專利名稱：通信設(shè)備的測(cè)試裝置及使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，具體而言，涉及ー種通信設(shè)備的測(cè)試裝置及使用方法。
背景技術(shù)：
伴隨著全業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)的不斷深入，全網(wǎng)IP化已經(jīng)成為不爭(zhēng)的事實(shí)，由此，帶來了業(yè)務(wù)量的急劇增長(zhǎng)，對(duì)運(yùn)營(yíng)商傳輸網(wǎng)的壓カ也越來越大，増加傳輸網(wǎng)的帶寬已是刻不容緩。目前,40G 密集型光波復(fù)用(Dense Wavelength Division Multiplexing,簡(jiǎn)稱為 DWDM)技術(shù)已逐步成熟并已投入大規(guī)模商用，暫時(shí)緩解了當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)對(duì)于容量的迫切需求。當(dāng)相關(guān)技術(shù)中將注意力都集中在40G的大規(guī)模商用吋，2010年6月又通過了 100GE標(biāo)準(zhǔn)。在數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的爆炸式增長(zhǎng)下，40G/100G正在不斷發(fā)展和完善，而且40G/100G高速傳輸技術(shù)已經(jīng)成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。 40G/100G的正式商用，離不開光模塊的支持，F(xiàn)inisar、Opnext和住友電エ早在09年3月就成立了外形封裝可插拔(CFP)多源協(xié)議(MSA)，制定出關(guān)于40G/100G CFP光模塊的標(biāo)準(zhǔn)。2010年6月，Avago科技、Finisar、Opnext和住友電エ聯(lián)合發(fā)布了 CFP MSA新版關(guān)于光模塊軟硬件規(guī)格的文件。該文件的宗g在于為40G/100G應(yīng)用的熱插拔光模塊建立統(tǒng)ー的規(guī)范。圖I是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CFP模塊的接ロ定義的示意圖。如圖I所示，目前，雖然很多廠家已經(jīng)推出了商用的40G/100G光模塊，但是由于光模塊成本太高，加上硬件單板本身又價(jià)格不菲，高昂的價(jià)格已經(jīng)成為40G/100G未來應(yīng)用的瓶頸。40G/100G設(shè)備開發(fā)的難度不光體現(xiàn)在硬件成本上，測(cè)試生產(chǎn)等各個(gè)開發(fā)環(huán)節(jié)也都面臨著巨大的挑戰(zhàn)。以測(cè)試環(huán)節(jié)為例，在通信設(shè)備生產(chǎn)測(cè)試過程中，設(shè)備的組成部分(各種板卡)在生產(chǎn)完畢后都要經(jīng)過各種測(cè)試以達(dá)到質(zhì)量要求，其中一個(gè)環(huán)節(jié)就是長(zhǎng)時(shí)間的高溫老化測(cè)試。40G/100G由于采用的是光接ロ板，使得光模塊成為測(cè)試環(huán)節(jié)中不可缺少的部分。常規(guī)的高溫老化測(cè)試方法是將被測(cè)設(shè)備放置在高溫環(huán)境下進(jìn)行，并且通過測(cè)試儀表監(jiān)控設(shè)備的運(yùn)行情況，其中，該監(jiān)控包括數(shù)據(jù)誤碼率、告警等參數(shù)。由于設(shè)備中光接ロ板的光模塊通常承擔(dān)著業(yè)務(wù)接入、環(huán)回或者串接的功能，因此，光模塊必須配置在光接ロ板中才能進(jìn)行正常的老化測(cè)試。光模塊在制作出廠前，按照相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，必須要經(jīng)過老化測(cè)試流程。然而，由于光模塊在整機(jī)設(shè)備進(jìn)入工程現(xiàn)場(chǎng)前，經(jīng)過了 2次老化過程，造成了光模塊的過度老化，從而導(dǎo)致光模塊壽命縮短，故障發(fā)生率增高。在CFP光模塊應(yīng)用時(shí)間較短，各方面成熟度都還不高的情況下，CFP光模塊發(fā)生故障的概率就更高。在目前CFP成本居高不下的背景下，每損壞ー個(gè)光模塊對(duì)生產(chǎn)環(huán)節(jié)而言都會(huì)產(chǎn)生額外的支出，再加上如果過度老化的光模塊在現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行過程中出現(xiàn)故障的一般都是骨干接ロ，由此造成的損失非常大。因此，相關(guān)技術(shù)中存在如何避免光模塊過度老化，同時(shí)又可以確保設(shè)備的老化測(cè)試正常進(jìn)行的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了ー種通信設(shè)備的測(cè)試裝置及使用方法，以至少解決相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測(cè)試所造成的光模塊過度老化的問題。
根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)方面，提供了ー種通信設(shè)備的測(cè)試裝置。根據(jù)本發(fā)明的通信設(shè)備的測(cè)試裝置包括PCB，其中，該P(yáng)CB包括一組或多組環(huán)回電路；各組環(huán)回電路均包括第一輸入管腳和第二輸入管腳，分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸出端相連接；第一輸出管腳和第二輸出管腳，分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸入端相連接；第一電容，連接在第一輸入管腳和第一輸出管腳之間；第二電容，連接在第二輸入管腳和第二輸出管腳之間 ；電阻，其一端連接在第一輸入管腳和第一電容之間，其另一端連接在第二輸入管腳和第二電容之間。優(yōu)選地，上述測(cè)試裝置還包括外殼；外売，設(shè)置在PCB的外部。優(yōu)選地，上述PCB還包括微控制器単元MCU ;MCU，與外部電源相連接，用于存儲(chǔ)測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)。優(yōu)選地，上述MCU支持SMI接ロ。優(yōu)選地，上述電阻為差分信號(hào)阻抗匹配電阻，第一電容和第二電容為交流耦合電容。優(yōu)選地，當(dāng)測(cè)試裝置安裝在通信設(shè)備的n G接ロ板中時(shí)，環(huán)回電路的組數(shù)為η/10，其中，η為10的整數(shù)倍。優(yōu)選地，當(dāng)測(cè)試裝置安裝在通信設(shè)備的40G接ロ板中時(shí)，環(huán)回電路的組數(shù)為4 ;當(dāng)測(cè)試裝置安裝在通信設(shè)備的100G接ロ板中時(shí)，環(huán)回電路的組數(shù)為10。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種測(cè)試裝置的使用方法。根據(jù)本發(fā)明的測(cè)試裝置的使用方法包括對(duì)于每ー組環(huán)回電路，環(huán)回電路的第一輸入管腳接收來自于待測(cè)試的通信設(shè)備的第一差分信號(hào)，同時(shí)環(huán)回電路的第二輸入管腳接收來自于待測(cè)試的通信設(shè)備的第二差分信號(hào)；環(huán)回電路的電阻分別對(duì)第一差分信號(hào)和第二差分信號(hào)進(jìn)行阻抗匹配處理；環(huán)回電路的第一電容對(duì)經(jīng)過阻抗匹配處理后的第一差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理，同時(shí)環(huán)回電路的第二電容對(duì)經(jīng)過阻抗匹配處理后的第二差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理；環(huán)回電路的第一輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第一差分信號(hào)輸出至待測(cè)試的通信設(shè)備，同時(shí)環(huán)回電路的第二輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第二差分信號(hào)輸出至待測(cè)試的通信設(shè)備。優(yōu)選地，上述方法還包括PCB中的MCU獲取測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)并保存。優(yōu)選地，上述方法還包括MCU將保存的測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)發(fā)送至待測(cè)試的通信設(shè)備。通過本發(fā)明，采用ー組或多組由ー個(gè)電阻加兩個(gè)電容組成的交流耦合環(huán)回電路替代相關(guān)技術(shù)中進(jìn)行老化測(cè)試所采用的CFP光模塊，實(shí)現(xiàn)待測(cè)試設(shè)備輸出的差分信號(hào)的環(huán)回，以完成對(duì)待測(cè)試設(shè)備的老化測(cè)試，解決了相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測(cè)試所造成的光模塊過度老化的問題，進(jìn)而降低了通信設(shè)備老化測(cè)試的成本、提高了老化測(cè)試的安全性與可靠性、測(cè)試方法簡(jiǎn)單。


此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)ー步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖I是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CFP光ネ旲塊的接ロ定義的不意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通信設(shè)備的測(cè)試裝置的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的通信設(shè)備的測(cè)試裝置的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的測(cè)試裝置安裝于通信設(shè)備的100G接ロ板的結(jié)構(gòu)框圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)例的PCB內(nèi)部包括10組環(huán)回電路的連接示意圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試裝置的使用方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通信設(shè)備的測(cè)試裝置的示意圖。如圖2所示，該測(cè)試裝置可以包括PCB I，其中，該P(yáng)CB可以包括ー組或多組環(huán)回電路10 ;各組環(huán)回電路10均可以包括第一輸入管腳100和第二輸入管腳102，分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸出端相連接；第一輸出管腳104和第二輸出管腳106,分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸入端相連接；第ー電容108，連接在第一輸入管腳和第一輸出管腳之間；第ニ電容110，連接在第二輸入管腳和第二輸出管腳之間；電阻112,其一端連接在第一輸入管腳和第一電容之間,其另一端連接在第二輸入管腳和第二電容之間。相關(guān)技術(shù)中，無法避免因通信設(shè)備的老化測(cè)試所造成的光模塊過度老化。采用如圖2所示的測(cè)試裝置，第一輸入管腳接收來自于待測(cè)試設(shè)備的第一差分信號(hào)，第二輸入管腳接收來自于待測(cè)試設(shè)備的第二差分信號(hào)；電阻分別對(duì)第一差分信號(hào)和第二差分信號(hào)進(jìn)行阻抗匹配處理；第一電容對(duì)經(jīng)過阻抗匹配處理后的第一差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理，第二電容對(duì)經(jīng)過阻抗匹配處理后的第二差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理；第一輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第一差分信號(hào)輸出至待測(cè)試設(shè)備，第二輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第二差分信號(hào)輸出至待測(cè)試設(shè)備。該測(cè)試裝置可以用來替代相關(guān)技術(shù)中實(shí)際使用的CFP光模塊，實(shí)現(xiàn)通信業(yè)務(wù)在光模塊內(nèi)部環(huán)回，可以在設(shè)備的測(cè)試和老化過程中廣泛使用。由此，解決了相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測(cè)試所造成的光模塊過度老化的問題，該測(cè)試裝置由于其內(nèi)部不需要安裝價(jià)格昂貴的光接收機(jī)和光發(fā)送激光器，所以生產(chǎn)成本大大降低；另外光模塊內(nèi)部已經(jīng)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行了環(huán)回，測(cè)試時(shí)無須再増加光纖和光衰減器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便，適合在各種測(cè)試場(chǎng)合特別是高溫老化中使用。優(yōu)選地，如圖3所示，上述測(cè)試裝置還可以包括外殼2 ;該外殼2，設(shè)置在印制電路板(Printed Circuit Board，簡(jiǎn)稱為PCB)的外部，用于對(duì)PCB進(jìn)行封裝，防止PCB上的各個(gè)器件或者管腳意外損壞。在優(yōu)選實(shí)施例中，該外殼的外形和結(jié)構(gòu)需要滿足CFPMSA規(guī)范的要求，并且內(nèi)部沒有光接收機(jī)，也沒有光發(fā)送激光器。另外，該測(cè)試裝置的電接口外形規(guī)格、結(jié)構(gòu)、管腳定義均需符合CFP MSA多源協(xié)議的要求。優(yōu)選地，如圖3所示，PCB I還可以包括微控制器單元MCU 20 ;該MCU 20與外部電源相連接，用于存儲(chǔ)測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息(如類型標(biāo)識(shí)信息)以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)(如接收光功率、發(fā)送光功率)。
在優(yōu)選實(shí)施例中，微控制器單元(Microcontroller Unit,簡(jiǎn)稱為MCU)和外部電源相連，內(nèi)部還包括多個(gè)接地管腳，接電源管腳，和不連接管腳。MCU主要存儲(chǔ)測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息和性能參數(shù)，供待測(cè)試設(shè)備在有需要時(shí)讀取。如果待測(cè)試設(shè)備不需要讀取信息，那么可以將MCU從PCB上拆除。在優(yōu)選實(shí)施過程中，上述MCU可以支持SMI接ロ。在優(yōu)選實(shí)施例中，由于本發(fā)明的測(cè)試裝置內(nèi)部沒有光收發(fā)器件，所以與相關(guān)技術(shù)中實(shí)際應(yīng)用的CFP光模塊不同，如果待測(cè)試設(shè)備需要讀取測(cè)試裝置內(nèi)部的信息，例如，接收光功率，發(fā)送光功率、類型標(biāo)識(shí)等信息，可以在MCU中預(yù)先保存相關(guān)數(shù)據(jù)，以免測(cè)試裝置在使用過程中發(fā)出告警，影響正常的測(cè)試工作。優(yōu)選地，上述電阻112為差分信號(hào)阻抗匹配電阻，第一電容108和第二電容110為交流耦合電容。在優(yōu)選實(shí)施例中，電阻與電容的取值可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境以及待測(cè)試設(shè)備的不同而做出適應(yīng)性調(diào)整。優(yōu)選地，當(dāng)測(cè)試裝置安裝在通信設(shè)備的n G接ロ板中時(shí)，環(huán)回電路的組數(shù)為η/10，其中，η為10的整數(shù)倍。在優(yōu)選實(shí)施過程中，當(dāng)測(cè)試裝置安裝在通信設(shè)備的40G接ロ板中時(shí)，環(huán)回電路的組數(shù)為4 ;當(dāng)測(cè)試裝置安裝在通信設(shè)備的100G接ロ板中時(shí)，環(huán)回電路的組數(shù)為10。在優(yōu)選實(shí)施例中，該測(cè)試裝置可以適用于相關(guān)技術(shù)中廣泛使用的40G和100G的CFP光接ロ，其中，40G接ロ使用了 4組環(huán)回回路，100G接ロ使用了 10組環(huán)回電路。下面結(jié)合圖4和圖5以測(cè)試裝置安裝在通信設(shè)備的100G接ロ板中，采用10組環(huán)回電路為例對(duì)上述優(yōu)選實(shí)施方式做進(jìn)ー步的描述。圖4是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的測(cè)試裝置安裝于通信設(shè)備的100G接ロ板的結(jié)構(gòu)框圖。如圖4所示，該測(cè)試裝置可以包括PCB，其中，該P(yáng)CB可以包括ー組或多組環(huán)回電路；各組環(huán)回電路均可以包括第一電阻201，其一端連接至第一電容212和第一輸出管腳TXO+,另一端連接至第二電容213和第二輸出管腳TXO-;第ー電容212，與第一差分信號(hào)輸入管腳RXO+相連接，第二電容213，與第二差分信號(hào)輸入管腳RXO-相連接。上述環(huán)回電路 共有10組，接收來自于待測(cè)試設(shè)備的10組差分信號(hào)，此外還可以包括微處理模塊211，連接外部地址和SMI通信接ロ，用于存儲(chǔ)可用于進(jìn)行外部讀寫操作的相關(guān)信息，其中，第一輸出管腳TXO+是正極輸出端，第二輸出管腳TXO-是負(fù)極輸出端，第一差分信號(hào)輸入管腳RXO+是正極輸入端，以及第二差分信號(hào)輸入管腳RXO-是負(fù)極輸入端。后面1-9組差分信號(hào)極性和第O組完全相同。此處不再贅述。在該優(yōu)選實(shí)施例中，201-210電阻是差分信號(hào)阻抗匹配電阻，212-231電容是交流耦合電容。圖5是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)例的PCB內(nèi)部包括10組環(huán)回電路的連接示意圖。如圖5所示，該P(yáng)CB內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，僅使用幾個(gè)電阻和電容器件即可實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)電信號(hào)的環(huán)回，降低生產(chǎn)成本。同時(shí)，MCU本身對(duì)業(yè)務(wù)環(huán)回沒有直接影響，SMI接ロ MDC和MDI0，地址線PRTADR0-PRTADR4分別和內(nèi)部MCU的對(duì)應(yīng)端ロ相連，地線(GND)和電源電壓(VCC)與外部接地和電源管腳相連，電接ロ的電源和接地管腳很多。在該優(yōu)選實(shí)施例中，采用了全部連接的方式，當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用過程中，可以根據(jù)實(shí)際情況，采用部分連接的方式。另外，電接口中管腳 35 (PRG_ALRM3)，管腳 38 (M0D_ABS)，管腳 40 (RX_L0S)，管腳 41 (GLB_ALRMn)直接連接エ作地(GND)，管腳33 (PRG_ARM1)，管腳34 (PRG_ARM2)，直接和VCC相連。除圖上標(biāo)示外，其余管腳不連接。需要說明的是，在測(cè)試過程中如果不需要讀取MCU中保存的信息，可以將MCU從PCB上拆除。整個(gè)測(cè)試裝置生產(chǎn)成本低廉，安全性與可靠性高，使用方法簡(jiǎn)單。圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試裝置的使用方法的流程圖。如圖6所示，對(duì)于每ー組環(huán)回電路，該方法可以包括以下處理步驟步驟S602 :環(huán)回電路的第一輸入管腳接收來自于待測(cè)試的通信設(shè)備的第一差分信號(hào)，同時(shí)環(huán)回電路的第二輸入管腳接收來自于待測(cè)試的通信設(shè)備的第二差分信號(hào)；步驟S604 :環(huán)回電路的電阻分別對(duì)第一差分信號(hào)和第二差分信號(hào)進(jìn)行阻抗匹配處理；
步驟S606 :環(huán)回電路的第一電容對(duì)經(jīng)過阻抗匹配處理后的第一差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理，同時(shí)環(huán)回電路的第二電容對(duì)經(jīng)過阻抗匹配處理后的第二差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理；步驟S608 :環(huán)回電路的第一輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第一差分信號(hào)輸出至待測(cè)試的通信設(shè)備，同時(shí)環(huán)回電路的第二輸出管腳將經(jīng)過耦合處理后的第二差分信號(hào)輸出至待測(cè)試的通信設(shè)備。采用如圖6所示的方法，解決了相關(guān)技術(shù)中無法避免因通信設(shè)備的老化測(cè)試所造成的光模塊過度老化的問題，該測(cè)試裝置由于其內(nèi)部不需要安裝價(jià)格昂貴的光接收機(jī)和光發(fā)送激光器，所以生產(chǎn)成本大大降低；另外光模塊內(nèi)部已經(jīng)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行了環(huán)回，測(cè)試時(shí)無須再増加光纖和光衰減器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便，適合在各種測(cè)試場(chǎng)合特別是高溫老化中使用。優(yōu)選地，上述方法還可以包括以下操作步驟SI :上述測(cè)試裝置中的MCU獲取測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)并保存；步驟S2 =MCU將保存的測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)發(fā)送至待測(cè)試的通信設(shè)備。從以上的描述中，可以看出，上述實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果(需要說明的是這些效果是某些優(yōu)選實(shí)施例可以達(dá)到的效果)本發(fā)明的測(cè)試裝置可以替代CFP模塊對(duì)40G/100G接ロ板進(jìn)行測(cè)試和老化試驗(yàn)，避免了直接使用CFP光模塊做老化試驗(yàn)，從而降低了通信設(shè)備老化測(cè)試的成本、提高了老化測(cè)試的安全性與可靠性、測(cè)試方法簡(jiǎn)單。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計(jì)算裝置來實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，或者分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上，可選地，它們可以用計(jì)算裝置可執(zhí)行的程序代碼來實(shí)現(xiàn)，從而，可以將它們存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中由計(jì)算裝置來執(zhí)行，并且在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟，或者將它們分別制作成各個(gè)集成電路模塊，或者將它們中的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種通信設(shè)備的測(cè)試裝置，其特征在于，包括印制電路板PCB，其中，所述PCB包括一組或多組環(huán)回電路； 各組所述環(huán)回電路均包括 第一輸入管腳和第二輸入管腳，分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸出端相連接； 第一輸出管腳和第二輸出管腳，分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸入端相連接； 第一電容，連接在所述第一輸入管腳和所述第一輸出管腳之間； 第二電容，連接在所述第二輸入管腳和所述第二輸出管腳之間； 電阻，其一端連接在所述第一輸入管腳和所述第一電容之間，其另一端連接在所述第二輸入管腳和所述第二電容之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試裝置還包括外殼； 所述外殼，設(shè)置在所述PCB的外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述PCB還包括微控制器單元MCU； 所述MCU，與外部電源相連接，用于存儲(chǔ)所述測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述MCU支持SMI接口。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述電阻為差分信號(hào)阻抗匹配電阻，所述第一電容和所述第二電容為交流耦合電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的測(cè)試裝置，其特征在于，當(dāng)所述測(cè)試裝置安裝在所述通信設(shè)備的n G接口板中時(shí)，所述環(huán)回電路的組數(shù)為η/10，其中，η為10的整數(shù)倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試裝置，其特征在于，當(dāng)所述測(cè)試裝置安裝在所述通信設(shè)備的40G接口板中時(shí)，所述環(huán)回電路的組數(shù)為4 ;當(dāng)所述測(cè)試裝置安裝在所述通信設(shè)備的100G接口板中時(shí)，所述環(huán)回電路的組數(shù)為10。
8.—種如權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的測(cè)試裝置的使用方法，其特征在于，對(duì)于每一組環(huán)回電路，包括 所述環(huán)回電路的第一輸入管腳接收來自于待測(cè)試的通信設(shè)備的第一差分信號(hào)，同時(shí)所述環(huán)回電路的第二輸入管腳接收來自于所述待測(cè)試的通信設(shè)備的第二差分信號(hào)； 所述環(huán)回電路的電阻分別對(duì)所述第一差分信號(hào)和所述第二差分信號(hào)進(jìn)行阻抗匹配處理； 所述環(huán)回電路的第一電容對(duì)經(jīng)過所述阻抗匹配處理后的第一差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理，同時(shí)所述環(huán)回電路的第二電容對(duì)經(jīng)過所述阻抗匹配處理后的第二差分信號(hào)進(jìn)行耦合處理； 所述環(huán)回電路的第一輸出管腳將經(jīng)過所述耦合處理后的第一差分信號(hào)輸出至所述待測(cè)試的通信設(shè)備，同時(shí)所述環(huán)回電路的第二輸出管腳將經(jīng)過所述耦合處理后的第二差分信號(hào)輸出至所述待測(cè)試的通信設(shè)備。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 所述PCB中的MCU獲取所述測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)并保存。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 所述MCU將保存的所述測(cè)試裝置的標(biāo)識(shí)信息以及該測(cè)試裝置的性能參數(shù)發(fā)送至所述待測(cè)試的通信設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種通信設(shè)備的測(cè)試裝置及使用方法，該通信設(shè)備的測(cè)試裝置包括PCB，其中，該P(yáng)CB包括一組或多組環(huán)回電路；各組環(huán)回電路均包括第一輸入管腳和第二輸入管腳，分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸出端相連接；第一輸出管腳和第二輸出管腳，分別與待測(cè)試的通信設(shè)備的兩個(gè)輸入端相連接；第一電容，連接在第一輸入管腳和第一輸出管腳之間；第二電容，連接在第二輸入管腳和第二輸出管腳之間；電阻，其一端連接在第一輸入管腳和第一電容之間，其另一端連接在第二輸入管腳和第二電容之間。根據(jù)本發(fā)明提供的技術(shù)方案，降低了通信設(shè)備老化測(cè)試的成本、提高了老化測(cè)試的安全性與可靠性、測(cè)試方法簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)H04B10/08GK102664674SQ201210102160
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者朱躍, 杜兆峰, 董超 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司南京分公司