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發(fā)聲器件的制作方法

文檔序號(hào):7842633閱讀:428來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:發(fā)聲器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
發(fā)聲器件
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)聲器件,尤其涉及一種運(yùn)用于便攜式消費(fèi)性產(chǎn)品的發(fā)聲器件。
背景技術(shù)
在移動(dòng)電話等便攜設(shè)備快速發(fā)展的過(guò)程中,人們對(duì)產(chǎn)品的功能性要求越來(lái)越強(qiáng), 對(duì)于移動(dòng)電話的音樂(lè)欣賞這一功能,為了使娛樂(lè)效果更強(qiáng),出現(xiàn)了音樂(lè)帶振動(dòng)的模式,由此,發(fā)聲器件的發(fā)展也相應(yīng)加快。相關(guān)技術(shù)的發(fā)聲器件包括盆架、固定在所述盆架上并設(shè)有磁間隙的磁路系統(tǒng)和置于所述磁間隙內(nèi)的音圈。所述音圈設(shè)有音圈引線,所述盆架設(shè)有固定所述磁路系統(tǒng)的底壁, 所述音圈弓I線跨經(jīng)所述底壁連接到外電路。然而,相關(guān)技術(shù)的發(fā)聲器件其盆架底壁為平板結(jié)構(gòu),其與所述音圈引線相隔的距離很小,所述音圈引線在振動(dòng)過(guò)程中容易碰到所述底壁而產(chǎn)生雜音,從而使得相關(guān)技術(shù)的發(fā)聲器件產(chǎn)品在工作時(shí)的純音效果差。因此,實(shí)有必要提供一種新結(jié)構(gòu)的發(fā)聲器件克服上述問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型需解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種純音效果好發(fā)聲器件。根據(jù)上述的技術(shù)問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種發(fā)聲器件,其目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種發(fā)聲器件,其包括盆架、固定在所述盆架上并設(shè)有磁間隙的磁路系統(tǒng)和收容于所述磁間隙內(nèi)的音圈。所述音圈設(shè)有音圈引線,所述音圈引線包括彎折部和由所述彎折部延伸的連接部。所述盆架設(shè)有底壁,所述底壁設(shè)有上表面和與所述上表面相對(duì)的下表面。其中,所述底壁還設(shè)有由所述上表面向所述下表面凹陷的讓位臺(tái)階,所述讓位臺(tái)階位于所述音圈引線的正下方。優(yōu)選的,所述讓位臺(tái)階上還設(shè)有向所述下表面方向凹陷的讓位槽,所述讓位槽位于所述彎折部的正下方。優(yōu)選的,所述底壁呈中空狀,其包括內(nèi)側(cè)壁,所述內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有限位塊,所述磁路系統(tǒng)置于所述底壁的中空位置并被所述限位塊卡設(shè)在所述底壁上。與相關(guān)技術(shù)相比,本實(shí)用新型發(fā)聲器件純音效果更好。

圖1為本實(shí)用新型發(fā)聲器件部分結(jié)構(gòu)立體圖。圖2為本實(shí)用新型發(fā)聲器件的盆架立體結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖1-2所示,一種發(fā)聲器件10,其包括盆架1、固定在盆架1上并設(shè)有磁間隙(未標(biāo)號(hào))的磁路系統(tǒng)2和收容于磁間隙內(nèi)的音圈3,音圈3設(shè)有音圈引線31,音圈引線31包括彎折部311和由彎折部311順向延伸的連接部312。其中,盆架1設(shè)有收容音圈引線31 的讓位臺(tái)階11。具體的,本實(shí)施方式中,盆架1設(shè)有底壁12和由底壁12延伸的側(cè)壁13,底壁12 設(shè)有上表面121和與上表面121相對(duì)的下表面122,底壁12還設(shè)有由上表面121向下表面 122凹陷的讓位臺(tái)階11,讓位臺(tái)階11位于音圈引線31的正下方,進(jìn)而為音圈引線31實(shí)現(xiàn)讓位,使其振動(dòng)空間更大。讓位臺(tái)階11在本實(shí)施方式中是指其表面低于底壁12的上表面 121的部分。更優(yōu)的,讓位臺(tái)階11上還設(shè)有向下表面122方向凹陷的讓位槽111,讓位槽111位于彎折部311的正下方。因?yàn)閺澱鄄?11是音圈引線3振動(dòng)時(shí)振幅最大的部分,因此使讓位槽111位于彎折部311的正下方,從而讓位槽111進(jìn)一步為彎折部311做出讓位,使彎折部311有更大的振動(dòng)空間。連接部312則經(jīng)盆架1的側(cè)壁13延伸至與外部電路相接。本實(shí)施方式中,底壁12呈中空狀,其設(shè)有中空位置5,底壁12包括內(nèi)側(cè)壁121,內(nèi)側(cè)壁121上設(shè)有限位塊4,磁路系統(tǒng)2置于底壁12的中空位置5處并被限位塊4卡設(shè)在底壁12上。與相關(guān)技術(shù)相比,本實(shí)用新型發(fā)聲器件其在音圈引線所經(jīng)過(guò)的盆架底壁上設(shè)置了讓位臺(tái)階,并使音圈引線其振幅最大的彎折部位于所述讓位臺(tái)階正上方,從而使音圈引線有了更大的振動(dòng)空間而不會(huì)因振動(dòng)時(shí)與盆架底壁碰撞而發(fā)出雜聲,進(jìn)而使得本實(shí)用新型發(fā)聲器件的純音效果更好。以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式,在此應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出改進(jìn),但這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種發(fā)聲器件,其包括盆架、固定在所述盆架上并設(shè)有磁間隙的磁路系統(tǒng)和收容于所述磁間隙內(nèi)的音圈,所述音圈設(shè)有音圈引線,所述音圈引線包括彎折部和由所述彎折部延伸的連接部,所述盆架設(shè)有底壁,所述底壁設(shè)有上表面和與所述上表面相對(duì)的下表面,其特征在于所述底壁還設(shè)有由所述上表面向所述下表面凹陷的讓位臺(tái)階,所述讓位臺(tái)階位于所述音圈引線的正下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件,其特征在于所述讓位臺(tái)階上還設(shè)有向所述下表面方向凹陷的讓位槽,所述讓位槽位于所述彎折部的正下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)聲器件,其特征在于所述底壁呈中空狀,其包括內(nèi)側(cè)壁, 所述內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有限位塊,所述磁路系統(tǒng)置于所述底壁的中空位置并被所述限位塊卡設(shè)在所述底壁上。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種發(fā)聲器件,其包括盆架、固定在所述盆架上并設(shè)有磁間隙的磁路系統(tǒng)和收容于所述磁間隙內(nèi)的音圈。所述音圈設(shè)有音圈引線,所述音圈引線包括彎折部和由所述彎折部延伸的連接部,所述盆架設(shè)有底壁,所述底壁設(shè)有上表面和與所述上表面相對(duì)的下表面。其中,所述底壁還設(shè)有由所述上表面向所述下表面凹陷的讓位臺(tái)階,所述讓位臺(tái)階位于所述音圈引線的正下方。與相關(guān)技術(shù)相比,本實(shí)用新型的發(fā)聲器件純音效果更好。
文檔編號(hào)H04R9/04GK202310073SQ201120396528
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月18日
發(fā)明者吳樹(shù)文, 黃金全 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(常州)有限公司, 瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司
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