專利名稱：手機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種移動設(shè)備，尤其涉及一種手機(jī)。
背景技術(shù)：
多功能、小型化及低輻射損害是手機(jī)的必然的趨勢，而手機(jī)天線直接決定手機(jī)移動時接收輻射信號的性能，影響手機(jī)通話或者傳輸數(shù)據(jù)信息的性能，因此手機(jī)天線的好壞極大可能的決定手機(jī)在市場的生存空間。但是如何在保持手機(jī)必須的輻射效率與增益的前提下，最大限度的減小手機(jī)天線的尺寸將是一個有意義的事情?，F(xiàn)有的手機(jī)天線主要基于電單極子或偶極子的輻射原理進(jìn)行設(shè)計，比如最常用的平面反F天線(PIFA)。上述天線的輻射工作頻率直接和天線的尺寸正相關(guān)，帶寬和天線的面積正相關(guān)，使得天線的設(shè)計通常需要半波長的物理長度。這使得上述設(shè)計天線方法在設(shè)計相對應(yīng)的天線時，其尺寸受限的前提下難以實(shí)施。除此之外，在一些更為復(fù)雜的電子系統(tǒng)中，天線需要多模工作，就需要在饋入天線前額外的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計。但阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)額外的增加了電子系統(tǒng)的饋線設(shè)計、增大了射頻系統(tǒng)的面積同時匹配網(wǎng)絡(luò)還引入了不少的能量損耗，很難滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)低功耗的系統(tǒng)設(shè)計要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，現(xiàn)有的手機(jī)天線尺寸基于半波長的物理長度限制很難滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)低功耗、小型化及多功能的設(shè)計要求，因此本實(shí)用新型提供一種低功耗、小型化及多諧振頻點(diǎn)的手機(jī)。一種手機(jī)包括一 PCB板和與PCB板相連的天線，所述天線包括介質(zhì)基板、附著在介質(zhì)基板相對兩表面的第一金屬片及第二金屬片，圍繞第一金屬片設(shè)置有第一饋線、第二饋線，圍繞第二金屬片設(shè)置有第三饋線、第四饋線，所述第一饋線及第二饋線均通過耦合方式饋入所述第一金屬片，所述第三饋線及第四饋線均通過耦合方式饋入所述第二金屬片，所述第一金屬片上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)以在第一金屬片上形成第一金屬走線，所述第二金屬片上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)以在第二金屬片上形成第二金屬走線，所述第一饋線與第三饋線電連接，所述第二饋線與第四饋線電連接，所述天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第一饋線、第二饋線、第一饋線與第一金屬片之間、第二饋線與第一金屬片之間及第一金屬片這五個位置的至少一個上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第三饋線、第四饋線、第三饋線與第二金屬片之間、第四饋線與第二金屬片之間及第二金屬片這五個位置的至少一個上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第一金屬片上的第一金屬走線上，或者所述空間設(shè)置在第一微槽結(jié)構(gòu)上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第二金屬片上的第二金屬走線上，或者所述空間設(shè)置在第二微槽結(jié)構(gòu)上。[0011]進(jìn)一步地，所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。進(jìn)一步地，所述空間為形成在所述天線上的焊盤。進(jìn)一步地，所述感性電子元件電感值的范圍在0_5uH之間。進(jìn)一步地，所述容性電子元件電容值的范圍在0_2pF之間。進(jìn)一步地，所述手機(jī)還包括一連接單元，所述天線通過所述連接單元與PCB板相連。將上述天線應(yīng)用手機(jī)中，通過在天線上設(shè)置供電子元件嵌入的空間，可以通過改變嵌入的電子元件的性能對天線的收發(fā)電路匹配做出了各種優(yōu)化，設(shè)計出滿足適應(yīng)性及通用性的要求的手機(jī)天線。另外，介質(zhì)基板兩面均設(shè)置有金屬片，充分利用了天線的空間面積，在此環(huán)境下天線能在較低工作頻率下工作，滿足手機(jī)天線的小型化、低工作頻率、寬帶多模的要求，為手機(jī)上提供多功能的新業(yè)務(wù)平臺。同時，上述天線結(jié)構(gòu)設(shè)計使得其收信號靈敏度進(jìn)一步增強(qiáng)，降低天線周圍電子元件的耦合輻射干擾等，確保了手機(jī)接收到完整且準(zhǔn)確的電磁波信息。

圖1是本實(shí)用新型手機(jī)中一實(shí)施例的側(cè)簡略圖；圖2是為圖1的天線的立體圖；圖3為圖2的另一視角圖；圖4是本實(shí)用新型手機(jī)天線第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型手機(jī)天線第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型手機(jī)天線第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本實(shí)用新型手機(jī)天線第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實(shí)用新型手機(jī)天線第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9a為互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9c所示為開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9d所示為雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9e所示為互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖IOa為圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其幾何形狀衍生示意圖；圖IOb為圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其擴(kuò)展衍生示意圖；圖Ila為三個圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖lib為兩個圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖8b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的復(fù)合示意圖；圖12為四個圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
請參考圖1，為本實(shí)用新型手機(jī)中一實(shí)施例的側(cè)簡略圖，所述手機(jī)10包括一設(shè)置于手機(jī)殼體(圖中未示)內(nèi)的PCB板99及一天線100，所述天線100通過一連接單元98與 PCB板99相連，其中所述PCB板99上設(shè)置由各種各樣電子元件。在本實(shí)施方式中，所述連接單元98采用螺接方式將天線100固定于PCB板99上。如圖2及圖3所示，所述天線100包括介質(zhì)基板1、附著在介質(zhì)基板1相對兩表面的第一金屬片4及第二金屬片7，圍繞第一金屬片4設(shè)置有第一饋線2、第二饋線3，圍繞第二金屬片7設(shè)置有第三饋線8、第四饋線9，所述第一饋線2及第二饋線3均通過耦合方式饋入所述第一金屬片4，所述第三饋線8及第四饋線9均通過耦合方式饋入所述第二金屬片 7，所述第一金屬片4上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)41以在第一金屬片上形成第一金屬走線42，所述第二金屬片7上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)71以在第二金屬片上形成第二金屬走線72，所述第一饋線2與第三饋線8電連接，所述第二饋線3與第四饋線9電連接，所述天線100預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間6。此種設(shè)計等效于增加了天線物理長度(實(shí)際長度尺寸不增加)， 這樣就可以在極小的空間內(nèi)設(shè)計出工作在極低工作頻率下的射頻天線。解決傳統(tǒng)天線在低頻工作時天線受控空間面積的物理局限。所述第一饋線2與第三饋線8還通過在介質(zhì)基板1上開的金屬化通孔10電連接， 所述第二饋線3與第四饋線9通過在介質(zhì)基板1上開的金屬化通孔20電連接。圖2至圖8中，第一金屬片畫剖面線的部分為第一金屬走線，第一金屬片上的空白部分(鏤空的部分)表示第一微槽結(jié)構(gòu)。另外，第一饋線與第二饋線也用剖面線表示。同樣的，圖2中，第二金屬片畫剖面線的部分為第二金屬走線，第二金屬片上的空白部分(鏤空的部分)表示第二微槽結(jié)構(gòu)。另外，第三饋線與第四饋線也用剖面線表示。圖2所述天線100的立體圖，圖3為其另一視角圖。綜合兩個圖可以看出，介質(zhì)基板的a表面及b表面上附著的結(jié)構(gòu)相同。即第一饋線、第二饋線、第一金屬片在b表面的投影分別與第三饋線、第四饋線、第二金屬片重合。當(dāng)然，這只是一個優(yōu)選的方案，a表面與b 表面的結(jié)構(gòu)根據(jù)需要也可以不同。第一饋線2與第二饋線3均圍繞第一金屬片4設(shè)置以實(shí)現(xiàn)信號耦合。另外第一金屬片4與第一饋線2與第二饋線3可以接觸，也可以不接觸。當(dāng)?shù)谝唤饘倨?與第一饋線 2接觸時，第一饋線2與第一金屬片4之間感性耦合；當(dāng)?shù)谝唤饘倨?與第一饋線2不接觸時，第一饋線2與金屬片4之間容性耦合。同樣，當(dāng)?shù)谝唤饘倨?與第二饋線3接觸時，第二饋線3與第一金屬片4之間感性耦合；當(dāng)?shù)谝唤饘倨?與第二饋線3不接觸時，第二饋線 3與第一金屬片4之間容性耦合。第三饋線8與第四饋線9均圍繞第二金屬片7設(shè)置以實(shí)現(xiàn)信號耦合。另外第二金屬片7與第三饋線8、第四饋線9可以接觸，也可以不接觸。當(dāng)?shù)诙饘倨?與第三饋線8 接觸時，第三饋線8與第二金屬片7之間感性耦合；當(dāng)?shù)诙饘倨?與第三饋線8不接觸時，第三饋線8與金屬片7之間容性耦合。同樣，當(dāng)?shù)诙饘倨?與第四饋線9接觸時，第三饋線8與二金屬片7之間感性耦合；當(dāng)二金屬片7與第四饋線9不接觸時，第四饋線9與第二金屬片7之間容性耦合。本實(shí)用新型中，所述介質(zhì)基板兩相對表面的第一金屬片與第二金屬片可以連接， 也可以不連接。在第一金屬片與第二金屬片不連接的情況下，所述第一金屬片與第二金屬片之間通過容性耦合的方式饋電；此種情況下，通過改變介質(zhì)基板的厚度可以實(shí)現(xiàn)第一金屬片與第二金屬片的諧振。在第一金屬片與第二金屬片電連接的情況下(例如通過導(dǎo)線或金屬化通孔的形式連接)，所述第一金屬片與第二金屬片之間通過感性耦合的方式饋電。本實(shí)用新型中的所述第一微槽結(jié)構(gòu)41及第二微槽結(jié)構(gòu)71可以是圖9a所示的互
5補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、圖9b所示的互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、圖9c所示的開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖9d 所示的雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖9e所示的互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)中的一種或者是通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。衍生分為兩種，一種是幾何形狀衍生，另一種是擴(kuò)展衍生，此處的幾何形狀衍生是指功能類似、形狀不同的結(jié)構(gòu)衍生，例如由方框類結(jié)構(gòu)衍生到曲線類結(jié)構(gòu)、三角形類結(jié)構(gòu)及其它不同的多邊形類結(jié)構(gòu)；此處的擴(kuò)展衍生即在圖9a至圖 9e的基礎(chǔ)上開設(shè)新的槽以形成新的微槽結(jié)構(gòu)；以圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)為例， 圖IOa為其幾何形狀衍生示意圖，圖IOb為其幾何形狀衍生示意圖。此處的復(fù)合是指，圖9a 至圖9e的微槽結(jié)構(gòu)多個疊加形成一個新的微槽結(jié)構(gòu)，如圖Ila所示，為三個圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖lib所示，為兩個圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖9b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)共同復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖。此處的組陣是指由多個圖9a至圖9e所示的微槽結(jié)構(gòu)在同一金屬片上陣列形成一個整體的微槽結(jié)構(gòu)，如圖 12所示，為多個如圖9a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。以下均以圖 9c所示的開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)為例闡述本實(shí)用新型。我們知道，通過改變饋線的饋電位置可以得到不同極化方式的天線，因此，本實(shí)用新型中，通過改變第一饋線與第三饋線、第二饋線與第四饋線饋電位置的不同可以得到雙極化的手機(jī)天線。下面分五個實(shí)施例來詳細(xì)介紹本實(shí)用新型。應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)用新型的下述五個實(shí)施例中，介質(zhì)基板的相對兩面結(jié)構(gòu)相同，因此，下述五個實(shí)施例中，均只描述了介質(zhì)基板一表面的結(jié)構(gòu)。第一實(shí)施例如圖4所示，在本實(shí)施例中，在第一饋線2及第二饋線3上分別預(yù)設(shè)有嵌入感性電子元件和/或電阻的空間51、空間52，預(yù)設(shè)的嵌入電子元件空間的位置可以是第一饋線2 及第二饋線3上的任意位置，并且可以有多個?？稍诳臻g51及空間52中嵌入感性電子元件，以改變第一饋線2及第二饋線3上的電感值。運(yùn)用公式f=l/ (2ttD，可知電感值的大小和工作頻率的平方成反比，所以當(dāng)需要的工作頻率為較低工作頻率時，通過適當(dāng)?shù)那度腚姼谢蚋行噪娮釉?shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中，加入的感性電子元件的電感值范圍在0-5uH 之間，若太大交變信號將會被感性元件消耗從而影響到天線的輻射效率。本實(shí)施例的所述天線100具有多個頻段的良好輻射特性，幾乎涵蓋了第三代(3G)和第四代GG)移動手機(jī)通訊各個通信頻段，如第四代移動通訊技術(shù)的TD-LTE等具有非常高的集成度且可通過對第一饋線及第二饋線上的電感值進(jìn)行調(diào)節(jié)達(dá)到改變天線工作頻率的目的。當(dāng)然，也可以在空間51及空間52中嵌入兩個電阻，以改善天線的輻射電阻。當(dāng)然，空間51、52也可以是分別嵌入一個電阻以及一個感性電子元件，既實(shí)現(xiàn)了工作頻率的調(diào)節(jié)，又能改善天線的輻射電阻。當(dāng)然空間51與空間52中也可以只在其中加入電子元件，另一個空間用導(dǎo)線短接。實(shí)施例二如圖5所示，在本實(shí)施例中，在第一饋線2與第一金屬片4之間、第二饋線3與第一金屬片4之間預(yù)設(shè)有嵌入容性電子元件的空間53、空間M，預(yù)設(shè)的嵌入電子元件空間的位置可以是第一饋線2與第一金屬片4之間、第二饋線3與第一金屬片4之間的任意位置。 圖4中空間53和空間M為本實(shí)施例中嵌入容性電子元件的空間，第一饋線2、第二饋線3 與第一金屬片4之間本身具有一定的電容，這里通過嵌入容性電子元件調(diào)節(jié)第一饋線2、第二饋線3與第一金屬片4之間的信號耦合，運(yùn)用公式f=1/)，可知電容值的大小
和工作頻率的平方成反比，所以當(dāng)需要的工作頻率為較低工作頻率時，通過適當(dāng)?shù)那度腚娙莼蚋行噪娮釉?shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中，加入的容性電子元件的電容值范圍通常在0-2pF之間，不過隨著天線工作頻率的變化嵌入的電容值也可能超出0-2pF的范圍。當(dāng)然，也可以在第一饋線2、第二饋線3與第一金屬片4之間預(yù)設(shè)多個空間。同樣，在未連接有電子元件的空間中，采用導(dǎo)線短接。實(shí)施例三如圖6所示，在本實(shí)施例中，在第一金屬片的第一金屬走線42上預(yù)留有嵌入感性電子元件和/或電阻的空間，嵌入電子元件的空間不僅僅局限于圖中給出的空間55和空間 56，其他位置只要滿足條件均可。此處嵌入感性電子元件的目的是增加第一金屬片內(nèi)部諧振結(jié)構(gòu)的電感值，從而對天線的諧振頻率及工作帶寬起到調(diào)節(jié)的作用；與實(shí)施例一相同，此處嵌入電阻的目的是改善天線的輻射電阻。至于是嵌入感性電子元件還是電阻，則根據(jù)需要而定。另外在未嵌入電子元件的空間中，采用導(dǎo)線短接。實(shí)施例四如圖7所示，在本實(shí)施例中，在第一微槽結(jié)構(gòu)41上預(yù)留有嵌入容性電子元件的空間，并且所述空間連接兩側(cè)的第一金屬走線42。嵌入電子元件的空間不僅僅局限與圖5中給出的空間57，其他位置只要滿足條件均可。嵌入容性電子元件可以改變第一金屬片的諧振性能，最終改善天線的Q值及諧振工作點(diǎn)。作為公知常識，我們知道，通頻帶BW與諧振頻率wo和品質(zhì)因數(shù)Q的關(guān)系為BW = wo/Q，此式表明，Q越大則通頻帶越窄，Q越小則通頻帶越寬。另有Q = wL/R = 1/wRC，其中，Q是品質(zhì)因素；w是電路諧振時的電源頻率；L是電感；R是串的電阻；C是電容，由Q = wL/R = 1/wRC公式可知，Q和C呈反比，因此，可以通過加入容性電子元件來減小Q值，使通頻帶變寬。實(shí)施例五如圖8所示，在本實(shí)施例中，在第一饋線2、第二饋線3、第一饋線2與第一金屬片4 之間、第二饋線3與第一金屬片4之間及金屬片4這五個位置上都設(shè)置供電子元件嵌入的空間。其中，第一金屬片4上的空間包括設(shè)置在第一金屬走線42上的空間以及設(shè)置在第一微槽結(jié)構(gòu)41上且連接兩側(cè)的第一金屬走線42的空間。具體地，本實(shí)施例中的空間包括第一饋線2上的空間61，第二饋線3上的空間62，第一饋線2與第一金屬片4之間的空間63， 第二饋線3與第一金屬片4之間的空間64，第一金屬走線42上的空間65、66，微槽結(jié)構(gòu)41 上的空間67，當(dāng)然，本實(shí)施例中給出的位置并不是唯一性的，本實(shí)施例中，在上述的空間中加入電子元件以調(diào)節(jié)天線的性能，其原理與實(shí)施例一至四的原理類似，本實(shí)施例不再描述。本實(shí)用新型的天線100上空間的預(yù)留位置并不限于上述五種形式，空間只要設(shè)置在雙極化天線上即可。例如，空間還可以設(shè)置在介質(zhì)基板上。本實(shí)用新型的所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。在天線的預(yù)留空間中加入此類電子元件后，可以改善天線的各種性能。并且通過加入不同參數(shù)的電子元件，可以實(shí)現(xiàn)天線性能參數(shù)的可調(diào)。因此，本實(shí)用新型的雙極化天線在不加入任何元件之前可以是一樣的結(jié)構(gòu)，只是通過在不同位置加入不同的電子元件，以及電子元件的參數(shù) (電感值、電阻值、電容值)，來實(shí)現(xiàn)不同天線的性能參數(shù)。即實(shí)現(xiàn)了通用性?？梢源蠓档蜕a(chǎn)成本。[0059]本實(shí)用新型的所述空間可以是焊盤，也可以是一個空缺。焊盤的結(jié)構(gòu)可以參見普通的電路板上的焊盤。當(dāng)然，其尺寸的設(shè)計根據(jù)不同的需要會有所不同。另外，本實(shí)用新型中，介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。優(yōu)選地，由高分子材料制成，具體地可以是FR-4、F4B等高分子材料。本實(shí)用新型中，第一金屬片及第二金屬片為銅片或銀片。優(yōu)選為銅片，價格低廉， 導(dǎo)電性能好。本實(shí)用新型中，第一饋線、第二饋線、第三饋線及第四饋線選用與第一金屬片及第二金屬片同樣的材料制成。優(yōu)選為銅。本實(shí)用新型中，關(guān)于天線的加工制造，只要滿足本實(shí)用新型的設(shè)計原理，可以采用各種制造方式。最普通的方法是使用各類印刷電路板(PCB)的制造方法，當(dāng)然，金屬化的通孔，雙面覆銅的PCB制造也能滿足本實(shí)用新型的加工要求。除此加工方式，還可以根據(jù)實(shí)際的需要引入其它加工手段，比如RFID(RFID是Radio Frequency Identification的縮寫， 即射頻識別技術(shù)，俗稱電子標(biāo)簽)中所使用的導(dǎo)電銀漿油墨加工方式、各類可形變器件的柔性PCB加工、鐵片天線的加工方式以及鐵片與PCB組合的加工方式。其中，鐵片與PCB組合加工方式是指利用PCB的精確加工來完成天線微槽結(jié)構(gòu)的加工，用鐵片來完成其它輔助部分。另外，還可以通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法來加工。上面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本實(shí)用新型并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的啟示下，在不脫離本實(shí)用新型宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種手機(jī)，包括一 PCB板和與PCB板相連的天線，其特征在于，所述天線包括介質(zhì)基板、附著在介質(zhì)基板相對兩表面的第一金屬片及第二金屬片，圍繞第一金屬片設(shè)置有第一饋線、第二饋線，圍繞第二金屬片設(shè)置有第三饋線、第四饋線，所述第一饋線及第二饋線均通過耦合方式饋入所述第一金屬片，所述第三饋線及第四饋線均通過耦合方式饋入所述第二金屬片，所述第一金屬片上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)以在第一金屬片上形成第一金屬走線， 所述第二金屬片上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)以在第二金屬片上形成第二金屬走線，所述第一饋線與第三饋線電連接，所述第二饋線與第四饋線電連接，所述天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)，其特征在于，所述空間設(shè)置在第一饋線、第二饋線、第一饋線與第一金屬片之間、第二饋線與第一金屬片之間及第一金屬片這五個位置的至少一個上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)，其特征在于，所述空間設(shè)置在第三饋線、第四饋線、第三饋線與第二金屬片之間、第四饋線與第二金屬片之間及第二金屬片這五個位置的至少一個上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的手機(jī)，其特征在于，所述空間設(shè)置在第一金屬片上的第一金屬走線上，或者所述空間設(shè)置在第一微槽結(jié)構(gòu)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的手機(jī)，其特征在于，所述空間設(shè)置在第二金屬片上的第二金屬走線上，或者所述空間設(shè)置在第二微槽結(jié)構(gòu)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的手機(jī)，其特征在于，所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的手機(jī)，其特征在于，所述空間為形成在所述天線上的焊ο
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的手機(jī)，其特征在于，所述感性電子元件電感值的范圍在0-5uH 之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的手機(jī)，其特征在于，所述容性電子元件電容值的范圍在0-2pF 之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的手機(jī)，其特征在于，所述手機(jī)還包括一連接單元，所述天線通過所述連接單元與PCB板相連。
專利摘要一種手機(jī)包括一PCB板和與PCB板相連的天線，天線包括介質(zhì)基板、第一金屬片及第二金屬片，圍繞第一金屬片設(shè)置有第一饋線、第二饋線，圍繞第二金屬片設(shè)置有第三饋線、第四饋線，第一饋線及第二饋線均通過耦合方式饋入所述第一金屬片，第三饋線及第四饋線均通過耦合方式饋入第二金屬片，第一金屬片上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)以在第一金屬片上形成第一金屬走線，第二金屬片上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)以在第二金屬片上形成第二金屬走線，第一饋線與第三饋線電連接，第二饋線與第四饋線電連接，天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。滿足手機(jī)天線的小型化、低工作頻率、寬帶多模的要求，為手機(jī)上提供多功能的新業(yè)務(wù)平臺。
文檔編號H04M1/02GK202094958SQ20112018126
公開日2011年12月28日 申請日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者劉若鵬, 徐冠雄, 楊松濤 申請人:深圳光啟高等理工研究院