專利名稱：全雙工傳輸電路和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及全雙工傳輸電路和電子裝置。
背景技術(shù)：
迄今為止，作為用于實(shí)現(xiàn)可雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)难b置，使用被配置為包括電阻器和運(yùn)算放大器的混合電路。例如，通常，該混合電路被廣泛地應(yīng)用于利用電話線和ASDL (非對(duì)稱數(shù)字訂戶線)調(diào)制解調(diào)器的數(shù)據(jù)通信調(diào)制解調(diào)器的模擬前端電路中。另外，為了實(shí)現(xiàn)高速差分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸，已經(jīng)構(gòu)思了一種混合電路，該混合電路被設(shè)計(jì)為信號(hào)發(fā)送緩沖器和信號(hào)接收緩沖器的組合。信號(hào)發(fā)送緩沖器是被配置為包括用于根據(jù)將要傳輸?shù)男盘?hào)來輸出電流的電流源和負(fù)載電阻器的緩沖器。在另一方面，信號(hào)接收緩沖器是被配置為包括兩個(gè)具有彼此不同的增益的放大器的緩沖器。在諸如Yasumoto、Tomita等在2006年2月發(fā)表在ISSCC Dig. Tech. Papers 的第 518 頁到 519 頁上的“A 20Gb/s Bidirectional Transceiver Using a Resistor-Transconductor Hybrid”的文獻(xiàn)中公開了該混合電路的配置。

發(fā)明內(nèi)容
在上述的混合電路中，電阻器以與傳輸線串聯(lián)的方式被插入到信號(hào)發(fā)送緩沖器的輸出端子和混合電路的輸出端子之間的位置。另外，負(fù)載電阻器被插入到信號(hào)發(fā)送緩沖器內(nèi)。另外，組成信號(hào)接收緩沖器的兩個(gè)放大器中的一個(gè)不合期望地操作來在消耗電功率的同時(shí)降低接收信號(hào)的增益。這種配置不可避免地引入功率消耗的增加。另外，在用于實(shí)現(xiàn)雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)难b置中，在數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，信號(hào)發(fā)送緩沖器和信號(hào)接收緩沖器二者都操作。因此，與用于實(shí)現(xiàn)半雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)难b置相比，用于實(shí)現(xiàn)雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)难b置的功率消耗很大。因此，針對(duì)上述問題的本公開希望提供能夠以高速度和小功率消耗實(shí)施操作的全雙工傳輸電路，并且提供利用該電路的電子裝置。為了解決上述問題，根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線；以及內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)。該全雙工傳輸電路包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到電流源和外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和內(nèi)部輸出端子；以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子。由電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。
為了解決上述問題，根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線；內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)；第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到電流源和外部輸入/輸出端子， 其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和內(nèi)部輸出端子；以及第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極和內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子。由電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。為了解決上述問題，根據(jù)本公開的又一實(shí)施例，提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；以及第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)。該全雙工傳輸電路包括第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線；第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)；第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和第一外部輸入 /輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第一內(nèi)部輸出端子；第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子；第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第二電流源和第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第二內(nèi)部輸出端子；以及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，并且由第二電流源所生成的電流以及第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。為了解決上述問題，根據(jù)本公開的又一實(shí)施例，提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；以及第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)。該全雙工傳輸電路還包括第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z 的第二傳輸線；第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；以及第二內(nèi)部輸出端子，輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)。該全雙工傳輸電路還包括第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和第一內(nèi)部輸出端子；第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極和第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子；第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第二電流源和第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和第二內(nèi)部輸出端子；以及第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到第三雙極型晶體管的集電極和第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的電阻變?yōu)榈扔赯，并且由第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第二雙極型晶體管的電阻變?yōu)榈扔赯。另外，為了解決上述問題，根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線；內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)。該全雙工傳輸電路還包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和內(nèi)部輸出端子；以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。由第二電流源所生成的電流以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔诘谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。為了解決上述問題，根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，還提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線；以及內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)。該全雙工傳輸電路還包括第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和外部輸入/輸出端子，其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和內(nèi)部輸出端子；以及第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。由第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔诘谝浑p極型晶體管的射極的電阻的G倍。為了解決上述問題，根據(jù)本公開的又一實(shí)施例，提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；以及第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)。該全雙工傳輸電路還包括第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線；第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；以及第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)。該全雙工傳輸電路還包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第一內(nèi)部輸出端子；第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子；第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三電流源和第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第二內(nèi)部輸出端子；以及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第四電流源和第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。由第二電流源所生成的電流以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔诘谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。由第三電流源所生成的電流以及第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。由第四電流源所生成的電流以及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔诘谌饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。此外，為了解決上述問題，根據(jù)本公開的又一實(shí)施例，提供了一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；以及第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)。 該全雙工傳輸電路還包括第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；以及第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線。該全雙工傳輸電路還包括第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；以及第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)。該全雙工傳輸電路還包括第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和第一內(nèi)部輸出端子；第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子；第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第三電流源和第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和第二內(nèi)部輸出端子；以及第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到第三雙極型晶體管的集電極、第四電流源和第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。由第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔诘谝浑p極型晶體管的射極的電阻的 G倍。由第三電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第三雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔?Z。由第四電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第四雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔诘谌p極型晶體管的射極的電阻的G倍。為了解決上述問題，根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的1/2 倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線，內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)，第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到電流源和外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和內(nèi)部輸出端子，以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子。由電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。另外，為了解決上述問題，根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，提供一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線，內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)，第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到電流源和外部輸入/輸出端子，其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和內(nèi)部輸出端子，以及第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極和內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子。由電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的射極的阻抗變?yōu)榈扔赯。另外，為了解決上述問題，根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，提供一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/ 輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，以及第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路還包括第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線，第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管， 該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第一內(nèi)部輸出端子，第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子，第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第二電流源和第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第二內(nèi)部輸出端子，以及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?1/Z。由第二電流源所生成的電流以及第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。另外，為了解決上述問題，根據(jù)本公開的又一實(shí)施例，提供一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/ 輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，以及第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路還包括第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和第一內(nèi)部輸出端子，第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極和第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子，第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第二電流源和第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和第二內(nèi)部輸出端子，以及第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到第三雙極型晶體管的集電極和第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。由第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。另外，為了解決上述問題，根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線，內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)，第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和內(nèi)部輸出端子，以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子。第一電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。由第二電流源所生成的電流以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔诘谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。另外，為了解決上述問題，根據(jù)本公開的另一實(shí)施例，提供一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子。第一全雙
20工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線，內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)，第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和外部輸入/輸出端子，其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子， 并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和內(nèi)部輸出端子，以及第二雙極型晶體管， 該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。由第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔诘谝浑p極型晶體管的射極的電阻的G倍。
為了解決上述問題，根據(jù)本公開的又一實(shí)施例，提供了一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G >1，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線，第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第一內(nèi)部輸出端子，第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第二內(nèi)部輸入端子，第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三電流源和第二外部輸入 /輸出端子，其柵極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和第二內(nèi)部輸出端子，以及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第四電流源和第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?1/Z。由第二電流源所生成的電流以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔诘谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G 倍。由第三電流源所生成的電流以及第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。由第四電流源所生成的電流以及第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔诘谌饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。為了解決上述問題，根據(jù)本公開的又一實(shí)施例，提供了一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路；第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子連接到第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子。第一全雙工傳輸電路和第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第一差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G >1，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于第二差分信號(hào)的幅度的G/2倍并且相位與第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線，第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，第四差分信號(hào)與第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和第一內(nèi)部輸出端子，第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第二內(nèi)部輸入端子，第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第三電流源和第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和第二內(nèi)部輸出端子，以及第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到第三雙極型晶體管的集電極、第四電流源和第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到第四內(nèi)部輸入端子。由第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。由第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔诘谝浑p極型晶體管的射極的電阻的G倍。由第三電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第三雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。由第四電流源所生成的電流被設(shè)置，使得第四雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔诘谌p極型晶體管的射極的電阻的G倍。此外，上述電子裝置，還包括處理部件，該處理部件生成圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)；以及顯示部件，該顯示部件顯示圖像數(shù)據(jù)。在此情況下，圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)被提供到第一全雙工傳輸電路的內(nèi)部輸入端子，通過傳輸線被發(fā)送到第二全雙工傳輸電路，從第二全雙工傳輸電路的內(nèi)部輸出端子輸出，并且被提供到顯示部件。如上所述，根據(jù)本公開的實(shí)施例，可以提供能夠以高速度和小功耗操作的全雙工傳輸電路，并且可提供利用該全雙工傳輸電路的電子裝置。


圖1是示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的利用MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的全雙工傳輸電路的典型電路配置的說明性示圖；圖2是示出了根據(jù)相同的實(shí)施例的利用雙極型晶體管的全雙工傳輸電路的典型電路配置的說明性示圖；圖3是示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的利用MOS晶體管來實(shí)現(xiàn)差分傳輸方法的全雙工傳輸電路的典型電路配置的說明性示圖；圖4是示出了根據(jù)相同的實(shí)施例的利用雙極型晶體管來實(shí)現(xiàn)差分傳輸方法的全雙工傳輸電路的典型電路配置的說明性示圖；圖5是示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的典型修改的電路配置的說明性示圖；圖6是示出了根據(jù)相同的實(shí)施例的利用雙極型晶體管的全雙工傳輸電路的典型修改的電路配置的說明性示圖；圖7是示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的利用MOS晶體管來實(shí)現(xiàn)差分傳輸方法的全雙工傳輸電路的典型修改的典型電路配置的說明性示圖；圖8是示出了根據(jù)相同的實(shí)施例的利用雙極型晶體管來實(shí)現(xiàn)差分傳輸方法的全雙工傳輸電路的典型修改的典型電路配置的說明性示圖；圖9是示出了利用被配置為包括電阻器和運(yùn)算放大器的普通混合電路的典型全雙工傳輸電路的說明性示圖；圖10是示出了另一個(gè)利用被配置為包括電阻器和運(yùn)算放大器的普通混合電路的典型全雙工傳輸電路的說明性示圖；圖11是示出了實(shí)現(xiàn)普通的半雙工傳輸?shù)牡湫脱b置的說明性示圖；圖12是將被在對(duì)根據(jù)相同的實(shí)施例的由利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作的描述中參照的說明性示圖；圖13是將被在對(duì)根據(jù)相同的實(shí)施例的由利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作的描述中參照的說明性示圖；圖14是將被在對(duì)根據(jù)相同的實(shí)施例的由利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作的描述中參照的說明性示圖；圖15是將被在對(duì)根據(jù)相同的實(shí)施例的由利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的典型修改所實(shí)施的操作的描述中參照的說明性示圖；圖16是將被在對(duì)根據(jù)相同的實(shí)施例的由利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的典型修改所實(shí)施的操作的描述中參照的說明性示圖；圖17是將被在對(duì)根據(jù)相同的實(shí)施例的由利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的典型修改所實(shí)施的操作的描述中參照的說明性示圖；圖18是將被在對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自具有基礎(chǔ)配置的全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性示圖；圖19是將被在對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自具有經(jīng)修改的配置的全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性示圖；圖20是將被在對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自具有基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)配置的全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性示圖；圖21是將被在對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自具有基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)的經(jīng)修改的配置的全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性示圖。
具體實(shí)施例方式通過參照示圖，以下詳細(xì)描述了本公開的優(yōu)選實(shí)施例。要注意，在對(duì)本公開的說明書中及示圖中，用相同的參考標(biāo)號(hào)來表示具有本質(zhì)上相同的功能配置的配置元件，因此，僅說明一次以避免重復(fù)描述。說明流程以下描述簡要說明對(duì)實(shí)現(xiàn)本公開的實(shí)施例的說明流程。首先，通過參照?qǐng)D9和圖 10簡要說明普通全雙工傳輸電路的配置。具體地，簡要描述由普通全雙工傳輸電路所帶來的技術(shù)問題。然后，通過參照?qǐng)D1到圖8說明根據(jù)實(shí)施例的全雙工傳輸電路的配置。然后， 通過參照?qǐng)D12到圖17說明由根據(jù)實(shí)施例的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作。然后，通過參照?qǐng)D18到圖21說明用于將根據(jù)實(shí)施例的全雙工傳輸電路應(yīng)用到電子裝置的方法。最后， 總結(jié)根據(jù)實(shí)施例的技術(shù)概念并簡要描述從技術(shù)概念所獲得的效果。說明章節(jié)1 介紹(對(duì)普通全雙工傳輸電路的說明)2 實(shí)施例2-1 全雙工傳輸電路的配置(對(duì)原理的說明)2-1-1 第一配置(利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置)2-1-2 第二配置(利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置)2-1-3 第三配置(利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置的差分實(shí)現(xiàn))2-1-4 第四配置(利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置的差分實(shí)現(xiàn))2-1-5 第五配置(利用MOS晶體管的典型修改)2-1-6 第六配置(利用雙極型晶體管的典型修改)2-1-7 第七配置(利用MOS晶體管的典型修改的差分配置)2-1-8 第八配置(利用雙極型晶體管的典型修改的差分配置)2-2 全雙工傳輸電路的操作2-2-1 第一配置(基礎(chǔ)配置)的操作2-2-2 第五配置(典型修改)的操作2-3 裝置內(nèi)部傳輸?shù)牡湫蛻?yīng)用2-3-1 第一配置(基礎(chǔ)配置)的典型應(yīng)用2-3-2 第五配置(典型修改)的典型應(yīng)用2-3-3 第三配置(基礎(chǔ)配置的差分實(shí)現(xiàn))的典型應(yīng)用2-3-4 第七配置(典型修改的差分實(shí)現(xiàn))的典型應(yīng)用3 結(jié)論1 介紹(對(duì)普通全雙工傳輸電路的說明)首先，以下描述簡要說明普通全雙工傳輸電路的配置和由全雙工傳輸電路所帶來的問題。典型普通全雙工傳輸電路的第一示例#1首先，要求讀者參照?qǐng)D9。圖9是示出了利用被配置為包括電阻器和運(yùn)算放大器的普通混合電路的典型全雙工傳輸電路的說明性示圖。如在圖中所示，該全雙工傳輸電路利用混合電路110、信號(hào)發(fā)送部件130、信號(hào)接收部件140和傳輸線120?；旌想娐?10具有信號(hào)發(fā)送緩沖器111和包括放大器112以及電阻器R2和R3的信號(hào)接收緩沖器。在以下的描述中，為了簡單，假定傳輸線120的阻抗Z 具有表示電阻的實(shí)部。另外，放大器112被看作是理想的運(yùn)算放大器。那就是說，假定等式 c = d為真，或換言之，假定在點(diǎn)c處出現(xiàn)的電勢(shì)等于在點(diǎn)d處出現(xiàn)的電勢(shì)。另外，信號(hào)發(fā)送緩沖器111的輸出端被看作是理想的電壓源，并且，假定信號(hào)發(fā)送緩沖器111的輸出阻抗是 0Ω。從外部看混合電路110的端子c的輸出阻抗是電阻器R1。另外，為了實(shí)現(xiàn)混合電路110和傳輸線120的阻抗匹配，必須調(diào)整電阻器Rl的電阻，以便滿足等式Rl = Z0另外， 為了防止由信號(hào)發(fā)送緩沖器111輸出的信號(hào)d通過放大器112潛行(sneak around)至信號(hào)接收部件140，必須調(diào)整電阻器R2和R3，以便滿足等式R2/R3 = R1/Z = 1。從信號(hào)發(fā)送部件130提供給混合電路110的信號(hào)a被從信號(hào)發(fā)送緩沖器111輸出到節(jié)點(diǎn)d，并且，經(jīng)由電阻器Rl傳播到傳輸線120。可基于根據(jù)以下等式從電阻器Rl和Z 得出的比率來從信號(hào)d計(jì)算出由混合電路110輸出的信號(hào)c c = d*Z/(Rl+Z) = d/2這就是說，具有等于輸出到傳輸線120的功率的大小的功率被在混合電路110的電阻器Rl中消耗。以上所給出的描述已經(jīng)說明了被配置為包括信號(hào)發(fā)送緩沖器111、放大器112(其具有理想電壓輸出)以及電阻R2和R3的混合電路110的配置，并且，說明了利用混合電路 110的全雙工傳輸電路的配置。典型普通全雙工傳輸電路的第二示例#2現(xiàn)今，差分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸被廣泛用作具有超過若干(ibps的高速度的傳輸。在這種應(yīng)用的情形中，使用在圖10中所示的全雙工傳輸電路。如在圖中所示，該全雙工傳輸電路利用混合電路210、信號(hào)發(fā)送部件230、信號(hào)接收部件M0，以及傳輸線220。混合電路210包括信號(hào)發(fā)送緩沖器211和信號(hào)接收緩沖器，該信號(hào)接收緩沖器包括具有彼此不同的跨導(dǎo) (transconductance)gffl的放大器212和213。信號(hào)發(fā)送緩沖器211包括用于根據(jù)將要發(fā)送的信號(hào)來生成電流的電流源和嵌入式電阻器RO的組合。為了確?；旌想娐?10和傳輸線 220的阻抗匹配，必須調(diào)整嵌入在信號(hào)發(fā)送緩沖器211中的電阻器RO以及混合電路210的電阻器Rl的阻抗，以便滿足等式R0+R1 = Ζ。在以下的描述中，為了簡單，假定等式RO = Rl = 1/2 為真。信號(hào)發(fā)送緩沖器211根據(jù)從信號(hào)發(fā)送部件230接收的所發(fā)送的信號(hào)a來生成電流輸出iout。該電流輸出按如下導(dǎo)致電壓d和c :d = 3/8*iout*Z和c = 2/8*iout*Z。在那時(shí)，在電阻器R0、Rl和Z中所消耗的電功率分別是9/32*iout*iout*Z、l/32*iout*iout*Z 和2/32*iOUt*iOUt*Z。那就是說，在信號(hào)發(fā)送緩沖器211的負(fù)載電阻器RO中所消耗的電功率是發(fā)送到傳輸線220的電功率的4. 5倍，而在混合電路210的電阻器Rl中所消耗的電功率是發(fā)送到傳輸線220的電功率的0. 5倍。要注意，如果兩個(gè)放大器212和213的跨導(dǎo)被分別設(shè)置為_2*gm和3*gm，則信號(hào)發(fā)送緩沖器211的輸出被放大器212和213的輸出所抵消，因此，可以防止數(shù)據(jù)從信號(hào)發(fā)送部件230潛行到信號(hào)接收部件M0。
來自傳輸線220的接收電流iin按如下導(dǎo)致電壓c和d:c = iin*Z和d = l/2*iin*Z。在那時(shí)，在電阻器RO和Rl中所消耗的電功率分別是l/2*iin*iin*Z和 l/2*iin*iin*Z。在c和d處所生成的電壓被分別提供到放大器213和212。因此，在b處所獲得的接收信號(hào)具有按如下所表示的大小b = RL*(3*gm*iin*Z-2*gm*l/2*iin*Z)= RI>2*gm*iin*Z。在該情形中，放大器212用作所接收信號(hào)的反相放大器。因此，放大器212 操作來降低放大器213的增益。那就是說，在信號(hào)接收操作中，放大器212降低總增益，同時(shí)消耗電功率。以上所給出的描述已經(jīng)簡要描述了應(yīng)用于高速實(shí)施的差分?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)娜p工傳輸電路的配置。如上所示，在利用被配置為包括電阻器和放大器的混合電路的全雙工傳輸裝置 (或，全雙工傳輸電路)中，電阻器Rl被以與傳輸線串聯(lián)的方式插入到在信號(hào)發(fā)送緩沖器的輸出端子和混合電路的輸出端子之間的位置處。因此，為了增加傳輸速度，電阻器Rl不合期望地降低連接到傳輸線的阻性負(fù)載的信號(hào)發(fā)送緩沖器的輸出效率。另外，在全雙工傳輸裝置的情形中，該全雙工傳輸裝置具有信號(hào)接收緩沖器被實(shí)現(xiàn)為兩個(gè)帶有彼此不同的跨導(dǎo)&的放大器的組合的配置，存在如下所不希望的副作用兩個(gè)放大器中的一個(gè)減小接收信號(hào)的增益，同時(shí)消耗電功率。另外，當(dāng)然，在全雙工傳輸裝置(或全雙工傳輸電路)中的任一個(gè)中，信號(hào)發(fā)送緩沖器和信號(hào)接收緩沖器二者在全雙工傳輸時(shí)段一直操作，使得信號(hào)發(fā)送緩沖器和信號(hào)接收緩沖器二者都消耗電功率。因此，相比于在圖11中所示出的半雙工傳輸電路用作用于以時(shí)分方式在兩個(gè)方向上實(shí)施信號(hào)傳輸?shù)陌腚p工傳輸電路，這種全雙工傳輸電路具有大的功率消耗。如上所述，普通的全雙工傳輸電路帶來大功率消耗的問題。為了解決該問題，本公開的發(fā)明人已經(jīng)構(gòu)想出能夠以高速度和小功率消耗操作的全雙工傳輸電路。2 實(shí)施例按照如下說明本公開的實(shí)施例2-1 全雙工傳輸電路的配置(對(duì)原理的說明)按照如下說明根據(jù)實(shí)施例的全雙工傳輸電路的配置。2-1-1 第一配置(利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置)首先，通過參照?qǐng)D1來說明利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置。如在圖中所示，在利用 MOS晶體管的基礎(chǔ)配置中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用MOS晶體管。在以下的描述中，在某些情形中，在圖1中所示的電路配置被稱為第一配置。要注意，在本公開的說明書中所使用的技術(shù)術(shù)語“M0S”代表金屬氧化物半導(dǎo)體。如在圖1中所示，具有第一配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源10、M0S晶體管Ila和12a、內(nèi)部輸入端子TXO和TX1、內(nèi)部輸出端子RX，以及外部輸入/輸出端子10。 另外，外部輸入/輸出端子IO被連接到具有特性阻抗Z的傳輸線13。MOS晶體管Ila的源極被連接到電流源10和外部輸入/輸出端子10，而MOS晶體管Ila的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子ΤΧ0。在另一方面，MOS晶體管Ila的漏極被連接到 MOS晶體管12a的源極和內(nèi)部輸出端子RX。那就是說，MOS晶體管12a的源極被連接到MOS 晶體管Ila的漏極和內(nèi)部輸出端子RX。另外，MOS晶體管12a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子 TXl。
要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收將要發(fā)送的信號(hào)。在以下的描述中，將要發(fā)送的信號(hào)也被稱為是發(fā)送信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收與提供到內(nèi)部輸入端子TXO的發(fā)送信號(hào)具有相同的相位以及具有與將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的1/2的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。另外，由電流源10所生成的電流Ib和MOS晶體管Ila的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管Ila的跨導(dǎo)^11等于1/Z。通過以這種方式設(shè)置電流Ib和MOS晶體管Ila的大小，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IO和傳輸線13的阻抗匹配。另外，MOS晶體管12a的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管12a的跨導(dǎo)gm等于MOS晶體管Ila的跨導(dǎo)gm。當(dāng)將要發(fā)送的信號(hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXO時(shí)，將要發(fā)送的信號(hào)由MOS晶體管 Ila同相放大，并且，從MOS晶體管Ila的源極輸出到外部輸入/輸出端子10。另外，該將要發(fā)送的信號(hào)被由MOS晶體管Ila反相放大，MOS晶體管Ila的漏極輸出到內(nèi)部輸出端子 RX。在另一方面，當(dāng)?shù)窒盘?hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXl時(shí)，該抵消信號(hào)被MOS晶體管1 同相放大，并且，從MOS晶體管12a的源極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。被MOS晶體管12a同相放大并從MOS晶體管12a的源極輸出到內(nèi)部輸出端子RX的抵消信號(hào)抵消由MOS晶體管 Ila反相放大并從MOS晶體管Ila的漏極輸出到內(nèi)部輸出端子RX的發(fā)送信號(hào)。因此，可以防止電流流出至內(nèi)部輸出端子RX。在另一方面，來自外部輸入/輸出端子IO的接收信號(hào)由具有接地基極的MOS晶體管Ila的源極阻抗Z所終止。該接收信號(hào)由MOS晶體管Ila同相放大，并且，被從MOS晶體管Ila的漏極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。通過這種方式，在電流通過其從電源流至地的電流路徑上，對(duì)于來自外部輸入/ 輸出端子IO的接收信號(hào)，MOS晶體管Ila用作放大電路，其柵極在針對(duì)接收信號(hào)的第一階段連接到地。另外，對(duì)于來自內(nèi)部輸入端子TXO的發(fā)送信號(hào)，MOS晶體管Ila用作設(shè)置在最后階段的源極跟隨器放大電路，其作為用于將信號(hào)輸出到外部輸入/輸出端子IO的放大電路。在另一方面，MOS晶體管1 用作用于抵消從內(nèi)部輸入端子TXO潛行到內(nèi)部輸出端子RX的信號(hào)的源極跟隨器放大電路。以上描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的用作利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的第一配置的基于MOS晶體管的基礎(chǔ)配置。2-1-2 第二配置(利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置)接下來，通過參照?qǐng)D2來說明利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置。如在圖中所示，在利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用雙極型晶體管。 在以下的描述中，在某些情形中，在圖2中所示的電路配置被稱為第二配置。如在圖2中所示，具有第二配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源10、雙極型晶體管lib和12b、內(nèi)部輸入端子TXO和TX1、內(nèi)部輸出端子RX，以及外部輸入/輸出端子 10。另外，外部輸入/輸出端子IO被連接到具有特性阻抗Z的傳輸線13。雙極型晶體管lib的射極被連接到電流源10和外部輸入/輸出端子10，而雙極型晶體管lib的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TXO。在另一方面，雙極型晶體管lib的集電極被連接到雙極型晶體管12b的射極和內(nèi)部輸出端子RX。那就是說，雙極型晶體管12b的射極被連接到雙極型晶體管lib的集電極和內(nèi)部輸出端子RX。另外，雙極型晶體管12b的基極
27被連接到內(nèi)部輸入端子TXl。要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收將要發(fā)送的信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXO的發(fā)送信號(hào)相同的相位和等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的1/2 的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。另外，由電流源10所生成的電流Ibq被設(shè)置，使得雙極型晶體管lib的射極電阻re 等于Z。通過以這種方式設(shè)置電流IB0，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IO和傳輸線13的阻抗匹配。當(dāng)將要發(fā)送的信號(hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXO時(shí)，將要發(fā)送的信號(hào)被雙極型晶體管lib同相放大，并且，從雙極型晶體管lib的射極輸出到外部輸入/輸出端子10。另外， 該將要發(fā)送的信號(hào)被雙極型晶體管lib反相放大，從雙極型晶體管lib的集電極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。在另一方面，當(dāng)?shù)窒盘?hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXl時(shí)，抵消信號(hào)被雙極型晶體管12b同相放大，并且，從雙極型晶體管12b的射極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。被雙極型晶體管12b同相放大并且從雙極型晶體管12b的射極輸出到內(nèi)部輸出端子RX的抵消信號(hào)抵消被雙極型晶體管lib反相放大并從雙極型晶體管lib的集電極輸出到內(nèi)部輸出端子 RX的發(fā)送信號(hào)。因此，可以防止電流流出至內(nèi)部輸出端子RX。在另一方面，來自外部輸入/輸出端子IO的接收信號(hào)被具有接地基極的雙極型晶體管lib的射極阻抗Z終止。該接收信號(hào)被雙極型晶體管lib同相放大，并且，從雙極型晶體管lib的集電極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。通過這種方式，在電流通過其從電源流至地的電流路徑上，對(duì)于來自外部輸入/ 輸出端子IO的接收信號(hào)，雙極型晶體管lib用作其基極在接收信號(hào)的第一階段被連接到地的放大電路。另外，對(duì)于來自內(nèi)部輸入端子TXO的發(fā)送信號(hào)，雙極型晶體管lib用作被設(shè)置在最后階段的射極跟隨器放大電路，作為用于將信號(hào)輸出到外部輸入/輸出端子IO的放大電路。在另一方面，雙極型晶體管12b用作用于抵消從內(nèi)部輸入端子TXO潛行到內(nèi)部輸出端子RX的信號(hào)的射極跟隨器放大電路。以上描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的用作利用雙極型晶體管的全雙工傳輸電路的第二配置的基于雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置。2-1-3 第三配置(利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置的差分實(shí)現(xiàn))接下來，通過參照?qǐng)D3來說明利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置的基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)。 如在圖中所示，在利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置的基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用MOS晶體管。在以下的描述中，在某些情形中，在圖3中所示的電路配置被稱為第三配置。要注意，第三配置是通過修改第一配置以便允許對(duì)差分信號(hào)傳輸?shù)膽?yīng)用而獲得的。如在圖3中所示，具有第三配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源20和23， MOS晶體管21a、22a、Ma和25a、內(nèi)部輸入端子TX0、TX1、TX0X和ΤΧ1Χ、內(nèi)部輸出端子RX和 RXX,以及外部輸入/輸出端子IO和Ι0Χ。另外，外部輸入/輸出端子IO和IOX被分別連接到各自具有特性阻抗Z的傳輸線沈和27。MOS晶體管21a的源極被連接到電流源20和外部輸入/輸出端子10，而MOS晶體管21a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子ΤΧ0。在另一方面，MOS晶體管21a的漏極被連接到 MOS晶體管22a的源極和內(nèi)部輸出端子RX。那就是說，MOS晶體管2 的源極被連接到MOS晶體管21a的漏極和內(nèi)部輸出端子RX。另外，MOS晶體管22a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子 TX1。另外，MOS晶體管Ma的源極被連接到電流源23和外部輸入/輸出端子Ι0Χ，而 MOS晶體管Ma的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子ΤΧ0Χ。在另一方面，MOS晶體管Ma的漏極被連接到MOS晶體管25a的源極和內(nèi)部輸出端子RXX。那就是說，MOS晶體管25a的源極被連接到MOS晶體管2 的漏極和內(nèi)部輸出端子RXX。另外，MOS晶體管2 的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子TX1X。要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收第一差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXO的第一差分信號(hào)相同的相位和等于第一差分信號(hào)的幅度的1/2 的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。同樣地，內(nèi)部輸入端子TXOX接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXlX接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXOX的第二差分信號(hào)相同的相位和等于第二差分信號(hào)的幅度的1/2的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXlX的信號(hào)還被稱為是抵消信號(hào)。另外，由電流源20和23所生成的電流Ib以及MOS晶體管21a和2 的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管21a和Ma的跨導(dǎo)gm等于1/Z。另外，MOS晶體管2 和25a的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管2 和25a的跨導(dǎo)gm等于MOS晶體管21a和Ma的跨導(dǎo)gm。以上的描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的用作利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的第三配置的基于MOS晶體管的差分配置。2-1-4 第四配置(利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置的差分實(shí)現(xiàn))接下來，通過參照?qǐng)D4說明利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置的基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)。如在圖中所示，在利用雙極型晶體管的基礎(chǔ)配置的基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用雙極型晶體管。在以下的描述中，在某些情形中，在圖4 中所示的電路配置被稱為第四配置。要注意，第四配置是通過修改第二配置以便允許對(duì)差分信號(hào)傳輸?shù)膽?yīng)用所獲得的。如在圖4中所示，具有第四配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源20和23、 雙極型晶體管21b、22b、24b和25b、內(nèi)部輸入端子TX0、TX1、TX0X和ΤΧ1Χ、內(nèi)部輸出端子RX 和RXX，以及外部輸入/輸出端子IO和Ι0Χ。另外，外部輸入/輸出端子IO和IOX被分別連接到各自具有特性阻抗Z的傳輸線沈和27。 雙極型晶體管21b的射極被連接到電流源20和外部輸入/輸出端子10，而雙極型晶體管21b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TXO。在另一方面，雙極型晶體管21b的集電極被連接到雙極型晶體管22b的射極和內(nèi)部輸出端子RX。雙極型晶體管22b的射極還被連接到雙極型晶體管21b的集電極和內(nèi)部輸出端子RX。另外，雙極型晶體管22b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TXl。 另外，雙極型晶體管24b的射極被連接到電流源23和外部輸入/輸出端子Ι0Χ，而雙極型晶體管Mb的基極被連接到內(nèi)部輸入端子ΤΧ0Χ。在另一方面，雙極型晶體管Mb的集電極被連接到雙極型晶體管25b的射極和內(nèi)部輸出端子RXX。那就是說，雙極型晶體管 25b的射極被連接到雙極型晶體管24b的集電極和內(nèi)部輸出端子RXX。另外，雙極型晶體管 25b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TX1X。
要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收第一差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXO的第一差分信號(hào)相同的相位和等于第一差分信號(hào)的幅度的1/2 的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。同樣地，內(nèi)部輸入端子TXOX接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXlX接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXOX的第二差分信號(hào)相同的相位和等于第二差分信號(hào)的幅度的1/2的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXlX的信號(hào)也被稱為抵消信號(hào)。另外，由電流源20所生成的電流Ibq被設(shè)置，使得雙極型晶體管21b的射極電阻re 等于ζ。同樣地，由電流源23所生成的電流Ibci被設(shè)置，使得雙極型晶體管24b的射極電阻 re等于Z。通過以這種方式設(shè)置由電流源20所生成的電流Ibci，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IO和傳輸線沈的阻抗匹配。同樣地，通過以這種方式設(shè)置由電流源23所生成的電流 Ibq，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IOX和傳輸線27的阻抗匹配。以上的描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的用作利用雙極型晶體管的全雙工傳輸電路的第四配置的基于雙極型晶體管的差分配置。2-1-5 第五配置(利用MOS晶體管的典型修改)接下來，通過參照?qǐng)D5說明根據(jù)實(shí)施例的利用MOS晶體管的典型修改。如在圖中所示，在利用MOS晶體管的典型修改中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用MOS晶體管。在以下描述中，在某些情形中，在圖5中所示的電路配置被稱為第五配置。如在圖5中所示，具有第五配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源30和33、 MOS晶體管31a和32a、內(nèi)部輸入端子TXO和TX1、內(nèi)部輸出端子RX，以及外部輸入/輸出端子10。另外，外部輸入/輸出端子IO被連接到具有特性阻抗X的傳輸線34。MOS晶體管31a的源極被連接到電流源30和外部輸入/輸出端子10，而MOS晶體管31a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子ΤΧ0。在另一方面，MOS晶體管31a的漏極被連接到 MOS晶體管32a的源極、電流源33和內(nèi)部輸出端子RX。那就是說，MOS晶體管32a的源極被連接到MOS晶體管31a的漏極、電流源33和內(nèi)部輸出端子RX。另外，MOS晶體管32a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子TXl。要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收將要發(fā)送的信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收相位與提供到內(nèi)部輸入端子TXO的發(fā)送信號(hào)相同、偏置點(diǎn)(bias point)不同于將要發(fā)送的信號(hào)的偏置點(diǎn)并且幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的G/2倍的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。另外，由電流源30所生成的電流Ibq和MOS晶體管31a的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管31a的跨導(dǎo)等于1/Z。通過以這種方式設(shè)置電流Ibci和MOS晶體管31a的大小，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IO和傳輸線34的阻抗匹配。同樣地，由電流源33所生成的電流Ibi和MOS晶體管3 的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管3 的跨導(dǎo)^111等于MOS晶體管31a 的跨導(dǎo)的1/G倍，其中，G是近似滿足關(guān)系1 < G < 4的數(shù)。當(dāng)將要發(fā)送的信號(hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXO時(shí)，將要發(fā)送的信號(hào)被MOS晶體管 31a同相放大，并且，從MOS晶體管31a的源極輸出到外部輸入/輸出端子10。另外，將要發(fā)送的信號(hào)被MOS晶體管31a反相放大，從MOS晶體管31a的漏極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。 在另一方面，當(dāng)?shù)窒盘?hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXl時(shí)，抵消信號(hào)被MOS晶體管32a同相放大，并且，從MOS晶體管32a的源極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。被MOS晶體管32a同相放大并且從MOS晶體管32a的源極輸出到內(nèi)部輸出端子RX的抵消信號(hào)抵消被MOS晶體管31a反相放大并從MOS晶體管31a的漏極輸出到內(nèi)部輸出端子RX的發(fā)送信號(hào)。因此，可以防止電流流出至內(nèi)部輸出端子RX。
在另一方面，來自外部輸入/輸出端子IO的接收信號(hào)被具有接地基極的MOS晶體管31a的源極阻抗Z所終止。該接收信號(hào)被MOS晶體管31a同相放大，并且，從MOS晶體管 31a的漏極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。
以上描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的用作利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的第五配置的典型的基于MOS晶體管的修改。
2-1-6 :第六配置(利用雙極型晶體管的典型修改)
接下來，通過參照?qǐng)D6說明利用雙極型晶體管的典型修改。如在圖中所示，在利用雙極型晶體管的典型修改中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用雙極型晶體管。在以下描述中，在某些情形中，在圖6中所示的電路配置被稱為第六配置。
如在圖6中所示，具有第六配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源30和33、 雙極型晶體管31b和32b、內(nèi)部輸入端子TXO和TX1、內(nèi)部輸出端子RX，以及外部輸入/輸出端子10。另外，外部輸入/輸出端子IO被連接到具有特性阻抗Z的傳輸線34。
雙極型晶體管31b的射極被連接到電流源30和外部輸入/輸出端子10，而雙極型晶體管31b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TXO。在另一方面，雙極型晶體管31b的集電極被連接到雙極型晶體管32b的射極、電流源33和內(nèi)部輸出端子RX。那就是說，雙極型晶體管 32b的射極被連接到雙極型晶體管31b的集電極、電流源33和內(nèi)部輸出端子RX。另外，雙極型晶體管32b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TX1。
要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收將要發(fā)送的信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收與提供到內(nèi)部輸入端子TXO的發(fā)送信號(hào)相同的相位和等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的G/2倍的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。
另外，由電流源30所生成的電流Ibci被設(shè)置，使得雙極型晶體管的射極電阻re0等于Z。通過以這種方式設(shè)置電流Ib。，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IO和傳輸線34的阻抗匹配。另外，由電流源33所生成的電流Ibi被設(shè)置，使得雙極型晶體管32b的射極電阻r6l 等于雙極型晶體管31b的射極電阻的G倍，其中，G是近似滿足關(guān)系I < G < 4的數(shù)。
當(dāng)將要發(fā)送的信號(hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXO時(shí)，將要發(fā)送的信號(hào)被雙極型晶體管31b同相放大，并且，從雙極型晶體管31b的射極輸出到外部輸入/輸出端子10。另外， 該將要發(fā)送的信號(hào)被雙極型晶體管31b反相放大，從雙極型晶體管31b的集電極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。當(dāng)?shù)窒盘?hào)被提供到內(nèi)部輸入端子TXl時(shí)，抵消信號(hào)還被雙極型晶體管32b 同相放大，并且，從雙極型晶體管32b的射極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。被雙極型晶體管32b 同相放大并從雙極型晶體管32b的射極輸出到內(nèi)部輸出端子RX的抵消信號(hào)抵消被雙極型晶體管31b反相放大并從雙極型晶體管31b的集電極輸出到內(nèi)部輸出端子RX的發(fā)送信號(hào)。 因此，可以防止電流流出至內(nèi)部輸出端子RX。
在另一方面，來自外部輸入/輸出端子IO的接收信號(hào)被具有接地基極的雙極型晶體管31b的射極阻抗Z所終止。該接收信號(hào)被雙極型晶體管31b同相放大，并且，從雙極型晶體管31b的集電極輸出到內(nèi)部輸出端子RX。
以上描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的用作利用雙極型晶體管的全雙工傳輸電路的第六配置的典型的基于雙極型晶體管的修改。
2-1-7 :第七配置(利用MOS晶體管的典型修改的差分配置)
接下來，通過參照?qǐng)D7說明利用MOS晶體管的典型修改的差分配置。如在圖中所示，在利用MOS晶體管的典型修改的差分配置中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用MOS晶體管。在以下描述中，在某些情形中，在圖7中所示的電路配置被稱為第七配置。 要注意，第七配置是通過修改第五配置以便允許對(duì)差分信號(hào)傳輸?shù)膽?yīng)用所獲得的。
如在圖7中所示，具有第七配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源40、43、45 和48、MOS晶體管41a、42a、46a和47a、內(nèi)部輸入端子TXO、TXU TXOX和TX1X、內(nèi)部輸出端子RX和RXX，以及外部輸入/輸出端子IO和I0X。另外，外部輸入/輸出端子IO和IOX被分別連接到各自都具有特性阻抗Z的傳輸線44和49。
MOS晶體管41a的源極被連接到電流源40和外部輸入/輸出終端10，而MOS晶體管41a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子TX0。在另一方面，MOS晶體管41a的漏極被連接到 MOS晶體管42a的源極、電流源43和內(nèi)部輸出端子RX。那就是說，MOS晶體管42a的源極被連接到MOS晶體管41a的漏極、電流源43和內(nèi)部輸出端子RX。另外，MOS晶體管42a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子TXl。
另外，MOS晶體管46a的源極被連接到電流源45和外部輸入/輸出端子I0X，而 MOS晶體管46a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子TX0X。在另一方面，MOS晶體管46a的漏極被連接到MOS晶體管47a的源極、電流源48和內(nèi)部輸出端子RXX。那就是說，MOS晶體管47a 的源極被連接到MOS晶體管46a的漏極、電流源48和內(nèi)部輸出端子RXX。另外，MOS晶體管 47a的柵極被連接到內(nèi)部輸入端子TX1X。
要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收第一差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXO相同的相位和等于第一差分信號(hào)的幅度的G/2倍的幅度的信號(hào)。在以下的描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。同樣地，內(nèi)部輸入端子TXOX接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXlX 接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXOX的第二差分信號(hào)相同的相位和等于第二差分信號(hào)的幅度的G/2倍的幅度的信號(hào)。在以下描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXlX的信號(hào)也被稱為抵消信號(hào)。
另外，由電流源40和45所生成的電流Ibq以及MOS晶體管41a和46a的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管41a和46a的跨導(dǎo)gm等于1/Z。通過以這種方式設(shè)置電流Ibci和MOS晶體管41a和46a的大小，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IO和傳輸線44的阻抗匹配以及外部輸入/輸出端子IOX和傳輸線49的阻抗匹配。另外，由電流源43和48所生成的電流Ibi 以及MOS晶體管42a和47a的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管42a和47a的跨導(dǎo)gml等于MOS 晶體管41a和46a的跨導(dǎo)gm(l的1/G倍，其中，G是近似滿足關(guān)系I < G < 4的數(shù)。
以上描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的用作利用MOS晶體管的全雙工傳輸電路的第七配置的具有基于MOS晶體管的差分配置的典型修改。
2-1-8 :第八配置(利用雙極型晶體管的典型修改的差分配置)
接下來，通過參照?qǐng)D8說明利用雙極型晶體管的典型修改的差分配置。如在圖中所示，在利用雙極型晶體管的典型修改的差分配置中，根據(jù)實(shí)施例，全雙工傳輸電路被配置為利用雙極型晶體管。在以下描述中，在某些情形中，在圖8中所示的電路配置被稱為第八配置。要注意，第八配置是通過修改第六配置以便允許對(duì)差分信號(hào)傳輸?shù)膽?yīng)用所獲得的。
如在圖8中所示，具有第八配置的全雙工傳輸電路被配置為利用電流源40、43、45 和48、雙極型晶體管41b、42b、46b和47b、內(nèi)部輸入端子TXO、TXU TXOX和TX1X、內(nèi)部輸出端子RX和RXX，以及外部輸入/輸出端子IO和I0X。另外，外部輸入/輸出端子IO和IOX 被分別連接到各自都具有特性阻抗Z的傳輸線44和49。
雙極型晶體管41b的射極被連接到電流源40和外部輸入/輸出端子10，而雙極型晶體管41b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TXO。在另一方面，雙極型晶體管41b的集電極被連接到雙極型晶體管42b的射極、電流源43和內(nèi)部輸出端子RX。那就是說，雙極型晶體管 42b的射極被連接到雙極型晶體管41b的集電極、電流源43和內(nèi)部輸出端子RX。另外，雙極型晶體管42b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TX1。
另外，雙極型晶體管46b的射極被連接到電流源45和外部輸入/輸出端子I0X,而雙極型晶體管46b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TX0X。另外，雙極型晶體管46b的集電極被連接到雙極型晶體管47b的射極、電流源48和內(nèi)部輸出端子RXX。那就是說，雙極型晶體管47b的射極被連接到雙極型晶體管46b的集電極、電流源48和內(nèi)部輸出端子RXX。另外，雙極型晶體管47b的基極被連接到內(nèi)部輸入端子TX1X。
要注意，內(nèi)部輸入端子TXO接收第一差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXl接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXO的第一差分信號(hào)相同的相位和等于第一差分信號(hào)的幅度的G/2 倍的幅度的信號(hào)。在以下描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXl的信號(hào)被稱為抵消信號(hào)。同樣地，內(nèi)部輸入端子TXOX接收與第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)。另外，內(nèi)部輸入端子TXlX接收具有與提供到內(nèi)部輸入端子TXOX的第二差分信號(hào)相同的相位和等于第二差分信號(hào)的幅度的G/2倍的幅度的信號(hào)。在以下描述中，提供到內(nèi)部輸入端子TXlX的信號(hào)也被稱為抵消信號(hào)。
另外，由電流源40所生成的電流Ibci被設(shè)置，使得雙極型晶體管41b的射極電阻reQ 等于Z。同樣地，由電流源45所生成的電流Ibq被設(shè)置，使得雙極型晶體管46b的射極電阻 re0等于Z。通過以這種方式設(shè)置由電流源40所生成的電流Ib。，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IO和傳輸線44的阻抗匹配。同樣地，通過以這種方式設(shè)置由電流源45所生成的電流 Ibq，可以實(shí)現(xiàn)外部輸入/輸出端子IOX和傳輸線49的阻抗匹配。另外，由電流源43所生成的電流Ibi被設(shè)置，使得雙極型晶體管42b的射極電阻rel等于雙極型晶體管41b的射極電阻re(l的G倍，其中，G是近似滿足關(guān)系I < G < 4的數(shù)。同樣地，由電流源48所生成的電流Ibi被設(shè)置，使得雙極型晶體管47b的射極電阻rel等于雙極型晶體管46b的射極電阻re0 的G倍。
以上描述已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的具有用作利用雙極型晶體管的全雙工傳輸電流的第八配置的基于雙極型晶體管的差分配置的典型修改。
至此說給出的描述已經(jīng)闡明了根據(jù)本公開的實(shí)施例的全雙工傳輸電路的配置。
在上述配置中，從電源流向地的偏置電流被用于實(shí)現(xiàn)信號(hào)發(fā)送緩沖器、信號(hào)接收緩沖器和混合電路的所有功能。因此，可以以大約等同于半雙工傳輸電路的功率消耗實(shí)現(xiàn)所有雙工數(shù)據(jù)傳輸。
具體地，如在圖5至圖8中所示，為了避免將要發(fā)送的信號(hào)潛行至內(nèi)部輸出端子RX，額外的電流源被以與晶體管并聯(lián)的方式設(shè)置，以便允許流經(jīng)晶體管的電流的大小可被調(diào)整。然后，通過調(diào)整該電流的大小，MOS晶體管的源極電阻(或雙極型晶體管的射極電阻) 可被設(shè)置為大于傳輸線的特性阻抗Z的值。另外，由于跨阻抗(transimpedance)放大器的電壓增益還可被設(shè)置為不小于I的值，因此，可提高信號(hào)接收緩沖器的第一階段電路的電壓增益。另外，從圖3、圖4、圖7和圖8顯見，基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)可被輕松構(gòu)造。
2-2 :全雙工傳輸電路的操作
接下來，以下說明由根據(jù)上述實(shí)施例的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作。要注意，在該情形中，由全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作時(shí)通過將第一配置和第五配置作為示例來描述其操作而說明的。省略了對(duì)由其他配置所實(shí)施的操作的描述。
2-2-1 :第一配置(基礎(chǔ)配置)的操作
首先，通過參照?qǐng)D12至圖14說明由具有第一配置的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作。要注意，雖然在圖12至圖14中所使用的每個(gè)參考標(biāo)號(hào)和每個(gè)符號(hào)可能不同于圖I中所使用的參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)，但是，在圖12至圖14中所示的電路配置是與在圖I中所示的電路配置相同的。
由電流源410所生成的偏置電流Ib的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管411的跨導(dǎo)等于1/Z。因此，MOS晶體管411的源極電阻等于Z。在另一方面，理想化地，電流源410的輸出阻抗是無限大。結(jié)果，外部輸入/輸出端子IO可被置于與傳輸線413的特性阻抗Z相匹配的狀態(tài)中。
當(dāng)如圖12中所示發(fā)送電壓信號(hào)VTXO被從內(nèi)部輸入端子TXO提供時(shí)，發(fā)送電壓信號(hào)VTXO被施加到包括具有源極電阻Z的MOS晶體管411和具有特性阻抗Z的傳輸線413 的串聯(lián)電路以作為從基于電阻的分壓(即，以1/2的電壓增益進(jìn)行放大)所導(dǎo)致的信號(hào)出現(xiàn)在外部輸入/輸出端子IO處。那就4是說，具有VI0( = VTX0/2)的大小的電壓信號(hào)VIO 是從外部輸入/輸出端子IO輸出的。在那時(shí)，出現(xiàn)在MOS晶體管411的柵極和源極之間的電壓改變以下數(shù)量VTX0-VI0 = VTX0/2。因此，出現(xiàn)在MOS晶體管411的柵極和漏極之間的電壓的變化導(dǎo)致流經(jīng)MOS晶體管411的漏極的電流變化gm*VTX0/2。
另外，該流經(jīng)MOS晶體管411的漏極的電流變化自動(dòng)使流經(jīng)MOS晶體管412的源極的電流發(fā)生變化，并且，流經(jīng)MOS晶體管412的源極的電流的變化導(dǎo)致出現(xiàn)在MOS晶體管 412的柵極和源極之間的電壓改變以下數(shù)量VTX0/2( = gm*VTX0/2/gm)。如果出現(xiàn)在內(nèi)部輸入端子TXl處的電壓被假定為保持在如圖12中所示的恒定電平處的電壓，則在MOS晶體管412的柵極和源極之間所出現(xiàn)的電壓的變化原樣表現(xiàn)為在內(nèi)部輸出端子RX處的輸出。那就是說，從內(nèi)部輸入端子TXO所提供的發(fā)送電壓信號(hào)VTXO的分量不合期望地潛入到內(nèi)部輸出端子RX。
但是，如在圖13中所示，抵消信號(hào)作為VTX1( = VTX0/2)的AC分量被提供到內(nèi)部輸入端子TX1。因此，可以抵消出現(xiàn)在MOS晶體管412的柵極和源極之間的電壓的變化。那就是說，通過將抵消信號(hào)提供給內(nèi)部輸入端子TX1，可以防止發(fā)送電壓信號(hào)VTXO的分量不合期望地潛入內(nèi)部輸出端子RX。
順便提及，如在圖14中所示，當(dāng)電壓信號(hào)VIO被由外部輸入/輸出端子IO從傳輸線413接收時(shí)，內(nèi)部輸入端子TXO和TXl可被看作是AC地。因此，如果外部輸入/輸出端子IO和內(nèi)部輸出端子RX被分別理解為輸入端子和輸出端子，則在圖14中所示的全雙工傳輸電路可被看作為跨阻抗放大器。在該情形中，由于放大器具有l(wèi)/gm( = Z)的輸入電阻和 l/gffl( = Z)的輸出電阻，因此，電壓增益是I。
以上描述已經(jīng)說明了由具有第一配置的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作。
2-2-2 :第五配置(典型修改)的操作
接下來，通過參照?qǐng)D15至圖17說明有具有第五配置的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作。要注意，雖然在圖15至圖17中所使用的每個(gè)參考標(biāo)號(hào)和每個(gè)符號(hào)可能不同于圖5 中所使用的參考標(biāo)號(hào)和符號(hào)，但是，在圖15至圖17中所示的電路配置是與在圖5中所示的電路配置相同的。
由電流源510所生成的偏置電流Ib的大小被設(shè)置，使得MOS晶體管511的跨導(dǎo)等于1/Z。因此，MOS晶體管511的源極電阻等于Z。在另一方面，理想化地，電流源510的輸出阻抗是無限大。結(jié)果，外部輸入/輸出端子IO可被置于與傳輸線514的特性阻抗Z相匹配的狀態(tài)中。
另外，由電流源513所生成的偏置電流的大小被設(shè)置為Ib/G，使得MOS晶體管512 的跨導(dǎo)gm等于1/Z/G。在以下描述中，為了簡單，假定G = 2。如果忽略襯底偏置效應(yīng)等， 在將流經(jīng)電流源513的偏置電流設(shè)置為Ib/2的情況下，通過將MOS晶體管512的柵極寬度設(shè)置為MOS晶體管511的柵極寬度的1/2，MOS晶體管512的跨導(dǎo)gm可被設(shè)置為1/(2*Z)， 即，gm = 1/(2*Z)。
當(dāng)如在圖15中所示發(fā)送電壓信號(hào)VTXO被從內(nèi)部輸入端子TXO提供時(shí)，發(fā)送電壓信號(hào)VTXO被施加到包括具有源極電阻Z的MOS晶體管511和具有特性阻抗Z的傳輸線514 的串聯(lián)電路以作為從基于電阻的分壓(即，以1/2的電壓增益進(jìn)行放大)所導(dǎo)致的信號(hào)出現(xiàn)在外部輸入/輸出端子IO處。那就是說，具有VI0( = VTX0/2)的大小的電壓信號(hào)VIO 是從外部輸入/輸出端子IO輸出的。在那時(shí)，出現(xiàn)在MOS晶體管511的柵極和源極之間的電壓改變以下數(shù)量VTX0-VI0 = VTX0/2。因此，出現(xiàn)在MOS晶體管511的柵極和源極之間的電壓的變化導(dǎo)致流經(jīng)MOS晶體管511的漏極的電流變化gm*VTX0/2。
另外，該流經(jīng)MOS晶體管511的漏極的電流的變化自動(dòng)使流經(jīng)MOS晶體管512的源極的電流發(fā)生變化，并且，流經(jīng)MOS晶體管512的源極的電流的變化導(dǎo)致出現(xiàn)在MOS晶體管512的柵極和源極之間的電壓改變以下數(shù)量VTX0( = gm*VTX0/2/(gm/2))。如果出現(xiàn)在內(nèi)部輸入端子VTXl處的電壓被假定為保持在如圖15中所示的恒定電平處的電壓，則在MOS 晶體管512的柵極和源極之間所出現(xiàn)的電壓的變化原樣表現(xiàn)為內(nèi)部輸出端子RX處的輸出。 那就是說，從內(nèi)部輸入端子TXO所提供的發(fā)送電壓信號(hào)VTXO的分量不合期望地潛入到內(nèi)部輸出端子RX。
但是，如在圖16中所示，抵消信號(hào)作為VTX1( = VTX0)的AC分量被提供到內(nèi)部輸入端子TX1。因此，可以抵消出現(xiàn)在MOS晶體管512的柵極和源極之間的電壓的變化。那就是說，通過將抵消信號(hào)提供給內(nèi)部輸入端子TX1，可以防止發(fā)送電壓信號(hào)VTXO的分量不合期望地潛入內(nèi)部輸出端子RX。
順便提及，如在圖17中所示，當(dāng)電壓信號(hào)VIO被由外部輸入/輸出端子IO從傳輸線514接收時(shí)，內(nèi)部輸入端子TXO和TXl可被看作是AC地。因此，如果外部輸入/輸出端子IO和內(nèi)部輸出端子RX被分別理解為輸入端子和輸出端子，則在圖15至圖17中所示的全雙工傳輸電路可被看作為跨阻抗放大器。在該情形中，由于放大器具有l(wèi)/gm( = Z)的輸入電阻和2/gm( = 2*Z)的輸出電阻，因此，電壓增益是2。
以上描述已經(jīng)說明了由具有第五配置的全雙工傳輸電路所實(shí)施的操作。
2-3 :裝置內(nèi)部傳輸?shù)牡湫蛻?yīng)用
接下來，以下描述說明為其中上述全雙工傳輸電路被應(yīng)用到電子裝置內(nèi)的信號(hào)傳輸?shù)那樾嗡峁┑囊恍┑湫团渲?。要注意，在這些典型配置中，通過將全雙工傳輸電路應(yīng)用到電子裝置內(nèi)的信號(hào)傳輸，通常，可以在電子裝置內(nèi)實(shí)施信號(hào)傳輸，以便將來自包括在第一處理模塊中的處理部件的圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到由傳輸線連接到第一處理模塊的第二處理模塊， 并且，以便基于包括在第二處理模塊中的顯示部件上的圖像數(shù)據(jù)來顯示圖像。另外，這種配置還允許被輸入到在第二處理模塊中所利用的輸入部件的數(shù)據(jù)在電子裝置內(nèi)的信號(hào)傳輸中被發(fā)送到第一處理模塊的處理部件。輸入部件的典型示例是開關(guān)。顯然，稍后描述的技術(shù)可被采用，以用于在電子裝置內(nèi)實(shí)施信號(hào)傳輸，從而將數(shù)據(jù)從處理模塊發(fā)送到另一處理模塊。
2-3-1 :第一配置(基礎(chǔ)配置)的典型應(yīng)用
圖18是將被在以下對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自包括利用MOS晶體管的基礎(chǔ)配置的單端(非差分)全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性不圖。如在圖18中所不，電子裝置利用兩個(gè)全雙工傳輸設(shè)備，即，全雙工傳輸設(shè)備600 和601。全雙工傳輸設(shè)備600和601通過傳輸線602彼此相連接。
從全雙工傳輸設(shè)備600的端子TXXinci所接收的信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備601的端子RXain輸出。在另一方面，從全雙工傳輸設(shè)備601的端子TXXini所接收的信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備600的端子RXotito輸出。全雙工傳輸設(shè)備600包括具有第一配置的全雙工電路 603，而全雙工傳輸設(shè)備601包括具有第一配置的全雙工傳輸電路604。要注意，在該情形中，在全雙工傳輸電路603和604中的每一個(gè)中的信號(hào)接收緩沖器的電壓增益是I。
在圖18中所示的全雙工傳輸設(shè)備600的配置被設(shè)計(jì)，使得電阻Rutl可被調(diào)制。因此，該配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXX■潛入到端子RXottci的信號(hào)的大小。同樣地，在圖 18中所示的全雙工傳輸設(shè)備601的配置被設(shè)計(jì)，使得電阻Rlai也可被調(diào)整。因此，該配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXXini潛入到端子RXotti的信號(hào)的大小。通過將包括具有第一配置的全雙工傳輸電路603的全雙工傳輸設(shè)備600和包括具有第一配置的全雙工傳輸電路604 的全雙工傳輸設(shè)備601應(yīng)用到上述電子裝置，信號(hào)全雙工傳輸可在電子裝置中被實(shí)施。
以上描述已經(jīng)說明了將用作第一配置的基礎(chǔ)配置應(yīng)用到電子裝置的典型應(yīng)用。
2-3-2 :第五配置(典型修改)的典型應(yīng)用
圖19是將被在以下對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自包括利用MOS晶體管的典型修改的單端全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性示圖。 如在圖19中所不，電子裝置利用兩個(gè)全雙工傳輸設(shè)備，即，全雙工傳輸設(shè)備610和611。全雙工傳輸設(shè)備610和611通過傳輸線612彼此相連接。
從全雙工傳輸設(shè)備610的端子TXXinci接收的信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備611的端子 RXain輸出。在另一方面，從全雙工傳輸設(shè)備611的端子TXXini接收的信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備610的端子RXouto輸出。全雙工傳輸設(shè)備610包括具有第五配置的全雙工傳輸電路613, 而全雙工傳輸設(shè)備611包括具有第五配置的全雙工傳輸電路614。要注意，在該情形中，在全雙工傳輸電路613和614中的每一個(gè)中的信號(hào)接收緩沖器的電壓增益是2。
在圖19中所示的全雙工傳輸設(shè)備610的配置被設(shè)計(jì)，使得由利用在全雙工傳輸電路613中的電流源所生成的電流Ib/2的大小可被調(diào)整。因此，配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXXinci潛入到端子RXotito的信號(hào)的大小。同樣地，在圖19中所示的全雙工傳輸設(shè)備611 的配置可被設(shè)計(jì)，使得由全雙工傳輸電路614中所利用的電流源所生成的電流Ib/2的大小可被調(diào)整。因此，該配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXXini潛入到端子RXOTT1_的信號(hào)的大小。 通過將包括具有第五配置的全雙工傳輸電路613的全雙工傳輸設(shè)備610和包括具有第五配置的全雙工傳輸電路614的全雙工傳輸設(shè)備611應(yīng)用到上述電子裝置，信號(hào)全雙工傳輸可被在該電子裝置中實(shí)施。
以上描述已經(jīng)說明了將用作第五配置的典型修改應(yīng)用到電子裝置的典型應(yīng)用。
2-3-3 :第三配置的典型應(yīng)用(基礎(chǔ)配置的差分實(shí)現(xiàn))
圖20是將被在以下對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自具有利用MOS晶體管的的基礎(chǔ)配置的基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)的全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性示圖。如在圖20中所示，電子裝置利用兩個(gè)全雙工傳輸設(shè)備，即，全雙工傳輸設(shè)備700和701。全雙工傳輸設(shè)備700和701通過兩個(gè)傳輸線702彼此相連接。
從全雙工傳輸設(shè)備700的端子TXinci和TXXinci所接收的差分信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備701的端子RXotti和RXXotiti輸出。在另一方面，從全雙工傳輸設(shè)備701的端子TXini和 TXXini所接收的差分信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備700的端子RXotto和RXXotito輸出。全雙工傳輸設(shè)備700包括具有第三配置的全雙工傳輸電路703，而全雙工傳輸設(shè)備701包括具有第三配置的全雙工傳輸電路704。要注意，在該情形中，在全雙工傳輸電路703和704中的每一個(gè)中的信號(hào)接收緩沖器的電壓增益是I。
在圖20中所示的全雙工傳輸設(shè)備700的配置被設(shè)計(jì)，使得電阻Rutl可被調(diào)整。因此，該配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXinci和TXXinci潛入到端子RXotito和RXXotito的信號(hào)的大小。同樣地，在圖20中所示的全雙工傳輸設(shè)備701的配置被設(shè)計(jì)，使得電阻器Rlai也可被調(diào)整。因此，該配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXini和TXXini潛入到端子RXain和RXXtjun的信號(hào)的大小。通過將包括具有第三配置的全雙工傳輸電路703的全雙工傳輸設(shè)備700和包括具有第三配置的全雙工傳輸電路704的全雙工傳輸設(shè)備701應(yīng)用到上述電子裝置，信號(hào)全雙工傳輸可被在該電子裝置中實(shí)施。
以上描述已經(jīng)說明了將實(shí)現(xiàn)用作第三配置的基礎(chǔ)配置的基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)應(yīng)用到電子裝置的典型應(yīng)用。
2-3-4 :第七配置的典型應(yīng)用(典型修改的差分實(shí)現(xiàn))
圖21是將被在以下對(duì)根據(jù)實(shí)施例的在各自包括利用MOS晶體管的典型修改的基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)的全雙工傳輸電路之間實(shí)施雙工數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮友b置的配置的描述中參照的說明性示圖。如在圖21中所示，電子裝置利用兩個(gè)全雙工傳輸設(shè)備，即，全雙工傳輸設(shè)備710和711。全雙工傳輸設(shè)備710和711通過兩個(gè)傳輸線712彼此相連接。
從全雙工傳輸設(shè)備710的端子TXinci和TXXinci所接收的差分信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備711的端子RXotti和RXXotiti輸出。在另一方面，從全雙工傳輸設(shè)備711的端子TXini和 TXXini所接收的差分信號(hào)被從全雙工傳輸設(shè)備710的端子RXotto和RXXotito輸出。全雙工傳輸設(shè)備710包括具有第七配置的全雙工傳輸電路713，而全雙工傳輸設(shè)備711包括具有第七配置的全雙工傳輸電路714。要注意，在該情形中，在全雙工傳輸電路713和714的每一個(gè)中的信號(hào)接收緩沖器的電壓增益是2。
在圖21中所示的全雙工傳輸設(shè)備710的配置被設(shè)計(jì)，使得由利用在全雙工傳輸電路713中的電流源所生成的電流Ib/2的大小可被調(diào)整。因此，配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXinci和TXXinci潛入到端子RXotto和RXXotto的信號(hào)的大小。同樣地，在圖21中所示的全雙工傳輸設(shè)備711的配置被設(shè)計(jì)，使得通過全雙工傳輸電路714中所采用的電流源所生成的電流Ib/2的大小可被調(diào)整。因此，配置可被校準(zhǔn)以最小化從端子TXini和TXXini潛入到端子 RXoun和RXXotiti的信號(hào)的大小。通過將包括具有第七配置的全雙工傳輸電路713的全雙工傳輸設(shè)備710和包括具有第七配置的全雙工傳輸電路714的全雙工傳輸設(shè)備711應(yīng)用到上述電子裝置，信號(hào)全雙工傳輸可被在該電子裝置中實(shí)施。
以上描述已經(jīng)說明了將實(shí)現(xiàn)用作第七配置的典型修改的差分配置應(yīng)用到電子裝置的典型應(yīng)用。
3 :結(jié)論
迄今為止已經(jīng)說明了根據(jù)實(shí)施例的技術(shù)。通過應(yīng)用根據(jù)實(shí)施例的技術(shù)，從電源流向地的偏置電流可被用于信號(hào)發(fā)送緩沖器、信號(hào)接收緩沖器和混合電路的所有功能。結(jié)果， 可以以大約等同于半雙工傳輸電路的功率消耗實(shí)現(xiàn)雙工數(shù)據(jù)傳輸。另外，在第五配置和第六配置的情形中，流經(jīng)晶體管的電流的大小可被調(diào)整。然后，通過調(diào)整該電流的大小，MOS 晶體管的源極電阻(或雙極型晶體管的射極電阻)可被設(shè)置為大于傳輸線的特性阻抗Z的值。例如，跨阻抗放大器的電壓增益還可被設(shè)置為不小于I的值。結(jié)果，信號(hào)接收緩沖器的第一階段電路的電壓增益可被提高。另外，由于從圖3中所示的第三配置、圖4中所示的第四配置、圖7中所示的第七配置以及在圖8中所示的第八配置很顯然，因此，基于差分信號(hào)的實(shí)現(xiàn)可被輕松構(gòu)造。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，取決于設(shè)計(jì)要求和其他因素，可發(fā)生各種修改、組合、 子組合和變更4，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)即可。
本公開包括與2010年12月24日向日本專利局遞交的日本在先專利申請(qǐng)JP 2010-288543公開的內(nèi)容有關(guān)的主題，其全部內(nèi)容通過引用被結(jié)合于此。38
權(quán)利要求
1.一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線； 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)； 第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到電流源和所述外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述內(nèi)部輸出端子；以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和所述內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。
2.一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線； 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)； 第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到電流源和所述外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述內(nèi)部輸出端子；以及所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極和所述內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。
3.—種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線；第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)；第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第一內(nèi)部輸出端子；以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子；第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第二電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第二內(nèi)部輸出端子；以及所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，并且由所述第二電流源所生成的電流以及所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。
4. 一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線；第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸出端子，輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)；第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述第一內(nèi)部輸出端子；所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子；第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第二電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和所述第二內(nèi)部輸出端子；以及所述第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到所述第三雙極型晶體管的集電極和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的電阻變?yōu)榈扔赯，并且由所述第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第二雙極型晶體管的電阻變?yōu)榈扔赯。
5.一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線； 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)； 第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和所述外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述內(nèi)部輸出端子；以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和所述內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，并且由所述第二電流源所生成的電流以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔谒龅谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。
6.一種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線； 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)； 第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和所述外部輸入/ 輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述內(nèi)部輸出端子；以及所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和所述內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯，并且由所述第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔谒龅谝浑p極型晶體管的射極的電阻的G倍。
7. —種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線；第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)；第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第一內(nèi)部輸出端子；以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子；第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第二內(nèi)部輸出端子；以及所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第四電流源和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，由所述第二電流源所生成的電流以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔谒龅谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍，由所述第三電流源所生成的電流以及所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，并且由所述第四電流源所生成的電流以及所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔谒龅谌饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。
8. —種全雙工傳輸電路，包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)； 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1 ；第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)；第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)；第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線；第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線；第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)；第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)；第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述第一內(nèi)部輸出端子；所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子；第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第三電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和所述第二內(nèi)部輸出端子；以及所述第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到所述第三雙極型晶體管的集電極、第四電流源和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子， 其中，由所述第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯，由所述第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔谒龅谝浑p極型晶體管的射極的電阻的G倍，由所述第三電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第三雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯，并且由所述第四電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第四雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔谒龅谌p極型晶體管的射極的電阻的G倍。
9.一種電子裝置，包括 第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子，所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)， 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線， 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)， 第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到電流源和所述外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述內(nèi)部輸出端子，以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和所述內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。
10.一種電子裝置，包括 第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子，所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)， 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線， 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)， 第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到電流源和所述外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述內(nèi)部輸出端子，以及所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極和所述內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的阻抗變?yōu)榈扔赯。
11. 一種電子裝置，包括 第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子， 所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線，第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第一內(nèi)部輸出端子，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第二電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第二內(nèi)部輸出端子，以及所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，并且由所述第二電流源所生成的電流以及所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。
12.一種電子裝置，包括 第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子， 所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 1/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線，第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述第一內(nèi)部輸出端子，所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第二電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和所述第二內(nèi)部輸出端子，以及所述第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到所述第三雙極型晶體管的集電極和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯，并且由所述第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯。
13.一種電子裝置，包括第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子，所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)， 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線， 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)， 第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和所述外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述內(nèi)部輸出端子，以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和所述內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，并且由所述第二電流源所生成的電流以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔谒龅谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。
14. 一種電子裝置，包括 第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及傳輸線，該傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的外部輸入/輸出端子，所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)， 第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1，外部輸入/輸出端子，該外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的傳輸線， 內(nèi)部輸出端子，該內(nèi)部輸出端子輸出從所述外部輸入/輸出端子輸入的接收信號(hào)， 第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和所述外部輸入/ 輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述內(nèi)部輸出端子，以及所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和所述內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯，并且由所述第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔谒龅谝浑p極型晶體管的射極的電阻的G倍。
15. 一種電子裝置，包括 第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子， 所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線，第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第一內(nèi)部輸出端子，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第二電流源和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子，第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到第三電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其柵極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其漏極連接到第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極和所述第二內(nèi)部輸出端子，以及所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極連接到所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極、第四電流源和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其柵極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流以及所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，由所述第二電流源所生成的電流以及所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔谒龅谝唤饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍，由所述第三電流源所生成的電流以及所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第三金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z，并且由所述第四電流源所生成的電流以及所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得所述第四金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔谒龅谌饘傺趸锇雽?dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)的1/G倍。
16. 一種電子裝置，包括 第一全雙工傳輸電路； 第二全雙工傳輸電路；以及第一傳輸線和第二傳輸線，該第一傳輸線和該第二傳輸線用于將所述第一全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子連接到所述第二全雙工傳輸電路的第一外部輸入/輸出端子和第二外部輸入/輸出端子， 所述第一全雙工傳輸電路和所述第二全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收第一差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第一差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第一差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，其中，G > 1，第三內(nèi)部輸入端子，該第三內(nèi)部輸入端子接收與所述第一差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)的第二差分信號(hào)，第四內(nèi)部輸入端子，該第四內(nèi)部輸入端子接收幅度等于所述第二差分信號(hào)的幅度的 G/2倍并且相位與所述第二差分信號(hào)的相位相同的信號(hào)，第一外部輸入/輸出端子，該第一外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第一傳輸線，第二外部輸入/輸出端子，該第二外部輸入/輸出端子連接到具有特性阻抗Z的第二傳輸線，第一內(nèi)部輸出端子，該第一內(nèi)部輸出端子輸出從所述第一外部輸入/輸出端子輸入的第三差分信號(hào)，第二內(nèi)部輸出端子，該第二內(nèi)部輸出端子輸出從所述第二外部輸入/輸出端子輸入的第四差分信號(hào)，所述第四差分信號(hào)與所述第三差分信號(hào)一起形成信號(hào)對(duì)，第一雙極型晶體管，該第一雙極型晶體管的射極連接到第一電流源和所述第一外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第一內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第二雙極型晶體管的射極和所述第一內(nèi)部輸出端子，所述第二雙極型晶體管，該第二雙極型晶體管的射極連接到所述第一雙極型晶體管的集電極、第二電流源和所述第一內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第二內(nèi)部輸入端子， 第三雙極型晶體管，該第三雙極型晶體管的射極連接到第三電流源和所述第二外部輸入/輸出端子，其基極連接到所述第三內(nèi)部輸入端子，并且其集電極連接到第四雙極型晶體管的射極和所述第二內(nèi)部輸出端子，以及所述第四雙極型晶體管，該第四雙極型晶體管的射極連接到所述第三雙極型晶體管的集電極、第四電流源和所述第二內(nèi)部輸出端子，并且其基極連接到所述第四內(nèi)部輸入端子，其中，由所述第一電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第一雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯，由所述第二電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第二雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔谒龅谝浑p極型晶體管的射極的電阻的G倍，由所述第三電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第三雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔赯，并且由所述第四電流源所生成的電流被設(shè)置，使得所述第四雙極型晶體管的射極的電阻變?yōu)榈扔谒龅谌p極型晶體管的射極的電阻的G倍。
17.根據(jù)權(quán)利要求9-16中任一項(xiàng)所述的電子裝置，還包括 處理部件，該處理部件生成圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)；以及顯示部件，該顯示部件顯示所述圖像數(shù)據(jù)，其中，所述圖像數(shù)據(jù)的信號(hào)被提供到所述第一全雙工傳輸電路的內(nèi)部輸入端子，通過所述傳輸線被發(fā)送到所述第二全雙工傳輸電路，從所述第二全雙工傳輸電路的內(nèi)部輸出端子輸出，并且被提供到所述顯示部件。
全文摘要
本發(fā)明公開了全雙工傳輸電路和電子裝置。此處公開了全雙工傳輸電路，該全雙工傳輸電路包括第一內(nèi)部輸入端子，該第一內(nèi)部輸入端子接收將要發(fā)送的信號(hào)；第二內(nèi)部輸入端子，該第二內(nèi)部輸入端子接收幅度等于將要發(fā)送的信號(hào)的幅度的1/2倍并且相位與將要發(fā)送的信號(hào)的相位相同的信號(hào)；外部輸入/輸出端子；內(nèi)部輸出端子；第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管；以及第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。由電流源所生成的電流以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的大小被設(shè)置，使得第一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管和第二金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的跨導(dǎo)變?yōu)榈扔?/Z。
文檔編號(hào)H04L5/14GK102546139SQ20111043192
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者大前宇一郎, 清水達(dá)夫 申請(qǐng)人:索尼公司