專利名稱:一種駐極體電容傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型屬于傳聲器技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,是涉及一種駐極體電容傳聲器。
背景技術(shù):
駐極體電容式傳聲器作為傳聲器的一種,其因體積小、頻率寬、成本低等優(yōu)點而廣 泛應用于電話機、對講機、聲控設(shè)備、手機、耳麥、監(jiān)控設(shè)備、助聽器、MP3,MP4、數(shù)碼相機等電 子產(chǎn)品上。如圖1所示,為現(xiàn)有技術(shù)中一種駐極體電容式傳聲器91,其由駐極體911及場效 應晶體管(FET)912組合而成。其中,所述駐極體911包括殼體9111,設(shè)于殼體9111內(nèi)的膜 片組9112及背極板9113。由于現(xiàn)有駐極體911 一般采用自動化封裝,在自動封裝旋轉(zhuǎn)時因 離心力的作用,膜片組9112會甩至殼體9111 一側(cè)的內(nèi)壁上,又因為殼體9111在加工時是 采用拉伸金屬基材形成圓筒狀,故在殼體9111底部拐角處存在R角,而因R角的存在最后 組裝完成后膜片組9112與殼體9111內(nèi)壁之間為點接觸,二者之間存在間隙,受力不牢固, 如圖2中所示。而由于這種間隙的存在,不僅造成駐極體電容式傳聲器91靈敏度、穩(wěn)定性 極差,尤其是受到撞擊或者跌落時,會改變膜片組9112與殼體9111的相對位置,從而造成 靈敏度的劇烈變化,一般變化會在2dB以上,部分甚至超過3dB,而變化超過3dB以上的駐極 體電容式傳聲器在錄音時,其錄入響度的變化已經(jīng)可以通過人耳區(qū)別出來,因此效果極差; 同時,駐極體電容式傳聲器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定也造成設(shè)計、生產(chǎn)和銷售廠家之間無法正常 銜接,使得公司不良庫存大量積存,從而造成惡性循環(huán)。
實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種內(nèi)部結(jié)構(gòu)好,靈敏度好、性價比高 的駐極體電容傳聲器。為解決上述技術(shù)問題,本實用新型的技術(shù)方案是提供一種駐極體電容傳聲器,包 括駐極體,所述駐極體的殼體內(nèi)置有膜片組,所述膜片組與所述殼體內(nèi)壁接觸的端面向內(nèi) 凹陷形成一臺階。具體地,所述膜片組由一膜環(huán)及置于膜環(huán)上表面的膜片組成,所述臺階設(shè)于所述 膜環(huán)底部。進一步地,所述臺階高度等于或大于殼體內(nèi)壁倒圓半徑。本實用新型中,將膜片組上設(shè)置一臺階,當駐極體電容傳聲器在封裝旋轉(zhuǎn)時,膜片 組在旋轉(zhuǎn)離心力作用下甩至駐極體殼體的一側(cè)內(nèi)壁上時,膜片組的臺階與殼體底部內(nèi)壁的 倒圓角對應,消除二者之間的點接觸,使得膜片組能夠平整地貼附于殼體底部,達到內(nèi)部結(jié) 構(gòu)的緊湊,從而最終保證駐極體電容傳聲器靈敏度的穩(wěn)定性,提高了產(chǎn)品的性價比。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種駐極體電容傳聲器的剖視圖;圖2圖1中A處放大3[0010]圖3是本實用新型提供的第一實施例的剖視圖;圖4是本實用新型提供的實施例中膜片組的剖視圖;圖5是圖3中B處放大圖;圖6是本實用新型提供的第二實施例的剖視圖;圖7是本實用新型提供的第三實施例的剖視圖。
具體實施方式
為了使本實用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白,以 下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實 施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。本實用新型提供的一種駐極體電容傳聲器,包括駐極體,所述駐極體的殼體內(nèi)置 有膜片組,所述膜片組與所述殼體內(nèi)壁接觸的端面向內(nèi)凹陷形成一臺階。本實用新型中,將 膜片組上設(shè)置一臺階,當駐極體電容傳聲器在封裝旋轉(zhuǎn)時,膜片組在旋轉(zhuǎn)離心力作用下甩 至駐極體殼體的一側(cè)內(nèi)壁上時,膜片組的臺階與殼體底部內(nèi)壁的倒圓角對應,消除二者之 間的點接觸,使得膜片組能夠平整地貼附于殼體底部,達到內(nèi)部結(jié)構(gòu)的緊湊,從而最終保證 駐極體電容傳聲器靈敏度的穩(wěn)定性,提高了產(chǎn)品的性價比。以下結(jié)合具體實施例及附圖對本實用新型做進一步詳述。參照圖3,為本實用新型提供的全向駐極體電容傳聲器1剖視圖。圖中,所述全向駐極體電容傳聲器1駐極體11及設(shè)于駐極體11內(nèi)的場效應晶體 管(FET) 12組合而成。所述駐極體11包括一圓柱形殼體111、置于殼體111內(nèi)且從下置上 依次疊加的膜片組112、環(huán)形墊片113、背極板114及銅環(huán)115。其中,殼體111的頂端通過 一線路板116密封,所述場效應晶體管(FET)固定于所述線路板116下表面。所述殼體111 底面板上開設(shè)有至少一通孔。殼體111的底部貼附一防塵布117。參照圖4、圖5,所述膜片 組112由一膜環(huán)1121及置于膜環(huán)1121上表面的膜片1122組成,膜片1122能長時間儲存 電荷量,背極板114與膜片1122之間通過環(huán)形墊片113支撐,以形成駐極片電容結(jié)構(gòu)所需 的空隙。于所述膜環(huán)1121底部向內(nèi)凹陷成一環(huán)形臺階11211。本實用例中,所述全向駐極體電容傳聲器1裝配順序是在殼體111內(nèi)先放入膜片 組112,再依次疊層放入環(huán)形墊片113,背極板114及銅環(huán)115,然后于殼體111的下底面貼 上防塵布117,最后將安裝有場效應晶體管(FET) 12的線路板116密封殼體111的頂端。其 中,由于膜片組112中膜環(huán)1121底部向內(nèi)凹陷形成一臺階11211,且臺階11211高度等于或 大于殼體內(nèi)壁倒圓半徑。故在最后封裝旋轉(zhuǎn)時,臺階11211與殼體111底部內(nèi)壁的倒圓角 對應,消除了二者之間的點接觸,使得膜片組112能夠平整地貼附于殼體底部,達到內(nèi)部結(jié) 構(gòu)的緊湊,從而最終保證駐極體電容傳聲器1靈敏度的穩(wěn)定性,提高了產(chǎn)品的性價比。另外,上述實施例中設(shè)有臺階的膜片組也適用于其它駐極體電容傳聲器。參照圖 6、圖7,為本實用新型提供的另兩種駐極體電容傳聲器。圖6為一種雙向駐極體電容傳聲器 2;圖7是一種單指向駐極體電容傳聲器3。其中,雙向駐極體電容傳聲器2中膜片組212也 包括膜環(huán)2121及置于膜環(huán)2121上表面的膜片2122、單指向駐極體電容傳聲器3中膜片組 312也包括膜環(huán)3121及置于膜環(huán)3121上表面的膜片3122,膜環(huán)2121及膜環(huán)3121底部均 向內(nèi)凹陷形成臺階21211及臺階31211,且臺階21211及臺階31211的高度等于或大于殼體內(nèi)壁倒圓半徑。同樣地,利用臺階21211及臺階31211分別與殼體底部內(nèi)壁的倒圓角對應, 消除了二者之間的點接觸,使得膜片組能夠平整地貼附于殼體底部,達到內(nèi)部結(jié)構(gòu)的緊湊, 從而最終保證駐極體電容傳聲器靈敏度的穩(wěn)定性,提高了產(chǎn)品的性價比。所述雙向駐極體 電容傳聲器2及單指向駐極體電容傳聲器3的其它結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同,此處不作贅述。 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本 實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應包含在本實用新型 的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種駐極體電容傳聲器,包括駐極體,所述駐極體的殼體內(nèi)置有膜片組,其特征在于所述膜片組與所述殼體內(nèi)壁接觸的端面向內(nèi)凹陷形成一臺階。
2.如權(quán)利要求1所述的一種駐極體電容傳聲器,其特征在于所述膜片組由一膜環(huán)及 置于膜環(huán)上表面的膜片組成,所述臺階設(shè)于所述膜環(huán)底部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種駐極體電容傳聲器,其特征在于所述臺階高度等于 或大于殼體內(nèi)壁倒圓半徑。
專利摘要本實用新型公開了一種駐極體電容傳聲器,包括駐極體,所述駐極體的殼體內(nèi)置有膜片組,所述膜片組與所述殼體內(nèi)壁接觸的端面向內(nèi)凹陷形成一臺階。本實用新型中,將膜片組上設(shè)置一臺階,當駐極體電容傳聲器在封裝旋轉(zhuǎn)時,膜片組在旋轉(zhuǎn)離心力作用下甩至駐極體殼體的一側(cè)內(nèi)壁上時,膜片組的臺階與殼體底部內(nèi)壁的倒圓角對應,消除二者之間的點接觸,使得膜片組能夠平整地貼附于殼體底部,達到內(nèi)部結(jié)構(gòu)的緊湊,從而最終保證駐極體電容傳聲器靈敏度的穩(wěn)定性,提高了產(chǎn)品的性價比。
文檔編號H04R19/01GK201708922SQ20102022188
公開日2011年1月12日 申請日期2010年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月10日
發(fā)明者陳虎, 馬云龍 申請人:深圳市豪恩聲學股份有限公司