專利名稱：Mems麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及聲電轉(zhuǎn)換器技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地說涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)的進(jìn)步和技術(shù)的發(fā)展，近年來，隨著手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品體積不斷減小，人們對(duì)這些便攜電子產(chǎn)品的性能要求也越來越高，從而也要求與之配套的電子零件的體積不斷減小、性能和一致性不斷提高。在這種背景下，作為上述便攜電子產(chǎn)品的重要零件之一的麥克風(fēng)產(chǎn)品領(lǐng)域也推出了很多的新型產(chǎn)品，其中以MEMS麥克風(fēng)為代表。對(duì)于雙外殼結(jié)構(gòu)的MEMS麥克風(fēng)，包括第一外殼和套設(shè)在所述第一外殼外部的第二外殼，所述第二外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔，所述進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼、第二外殼共同設(shè)置在同一線路板上，所述第一外殼與所述線路板包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)，所述第二外殼、線路板以及第一外殼包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)，所述第一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述線路板內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片和所述第二封裝結(jié)構(gòu)的通道，以上結(jié)構(gòu)的MEMS麥克風(fēng)由于進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，存在進(jìn)聲孔與第一外殼底部之間的距離相對(duì)較小，對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的聲信號(hào)形成一定的阻礙作用，影響產(chǎn)品進(jìn)聲效果，由此需要設(shè)計(jì)一種新型的MEMS麥克風(fēng)。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種可以增大進(jìn)聲孔到第一外殼底部之間的距離，防止對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的聲信號(hào)形成阻礙作用的一種MEMS麥克風(fēng)。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案—種MEMS麥克風(fēng),包括第一外殼和套設(shè)在所述第一外殼外部的第二外殼，所述第二外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔，所述進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼、第二外殼共同設(shè)置在同一線路板上，所述第一外殼與所述線路板包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)，所述第二外殼、線路板以及第一外殼包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)，所述第一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述線路板內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片和所述第二封裝結(jié)構(gòu)的通道，其中，與所述進(jìn)聲孔相對(duì)的所述第一外殼底部位置向第一外殼內(nèi)部凹陷設(shè)有凹陷部，所述凹陷部向第一外殼側(cè)壁延伸且貫通所述第一外殼側(cè)壁與所述第二封裝結(jié)構(gòu)連通。一種優(yōu)選方案，所述凹陷部沿水平方向向第一外殼側(cè)壁延伸。一種優(yōu)選方案，所述凹陷部沿一定傾斜角向第一外殼側(cè)壁延伸。一種優(yōu)選方案，所述第一外殼局部向下凹陷形成溝道狀凹陷部。一種優(yōu)選方案，所述第一外殼局部整體向下凹陷形成所述的凹陷部。一種優(yōu)選方案，所述MEMS聲電芯片與所述ASIC芯片之間以及ASIC芯片與線路板之間分別通過金屬線電連接。[0012]利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于MEMS麥克風(fēng)，包括第一外殼和套設(shè)在所述第一外殼外部的第二外殼，所述第二外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔，所述進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼、第二外殼共同設(shè)置在同一線路板上，所述第一外殼與所述線路板包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)，所述第二外殼、線路板以及第一外殼包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)，所述第一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述線路板內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片和所述第二封裝結(jié)構(gòu)的通道，其中，與所述進(jìn)聲孔相對(duì)的所述第一外殼底部位置向第一外殼內(nèi)部凹陷設(shè)有凹陷部，所述凹陷部向第一外殼側(cè)壁延伸且貫通所述第一外殼側(cè)壁與所述第二封裝結(jié)構(gòu)連通，通過凹陷部的設(shè)置增大了進(jìn)聲孔與第一外殼底部之間的距離，防止了對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的聲信號(hào)形成阻礙的作用。

圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例一 MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中第一外殼的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一中另一種結(jié)構(gòu)的第一外殼示意圖。圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二 MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例二中第一外殼的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例二中另一種結(jié)構(gòu)的第一外殼示意圖。在所有附圖中相同的標(biāo)號(hào)指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例一如圖I所不,一種MEMS麥克風(fēng),包括第一外殼I和套設(shè)在所述第一外殼I外部的第二外殼2，所述第二外殼2上設(shè)有進(jìn)聲孔21，所述進(jìn)聲孔21與所述第一外殼I底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼I、第二外殼2共同設(shè)置在同一線路板3上,所述第一外殼I與所述線路板3包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)10,所述第二外殼2、線路板3以及第一外殼I包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)20，所述第一封裝結(jié)構(gòu)10內(nèi)部所述線路板3表面上設(shè)有MEMS聲電芯片4和ASIC芯片5，所述線路板3內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片4和所述第二封裝結(jié)構(gòu)20的通道31，其中，與所述進(jìn)聲孔21相對(duì)的所述第一外殼I底部位置向第一外殼I內(nèi)部凹陷設(shè)有凹陷部11，所述凹陷部11向第一外殼I側(cè)壁延伸且貫通所述第一外殼I側(cè)壁與所述第二封裝結(jié)構(gòu)20連通，增大了進(jìn)聲孔21與第一外殼I底部之間的距離，防止了對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)20內(nèi)的聲信號(hào)形成阻礙的作用。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述凹陷部11沿水平方向向第一外殼I側(cè)壁延伸。如圖2所示，作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一外殼I局部向下凹陷形成溝道狀凹陷部11，當(dāng)然，本實(shí)施例中的第一外殼I也可以如圖3所示，所述第一外殼I局部整體向下凹陷形成所述的凹陷部11。本實(shí)施例中的所述MEMS聲電芯片4與所述ASIC芯片5之間以及ASIC芯片5與線路板3之間分別通過金屬線6電連接。[0026]利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于MEMS麥克風(fēng)，包括第一外殼和套設(shè)在所述第一外殼外部的第二外殼，所述第二外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔，所述進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼、第二外殼共同設(shè)置在同一線路板上，所述第一外殼與所述線路板包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)，所述第二外殼、線路板以及第一外殼包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)，所述第一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述線路板內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片和所述第二封裝結(jié)構(gòu)的通道，其中，與所述進(jìn)聲孔相對(duì)的所述第一外殼底部位置向第一外殼內(nèi)部凹陷設(shè)有凹陷部，所述凹陷部向第一外殼側(cè)壁延伸且貫通所述第一外殼側(cè)壁與所述第二封裝結(jié)構(gòu)連通，通過凹陷部的設(shè)置增大了進(jìn)聲孔與第一外殼底部之間的距離，防止了對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的聲信號(hào)形成阻礙的作用。實(shí)施例二 如圖4所不,一種MEMS麥克風(fēng),包括第一外殼I和套設(shè)在所述第一外殼I外部的第二外殼2，所述第二外殼2上設(shè)有進(jìn)聲孔21，所述進(jìn)聲孔21與所述第一外殼I底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼I、第二外殼2共同設(shè)置在同一線路板3上,所述第一外殼I與所述線路板3包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)10,所述第二外殼2、線路板3以及第一外殼I包圍形成第二封·裝結(jié)構(gòu)20，所述第一封裝結(jié)構(gòu)10內(nèi)部所述線路板3表面上設(shè)有MEMS聲電芯片4和ASIC芯片5，所述線路板3內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片4和所述第二封裝結(jié)構(gòu)20的通道31，其中，與所述進(jìn)聲孔21相對(duì)的所述第一外殼I底部位置向第一外殼I內(nèi)部凹陷設(shè)有凹陷部11，所述凹陷部11向第一外殼I側(cè)壁延伸且貫通所述第一外殼I側(cè)壁與所述第二封裝結(jié)構(gòu)20連通，增大了進(jìn)聲孔21與第一外殼I底部之間的距離，防止了對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)20內(nèi)的聲信號(hào)形成阻礙的作用。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述凹陷部11沿一定傾斜角向第一外殼I側(cè)壁延伸。如圖5所示，作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一外殼I局部向下凹陷形成溝道狀凹陷部11，當(dāng)然，本實(shí)施例中的第一外殼I也可以如圖6所示，所述第一外殼I局部整體向下凹陷形成所述的凹陷部11。本實(shí)施例中的所述MEMS聲電芯片4與所述ASIC芯片5之間以及ASIC芯片5與線路板3之間分別通過金屬線6電連接。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于MEMS麥克風(fēng)，包括第一外殼和套設(shè)在所述第一外殼外部的第二外殼，所述第二外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔，所述進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼、第二外殼共同設(shè)置在同一線路板上，所述第一外殼與所述線路板包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)，所述第二外殼、線路板以及第一外殼包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)，所述第一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述線路板內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片和所述第二封裝結(jié)構(gòu)的通道，其中，與所述進(jìn)聲孔相對(duì)的所述第一外殼底部位置向第一外殼內(nèi)部凹陷設(shè)有凹陷部，所述凹陷部向第一外殼側(cè)壁延伸且貫通所述第一外殼側(cè)壁與所述第二封裝結(jié)構(gòu)連通，通過凹陷部的設(shè)置增大了進(jìn)聲孔與第一外殼底部之間的距離，防止了對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的聲信號(hào)形成阻礙的作用。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MEMS麥克風(fēng),包括第一外殼和套設(shè)在所述第一外殼外部的第二外殼,所述第二外殼上設(shè)有進(jìn)聲孔，所述進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，所述第一外殼、第二外殼共同設(shè)置在同一線路板上，所述第一外殼與所述線路板包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)，所述第二外殼、線路板以及第一外殼包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)，所述第一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述線路板內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片和所述第二封裝結(jié)構(gòu)的通道，其特征在于與所述進(jìn)聲孔相對(duì)的所述第一外殼底部位置向第一外殼內(nèi)部凹陷設(shè)有凹陷部，所述凹陷部向第一外殼側(cè)壁延伸且貫通所述第一外殼側(cè)壁與所述第二封裝結(jié)構(gòu)連通。
2.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述凹陷部沿水平方向向第一外殼側(cè)壁延伸。
3.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述凹陷部沿一定傾斜角向第一外殼側(cè)壁延伸?！?br> 4.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述第一外殼局部向下凹陷形成溝道狀凹陷部。
5.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述第一外殼局部整體向下凹陷形成所述的凹陷部。
6.如權(quán)利要求I所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于所述MEMS聲電芯片與所述ASIC芯片之間以及ASIC芯片與線路板之間分別通過金屬線電連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，包括第一外殼和套在第一外殼外部帶有進(jìn)聲孔的第二外殼，所述進(jìn)聲孔與所述第一外殼底部相對(duì)設(shè)置，第一外殼與線路板包圍形成第一封裝結(jié)構(gòu)，第二外殼、線路板以及第一外殼包圍形成第二封裝結(jié)構(gòu)，在第一封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片，所述線路板內(nèi)部設(shè)有連通所述MEMS聲電芯片和第二封裝結(jié)構(gòu)的通道，其中，與所述進(jìn)聲孔相對(duì)的所述第一外殼底部位置向下凹陷設(shè)有凹陷部，所述凹陷部延伸到所述第一外殼側(cè)壁，通過凹陷部的設(shè)置增大了進(jìn)聲孔與第一外殼底部之間的距離，防止了對(duì)進(jìn)入第二封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的聲信號(hào)形成阻礙的作用。
文檔編號(hào)H04R19/04GK202799145SQ20122042422
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月25日
發(fā)明者龐勝利, 端木魯玉, 孫德波, 宋青林 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司