chǎn)生相應(yīng)的交變電場(chǎng)，形成了與聲波信號(hào)對(duì)應(yīng)的電信號(hào)，從而完成聲電轉(zhuǎn)換的功能。該背極 板12還設(shè)有與絕緣層相連的側(cè)壁13，側(cè)壁13自背極板周邊延伸而出至絕緣層上，其表面為 圓柱形狀。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型需解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種性能良好的硅基麥克風(fēng)。根據(jù)上述需解決的技術(shù)問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種硅基麥克風(fēng)，其包括硅基底、與硅基底相 連的絕緣層、貫穿硅基底和絕緣層的空腔、與絕緣層相連的背極座，所述背極座包括與絕緣 層相對(duì)的背極板及自背極板周邊延伸而出并環(huán)繞背極板的側(cè)壁，所述側(cè)壁設(shè)有與絕緣層相 連的復(fù)數(shù)個(gè)支撐臂，相鄰支撐臂之間間隔一通孔。根據(jù)上述需解決的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型還設(shè)計(jì)了一種硅基麥克風(fēng)，其包括硅基 底、與硅基底相連的絕緣層、貫穿硅基底和絕緣層的空腔、橫跨于空腔之上且其邊緣與絕緣 層相連的振膜、與絕緣層相連的背極座，所述背極座包括與振膜相對(duì)的背極板及自背極板 周邊延伸而出并環(huán)繞背極板的側(cè)壁，所述側(cè)壁設(shè)有與絕緣層相連的復(fù)數(shù)個(gè)支撐臂，相鄰支 撐臂之間間隔一通孔作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)，所述支撐臂的個(gè)數(shù)為8個(gè)。作為本實(shí)用新型進(jìn)一步改進(jìn)，所述支撐臂的個(gè)數(shù)為16個(gè)。由于本實(shí)用新型背基座的側(cè)壁設(shè)有多個(gè)支撐臂，相鄰支撐臂之間間隔一通孔，可 以減少寄生電容，提高產(chǎn)品的靈敏度；并且，在釋放犧牲層時(shí)，犧牲層可從側(cè)壁的通孔釋放 出來(lái)，以減小泄放時(shí)候酸性溶液對(duì)結(jié)構(gòu)層的破壞；更進(jìn)一步的是，可以調(diào)整阻尼效應(yīng)，從而提高產(chǎn)品的聲學(xué)性能。
圖1是本實(shí)用新型硅基麥克風(fēng)的立體示意圖；圖2是本實(shí)用新型硅基麥克風(fēng)的全剖示意圖；圖3是本實(shí)用新型硅基麥克風(fēng)的立體分解圖；圖4是本實(shí)用新型硅基麥克風(fēng)另一視角的立體分解圖；圖5是現(xiàn)有常見(jiàn)的硅基麥克風(fēng)的立體示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖1、圖2、圖3和圖4所示，僅為本實(shí)用新型硅基麥克風(fēng)的一種實(shí)施方式。該硅 基麥克風(fēng)2包括硅基底20、絕緣層21、振膜22、背基座23等結(jié)構(gòu)層。在硅基底20和絕緣層21上，通過(guò)刻蝕工藝，設(shè)有一貫穿二者的空腔200。該空腔 作為振膜響應(yīng)的聲學(xué)后腔。該振膜22通過(guò)其邊緣與絕緣層相連而被支撐，從而橫跨于空腔之上。背基座23包括背基板230和自背極板周邊延伸而出并環(huán)繞背極板的側(cè)壁231。背 基板230與振膜22相對(duì)，側(cè)壁231設(shè)有多個(gè)支撐臂232，支撐臂232延伸至與絕緣層21相 連，從而使背基座被支撐。該支撐臂的個(gè)數(shù)為8個(gè)或16個(gè)，也可為其他數(shù)目。相鄰的支撐 臂232之間間隔一通孔233，即，側(cè)壁231與絕緣層相連的一端為凹凸結(jié)構(gòu)，如圖3所示。制 作此結(jié)構(gòu)的背基座時(shí)，先將犧牲層的周邊刻蝕出凹凸結(jié)構(gòu)，再在此犧牲層之上沉淀背基座 層，當(dāng)釋放掉犧牲層，原來(lái)犧牲層凸出的部分即為背基座側(cè)壁的通孔，犧牲層凹的部分即為 支撐臂。在振膜與背基板分別設(shè)有電極(24、25)，與振膜相連的電極24可從背基座上的通 孔伸出。振膜與背極板之間形成電容效應(yīng)，當(dāng)聲音氣流傳遞到振膜上時(shí)，振膜上下振動(dòng)以產(chǎn) 生位移，改變電容器的電容量，電容量的改變使電容器的輸出端產(chǎn)生相應(yīng)的交變電場(chǎng)，形成 了與聲波信號(hào)對(duì)應(yīng)的電信號(hào)，從而完成聲電轉(zhuǎn)換的功能。由于本實(shí)用新型背基座的側(cè)壁設(shè)有多個(gè)支撐臂，相鄰支撐臂之間間隔一通孔，可 以減少產(chǎn)品的寄生電容，提高產(chǎn)品的靈敏度；并且，在釋放犧牲層時(shí)，犧牲層可從側(cè)壁的通 孔釋放出來(lái)，以減小泄放時(shí)候酸性溶液對(duì)結(jié)構(gòu)層的破壞；更進(jìn)一步的是，可以調(diào)整阻尼效 應(yīng)，從而提高產(chǎn)品的聲學(xué)性能。以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本實(shí)用 新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種硅基麥克風(fēng)，包括硅基底、與硅基底相連的絕緣層、貫穿硅基底和絕緣層的空腔、與絕緣層相連的背極座，所述背極座包括與絕緣層相對(duì)的背極板及自背極板周邊延伸而出并環(huán)繞背極板的側(cè)壁，其特征在于所述側(cè)壁設(shè)有與絕緣層相連的復(fù)數(shù)個(gè)支撐臂，相鄰支撐臂之間間隔一通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐臂的個(gè)數(shù)為8個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐臂的個(gè)數(shù)為16個(gè)。
4.一種硅基麥克風(fēng)，包括硅基底、與硅基底相連的絕緣層、貫穿硅基底和絕緣層的空 腔、橫跨于空腔之上且其邊緣與絕緣層相連的振膜、與絕緣層相連的背極座，所述背極座包 括與振膜相對(duì)的背極板及自背極板周邊延伸而出并環(huán)繞背極板的側(cè)壁，其特征在于所述 側(cè)壁設(shè)有與絕緣層相連的復(fù)數(shù)個(gè)支撐臂，相鄰支撐臂之間間隔一通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐臂的個(gè)數(shù)為8個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐臂的個(gè)數(shù)為16個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及了一種硅基麥克風(fēng)，其包括硅基底、與硅基底相連的絕緣層、貫穿硅基底和絕緣層的空腔、與絕緣層相連的背極座，所述背極座包括與絕緣層相對(duì)的背極板及自背極板周邊延伸而出并環(huán)繞背極板的側(cè)壁，所述側(cè)壁設(shè)有與絕緣層相連的復(fù)數(shù)個(gè)支撐臂，相鄰支撐臂之間間隔一通孔。由于本實(shí)用新型背基座的結(jié)構(gòu)，可以減少產(chǎn)品的寄生電容，提高產(chǎn)品的靈敏度；并且，在釋放犧牲層時(shí)，犧牲層可從側(cè)壁的通孔釋放出來(lái)，以減小泄放時(shí)候酸性溶液對(duì)結(jié)構(gòu)層的破壞；更進(jìn)一步的可以調(diào)整阻尼效應(yīng)，從而提高產(chǎn)品的聲學(xué)性能。
文檔編號(hào)H04R19/04GK201690596SQ20102021031
公開(kāi)日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2010年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月31日
發(fā)明者張睿, 葛州 申請(qǐng)人:瑞聲微電子科技(常州)有限公司;瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司