專利名稱：Mems麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，MEMS (微電子機(jī)械系統(tǒng))麥克風(fēng)以其體積小、便于SMT(表面貼裝技術(shù))安裝、耐高溫、穩(wěn)定性好、自動(dòng)化程度高和適合大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS麥克風(fēng)通常包括外殼以及與外殼結(jié)合為一體的PCB(印刷電路板)板體，在PCB板體的內(nèi)側(cè)設(shè)有金線連接的MEMS芯片和ASIC (專用集成電路)芯片，在PCB板體上對(duì)應(yīng)MEMS芯片和ASIC芯片的位置設(shè)有聲腔，聲腔與MEMS芯片相通。這種結(jié)構(gòu)的MEMS麥克風(fēng)的不足之處在于:由于MEMS芯片和ASIC芯片的下部是聲腔，使得PCB板體對(duì)MEMS芯片和ASIC芯片的支撐強(qiáng)度降低，當(dāng)用焊槍對(duì)MEMS芯片和ASIC芯片進(jìn)行打金線焊接時(shí)，焊槍的沖擊力會(huì)使得MEMS芯片和ASIC芯片向聲腔內(nèi)變形，從而很容易對(duì)MEMS芯片和ASIC芯片造成損傷，或者是引起MEMS芯片和ASIC芯片與金線的焊接不牢，造成接觸不良而影響電連接效果，進(jìn)而使得MEMS麥克風(fēng)的工作性能差，使用壽命短。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種MEMS麥克風(fēng)，此MEMS麥克風(fēng)在對(duì)MEMS芯片和ASIC芯片進(jìn)行打金線焊接時(shí)不會(huì)對(duì)MEMS芯片和ASIC芯片造成損傷，也不會(huì)產(chǎn)生接觸不良的現(xiàn)象，工作性能高，使用壽命長(zhǎng)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種MEMS麥克風(fēng),包括外殼以及與所述外殼結(jié)合為一體的PCB板體，所述PCB板體與所述外殼相結(jié)合的一側(cè)為所述PCB板體的內(nèi)側(cè)，所述PCB板體的內(nèi)側(cè)設(shè)有MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片通過(guò)金線電連接，所述PCB板體與所述MEMS芯片和所述ASIC芯片之間設(shè)有導(dǎo)電片，所述PCB板體內(nèi)側(cè)設(shè)有溝槽，所述導(dǎo)電片覆蓋在所述溝槽上，所述導(dǎo)電片上設(shè)有用于連通所述MEMS芯片和所述溝槽的第二音孔；在所述溝槽內(nèi)設(shè)有支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件設(shè)置在與所述MEMS芯片或所述ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi)。作為一種改進(jìn)，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片均設(shè)置在所述導(dǎo)電片對(duì)應(yīng)所述溝槽的位置上。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述支撐構(gòu)件為從所述溝槽的側(cè)壁向所述溝槽內(nèi)延伸的凸臺(tái)結(jié)構(gòu)。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述支撐構(gòu)件設(shè)有兩個(gè)，兩個(gè)所述的支撐構(gòu)件分別設(shè)置在所述溝槽的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁上，兩個(gè)所述的支撐構(gòu)件對(duì)稱設(shè)置，每個(gè)所述的支撐構(gòu)件均同時(shí)位于與所述MEMS芯片和所述ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi)。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述支撐構(gòu)件設(shè)有四個(gè)，四個(gè)所述的支撐構(gòu)件分別設(shè)置在所述溝槽的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁上，四個(gè)所述的支撐構(gòu)件兩兩對(duì)稱設(shè)置，相對(duì)稱的兩個(gè)所述支撐構(gòu)件同時(shí)位于與所述MEMS芯片或所述ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi)。[0010]作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述支撐構(gòu)件設(shè)置在所述溝槽的中部，且所述支撐構(gòu)件的長(zhǎng)和寬均小于所述溝槽的長(zhǎng)和寬。 作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述MEMS芯片設(shè)置于所述導(dǎo)電片對(duì)應(yīng)所述溝槽的位置上，所述ASIC芯片設(shè)置于所述導(dǎo)電片對(duì)應(yīng)所述PCB板體的位置上。作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述支撐構(gòu)件位于所述MEMS芯片的下部。本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型所述的MEMS麥克風(fēng)的PCB板體內(nèi)側(cè)設(shè)有MEMS芯片和ASIC芯片，PCB板體與MEMS芯片和ASIC芯片之間設(shè)有導(dǎo)電片，PCB板體內(nèi)側(cè)設(shè)有溝槽，導(dǎo)電片覆蓋在溝槽上，導(dǎo)電片上設(shè)有用于連通MEMS芯片和溝槽的第二音孔；在溝槽內(nèi)設(shè)有支撐構(gòu)件，支撐構(gòu)件設(shè)置在與MEMS芯片或ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的溝槽內(nèi)。由于在溝槽內(nèi)設(shè)有支撐構(gòu)件，當(dāng)用焊槍對(duì)MEMS芯片和ASIC芯片進(jìn)行打金線焊接時(shí)，支撐構(gòu)件會(huì)對(duì)MEMS芯片和ASIC芯片起到支撐作用，使得MEMS芯片和ASIC芯片不會(huì)向溝槽內(nèi)變形，從而不會(huì)受到損傷，且MEMS芯片和ASIC芯片與金線的焊接牢固，不會(huì)產(chǎn)生接觸不良的現(xiàn)象；且支撐構(gòu)件體積較小，對(duì)由導(dǎo)電片和溝槽圍成的聲腔的大小影響不大，不會(huì)對(duì)MEMS麥克風(fēng)的靈敏度造成不良的影響，故本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)提高了現(xiàn)有技術(shù)中MEMS麥克風(fēng)的整體工作性能，延長(zhǎng)了現(xiàn)有技術(shù)中MEMS麥克風(fēng)的使用壽命。綜上所述，本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)解決了現(xiàn)有技術(shù)中MEMS麥克風(fēng)MEMS芯片和ASIC芯片容易損壞，電連接不良的技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)具有整體工作性能聞，使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

圖1是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例一的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例一的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例二的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例二的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例三的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例三的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例四的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例四的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖中:1、外殼，11、第一音孔，2、PCB板體，21、溝槽，22、焊盤，23a ；23b ;23c、支撐構(gòu)件，3、導(dǎo)電片，31、第二音孔，4、MEMS芯片，5、ASIC芯片，6、金線，7、粘膠。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。實(shí)施例一:如圖1和圖2共同所不,一種MEMS麥克風(fēng),包括外殼I以及與外殼I結(jié)合為一體的PCB板體2，PCB板體2與外殼I相結(jié)合的一側(cè)為PCB板體2的內(nèi)側(cè)，PCB板體2內(nèi)側(cè)設(shè)有MEMS芯片4和ASIC芯片5，MEMS芯片4和所述ASIC芯片5通過(guò)金線6電連接，PCB板體2與MEMS芯片4和ASIC芯片5之間設(shè)有導(dǎo)電片3，PCB板體2內(nèi)側(cè)設(shè)有溝槽21，導(dǎo)電片3覆蓋在溝槽21上，導(dǎo)電片3上設(shè)有用于連通MEMS芯片4和溝槽21的第二音孔31 ;在溝槽22內(nèi)設(shè)有支撐構(gòu)件23a，支撐構(gòu)件23a設(shè)置在與MEMS芯片4和ASIC芯片5打金線6的位置相對(duì)應(yīng)的溝槽21內(nèi)，MEMS芯片4和ASIC芯片5均設(shè)置在導(dǎo)電片3對(duì)應(yīng)溝槽21的位置上。由于在溝槽21內(nèi)設(shè)有支撐構(gòu)件23a，當(dāng)用焊槍對(duì)MEMS芯片4和ASIC芯片5進(jìn)行打金線焊接時(shí)，支撐構(gòu)件23a會(huì)對(duì)MEMS芯片4和ASIC芯片5起到支撐作用，使得MEMS芯片4和ASIC芯片5不會(huì)向溝槽21內(nèi)變形，從而不會(huì)受到損傷，且MEMS芯片4和ASIC芯片5與金線6的焊接牢固，不會(huì)產(chǎn)生接觸不良的現(xiàn)象，提高了 MEMS麥克風(fēng)的工作性能，延長(zhǎng)了 MEMS麥克風(fēng)的使用壽命。支撐構(gòu)件23a為從溝槽21的側(cè)壁向溝槽內(nèi)延伸的凸臺(tái)結(jié)構(gòu)。支撐構(gòu)件23a設(shè)有兩個(gè)，兩個(gè)支撐構(gòu)件23a設(shè)置在溝槽21的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁上，以溝槽21的中心線為中心對(duì)稱設(shè)置，且兩個(gè)支撐構(gòu)件23a之間設(shè)有用于聲音通過(guò)的間隙，兩個(gè)支撐構(gòu)件23a均同時(shí)位于MEMS芯片4和ASIC芯片5焊接金線6的一側(cè)的下部。導(dǎo)電片3為具有一定剛性的薄片結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)可以采用PCB板、FPCB板或者金屬薄片，導(dǎo)電片3通過(guò)粘膠7固定在PCB板體2的溝槽21上部，與溝槽21之間形成了聲腔，導(dǎo)電片3相對(duì)溝槽21的一側(cè)設(shè)有與PCB板體2上的焊盤22電連接的焊盤。外殼I上設(shè)有第一音孔11，通過(guò)MEMS芯片4與聲腔連通。本實(shí)用新型的工作原理如下:聲音從第一音孔11進(jìn)入，通過(guò)MEMS芯片4的膜片和第二音孔31進(jìn)入聲腔，聲腔越大，聲音對(duì)MEMS芯片4振膜的作用力越大，麥克風(fēng)的靈敏度越高，MEMS芯片4將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化成電信號(hào)，通過(guò)導(dǎo)電片3與PCB板體2連接外部電路。實(shí)施例二:如圖3和圖4共同所不,一種MEMS麥克風(fēng),其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于:支撐構(gòu)件23a設(shè)有四個(gè)，四個(gè)支撐構(gòu)件23a兩兩對(duì)稱設(shè)置，兩個(gè)相對(duì)稱的支撐構(gòu)件23a位于MEMS芯片4焊接有金線6的一側(cè)的下部，另兩個(gè)相對(duì)稱的支撐構(gòu)件23a位于ASIC芯片5焊接有金線6的一側(cè)的下部，分別對(duì)MEMS芯片4和ASIC芯片5起到支撐作用。實(shí)施例三:如圖5和圖6共同所不,一種MEMS麥克風(fēng),其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于:支撐構(gòu)件23b設(shè)有一個(gè)，位于MEMS芯片4和ASIC芯片5的下部，支撐構(gòu)件23b設(shè)置在溝槽21的中部，不與溝槽21的任一側(cè)壁連接，通過(guò)粘膠7與導(dǎo)電片3固定。實(shí)施例四:如圖7和圖8共同所不,一種MEMS麥克風(fēng),其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一基本相同，不同之處在于:MEMS芯片4設(shè)置于導(dǎo)電片3對(duì)應(yīng)溝槽21的位置上，ASIC芯片5設(shè)置于導(dǎo)電片3對(duì)應(yīng)PCB板體2的位置上。支撐構(gòu)件23c的一側(cè)與溝槽21靠近ASIC芯片5的側(cè)壁連接，對(duì)MEMS芯片4起到支撐作用。上述四個(gè)實(shí)施例所介紹的支撐構(gòu)件的結(jié)構(gòu)并非窮舉，只是幾種優(yōu)選方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員在上述四個(gè)實(shí)施例的提示下很容易做出其它結(jié)構(gòu)的用于支撐MEMS芯片4和ASIC芯片5的支撐構(gòu)件，故在此不再詳述。但是凡是設(shè)置在溝槽21內(nèi)，用于支撐MEMS芯片4和ASIC芯片5的構(gòu)件，不論其結(jié)構(gòu)是否與上述四個(gè)實(shí)施例中的支撐構(gòu)件的結(jié)構(gòu)相同或相似，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。本實(shí)用新型不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性的勞動(dòng)，所作出的種種變換，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.EMS麥克風(fēng)，包括外殼以及與所述外殼結(jié)合為一體的PCB板體，所述PCB板體與所述外殼相結(jié)合的一側(cè)為所述PCB板體的內(nèi)側(cè)，所述PCB板體的內(nèi)側(cè)設(shè)有MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片通過(guò)金線電連接，其特征在于:所述PCB板體與所述MEMS芯片和所述ASIC芯片之間設(shè)有導(dǎo)電片，所述PCB板體內(nèi)側(cè)設(shè)有溝槽，所述導(dǎo)電片覆蓋在所述溝槽上，所述導(dǎo)電片上設(shè)有用于連通所述MEMS芯片和所述溝槽的第二音孔；在所述溝槽內(nèi)設(shè)有支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件設(shè)置在與所述MEMS芯片或所述ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述MEMS芯片和所述ASIC芯片均設(shè)置在所述導(dǎo)電片對(duì)應(yīng)所述溝槽的位置上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述支撐構(gòu)件為從所述溝槽的側(cè)壁向所述溝槽內(nèi)延伸的凸臺(tái)結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述支撐構(gòu)件設(shè)有兩個(gè)，兩個(gè)所述的支撐構(gòu)件分別設(shè)置在所述溝槽的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁上，兩個(gè)所述的支撐構(gòu)件對(duì)稱設(shè)置，每個(gè)所述的支撐構(gòu)件均同時(shí)位于與所述MEMS芯片和所述ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述支撐構(gòu)件設(shè)有四個(gè)，四個(gè)所述的支撐構(gòu)件分別設(shè)置在所述溝槽的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁上，四個(gè)所述的支撐構(gòu)件兩兩對(duì)稱設(shè)置，相對(duì)稱的兩個(gè)所述支撐構(gòu)件同時(shí)位于與所述MEMS芯片或所述ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述支撐構(gòu)件設(shè)置在所述溝槽的中部，且所述支撐構(gòu)件的長(zhǎng)和寬均小于所述溝槽的長(zhǎng)和寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述MEMS芯片設(shè)置于所述導(dǎo)電片對(duì)應(yīng)所述溝槽的位置上，所述ASIC芯片設(shè)置于所述導(dǎo)電片對(duì)應(yīng)所述PCB板體的位置上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述支撐構(gòu)件位于所述MEMS芯片的下部。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，包括外殼以及與所述外殼結(jié)合為一體的PCB板體，所述PCB板體內(nèi)側(cè)設(shè)有MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片通過(guò)金線電連接，所述PCB板體與所述MEMS芯片和所述ASIC芯片之間設(shè)有導(dǎo)電片，所述PCB板體內(nèi)側(cè)設(shè)有溝槽，所述導(dǎo)電片覆蓋在所述溝槽上，所述導(dǎo)電片上設(shè)有用于連通所述MEMS芯片和所述溝槽的第二音孔；在所述溝槽內(nèi)設(shè)有支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件設(shè)置在與所述MEMS芯片或所述ASIC芯片電連接位置相對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi)。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中打金線時(shí)芯片下陷，容易損壞，電連接不良的技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)具有整體工作性能高，使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H04R19/04GK202931547SQ201220564168
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月30日
發(fā)明者龐勝利, 馬路聰, 高松, 肖廣松, 宋青林 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司