專利名稱：具有像素內(nèi)存儲(chǔ)器的高動(dòng)態(tài)范圍圖像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開涉及互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，尤其涉及使用具有不同復(fù)位時(shí)間及像素存儲(chǔ)器的的像素的高動(dòng)態(tài)范圍圖像傳感器。
背景技術(shù)：
設(shè)計(jì)圖像傳感器的挑戰(zhàn)之一在于需要圖像傳感器展現(xiàn)出高動(dòng)態(tài)范圍。很多應(yīng)用，尤其是室外應(yīng)用，需要圖像傳感器具有高動(dòng)態(tài)范圍來適用于非常亮和非常暗的區(qū)域。例如，一些應(yīng)用的照明條件可能從夜視的低于I勒克斯到明亮日光下的超過10，000勒克斯。真實(shí)世界景象的光照強(qiáng)度的變化范圍可能達(dá)到或超過100分貝。生物視覺系統(tǒng)和鹵化銀膠片能夠?qū)Ω邉?dòng)態(tài)范圍景象(100分貝以上)進(jìn)行成像而幾乎不損大對(duì)比度信息，而開發(fā)出能夠做到這一點(diǎn)的電子圖像傳感器則頗具挑戰(zhàn)性。目前大多數(shù)圖像傳感器的動(dòng)態(tài)范圍是有限的，通常在50分貝到80分貝之間。因此，捕捉到的景象的相關(guān)信息內(nèi)容被損大掉了。所以，需要有能夠更精確地捕捉景象的高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)圖像傳感器。當(dāng)這些現(xiàn)有的傳感器被用于捕捉帶有非常亮的區(qū)域的景象時(shí)，在圖像浮散(blooming)中光照強(qiáng)度會(huì)出現(xiàn)比較大的變化。由這個(gè)非常亮的光源照亮的像素飽和并將信號(hào)溢出到相鄰的像素，使得輸出圖像的明亮區(qū)域擴(kuò)大而丟大了真實(shí)的圖像。試圖為CMOS圖像傳感器擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍的現(xiàn)有技術(shù)包括:1.測(cè)量達(dá)到閾值的時(shí)鐘周期的個(gè)數(shù)。見，例如，Konuma的編號(hào)5，650, 643的美國(guó)專利。2.捕捉具有不同積分時(shí)間的兩個(gè)或更多關(guān)聯(lián)圖像，并將該多個(gè)圖像合并為單個(gè)高動(dòng)態(tài)范圍圖像。見，例如，"Wide Intrascene Dynamic Range CMOS APS Using DualSampling" , Orly Yadid-Pecht 等，1997IEEE Workshop on Charge-Coupled Device andAdvanced Image Sensors,以及"A640X 512CM0S Image Sensor with Ultra Wide DynamicRange Floating Point Pixel Level ADC" , D.X.D.Yang 等，ISSCC Digest ofTechnicalPapers, 1999 年 2 月。3.對(duì)數(shù)轉(zhuǎn)換功能像素架構(gòu)。見，例如，S.Kavadias 等，“Alogarithmic responseCMOS image sensor with on-chip calibration，，，IEEE J.Solid State Circuits,第 35卷，第8號(hào)，2000年8月。4.在積分過程中改變復(fù)位門的等級(jí)。其電流向電荷轉(zhuǎn)化的功能被壓縮，從而提高最大非飽和電流。見，例如，Sayag的編號(hào)5.055，667的美國(guó)專利，以及S.J.Decker等的“A256x256 CMOS Imaging Array with Wide Dynamic Range Pixels and Column-ParallelDigital Output”，IEEE J.Solid State Circuits，第 33 卷，pp.2081-2091，1998 年 12 月。5.在空間上改變曝光:a.中性密度過濾器被置于傳感器上，以使得具有較暗過濾器的像素對(duì)高亮度的光進(jìn)行采樣，而具有較亮過濾器的像素對(duì)低亮度的光進(jìn)行采樣。使用低通濾波或更精密的技術(shù)例如三次插值來合成高動(dòng)態(tài)范圍圖像。見，例如，Nayer的編號(hào)6，864，916的美國(guó)專利。b.單獨(dú)地復(fù)位像素。見，例如，Merrill的編號(hào)5，892，541的美國(guó)專利，以及OrlyYadid-Pecht等的編號(hào)6，175，383的美國(guó)專利。' 383專利值得進(jìn)一步討論。由圖1 (復(fù)制了' 383專利的圖3)可見，對(duì)照傳統(tǒng)的3TAPS設(shè)計(jì)，'383專利用一個(gè)附加的晶體管實(shí)現(xiàn)了單獨(dú)像素復(fù)位。這些像素的復(fù)位可以在不同時(shí)間進(jìn)行，但是所有像素的采樣都是在采樣時(shí)間完成的。通過為每個(gè)像素改變其復(fù)位時(shí)間，復(fù)位時(shí)間與采樣時(shí)間之間的時(shí)間(積分周期)可以根據(jù)需要為每個(gè)像素而改變。由圖1可見，'383專利還教導(dǎo)了通過激活行選擇晶體管56并讀取列總線60上的電壓來進(jìn)行無損性讀取。無損性讀取可以用于為感興趣的給定范圍來確定最佳曝光周期。在運(yùn)行中，當(dāng)行復(fù)位線路RRST和列復(fù)位線路CRST52同時(shí)較高時(shí)，邏輯復(fù)位晶體管48會(huì)打開(turn on)且節(jié)點(diǎn)LRST50為高,而該像素將被復(fù)位。否則,行復(fù)位晶體管48中通過低電壓，該低電壓不會(huì)激活該邏輯復(fù)位晶體管。同一列上的像素共享列復(fù)位線路52。再轉(zhuǎn)到圖2(復(fù)制了' 383專利的圖5)，，383專利示出了，通過改變單個(gè)像素的復(fù)位時(shí)間，可以實(shí)現(xiàn)T、T1、T2或T3的積分時(shí)間。注意每個(gè)像素不包含存儲(chǔ)器，而且像素的復(fù)位時(shí)間必須由外圍處理線路決定。這個(gè)現(xiàn)有的解決方案與其它技術(shù)相比具有優(yōu)勢(shì)，但其仍無法提供完全令人滿意的性能。


通過附圖，以示例的方式描述本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求確定，這些附圖應(yīng)被理解為具有示例性而非限定性。圖1為使用四個(gè)晶體管的現(xiàn)有技術(shù)中的像素設(shè)計(jì)。圖2為圖1現(xiàn)有技術(shù)中的像素的時(shí)間圖。圖3為根據(jù)公開的實(shí)施例的像素中應(yīng)用的存儲(chǔ)器閂鎖電路。圖4為示出了圖3中的存儲(chǔ)器閂鎖電路的運(yùn)行的時(shí)間圖。圖5為根據(jù)公開的實(shí)施例的像素的電路圖。圖6為示出了圖5中像素的運(yùn)行的時(shí)間圖。圖7為根據(jù)另一公開的實(shí)施例的像素的電路圖。圖8為示出了圖7中像素的運(yùn)行的時(shí)間圖。圖9為用于讀出圖5中像素的讀取電路的框圖。圖10為用于讀出圖7中像素的讀取電路的框圖。詳細(xì)說明
具體實(shí)施例方式在接下來的說明中，術(shù)語(yǔ)“實(shí)施例”并不限定為多于一個(gè)實(shí)施例，相反，其范圍包括一個(gè)實(shí)施例，多于一個(gè)實(shí)施例，或可能是所有實(shí)施例。如將在下面詳述地，公開的實(shí)施例通過單獨(dú)控制每個(gè)像素的曝光時(shí)間來擴(kuò)大圖像傳感器的動(dòng)態(tài)范圍。進(jìn)一步地，公開的實(shí)施例中，每個(gè)像素具有“存儲(chǔ)器單元”。在曝光開始之前，該光傳感器連接到漏極(drain)。另外，公開的實(shí)施例能夠以高幀率來運(yùn)行該圖像傳感器。進(jìn)一步地，該圖像傳感器使用來自前一幀或前多幀的信息來為當(dāng)前幀預(yù)期曝光時(shí)間。圖3示出了包含在公開的圖像傳感器的像素中的存儲(chǔ)器閂鎖電路。該存儲(chǔ)器閂鎖電路完成閂鎖的功能。其包括開關(guān)晶體管M1，閂鎖晶體管M2，和存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)MEM。固有寄生電容器、開關(guān)晶體管Ml的柵極電容、以及閂鎖晶體管M2的源極的PN結(jié)電容，被用作存儲(chǔ)裝置來存儲(chǔ)邏輯高信號(hào)或邏輯低信號(hào)。閂鎖晶體管M2的柵極連接到行復(fù)位線路ROW。閂鎖晶體管M2的漏極連接到列復(fù)位線路C0L。閂鎖晶體管M2的源極連接到存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)MEM。圖4示出了用于實(shí)現(xiàn)閂鎖功能的時(shí)間圖。在圖4中，使ROW信號(hào)產(chǎn)生脈沖。在第一個(gè)脈沖處，線路COL上的信號(hào)被置于存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)MEM上。在ROW線路上的第一個(gè)脈沖的下降沿，使得晶體管M2關(guān)斷(shut off)，并導(dǎo)致該信號(hào)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)MEM中。為了最小化對(duì)光電二極管的影響，在一個(gè)實(shí)施例中，線路COL上的邏輯值在ROW的邏輯值變?yōu)楦咧熬鸵丫臀?也即，穩(wěn)定)，并且該邏輯值將保持到ROW變?yōu)榈椭?。由于ROW上的信號(hào)為低，COL的邏輯值不會(huì)影響存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)MEM中的邏輯值。注意在圖4中，圖示的陰影區(qū)域表示不確定的或不相干的信號(hào)。在圖4中，如果COL上的信號(hào)為高，那么在ROW線路脈沖形成高信號(hào)后，該存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)將為高。如果COL上的信號(hào)為低(見于第三個(gè)ROW脈沖的起始)，那么該存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)MEM將為低。最終，就在最后一個(gè)ROff脈沖之前，COL信號(hào)變?yōu)楦撸鎯?chǔ)器節(jié)點(diǎn)MEM再一次變?yōu)楦?。如此，圖3運(yùn)行為一個(gè)存儲(chǔ)在列復(fù)位線路COL上的信號(hào)的存儲(chǔ)裝置。存儲(chǔ)由該行復(fù)位線路ROW來啟動(dòng)。圖5示出了能夠進(jìn)行實(shí)現(xiàn)單獨(dú)像素復(fù)位和像素內(nèi)存儲(chǔ)器的全像素電路。示出了單個(gè)的像素，其包含了圖3中晶體管Ml和M2的閂鎖功能。在圖5中，該存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)被標(biāo)為NTX0 Ml是該光電二極管和源極跟隨器M4的柵極之間的傳輸門。注意圖5中示出了光電二極管，但是可以理解，可以很容易地用其它類型的光敏裝置如釘扎光電二極管、光電門及類似物來替代該光電二極管。因此，在此處及權(quán)利要求書中使用的術(shù)語(yǔ)光電二極管，代表任何能夠?qū)⑷肷涔廪D(zhuǎn)換為電信號(hào)的光敏裝置。M4為源極跟隨器，其在浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF上的信號(hào)將被讀出時(shí)，對(duì)該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF上的該信號(hào)進(jìn)行放大。M3為用于將該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF復(fù)位為固定電壓的復(fù)位晶體管。通常，行讀取選擇晶體管M5是關(guān)斷的，除非在需要讀取像素行時(shí)，它會(huì)被打開。因此，選擇晶體管M5將像素與列信號(hào)總線SIG隔離。復(fù)位晶體管M3的柵極連接到行總線RST。復(fù)位晶體管M3和源極跟隨器M4的漏極均連接到線路VD，典型地，線路VD是在多數(shù)情況下具有電壓VD的電源線。閂鎖晶體管M2的柵極連接到行復(fù)位線路R0W，且其漏極連接到列復(fù)位線路C0L。行總線RST總是有效的，除非該行被選出來讀取。當(dāng)該行沒有被選出讀取時(shí)(也即，當(dāng)行總線RST為高時(shí))，該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF連接到線路VD。作為替代方式，該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF可以連接到單獨(dú)的電源電壓參考并被單獨(dú)控制。換言之，該復(fù)位晶體管M3的漏極可以不連接到線路VD，而是連接到單獨(dú)的線路，該線路具有另外的電源電壓參考。這可能有利于控制“暗電路(dark current)”。利用像素設(shè)計(jì)中的該存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)NTX，在這個(gè)像素的積分開始之前，高電壓信號(hào)(來自列復(fù)位線路C0L)就被存儲(chǔ)在NTX中。這使得該傳輸晶體管Ml打開。于是，由于行總線RST也為高，該光電二極管連接到承載著電壓VD的線路VD。這個(gè)光電二極管中在積分開始之前聚集的電荷將會(huì)向線路VD排放。因此，由于該光電二極管可以向線路VD排放，該光電二極管在積分之前就“空”了。這可以防止浮散。一方面，晶體管Ml也可以被視為是一個(gè)“復(fù)位”晶體管，因?yàn)槿绻鸐l打開，該光電二極管會(huì)被保持或復(fù)位到線路VD上的電壓VD。
當(dāng)這個(gè)像素的積分開始，存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)NTX中的信號(hào)(從列復(fù)位線路COL上的信號(hào))變換到低。當(dāng)NTX變?yōu)榈?，該光電二極管被與該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF和線路VD隔離。然后，該光電二極管開始積蓄電荷。具體地，圖6示出了時(shí)間圖，其中作為例子，假設(shè)每個(gè)像素共有5個(gè)可能的積分時(shí)間。假設(shè)該像素的積分時(shí)間是T3。當(dāng)為具有積分時(shí)間T5和T4的像素選擇該行時(shí)，該列復(fù)位線路COL為高。在ROW線路上的第三個(gè)脈沖之前，該存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)NTX為高。該光電二極管連接到放電線路(線路VD)且電荷不會(huì)在該二極管中積聚電荷，因此不會(huì)發(fā)生浮散。就在該ROW線路上的第三個(gè)脈沖之前，該列復(fù)位線路COL變?yōu)榈?這表示對(duì)于該像素，積分應(yīng)該開始。因?yàn)镃OL為低，所以從所述第三個(gè)脈沖的上升沿開始，該存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)NTX為低。由于NTX承載著一個(gè)低信號(hào)，傳輸門Ml關(guān)斷(將該光電二極管從線路VD隔離和斷開)，且電荷開始在該光電二極管中積聚。在采樣時(shí)間，該ROW線路和COL線路均為高，激活了該傳輸晶體管Ml。該RST線路為低，其關(guān)斷了該復(fù)位晶體管M3。而后，光電二極管中積聚的電荷移到該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF。節(jié)點(diǎn)NF上的信號(hào)接著被源極跟隨器M4放大，并在選擇晶體管M5被線路RS打開時(shí)被讀取?？梢?，通過控制該ROW線路和COL線路上的信號(hào)，可以在逐個(gè)像素的基礎(chǔ)上對(duì)每個(gè)像素的積分周期進(jìn)行控制。在實(shí)用中，由于每個(gè)COL線路對(duì)應(yīng)一列的像素，可以同時(shí)對(duì)一整行像素的積分時(shí)間進(jìn)行控制。注意示出了另外兩個(gè)信號(hào)=Holdl和Hold2。這兩個(gè)信號(hào)與列放大器中的相關(guān)二次采樣(CDS)電路關(guān)聯(lián)地使用。對(duì)這兩個(gè)信號(hào)的使用在本領(lǐng)域中已有，而且一般地，在復(fù)位和讀取過程中對(duì)信號(hào)線路進(jìn)行采樣來消除固定噪聲和kTC噪聲。圖7為根據(jù)本發(fā)明公開的像素的另一實(shí)施例。該像素能夠利用像素內(nèi)存儲(chǔ)器進(jìn)行個(gè)體像素復(fù)位。該閂鎖晶體管M2和開關(guān)Ml作為光電二極管像素內(nèi)的側(cè)向溢流口(lateraloverflow drain)。在積分開始之前,該存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)NLRST總為高。該側(cè)向溢流口晶體管Ml打開，從而將該光電二極管連接到承載著電壓VD的線路VD。于是，該光電二極管在積分之前為“空”，且在積分之前也沒有浮散。與圖5所示實(shí)施例不同，圖7中的這個(gè)光電二極管信號(hào)傳輸晶體管M5由專線TX控制，而不是由COL和ROW的組合來控制。圖8所示的時(shí)間圖描繪了圖7中像素的運(yùn)行。仍假設(shè)這個(gè)特定的像素的積分時(shí)間是T3。就在ROW線路的第三個(gè)脈沖之前，該像素的COL線路變?yōu)榈汀＿@使得在存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)NLRST處存儲(chǔ)低信號(hào)，從而將該光電二極管從該線路VD隔離。在積分之前，該線路NLRST已經(jīng)存儲(chǔ)了來自該COL線路的高信號(hào)，其打開該晶體管Ml并將該光電二極管連接到VD。在積分時(shí)間周期隨COL線路轉(zhuǎn)低而開始后，該光電二極管被隔離而可以開始積聚電荷。在讀取時(shí)間，線路TX變高并打開光電二極管信號(hào)傳輸晶體管M5,允許光電二極管中積聚的電荷轉(zhuǎn)到浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF。注意就在讀取之前，通過在線路RST上施加一個(gè)高信號(hào)來打開復(fù)位晶體管M3從而復(fù)位該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)NF。節(jié)點(diǎn)NF上的信號(hào)被源極放大器M4放大，并被讀取到線路SIG上。實(shí)用中，每個(gè)幀內(nèi)的可能的積分周期的數(shù)目限定在一個(gè)具體數(shù)字。積分周期的數(shù)目為2、4、8、或16等數(shù)字可能會(huì)比較有利。可見，所有這些數(shù)字都是2的冪并取決于多少比特被用于表示積分周期。在實(shí)施中，一個(gè)N個(gè)可能的積分周期的表覆蓋了每個(gè)像素的所有可能的曝光次數(shù)。每個(gè)像素具有標(biāo)記n(n在I和N之間)，表示曝光時(shí)間。實(shí)際的曝光時(shí)間可以在該曝光時(shí)間表中找到。每個(gè)像素的曝光時(shí)間取決于，例如，回顧之前的一巾貞或多巾貞且在積分結(jié)束發(fā)出的信號(hào)低于飽和水平。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，外圍控制電路用于向線路發(fā)送合適的定時(shí)信號(hào)和高/低信號(hào)。圖5中的像素的一個(gè)示例性結(jié)構(gòu)如圖9所示。定時(shí)和控制電路連接到像素曝光存儲(chǔ)器。該像素曝光存儲(chǔ)器由之前的一幀或多幀識(shí)別出畫面中呈現(xiàn)飽和水平或低亮度水平的區(qū)域?；谶@一信息，被影響的像素的積分周期被向上或向下調(diào)整以擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍。該定時(shí)和控制電路向行解碼器和行驅(qū)動(dòng)電路、列相關(guān)二次采樣(CDS)和列模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器、以及列解碼器提供控制信號(hào)。這些信號(hào)實(shí)現(xiàn)了每個(gè)像素的復(fù)位、讀取、和積分時(shí)間功能。圖10示出了圖7中像素的類似電路。注意該存儲(chǔ)器和控制電路可以和該圖像傳感器位于同一芯片或不同的芯片上。各個(gè)實(shí)施例的特征和方面可以并入到其它實(shí)施例中，且本文中所描述的實(shí)施例可以在不具有所描述或介紹的全部特征和方面而得以實(shí)施。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)理解，盡管已經(jīng)為說明之目的而對(duì)該系統(tǒng)和方法的具體例子和實(shí)施例進(jìn)行了介紹，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以進(jìn)行各種各樣的改動(dòng)。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以用于具有不同類型光敏裝置的圖像傳感器，這些光敏裝置例如光電二極管、光電門、釘扎光電二極管、及其等同物。另外，一個(gè)實(shí)施例的特征可以并入到其他實(shí)施例中，即使本文中并未在單個(gè)實(shí)施例中將那些特征一并介紹。因此，本發(fā)明如隨附的權(quán)利要求書所述。
權(quán)利要求
1.一種用于圖像傳感器的像素，包括: 光電二極管； 由行線路和列線路控制的存儲(chǔ)器閂鎖電路，該存儲(chǔ)器閂鎖電路將控制信號(hào)閂鎖并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)中，該控制信號(hào)控制該光電二極管的積分周期； 源極跟隨晶體管，其接收來自該光電二極管的光電二極管信號(hào)，并將該光電二極管信號(hào)放大以用于讀取到信號(hào)線路。
2.如權(quán)利要求1所述的像素，其中，通過讀取行選擇晶體管來進(jìn)行所述讀取到所述信號(hào)線路的操作。
3.如權(quán)利要求1所述的像素，其中，所述光電二極管信號(hào)施加在浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)上，該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)連接到該源極跟隨晶體管的柵極。
4.如權(quán)利要求1所述的像素，其中，使用由復(fù)位線路控制的復(fù)位晶體管來復(fù)位所述浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)，該浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)被復(fù)位到由線路VD承載的電壓VD。
5.如權(quán)利要求1所述的像素，其中，該存儲(chǔ)器閂鎖電路包括: 由所述行線路控制的行選擇晶體管；以及 在該光電二極管與浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)之間的傳輸晶體管，該傳輸晶體管由該控制信號(hào)控制。
6.如權(quán)利要求1所述的像素，其中該控制信號(hào)啟動(dòng)該光電二極管的積分周期。
7.如權(quán)利要求1所述的像素，其中，該控制信號(hào)由該列線路承載，在該列線路中，所述控制信號(hào)在該行線路被脈 沖之前和之后是穩(wěn)定的。
8.如權(quán)利要求1所述的像素，其中，當(dāng)該光電二極管不在所述積分周期內(nèi)時(shí)，該光電二極管信號(hào)向放電線路放電。
9.如權(quán)利要求8所述的像素，其中，所述放電線路為線路VD。
10.如權(quán)利要求1所述的像素，其中，所述光電二極管為釘扎光電二極管。
11.一種用于圖像傳感器的像素，包括: 光電二極管； 由行線路和列線路控制的存儲(chǔ)器閂鎖電路，該存儲(chǔ)器閂鎖電路將控制信號(hào)閂鎖并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器節(jié)點(diǎn)中，該控制信號(hào)控制該光電二極管的積分周期； 在該光電二極管與浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)之間的傳輸晶體管； 源極跟隨晶體管，其接收來自該光電二極管的光電二極管信號(hào)，在經(jīng)該傳輸晶體管傳輸后，所述源極跟隨器晶體管將該光電二極管信號(hào)放大以用于讀取到信號(hào)線路。
12.如權(quán)利要求11所述的像素，其中，使用由復(fù)位線路控制的復(fù)位晶體管來復(fù)位所述浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)。
13.如權(quán)利要求11所述的像素，其中，所述存儲(chǔ)器閂鎖電路包括: 由該行線路控制的行選擇晶體管；以及 在所述光電二極管和線路VD之間的側(cè)向溢流口晶體管，該側(cè)向溢流口晶體管由所述控制信號(hào)控制。
14.如權(quán)利要求11所述的像素，其中，所述控制信號(hào)啟動(dòng)該光電二極管的該積分周期。
15.如權(quán)利要求11所述的像素，其中，所述光電二極管為釘扎光電二極管。
16.如權(quán)利要求11所述的像素，其中，該控制信號(hào)由該列線路承載，在該列線路中，所述控制信號(hào)在該行線路被脈沖之前和之后是穩(wěn)定的。
17.如權(quán)利要求11所述的像素，其中，當(dāng)所述光電二極管不在該積分周期中時(shí)，該光電二極管信號(hào)向放電線路放電。
18.如權(quán)利要求17所 述的像素，其中，該放電線路為線路VD。
全文摘要
公開了一種高動(dòng)態(tài)范圍CMOS圖像傳感器。該圖像傳感器的像素包含像素內(nèi)存儲(chǔ)器。進(jìn)一步地，所述各像素可以具有變化的積分周期。積分周期部分地由之前的積分周期內(nèi)存儲(chǔ)在像素內(nèi)存儲(chǔ)器中的信號(hào)來確定。
文檔編號(hào)H04N5/355GK103181162SQ201180042262
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月1日
發(fā)明者何新平 申請(qǐng)人:晶相光電股份有限公司