專利名稱：Mems麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種聲電轉(zhuǎn)換裝置，具體地說涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
近年來利用MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))工藝集成的MEMS麥克風(fēng)開始被批量應(yīng)用到手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品中，這種MEMS麥克風(fēng)的耐高溫效果較好，可以經(jīng)受住SMT的高溫考驗(yàn)，因此受到大部分麥克風(fēng)生產(chǎn)商的青睞。常規(guī)的MEMS麥克風(fēng)包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接受聲音信號(hào)的聲孔，當(dāng)聲孔設(shè)置在外殼上時(shí)，所述外殼與線路板包圍形成MEMS麥克風(fēng)的前腔，當(dāng)聲孔設(shè)置在與MEMS聲電芯片相對(duì)的線路板上時(shí)，所述外殼與線路板包圍形成MEMS麥克風(fēng)的后腔，常規(guī)結(jié)構(gòu)的MEMS麥克風(fēng)的外殼為單層結(jié)構(gòu)的金屬外殼，這種結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)為了使MEMS麥克風(fēng)的曲線平直，通常在線路板與外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)填充有填充物來減小MEMS麥克風(fēng)的空腔，來確保產(chǎn)品具有良好的性能，這種操作步驟繁瑣且填充物的量不宜控制，產(chǎn)品性能一致性得不到保證，由此需要設(shè)計(jì)一種新型的MEMS麥克風(fēng)。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種操作步驟簡(jiǎn)單且能夠保證產(chǎn)品性能一致性良好的一種MEMS麥克風(fēng)。為解決上述問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號(hào)的聲孔，其中，所述外殼由絕緣層和導(dǎo)電層構(gòu)成。—種優(yōu)選方案，所述外殼外部為絕緣層內(nèi)部以及外殼開口端面為導(dǎo)電層。一種優(yōu)選方案，所述外殼內(nèi)部為絕緣層外部以及外殼開口端面為導(dǎo)電層。一種優(yōu)選方案，所述絕緣層為陶瓷層，所述導(dǎo)電層為金屬鍍層。—種優(yōu)選方案，所述聲孔設(shè)置在所述外殼上。一種優(yōu)選方案，所述聲孔設(shè)置在所述線路板上。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于外殼由絕緣層和金屬層構(gòu)成，可通過絕緣層的厚度來充當(dāng)填充物來減小由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部空腔，利用金屬層來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的屏蔽效果及電連接效果，在不影響產(chǎn)品性能的基礎(chǔ)上減少了在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部填充填充物的操作步驟并且外殼的厚度一致性較好，可通過外殼厚度的一致性來確保產(chǎn)品性能的一致性。
通過參考
以下結(jié)合附圖的說明及權(quán)利要求書的內(nèi)容，并且隨著對(duì)本實(shí)用新型的更全面理解，本實(shí)用新型的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例如圖I所示，一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，外殼2上設(shè)有接受聲音信號(hào)的聲孔21，其中，所述外殼2由絕緣層22和導(dǎo)電層23構(gòu)成，可通過絕緣層22的厚度來充當(dāng)填充物來減小由線路板I和外殼2共同圍成的前腔6。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述外殼2外部為絕緣層22內(nèi)部以及外殼開口端面為導(dǎo)電層23，防止導(dǎo)電層23受到磨損，確保產(chǎn)品的屏蔽效果及電連接效果。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述絕緣層22為陶瓷層，所述導(dǎo)電層23為金屬鍍層。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于外殼由絕緣層和金屬層構(gòu)成，可通過絕緣層的厚度來充當(dāng)填充物來減小由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部空腔，利用金屬層來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的屏蔽效果及電連接效果，在不影響產(chǎn)品性能的基礎(chǔ)上減少了在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部填充填充物的操作步驟并且外殼的厚度一致性較好，可通過外殼厚度的一致性來確保產(chǎn)品性能的一致性。 上述實(shí)施例鑒于MEMS聲電芯片和ASIC芯片的適當(dāng)調(diào)整對(duì)本實(shí)用新型的主旨沒有影響，圖樣中的MEMS聲電芯片和ASIC芯片僅采用簡(jiǎn)略圖樣表示，同時(shí)以上實(shí)施例中的所述聲孔設(shè)置在外殼上，實(shí)際也可以將聲孔設(shè)置在線路板上。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)也可以將導(dǎo)電層設(shè)置在絕緣層外部以及外殼開口端面。以上實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不是用于限定本實(shí)用新型，所述技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號(hào)的聲孔，其特征在于所述外殼由絕緣層和導(dǎo)電層構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述外殼外部為絕緣層內(nèi)部以及外殼開口端面為導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述外殼內(nèi)部為絕緣層外部以及外殼開口端面為導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1-3任一權(quán)利要求所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述絕緣層為陶瓷層，所述導(dǎo)電層為金屬鍍層。
5.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述聲孔設(shè)置在所述外殼上。
6.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述聲孔設(shè)置在所述線路板上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有接收聲音信號(hào)的聲孔，其中，所述外殼由絕緣層和導(dǎo)電層構(gòu)成，可通過絕緣層的厚度來充當(dāng)填充物來減小由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部空腔，利用金屬層來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的屏蔽效果及電連接效果，在不影響產(chǎn)品性能的基礎(chǔ)上減少了在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部填充填充物的操作步驟并且外殼的厚度一致性較好，可通過外殼厚度的一致性來確保產(chǎn)品性能的一致性。
文檔編號(hào)H04R19/04GK202587371SQ20122019309
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月3日
發(fā)明者王顯彬, 黨茂強(qiáng), 張慶斌 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司