專利名稱：Mems麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種聲電轉(zhuǎn)換裝置，具體地說涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
近年來利用MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))工藝集成的MEMS麥克風(fēng)開始被批量應(yīng)用到手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品中，這種MEMS麥克風(fēng)的耐高溫效果較好，可以經(jīng)受住SMT的高溫考驗(yàn)，因此受到大部分麥克風(fēng)生產(chǎn)商的青睞。 如圖I所示，常規(guī)的MEMS麥克風(fēng)包括由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔11，聲孔11的位置可以設(shè)置在外殼2上，也可以設(shè)置在線路板I上，通常為了降低整機(jī)的高度將聲孔11設(shè)計(jì)在與MEMS聲電芯片3相對的線路板I位置處，便于直接與終端線路板對應(yīng)設(shè)置，但是這種形式的MEMS麥克風(fēng)，由于受氣流的沖擊容易使MEMS聲電芯片上的膜片受到損傷，同時(shí)由于外界灰塵通過聲孔時(shí)可以落在MEMS聲電芯片的膜片上，增加因灰塵進(jìn)入而造成不良的概率，由此需要設(shè)計(jì)一種新型的MEMS麥克風(fēng)。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠避免MEMS聲電芯片上的膜片受到氣流的沖擊，同時(shí)可以防止外界灰塵落到膜片上而影響產(chǎn)品性能的一種MEMS麥克風(fēng)。為解決上述問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的第一種技術(shù)方案一種MEMS麥克風(fēng),包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述ASIC芯片與所述線路板之間設(shè)有支撐部，所述支撐部上設(shè)有通道，所述聲孔設(shè)置在與所述ASIC芯片相對的線路板位置處，所述聲孔通過所述通道連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐部為間隔設(shè)置并固定支撐ASIC芯片的支撐臺，所述通道為所述各支撐臺之間的間隔空隙。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐臺為焊錫，所述支撐臺的數(shù)量為四個(gè)，所述四個(gè)支撐臺均勻間隔設(shè)置。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐部為支撐片，所述支撐片上設(shè)有通孔，所述通孔為所述通道，所述聲孔通過所述通孔連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐片中間向上凸出設(shè)有凸出部，所述ASIC芯片設(shè)置在所述凸出部上，所述通孔設(shè)置在所述凸出部的側(cè)壁上。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐片為銅箔。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的第二種技術(shù)方案一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述聲孔設(shè)置在所述MEMS聲電芯片和ASIC芯片相對的的線路板部分以外的線路板位置處。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔設(shè)置在靠近所述外殼邊緣的所述線路板位置處。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的第三種技術(shù)方案一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述聲孔設(shè)置在與所述ASIC芯片相對的線路板位置處，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述聲孔周圍的線路板部分局部凹陷設(shè)有凹槽，所述ASIC芯片局部覆蓋所述凹槽，所述聲孔通過所述凹槽連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述凹槽與所述ASIC芯片垂直方向設(shè)置?！だ蒙鲜龈鶕?jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于將接收聲音信號的聲孔不直接與MEMS聲電芯片對應(yīng)設(shè)置，在保證聲學(xué)效果的基礎(chǔ)上，防止了因受氣流的沖擊而導(dǎo)致MEMS聲電芯片上的膜片受到損傷，同時(shí)防止了外界灰塵通過聲孔落在MEMS聲電芯片的膜片上而增加不良的概率。

通過參考
以下結(jié)合附圖的說明及權(quán)利要求書的內(nèi)容，并且隨著對本實(shí)用新型的更全面理解，本實(shí)用新型的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。在附圖中圖I是本實(shí)用新型背景技術(shù)中MEMS麥克風(fēng)的剖面圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一 MEMS麥克風(fēng)的剖面圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一支撐臺的分布置情況；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一另一種形式的MEMS麥克風(fēng)的剖面圖；圖5是圖4中支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例二 MEMS麥克風(fēng)的剖面圖；圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例三MEMS麥克風(fēng)的剖面圖；圖8是圖7中ASIC芯片與凹槽在線路板上的示意圖。在所有附圖中相同的標(biāo)號指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例一如圖2、圖3所示，一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔11，其中，所述ASIC芯片4與所述線路板I之間設(shè)有支撐部，所述支撐部上設(shè)有通道，所述聲孔11設(shè)置在與所述ASIC芯片4相對的線路板I位置處，所述聲孔11通過所述通道連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外，可有效防止MEMS聲電芯片3上的膜片受到氣流的沖擊，同時(shí)防止灰塵落到MEMS聲電芯片3的膜片上而增加不良的概率。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐部為間隔設(shè)置并固定支撐ASIC芯片4的支撐臺6，所述通道為所述各支撐臺6之間的間隔空隙。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐臺6為焊錫，所述支撐臺6的數(shù)量為四個(gè)，所述四個(gè)支撐臺均勻間隔設(shè)置，設(shè)計(jì)簡單，便于實(shí)現(xiàn)。本實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不是用于限定本實(shí)用新型，如圖4、圖5所示，所述支撐部也可以是支撐片7，所述支撐片7上設(shè)有通孔71，所述通孔71為所述通道，所述聲孔通過所述通孔71連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外，采用此種類設(shè)計(jì)也可以實(shí)現(xiàn)防止MEMS聲電芯片上的膜片受到氣流的沖擊，同時(shí)防止灰塵落到MEMS聲電芯片的膜片上而增加不良的概率的效果。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐片7中間向上凸出設(shè)有凸出部72，所述ASIC芯片4設(shè)置在所述凸出部72上，所述通孔71設(shè)置在所述凸出部72的側(cè)壁上，設(shè)計(jì)簡單，便于實(shí)現(xiàn)。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述支撐片7為銅箔。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于在所述ASIC芯片與所述線路板之間設(shè)有支撐部，所述支撐部上設(shè)有通道，所述聲孔設(shè)置在與所述ASIC芯片相對的線路板位置處，所述聲孔通過所述通道連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外，可有效防止MEMS聲電芯片上的膜片受到氣流的沖擊，同時(shí)防止灰塵落到MEMS聲電芯片的膜片上而增加不良的概率。實(shí)施例二如圖6所示，一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔11，其中，所述聲孔11設(shè)置在所述MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4相對的的線路板部分以外的線路板I位置處，可有效防止MEMS聲電芯片3上的膜片受到氣流的沖擊，同時(shí)防止灰塵落到MEMS聲電芯片3的膜片上而增加不良的概率。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔11設(shè)置在靠近所述外殼2邊緣的所述線路板I位置處，設(shè)計(jì)簡單，便于實(shí)現(xiàn)。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于將聲孔設(shè)置在所述MEMS聲電芯片和ASIC芯片相對的的線路板部分以外的線路板位置處，在保證聲學(xué)效果的基礎(chǔ)上，防止了因受氣流的沖擊而導(dǎo)致MEMS聲電芯片上的膜片受到損傷，同時(shí)防止了外界灰塵通過聲孔落在MEMS聲電芯片的膜片上而增加不良的概率。實(shí)施例三如圖7、圖8所示，一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔11，其中，所述聲孔11設(shè)置在與所述ASIC芯片4相對的線路板I位置處，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述聲孔11周圍的線路板部分局部凹陷設(shè)有凹槽12，所述ASIC芯片4局部覆蓋所述凹槽12，所述聲孔11通過所述凹槽12連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外，防止了因受氣流的沖擊而導(dǎo)致MEMS聲電芯片上的膜片受到損傷。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述凹槽12與所述ASIC芯片4垂直 方向設(shè)置，設(shè)計(jì)簡單，便于實(shí)現(xiàn)。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于將聲孔設(shè)置在與所述ASIC芯片相對的線路板位置處，并在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述聲孔周圍的線路板部分局部凹陷設(shè)有凹槽，所述ASIC芯片局部覆蓋所述凹槽，所述聲孔通過所述凹槽連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外，防止了因受氣流的沖擊而導(dǎo)致MEMS聲電芯片上的膜片受到損傷。以上實(shí)施例，由于將接收聲音信號的聲孔不直接與MEMS聲電芯片對應(yīng)設(shè)置，在保證聲學(xué)效果的基礎(chǔ)上，防止了因受氣流的沖擊而導(dǎo)致MEMS聲電芯片上的膜片受到損傷，同時(shí)防止了外界灰塵通過聲孔落在MEMS聲電芯片的膜片上而增加不良的概率。上述實(shí)施例鑒于MEMS聲電芯片和ASIC芯片的適當(dāng)調(diào)整對本實(shí)用新型的主旨沒有影響，圖樣中的MEMS聲電芯片和ASIC芯片僅采用簡略圖樣表示，以上實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不是用于限定本實(shí)用新型，所述技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其特征在干所述ASIC芯片與所述線路板之間設(shè)有支撐部，所述支撐部上設(shè)有通道，所述聲孔設(shè)置在與所述ASIC芯片相對的線路板位置處，所述聲孔通過所述通道連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外。
2.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐部為間隔設(shè)置并固定支撐ASIC芯片的支撐臺，所述通道為所述各支撐臺之間的間隔空隙。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐臺為焊錫，所述支撐臺的數(shù)量為四個(gè)，所述四個(gè)支撐臺均勻間隔設(shè)置。
4.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐部為支撐片，所述支撐片上設(shè)有通孔，所述通孔為所述通道，所述聲孔通過所述通孔連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外。
5.如權(quán)利要求4所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐片中間向上凸出設(shè)有凸出部，所述ASIC芯片設(shè)置在所述凸出部上，所述通孔設(shè)置在所述凸出部的側(cè)壁上。
6.如權(quán)利要求5所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述支撐片為銅箔。
7.—種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其特征在干所述聲孔設(shè)置在所述MEMS聲電芯片和ASIC芯片相對的的線路板部分以外的線路板位置處。
8.如權(quán)利要求7所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述聲孔設(shè)置在靠近所述外殼邊緣的所述線路板位置處。
9.ー種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其特征在干所述聲孔設(shè)置在與所述ASIC芯片相對的線路板位置處，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述聲孔周圍的線路板部分局部凹陷設(shè)有凹槽，所述ASIC芯片局部覆蓋所述凹槽，所述聲孔通過所述凹槽連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外。
10.如權(quán)利要求9所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述凹槽與所述ASIC芯片垂直方向設(shè)置。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述ASIC芯片與所述線路板之間設(shè)有支撐部，所述支撐部上設(shè)有通道，所述聲孔設(shè)置在與所述ASIC芯片相對的線路板位置處，所述聲孔通過所述通道連通所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)外。采用此種類設(shè)計(jì)也可以實(shí)現(xiàn)防止MEMS聲電芯片上的膜片受到氣流的沖擊，同時(shí)防止灰塵落到MEMS聲電芯片的膜片上而增加不良的概率的效果。
文檔編號H04R19/04GK202425037SQ20122001419
公開日2012年9月5日 申請日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者宋青林, 龐勝利, 谷芳輝 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司