專利名稱：音膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
音膜
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種音膜，尤其涉及電磁揚(yáng)聲器上的音膜。
背景技術(shù)：
隨著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展，越來越多的發(fā)聲器件應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品上，尤其是廣為人們應(yīng)用的移動(dòng)通訊設(shè)備，人們不僅要求其向微型化發(fā)展，更要求其語音效果高質(zhì)量、無失真。而音膜作為發(fā)聲器件的核心部件，其設(shè)計(jì)的好壞直接影響著聲學(xué)器件的性倉泛。音膜通常包括位于中央位置的主體部和圍繞主體部的折環(huán)。自折環(huán)最高點(diǎn)到最低點(diǎn)的垂直距離為折環(huán)高度，增加折環(huán)的高度可以增加折環(huán)強(qiáng)度、降低失真。然而，在工作狀態(tài)時(shí)，由于受到裝配空間的限制，使原具有一定高度的折環(huán)增加高度以改善音膜發(fā)聲失真是很難的，這將在一定程度上降低音膜的振動(dòng)空間，反而會(huì)導(dǎo)致音膜不同程度的失真。因此，有必要提供一種新的技術(shù)方案來改善上述問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種具備較好聲學(xué)性能的音膜。本實(shí)用新型是通過以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種音膜，其包括位于中央的主體部和圍繞主體部的折環(huán)，所述主體部包括上表面和與所述上表面相對(duì)的下表面，自所述下表面向上表面的方向?yàn)榈谝环较?，所述折環(huán)包括向第一方向凸設(shè)的主弧面和與主弧面反向平滑相連側(cè)弧面，所述側(cè)弧面的弧面高度小于主弧面的弧面高度。優(yōu)選的，所述側(cè)弧面包括靠近主體部的第一例弧面和遠(yuǎn)離主體部的第二側(cè)弧面。優(yōu)選的，所述折環(huán)在位于第一側(cè)弧面靠近主體部的一例設(shè)有與主體部相連的連接部，所述折環(huán)在位于第二側(cè)弧面遠(yuǎn)離主體部的一側(cè)設(shè)有固持部。本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型在折環(huán)上增加了與主弧面方向相反且平滑相接的側(cè)弧面，增加了折環(huán)高度，改善振動(dòng)區(qū)域的性能，增強(qiáng)音膜的折環(huán)強(qiáng)度，以降低失真的影響。

圖1為本實(shí)用新型音膜的示意圖；圖2為本實(shí)用新型音膜的截面圖；圖3為B部分的放大圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型音膜10包括位于中央的主體部I和圍繞主體部I的折環(huán)2。所述主體部1設(shè)有上表面11和與上表面11相對(duì)的下表面12。所述下表面12向上表面11的方向?yàn)榈谝环较?。所述折環(huán)2設(shè)有向第一方向凸設(shè)的主弧面21和與主弧面21平滑相接的向第一方向凹陷的側(cè)弧面22。所述側(cè)弧面22包括靠近主體部I的第一側(cè)弧面221和遠(yuǎn)離主體部I的第二例弧面222。所述第一側(cè)弧面221與第二側(cè)弧面222位于主弧面21的兩側(cè)并關(guān)于主弧面21的中心軸對(duì)稱。所述折環(huán)2在位于第一側(cè)弧面221靠近主體部I的一側(cè)設(shè)有與主體部I相連的連接部23，所述折環(huán)2在位于第二側(cè)弧面222遠(yuǎn)離主體部I的一側(cè)設(shè)有固持部24。所述固持部用于音膜10與外部元件的固定連接。需要說明的是，本實(shí)施例中有提到所述折環(huán)設(shè)有位于主弧面兩側(cè)的第一側(cè)弧面和第二側(cè)弧面，這只是本實(shí)施例的最優(yōu)方式，事實(shí)上，僅有第一側(cè)弧面或第二側(cè)弧面，固持部或連接部直接與主弧面相連，也是可以達(dá)到本實(shí)用新型的目的。另外，本實(shí)施方案中連接部與主體部既可以是一體的，也可以是相互分離并搭接的。所述主體部既可以是平面的，也可以是弧面的。如圖3所示，所述主弧面21的頂點(diǎn)到側(cè)弧面22與固持部24的相交處(未標(biāo)號(hào))的垂直距離為主弧面21的弧面高度h。所述側(cè)弧面22的頂點(diǎn)到側(cè)弧面22與固持部24的相交處(未標(biāo)號(hào))的垂直距離為側(cè)弧面22的弧面高度X。所述側(cè)弧面22的弧面高度X小于主弧面21的弧面高度h。所述主弧面21的頂點(diǎn)與所述側(cè)弧面22的頂點(diǎn)之間的垂直高度為所述折環(huán)2的折環(huán)高度H。所述折環(huán)2的折環(huán)高度H大于主弧面21的弧面高度h。所述折環(huán)高度H為主弧面21的弧面高度h與側(cè)弧面22的弧面高度X之和，即H = h+x。本實(shí)用新型在折環(huán)上增加了與主弧面方向相反且平滑相接的側(cè)弧面，增加了折環(huán)高度，改善振動(dòng)區(qū)域的性能，增強(qiáng)音膜的折環(huán)強(qiáng)度，以降低失真的影響。以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種音膜,其包括位于中央的主體部和圍繞主體部的折環(huán),所述主體部包括上表面和與所述上表面相對(duì)的下表面，自所述下表面向上表面的方向?yàn)榈谝环较颍涮卣髟谟?所述折環(huán)包括向第一方向凸設(shè)的主弧面和與主弧面反向且平滑相連側(cè)弧面，所述側(cè)弧面的弧面高度小于主弧面的弧面高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的音膜，其特征在于:所述側(cè)弧面包括靠近主體部的第一側(cè)弧面和遠(yuǎn)離主體部的第二側(cè)弧面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的音膜，其特征在于:所述折環(huán)在位于第一側(cè)弧面靠近主體部的一側(cè)設(shè)有與主體部相連的連接部，所述折環(huán)在位于第二側(cè)弧面遠(yuǎn)離主體部的一側(cè)設(shè)有固持部。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種音膜，其包括位于中央的主體部和圍繞主體部的折環(huán)，所述主體部包括上表面和與所述上表面相對(duì)的下表面，自所述下表面向上表面的方向?yàn)榈谝环较?，所述折環(huán)包括向第一方向凸設(shè)的主弧面和與主弧面反向平滑相連側(cè)弧面，所述側(cè)弧面的弧面高度小于主弧面的弧面高度。本實(shí)用新型的音膜可以增加折環(huán)高度，改善振動(dòng)區(qū)域的性能，增強(qiáng)音膜的折環(huán)強(qiáng)度，降低失真的影響。
文檔編號(hào)H04R9/02GK202918483SQ20122050381
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
發(fā)明者沈濤 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(常州)有限公司