專利名稱：熱致發(fā)聲裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種熱致發(fā)聲裝置，尤其涉及一種基于碳納米管的熱致發(fā)聲裝置。
背景技術：
發(fā)聲裝置一般由信號輸入裝置和發(fā)聲元件組成，通過信號輸入裝置輸入信號到該發(fā)聲元件，進而發(fā)出聲音。熱致發(fā)聲裝置為發(fā)聲裝置中的一種，其為基于熱聲效應的一種發(fā)聲裝置，該熱致發(fā)聲裝置通過向一導體中通入交流電來實現(xiàn)發(fā)聲。該導體具有較小的熱容(Heat capacity ),較薄的厚度,且可將其內(nèi)部產(chǎn)生的熱量迅速傳導給周圍氣體介質(zhì)的特點。當交流電通過導體時，隨交流電電流強度的變化，導體迅速升降溫，而和周圍氣體介質(zhì)迅速發(fā)生熱交換，促使周圍氣體介質(zhì)分子運動，氣體介質(zhì)密度隨之發(fā)生變化，進而發(fā)出聲波。2008年10月29日，范守善等人公開了一種應用熱聲效應的熱致發(fā)聲裝置，請參見文獻“Flexible, Stretchable, Transparent Carbon Nanotube Thin Film Loudspeakers，，，ShouShan Fan, et al.，Nano Letters, Vol.8 (12)，4539-4545 (2008)。該熱致發(fā)聲元件采用碳納米管膜作為一熱致發(fā)聲元件，由于碳納米管膜具有極大的比表面積及極小的單位面積熱容(小于2X10—4焦耳每平方厘米開爾文)，該熱致發(fā)聲元件可發(fā)出人耳能夠聽到強度的聲音，且具有較寬的發(fā)聲頻率范圍(100Hz IOOkHz)。然而，所述作為熱致發(fā)聲元件的碳納米管膜的厚度為納米級，容易破損且不易加工、難以實現(xiàn)小型化，因此，如何解決上述問題是使上述熱致發(fā)聲裝置能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)業(yè)化及實際應用的關鍵。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，確有必要提供一種易加工、能夠?qū)崿F(xiàn)小型化并可實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的熱致發(fā)
聲裝置?！N熱致發(fā)聲裝置，包括:一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；一熱致發(fā)聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發(fā)聲元件電連接；其中，所述基底為一硅基底，所述硅基底的第一表面形成有多個相互平行且間隔設置的凹槽，所述凹槽的深度為100微米至200微米，所述熱致發(fā)聲元件包括一層狀碳納米管結構，該層狀碳納米管結構在所述凹槽處懸空設置。—種熱致發(fā)聲裝置，包括:一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；一熱致發(fā)聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發(fā)聲元件電連接；其中，所述基底的第一表面形成有多個均勻分布且間隔設置的凹部，所述凹部的深度為100微米至200微米，所述熱致發(fā)聲元件包括一層狀碳納米管結構，該層狀碳納米管結構在所述凹部處懸空設置。—種熱致發(fā)聲裝置，包括:一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；一熱致發(fā)聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發(fā)聲元件電連接；其中，所述基底的第一表面形成有多個凹部，一第一絕緣層及一第二絕緣層依次層疊設置于所述凹部之間基底的第一表面，并使所述多個凹部暴露，一第三絕緣層連續(xù)地設置并覆蓋所述層疊設置的第一絕緣層及第二絕緣層以及所述凹部的側(cè)面和底面，所述熱致發(fā)聲元件設置在所述第三絕緣層的表面，且相對于所述凹部位置處的部分懸空設置。與現(xiàn)有技術相比較，所述熱致發(fā)聲裝置采用硅基底，一方面，硅基底表面多個凹部及凸部支撐碳納米管膜，保護碳納米管膜能實現(xiàn)較好發(fā)聲效果的同時不易破損，另一方面，基于成熟的硅半導體制造工藝，所述熱致發(fā)聲裝置易加工，可制備小尺寸的熱致?lián)P聲器且有利于實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

圖1是本實用新型第一實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的結構示意圖圖2是圖1所述的熱致發(fā)聲裝置沿I1-1I方向的剖面圖。圖3為本實用新型第一實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的制備方法流程圖。圖4為本實用新型第二實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的結構示意圖。圖5為本實用新型第三實施例熱致發(fā)聲裝置的結構示意圖。圖6為本實用新型第三實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的制備方法流程圖。圖7為本實用新型第四實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的結構示意圖。圖8為圖7所述的熱 致發(fā)聲裝置沿VII1-VIII方向的結構示意圖。圖9為第四實施例提供的熱致發(fā)聲裝置中電極的結構示意圖。圖10為本實用新型第四實施例提供的熱致發(fā)聲裝置中聲壓級-頻率的曲線圖。圖11為本實用新型第四實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的發(fā)聲效果圖。圖12為圖7所述熱致發(fā)聲裝置的制備方法中提供的熱致發(fā)聲裝置陣列的結構示意圖。圖13為本實用新型第五實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的結構示意圖。圖14為本實用新型第六實施例提供的熱致發(fā)聲裝置的結構示意圖。主要元件符號說明熱致發(fā)聲裝置10，20，30，40，50，60基底100第一表面101凹部102第二表面103凸部104凹槽105第一電極106切割線107熱致發(fā)聲元件 110第一區(qū)域112[0036]第二區(qū)域114第二電極116絕緣層120第一絕緣層122第二絕緣層124第三絕緣層126集成電路芯片 140第三電極142第四電極144熱致發(fā)聲裝置陣列401基板1001第一連接部1061第二連接部1161如下具體實·施例將結合上述附圖進一步說明本實用新型。
具體實施方式
以下將結合附圖詳細說明本實用新型實施例的熱致發(fā)聲裝置。請參閱圖1及圖2，本實用新型第一實施例提供一種熱致發(fā)聲裝置10，其包括一基底100、一熱致發(fā)聲兀件110、一絕緣層120、一第一電極106以及一第二電極116。該第一電極106及第二電極116相互間隔設置并與該熱致發(fā)聲元件110電連接。該基底100包括相對的一第一表面101以及一第二表面103。所述第一表面101具有多個凹部102，相鄰的凹部102之間形成一凸部104。所述絕緣層120設置于所述基底100的第一表面101，且連續(xù)地貼附于所述凹部102與所述凸部104的表面。該熱致發(fā)聲元件110設置于所述第一表面101并通過絕緣層120與所述基底100絕緣設置。所述熱致發(fā)聲元件110具有一第一區(qū)域112及一第二區(qū)域114，所述第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110對應于所述凹部102位置，第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置，并與所述凹部102的底面間隔設置。所述第二區(qū)域114的熱致發(fā)聲元件110設置于所述凸部104的頂面，并通過絕緣層120與所述凸部104絕緣設置。該基底100為一平面片狀結構，形狀不限，可為圓形、方形或矩形等，也可以為其他形狀。所述基底100的面積為25平方毫米 100平方毫米，具體可選擇為如36平方毫米、64平方毫米或80平方毫米等。所述基底100的厚度為0.2毫米 0.8毫米?？梢岳斫?，所述基底100并不限于上述平面片狀結構，只要確保所述基底100具有一表面承載所述熱致發(fā)聲元件110即可，也可選擇為塊狀結構、弧面結構、曲面結構等。所述基底100的材料可為單晶硅或多晶硅。所述基底100具有良好的導熱性能，從而可將所述熱致發(fā)聲元件110在工作中產(chǎn)生的熱量及時的傳導到外界，延長熱致發(fā)聲元件110的使用壽命。本實施例中，該基底100為一邊長為8毫米的正方形平面片狀結構,厚度為0.6毫米，材料為單晶娃。所述多個凹部102設置于所述基底100將承載所述熱致發(fā)聲元件110的表面，即第一表面101。該多個凹部102均勻分布、以一定規(guī)律分布、以陣列分布或隨機分布于所述第一表面101。優(yōu)選地，該多個凹部102均勻分布且相互間隔設置。該多個凹部102可以為通孔結構、盲槽結構或盲孔結構中的一種或多種。在所述凹部102從基底100的第一表面101向基底100內(nèi)部延伸的方向上，所述每一凹部102具有一底面以及與該底面相鄰的側(cè)面。相鄰的凹部102之間為所述凸部104，相鄰凹部102之間的基底100的表面為所述凸部104的頂面。所述第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110對應于所述凹部102位置，第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置，即，所述第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110不與所述凹部102的側(cè)面和底面接觸。所述凹部102的深度可根據(jù)實際需要及所述基底100的厚度進行選擇，優(yōu)選地，所述凹部102的深度為100微米 200微米，使基底100在起到保護熱致發(fā)聲元件110的同時，又能確保所述熱致發(fā)聲元件110與所述基底100之間形成足夠的間距，防止工作時產(chǎn)生的熱量直接被基底100吸收而無法完全實現(xiàn)與周圍介質(zhì)熱交換造成音量降低，并保證所述熱致發(fā)聲元件110在各發(fā)聲頻率均有良好的發(fā)聲效果。當所述凹部102為凹槽時，所述凹部102在所述第一表面101延伸的長度可小于所述基底100的邊長。該凹部102在其延伸方向上的橫截面的形狀可為V形、長方形、梯形、多邊形、圓形或其他不規(guī)則形狀。所述凹槽的寬度(即所述凹部102橫截面的最大跨度)為大于等于0.2毫米小于I毫米，一方面能夠防止所述熱致發(fā)聲元件110在工作過程中破裂，另一方面能夠降低所述熱致發(fā)聲元件110的驅(qū)動電壓，使得所述驅(qū)動電壓小于12V，優(yōu)選的小于等于5V。當所述凹槽橫截面的形狀為倒梯形時，所述凹槽跨寬隨凹槽的深度增加而減小。所述倒梯形凹槽底角α的角度大小與所述基底100的材料有關,具體的,所述底角α的角度大小與所述基底100中單晶娃的晶面角相等。優(yōu)選地，所述多個凹部102為多個相互平行且均勻間隔分布的凹槽設置于基底100的第一表面101，每相鄰兩個凹槽之間的槽間距dl為20微米 200微米，從而保證后續(xù)第一電極106以及第二電極116通過絲網(wǎng)印刷的方法制備，且能夠充分利用所述基底100表面，同時保證刻蝕的精確，從而提高發(fā)聲的質(zhì)量。本實施例中，該基底100第一表面101具有多個平行等間距分布的倒梯形凹槽，所述倒梯形凹槽在第一表面101的寬度為0.6毫米，所述凹槽的深度為150微米，每兩個相鄰的凹槽之間的間距dl為100微米。所述倒梯形凹槽底角α的大小為54.7度。所述絕緣層120可為一單層結構或者一多層結構。當所述絕緣層120為一單層結構時，所述絕緣層120可僅設置于所述凸部104的頂面，也可貼附于所述基底100的整個第一表面101。所述“貼附”是指由于所述基底100的第一表面101具有多個凹部102以及多個凸部104，因此所述絕緣層120直接覆蓋所述凹部102及所述凸部104，對應凸部104位置處的絕緣層120貼附在所述凸部104的頂面；對應凹部102位置處的絕緣層120貼附在所述凹部102的底面及側(cè)面，即所述絕緣層120的起伏趨勢與所述凹部102及凸部104的起伏趨勢相同。無論哪種情況，所述絕緣層120使所述熱致發(fā)聲元件110與所述基底100絕緣。本實施例中，所述絕緣層120為一連續(xù)的單層結構，所述絕緣層120覆蓋所述整個第一表面101。所述絕緣層120的材料可為二氧化硅、氮化硅或其組合，也可以為其他絕緣材料，只要能夠確保所述絕緣層120能夠使熱致發(fā)聲元件110與所述基底100絕緣即可。所述絕緣層120的整體厚度可為10納米 2微米，具體可選擇為50納米、90納米或I微米等，本實施例中，所述絕緣層的厚度為1.2微米。[0057]所述熱致發(fā)聲元件110設置于所述基底100的第一表面101，具體的，所述熱致發(fā)聲元件110設置于所述絕緣層120的表面。即第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置于所述凹部102上，所述熱致發(fā)聲元件110的第二區(qū)域114設置于所述凹部102頂面的絕緣層120表面?？梢岳斫?，為使該熱致發(fā)聲元件110更好的固定于該基底100的第一表面101，可在所述凸部104的頂面設置一粘結層或粘結點，從而使熱致發(fā)聲元件110通過該粘結層或粘結點固定于該基底100的第一表面101。所述熱致發(fā)聲元件110具有較小的單位面積熱容，其材料不限，如純碳納米管結構、碳納米管復合結構等，也可以為其他非碳納米管材料的熱致發(fā)聲材料等等，只要能夠?qū)崿F(xiàn)熱致發(fā)聲即可。本實用新型實施例中，該熱致發(fā)聲元件110由碳納米管組成，所述熱致發(fā)聲元件Iio的單位面積熱容小于2X10—4焦耳每平方厘米開爾文。具體地，該熱致發(fā)聲元件110為一具有較大比表面積及較小厚度的導電結構，從而使該熱致發(fā)聲元件110可以將輸入的電能轉(zhuǎn)換為熱能，即所述熱致發(fā)聲元件110可根據(jù)輸入的信號迅速升降溫，而和周圍氣體介質(zhì)迅速發(fā)生熱交換,加熱熱致發(fā)聲元件Iio外部周圍氣體介質(zhì)，促使周圍氣體介質(zhì)分子運動，氣體介質(zhì)密度隨之發(fā)生變化，進而發(fā)出聲波。優(yōu)選地，該熱致發(fā)聲元件110應為自支撐結構，所謂“自支撐結構”即該熱致發(fā)聲元件110無需通過一支撐體支撐，也能保持自身特定的形狀。因此，該自支撐的熱致發(fā)聲元件110可部分懸空設置。該自支撐結構的熱致發(fā)聲元件110可充分的與周圍介質(zhì)接觸并進行熱交換。該熱致發(fā)聲元件110可為一膜狀結構、多個線狀結構并排形成的層狀結構或膜狀結構與線狀結構的組合。所述熱致發(fā)聲元件110可為一層狀碳納米管結構，所述碳納米管結構在所述凹部102位置處懸空設置。所述碳納米管結構整體上為一層狀結構，厚度優(yōu)選為0.5納米 I毫米。當該碳納米管結構厚度比較小時，例如小于等于10微米，該碳納米管結構有很好的透明度。所述碳納米管結構為自支撐結構。該自支撐的碳納米管結構中多個碳納米管間通過范德華力相互吸引，從而使碳納米管結構具有特定的形狀。故該碳納米管結構部分通過基底100支撐，并使碳納米管結構其它部分懸空設置。所述層狀碳納米管結構包括多個沿同一方向擇優(yōu)取向延伸的碳納米管，所述碳納米管的延伸方向與所述凹槽的延伸方向形成一夾角，所述夾角大于零度小于等于90度。所述層狀碳納米管結構包括至少一碳納米管膜、多個并排設置的碳納米管線或至少一碳納米管膜與碳納米管線的組合。所述碳納米管膜從碳納米管陣列中直接拉取獲得。該碳納米管膜的厚度為0.5納米 100微米，單位面積熱容小于I X IO-6焦耳每平方厘米開爾文。所述碳納米管包括單壁碳納米管、雙壁碳納米管和多壁碳納米管中的一種或多種。所述單壁碳納米管的直徑為0.5納米 50納米，雙壁碳納米管的直徑為I納米 50納米，多壁碳納米管的直徑為1.5納米 50納米。每一碳納米管膜是由若干碳納米管組成的自支撐結構。所述若干碳納米管為基本沿同一方向擇優(yōu)取向排列，且所述碳納米管的延伸方向與所述凹槽的延伸方向形成一夾角，所述夾角大于零度小于等于90度。所述擇優(yōu)取向是指在碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管的整體延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多數(shù)碳納米管的整體延伸方向基本平行于碳納米管膜的表面。進一步地，所述碳納米管膜中多數(shù)碳納米管是通過范德華力首尾相連。具體地，所述碳納米管膜中基本朝同一方向延伸的大多數(shù)碳納米管中每一碳納米管與在延伸方向上相鄰的碳納米管通過范德華力首尾相連。當然，所述碳納米管膜中存在少數(shù)隨機排列的碳納米管，這些碳納米管不會對碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管的整體取向排列構成明顯影響。所述自支撐為碳納米管膜不需要大面積的載體支撐，而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態(tài)，即將該碳納米管膜置于(或固定于)間隔一定距離設置的兩個支撐體上時，位于兩個支撐體之間的碳納米管膜能夠懸空保持自身膜狀狀態(tài)。所述自支撐主要通過碳納米管膜中存在連續(xù)的通過范德華力首尾相連延伸排列的碳納米管而實現(xiàn)。具體地，所述碳納米管膜中基本朝同一方向延伸的多數(shù)碳納米管，并非絕對的直線狀，可以適當?shù)膹澢?；或者并非完全按照延伸方向上排列，可以適當?shù)钠x延伸方向。因此，不能排除碳納米管膜的基本朝同一方向延伸的多數(shù)碳納米管中并列的碳納米管之間可能存在部分接觸。所述碳納米管膜中，該多個碳納米管大致平行于所述基底100的第一表面101。該碳納米管結構可包括多個碳納米管膜共面的鋪設于基底100的第一表面101。另夕卜，該碳納米管結構可包括多層相互重疊的碳納米管膜，相鄰兩層碳納米管膜中的碳納米管之間具有一交叉角度α，α大于等于O度且小于等于90度。本實施例中，所述熱致發(fā)聲元件110為單層的碳納米管膜，該碳納米管膜設置于該基底100的第一表面101，包括懸空設置于凹部102的第一區(qū)域112以及設置于凸部104頂面的第二區(qū)域114。所述碳納米管膜的厚度為50納米。所述碳納米管膜具有較強的粘性，故該碳納米管膜可直接粘附于所述凸部104位置處絕緣層120的表面。所述碳納米管膜中多個碳納米管沿同一方向擇優(yōu)取向延伸，該多個碳納米管的延伸方向與所述凹部102的延伸方向形成一定夾角，優(yōu)選的，所述碳納米管的延伸方向垂直于所述凹部102的延伸方向。進一步地，當將所述碳納米管膜粘附于凸部104的頂面后，可使用有機溶劑處理粘附在基底100上的碳納米管膜。具體地，可通過試管將有機溶劑滴落在碳納米管膜表面浸潤整個碳納米管膜。該有機溶劑為揮發(fā)性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中采用乙醇。在揮發(fā)性有機溶劑揮發(fā)時產(chǎn)生的表面張力的作用下，微觀上，該碳納米管膜中的部分相鄰的碳納米管會收縮成束。碳納米管膜與基底100的接觸面積增大，從而可以更緊密地貼附在凸部104的頂面。另外，由于部分相鄰的碳納米管收縮成束，碳納米管膜的機械強度及韌性得到增強，且整個碳納米管膜的表面積減小，粘性降低。宏觀上，該碳納米管膜為一均勻的膜結構。所述第一電極106及第二電極116分別與所述熱致發(fā)聲元件110電連接，以使該熱致發(fā)聲元件Iio接入一音頻電信號。具體地，所述第一電極106以及第二電極116可間隔設置于所述絕緣層120遠離所述基底100的表面，也可設置于該熱致發(fā)聲元件110遠離基底100的表面。該第一電極106以及第二電極116由導電材料形成，其形狀及結構不限。具體地，該第一電極106以及第二電極116可選擇為細長的條狀、棒狀或其它形狀。該第一電極106以及第二電極116的材料可選擇為金屬、導電聚合物、導電膠、金屬性碳納米管或銦錫氧化物(ITO)等。本實施例中，所述第一電極106以及第二電極116分別設置于靠近所述熱致發(fā)聲元件110相對兩邊緣的凸部104上的絕緣層120表面,且與所述凹部102的延伸方向平行設置。所述熱致發(fā)聲元件110的第一區(qū)域112及第二區(qū)域114位于所述第一電極106以及第二電極116之間。該第一電極106及第二電極116由金屬絲構成。另外，可以理解，所述第一電極106及第二電極116也可設置于所述熱致發(fā)聲元件110遠離基底100的表面，并直接壓緊該熱致發(fā)聲元件110將其固定于基底100表面。[0066]由于碳納米管沿軸向具有優(yōu)異導電性，當碳納米管結構中的碳納米管為沿一定方向擇優(yōu)取向排列時，優(yōu)選地，所述第一電極106及第二電極116的設置應確保所述碳納米管結構中碳納米管沿第一電極106至第二電極116的方向延伸。優(yōu)選地，所述第一電極106及第二電極116之間應具有一基本相等的間距，從而使第一電極106及第二電極116之間區(qū)域的碳納米管結構能夠具有一基本相等的電阻值，優(yōu)選地，所述第一電極106及第二電極116的長度大于等于碳納米管結構的寬度，從而可以使整個碳納米管結構均得到利用。本實施例中，所述熱致發(fā)聲元件110中碳納米管沿基本垂直該第一電極106及第二電極116長度方向排列，所述第一電極106及第二電極116相互平行設置。所述音頻電信號通過該第一電極106及第二電極116輸入該碳納米管結構?？梢岳斫?，由于該熱致發(fā)聲元件110的發(fā)聲原理為“電-熱-聲”的轉(zhuǎn)換，故該熱致發(fā)聲元件110在發(fā)聲的同時會發(fā)出一定熱量。上述熱致發(fā)聲裝置10在使用時，可通過該第一電極106及第二電極116接入一音頻電信號源。該碳納米管結構具有較小的單位面積熱容和較大的散熱表面，在輸入信號后，碳納米管結構可迅速升降溫，產(chǎn)生周期性的溫度變化，并和周圍介質(zhì)快速進行熱交換，使周圍介質(zhì)的密度周期性地發(fā)生改變，進而發(fā)出聲音。進一步地，所述熱致發(fā)聲裝置10可包括一散熱裝置(圖未示)設置于該基底100遠離該熱致發(fā)聲元件110的表面。所述熱致發(fā)聲裝置10具有以下有益效果:首先，所述硅基底的凹槽寬度為大于等于0.2毫米小于I毫米，從而能夠有效的保護層狀碳納米管結構，且不影響發(fā)聲效果；其次，所述熱致發(fā)聲裝置10采用硅材料作為基底100，因此所述熱致發(fā)聲裝置10易加工，可采用成熟的加工工藝，有利于制備微結構、微型器件，且有利于產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，因此可制備小尺寸(如小于I厘米)的熱致?lián)P聲器；再次，所述基底100具有良好的導熱性，因此所述熱致發(fā)聲裝置10具有良好的散熱性，而無需單獨設置散熱元件；最后，所述基底100的熱致發(fā)聲裝置10可兼容目前的半導體制程，容易與其他元器件如IC芯片等集成，便于與其他元器件集成，減小占用空間，十分適用于小尺寸的電子器件。請參閱圖3，本實用新型進一步提供一種熱致發(fā)聲裝置10的制備方法，所述制備方法主要包括以下步驟:步驟S11，提供一基底100，所述基底100具有多個間隔設置的凹部102，形成一圖案化的表面；步驟S12，在所述基底100圖案化的表面形成一絕緣層120 ；步驟S13，在所述絕緣層120表面間隔形成一第一電極106及第二電極116;以及步驟S14，設置一熱致發(fā)聲元件110與所述第一電極106及第二電極116電連接。在步驟Sll中，所述基底100具有一第一表面101以及相對的第二表面103，所述多個凹部102形成于所述基底100的第一表面101，相鄰的凹部102之間為一凸部104。所述基底100多個凹部102可通過干法刻蝕或濕法刻蝕的方法形成。本實施例中，所述基底100通過濕法刻蝕的方法形成所述凹部102。具體的，所述基底100的刻蝕方法包括以下步驟:步驟SI 11,將一掩模(圖未不)設置于所述基底100的第一表面101 ；步驟SI 12，刻蝕所述基底100，形成所述多個凹部102 ;以及步驟SI 13,去除所述掩模。[0078]在步驟Slll中，所述掩模具有多個通孔形成一圖案化的結構，對應通孔位置處的基底100暴露出來。所述通孔的形狀可根據(jù)所述凹部102的需要進行選擇，如圓形、方形、矩形等等。所述掩模的材料可根據(jù)基底100的材料進行選擇，本實施例中，所述掩模的材料可為二氧化硅，所述通孔的形狀為矩形，所述矩形的寬度為大于等于0.2毫米小于I毫米，相鄰通孔之間的間距為20微米至200微米，從而保證后續(xù)在基底100表面通過絲網(wǎng)印刷形成電極的過程中的精確度，所述矩形的長度可與所述基底100的邊長相等。在步驟S112中，所述刻蝕溶液可為一堿性溶液，本實施例中所述刻蝕溶液為濃度為30%的氫氧化鉀溶液，溫度為80° C。由于所述掩模中所述通孔為橫截面為矩形的通孔，所述掩模中多個通孔沿同一方向延伸，因此，所述凹部102也為沿同一方向延伸的凹槽結構，且所述凹槽的最大寬度大于等于0.2毫米小于I毫米，相鄰凹槽之間的距離為20微米至200微米，進而有利于后續(xù)在相鄰凹槽之間制備電極。并且，由于所述基底100的材料為單晶硅，因此在采用濕法刻蝕的過程中，所述形成的凹部102的形狀與所述單晶硅的晶面及晶向有關。具體的，所述刻蝕溶液沿著平行于所述單晶硅的晶向的方向?qū)λ龌?00進行刻蝕，從而形成的凹部102的橫截面為一倒梯形結構，即所述凹部102的側(cè)壁并非垂直于所述基底100的表面，而是形成一定的夾角α。所述夾角α的大小等于所述單晶硅的晶面角。本實施例中，所述夾角α為54.7度。在步驟S113中，所述掩?？赏ㄟ^溶液腐蝕的方式去除，所述溶液僅可溶解所述掩模，而對所述基底100基本不影響，從而保證所述凹部102的形狀的完整性。本實施例中，所述掩模為二氧化硅，可通過采用氫氟酸(HF4)腐蝕的方法去除。在步驟S12中，所述絕緣層120為同一絕緣材料沉積形成的一單層結構。所述絕緣層120可通過物理氣相沉積法或化學氣相沉積法的方法制備。所述絕緣層120的厚度可根據(jù)實際需要進行選擇，只要保證所述絕緣層120的厚度不影響所述凹部102的形狀及分布即可。所述絕緣層120可僅沉積于所述凸部104的頂面，即所述絕緣層120為一非連續(xù)的層狀結構；也可覆蓋所述整個表面，即對應凸部104頂面位置處的絕緣層120沉積于所述凸部104的頂面，對應所述凹部102位置處的絕緣層120，沉積于所述凹部102的底面及側(cè)面，即所述絕緣層120為一連續(xù)的層狀結構。本實施例中，所述絕緣層120為一連續(xù)的單層結構，且覆蓋所述設置有凸部104的整個基底100的表面。在沉積絕緣層120的過程中，所述絕緣層120的起伏趨勢保持與所述形成有凸部104及凹部102的起伏趨勢相同。在步驟S13中，所述第一電極106及第二電極116分別設置于所述基底100相對兩邊的凸部104的頂面。具體的，所述第一電極106及第二電極116分別貼附于所述凸部104的頂面,其延伸方向均平行于所述凸部104的延伸方向。所述第一電極106及第二電極116的材料可選擇為金屬、導電聚合物、導電膠、金屬性碳納米管或銦錫氧化物(ITO)等，可通過絲網(wǎng)印刷等方式形成。本實施例中，所述第一電極106及第二電極116通過絲網(wǎng)印刷的方式形成在所述凸部104的頂面。在步驟S14中，所述熱致發(fā)聲元件110設置于所述基底100刻蝕有凹部102的表面，并與所述第一電極106及第二電極116電連接。具體的，所述熱致發(fā)聲元件110包括一第一區(qū)域112以及一第二區(qū)域114，對應第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置于所述凹部102上，對應第二區(qū)域114的熱致發(fā)聲元件110設置于所述凸部104的頂面。在所述第一電極106和第二電極116位置，所述熱致發(fā)聲元件110貼附于所述第一電極106及第二電極116的表面，并與之電連接。所述熱致發(fā)聲元件110包括一碳納米管結構，所述碳納米管結構包括至少一碳納米管膜或碳納米管線或其組合。本實施例中，所述熱致發(fā)聲元件110通過以下方法設置在所述基底100的表面:步驟S141，提供一碳納米管膜；步驟S142，將所述碳納米管膜設置于所述基底100設置有絕緣層120的表面，對應凹部102位置處的碳納米管膜懸空設置，對應凸部104位置處的碳納米管膜貼附于所述絕緣層120的表面。在步驟S141中，所述碳納米管膜為從一碳納米管陣列中拉取獲得的碳納米管拉膜。所述碳納米管拉膜具有極大的比表面積，因此具有很強的吸附力，因此所述碳納米管膜可直接拉出后貼附于所述基底100的表面。在步驟S142中，對應凹部102位置處的碳納米管膜懸空設置，而對應凸部104位置處的碳納米管膜直接貼附于所述間隔設置的凸部104絕緣層的表面，對應第一電極106及第二電極116位置處的碳納米管膜直接貼附于所述第一電極106及第二電極116的表面。所述碳納米管膜設置時，使所述碳納米管膜中碳納米管的延伸方向與所述凹部102的延伸方向形成一定夾角。本實施例中，該夾角為90度。使得所述碳納米管膜中碳納米管的延伸方向為從第一電極106向第二電極116延伸。進一步的，在設置所述熱致發(fā)聲元件110之后，可進一步包括一在所述位于凸部104頂面的熱致發(fā)聲元件110表面設置一固定元件(圖未示)的步驟。所述固定元件可通過絲網(wǎng)印刷或涂覆的形式形成，所述固定元件可進一步固定所述熱致發(fā)聲元件110。本實施例中，所述固定元件由金屬絲構成，該金屬絲可直接壓緊該熱致發(fā)聲元件110并固定于基底100 上。進一步的，所述第一電極106及第二電極116也可形成與所述熱致發(fā)聲元件110的表面。即首先將所述熱致發(fā)聲元件110設置于所述基底100的第一表面101，其次，在所述熱致發(fā)聲元件110的第二區(qū)域114的位置間隔設置一第一電極106及第二電極116。所述第一電極106及第二電極116的制備方法不限，只要保證所述熱致發(fā)聲元件110的完整性即可。所述第一電極106及第二電極116可通過絲網(wǎng)印刷的方法形成在所述熱致發(fā)聲元件110的表面。所述第一電極106及第二電極116分別設置在所述熱致發(fā)聲元件110的第二區(qū)域114表面,所述第一電極106及第二電極116的延伸方向平行于所述凹部102的延伸方向，所述碳納米管膜中的碳納米管沿從第一電極106到第二電極116的方向延伸。所述第一電極106及第二電極116同時起到固定所述熱致發(fā)聲元件110的作用，使所述熱致發(fā)聲元件110緊密的固定于基底100。請參閱圖4，本實用新型第二實施例提供一種熱致發(fā)聲裝置20，包括一基底100、一熱致發(fā)聲兀件110、一絕緣層120、一第一電極106以及一第二電極116。該第一電極106及第二電極116相互間隔設置并與該熱致發(fā)聲元件110電連接。本實用新型第二實施例提供的熱致發(fā)聲裝置20與第一實施例中所述熱致發(fā)聲裝置10的結構基本相同，其不同在于，所述熱致發(fā)聲元件110包括多個平行且間隔設置的碳納米管線。所述多個碳納米管線相互平行且間隔設置形成的一層狀碳納米管結構，所述碳納米管線的延伸方向與所述凹部102的延伸方向交叉形成一定角度，且碳納米管線中碳納米管的延伸方向平行于所述碳納米管線的延伸方向，所述層狀碳納米管結構在所述凹槽位置包括多個相互平行且間隔設置的碳納米管線，且所述碳納米管線對應凹部102位置部分懸空設置。優(yōu)選的，所述碳納米管線的延伸方向與所述凹部102的延伸方向垂直。相鄰兩個碳納米管線之間的距離為I微米 200微米，優(yōu)選地，為50微米 150微米。本實施例中，所述碳納米管線之間的距離為120微米，所述碳納米管線的直徑為I微米。所述碳納米管線可以為非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線或扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。所述非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線與扭轉(zhuǎn)的碳納米管線均為自支撐結構。具體地，該非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線包括多個沿平行于該非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線長度方向延伸的碳納米管。具體地，該非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線包括多個碳納米管片段，該多個碳納米管片段通過范德華力首尾相連，每一碳納米管片段包括多個相互平行并通過范德華力緊密結合的碳納米管。該碳納米管片段具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線長度不限，直徑為0.5納米 100微米。非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線為將上述碳納米管膜通過有機溶劑處理得到。具體地，將有機溶劑浸潤所述碳納米管膜的整個表面，在揮發(fā)性有機溶劑揮發(fā)時產(chǎn)生的表面張力的作用下，碳納米管膜中的相互平行的多個碳納米管通過范德華力緊密結合，從而使碳納米管膜收縮為一非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。該有機溶齊IJ為揮發(fā)性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿。通過有機溶劑處理的非扭轉(zhuǎn)的碳納米管線與未經(jīng)有機溶劑處理的碳納米管膜相比，比表面積減小，粘性降低。并且經(jīng)過收縮以后，首先，所述碳納米管線具有更高的機械強度，降低因外力作用而導致碳納米管線受損的幾率；其次，所述碳納米管線牢固的貼附在所述基板100表面，并且懸空部分始終保持繃緊的狀態(tài)，從而能夠保證在工作過程中，碳納米管線不發(fā)生變形，防止因為變形而導致的發(fā)聲失真、器件失效等問題。所述扭轉(zhuǎn)的碳納米管線為采用一機械力將上述碳納米管膜沿碳納米管延伸方向的兩端依照相反方向扭轉(zhuǎn)獲得。該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線包括多個繞該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線軸向螺旋延伸的碳納米管。具體地，該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線包括多個碳納米管片段，該多個碳納米管片段通過范德華力首尾相連，每一碳納米管片段包括多個相互平行并通過范德華力緊密結合的碳納米管。該碳納米管片段具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線長度不限，直徑為0.5納米 100微米。進一步地，可采用一揮發(fā)性有機溶劑處理該扭轉(zhuǎn)的碳納米管線。在揮發(fā)性有機溶劑揮發(fā)時產(chǎn)生的表面張力的作用下，處理后的扭轉(zhuǎn)的碳納米管線中相鄰的碳納米管通過范德華力緊密結合，使扭轉(zhuǎn)的碳納米管線的比表面積減小，密度及強度增大。所述碳納米管線及其制備方法請參見申請人于2002年9月16日申請的，于2008年8月20日公告的第CN100411979C號中國公告專利“一種碳納米管繩及其制造方法”，申請人:清華大學，鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司，以及于2005年12月16日申請的，于2009年6月17日公告的第CN100500556C號中國公告專利“碳納米管絲及其制作方法”，申請人:清華大學，鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司。本實用新型第二實施例進一步提供一種所述熱致發(fā)聲裝置20的制備方法，主要包括以下步驟:步驟S21，提供一基底100，所述基底100具有多個間隔設置的凹部102，形成一圖案化的表面；步驟S22，在所述基底100圖案化的表面形成一絕緣層120 ；步驟S23，在所述絕緣層120表面間隔形成一第一電極106及第二電極116 ;以及[0098]步驟S24，設置一碳納米管膜與所述第一電極106及第二電極116電連接。步驟S25，處理所述碳納米管膜，形成多個平行且間隔設置的碳納米管線。所述熱致發(fā)聲裝置20的制備方法與所述熱致發(fā)聲裝置10的制備方法基本相同，其不同在于，進一步包括一將所述碳納米管膜進行處理，形成多個平行且間隔設置的碳納米管線的步驟。具體的，在步驟S25中，在碳納米管膜設置于所述基底100表面之后，所述碳納米管膜進行處理主要包括以下步驟:首先，利用激光切割所述碳納米管膜，形成多個間隔的碳納米管帶；所述激光切割可利用一激光裝置(圖未示)發(fā)射一脈沖激光，該激光的功率不限，可為I瓦至100瓦。該激光具有較好的定向性，因此在碳納米管膜表面可形成一光斑。該激光在碳納米管膜表面具有的功率密度可大于0.053X IO12瓦特/平方米。本實施例中，該激光裝置為一個二氧化碳激光器，該激光器的額定功率為12瓦特。可以理解，該激光裝置也可以選擇為能夠發(fā)射連續(xù)激光的激光器。所述激光形成的光斑基本為圓形，直徑為I微米 5毫米?？梢岳斫?，該光斑可為將激光聚焦后形成或由激光直接照射在碳納米管膜表面形成。優(yōu)選的，聚焦形成的光斑具有較小的直徑，如5微米。所述較小直徑的光斑可以在碳納米管膜表面形成較細的切痕，從而減少被燒蝕掉的碳納米管。所述激光沿基本垂直于所述基底100的方向掃描切割所述碳納米管膜，并且所述激光的切割方向平行于碳納米管膜中所述碳納米管的擇優(yōu)取向延伸的方向。定義所述碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管的整體延伸方向為X，則所述激光相對于所述X方向平行移動照射所述碳納米管膜。在所述激光切割的過程中，將連續(xù)的碳納米管膜切斷成多個寬度相同的碳納米管帶，所述寬度可根據(jù)實際發(fā)聲需要如高頻、低頻、中頻等進行選擇。所述每一碳納米管帶中包括多個碳納米管彼此基本平行排列。其次，用有機溶劑處理所述碳納米管帶，使所述碳納米管帶收縮形成碳納米管線。所述碳納米管帶的處理可通過試管將有機溶劑滴落在碳納米管帶表面從而浸潤整個碳納米管帶。也可以將上述碳納米管帶連同基底100等一起浸入盛有有機溶劑的容器中浸潤。該有機溶劑為揮發(fā)性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中優(yōu)選采用乙醇。該有機溶劑揮發(fā)后，在揮發(fā)性有機溶劑的表面張力的作用下，碳納米管帶收縮形成所述多個碳納米管線。所述碳納米管線包括多個沿碳納米管線軸向延伸且首尾相連的碳納米管，碳納米管線的兩端分別與第一電極106和第二電極116電連接。本實施例中，所述收縮形成的碳納米管線的直徑為0.5微米-3微米。所述碳納米管帶經(jīng)過有機溶劑處理之后，所述碳納米管帶收縮形成多個間隔設置的碳納米管線，每一碳納米管線的兩端分別連接第一電極106以及第二電極116，從而可以減小所述熱致發(fā)聲元件110的驅(qū)動電壓，增強熱致發(fā)聲元件110的穩(wěn)定性(圖中深色部分為基底，白色部分為電極)?？梢岳斫?，所述碳納米管帶的處理僅僅為一可選的步驟。在有機溶劑處理所述碳納米管帶的過程中，位于凸部104位置處的碳納米管由于牢固的固定于所述絕緣層120表面，因此基本不發(fā)生收縮，從而保證所述碳納米管線能夠與所述第一電極106以及第二電極116保持良好的電連接并牢固的固定。所述碳納米管帶的寬度可為10微米至50微米，從而保證所述碳納米管帶能夠完整的收縮形成碳納米管線，一方面防止碳納米管帶過寬時在后續(xù)收縮的過程中碳納米管帶中再次出現(xiàn)裂縫，影響后續(xù)的熱致發(fā)聲效果；另一方面防止碳納米管帶過窄時收縮過程中出現(xiàn)斷裂或形成的碳納米管線過細影響熱致發(fā)聲元件的使用壽命，并且過窄的碳納米管帶也增加了工藝難度。收縮后形成的碳納米管線的直徑為0.5微米至3微米。本實施例中，所述碳納米管帶的寬度為30微米，收縮后形成的碳納米管線的直徑為I微米，相鄰碳納米管線之間的距離為120微米。可以理解，所述碳納米管帶的寬度并不限于以上所舉，在保證形成的碳納米管線能夠正常熱致發(fā)聲的情況下，可以根據(jù)實際需要進行選擇。請參閱圖5，本實用新型第三實施例提供一種熱致發(fā)聲裝置30，其包括一基底100、一熱致發(fā)聲兀件110、一絕緣層120、一第一電極106以及一第二電極116。該第一電極106及第二電極116間隔設置并與該熱致發(fā)聲元件110電連接。該基底100包括一第一表面101以及與該第一表面101相對的第二表面103。所述第一表面101具有多個凸部104，相鄰的凸部104之間形成一凹部102，所述絕緣層120設置于所述基底100的第一表面101，該熱致發(fā)聲元件110設置于所述第一表面101并通過絕緣層120與所述基底100絕緣設置。所述熱致發(fā)聲元件110具有一第一區(qū)域112及一第二區(qū)域114，所述第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置于所述凹部102，并與所述凹部102的底面間隔設置。所述第二區(qū)域114的熱致發(fā)聲元件110設置于所述凸部104的頂面，并通過絕緣層120與所述凸部104絕緣設置。本實用新型第二實施例提供的熱致發(fā)聲裝置30與第一實施例中所述熱致發(fā)聲裝置20的結構基本相同，其不同在于，所述熱致發(fā)聲裝置30中，所述絕緣層120包括多層結構。所述多層結構的絕緣層120中，所述絕緣層120可僅設置于所述凸部104的表面；也可貼附于所述基底100的第一表面101 ;也可某一單層只貼附于凸部104的表面，而其他層則貼附于所述基底100的整個第一表面101。本實施例中，所述絕緣層120包括一第一絕緣層122，第二絕緣層124以及第三絕緣層126。所述第一絕緣層122及第二絕緣層124為一不連續(xù)的結構，且依次層疊貼附于所述凸部104的頂面；所述第三絕緣層126為一連續(xù)的層狀結構，貼附于所述第二絕緣層124的表面以及所述凹部102的底面及側(cè)面。所述第一絕緣層122的材料為二氧化硅，所述第二絕緣層124的材料為氮化硅，所述第三絕緣層126的材料為二氧化硅。所述絕緣層120由多層絕緣材料組成的多層結構時，每一層的絕緣材料可相同或不同。所述每一層的絕緣材料的厚度可為10納米 I微米，可根據(jù)具體元件的需要選擇。本實施例中，所述絕緣層120由三層材料組成，所述第一絕緣層122的材料為二氧化硅，厚度為100納米；所述第二絕緣層124的材料為氮化硅，厚度為90納米；所述第三絕緣層126的材料為二氧化硅，厚度為I微米。所述多層設置的絕緣層120可充分的保證所述熱致發(fā)聲元件110與所述基底100的電絕緣，并且可減少或避免所述硅基底100在制備過程中被氧化的現(xiàn)象。請一并參閱圖6，本實用新型進一步提供一種所述熱致發(fā)聲裝置30的制備方法，主要包括以下步驟:步驟S31，提供一基底100，所述基底100的一表面依次形成有一第一絕緣層122及一第二絕緣層124 ；步驟S32，刻蝕所述第一絕緣層122及第二絕緣層124，暴露出所述基底100的部分表面；[0114]步驟S33，刻蝕所述基底100暴露的表面，形成多個凹部102以及多個凸部104，形成一圖案化的表面；步驟S34，形成一第三絕緣層126覆蓋所述形成有多個凹部102及凸部104的表面；步驟S35，在所述基底100相對兩邊位置處的凸部104的頂面分別設置一第一電極106及第二電極116 ;以及步驟S36，設置一熱致發(fā)聲元件110與所述第一電極106及第二電極116電連接。本實用新型提供的所述熱致發(fā)聲裝置30的制備方法與所述熱致發(fā)聲裝置20的制備方法基本相同，其不同在于，在所述基底100的表面形成一多層結構的絕緣層120。在步驟S31中，所述第一絕緣層122及第二絕緣層可通過化學氣相沉積法制備依次形成于所述基底100的表面，且所述第一絕緣層122用做沉積第二絕緣層124的緩沖層，從而能夠提高所述第二絕緣層124的質(zhì)量，減少缺陷的產(chǎn)生，提高所述熱致發(fā)聲裝置30的發(fā)聲質(zhì)量。在步驟S32中，所述第一絕緣層122以及第二絕緣層124可通過掩模刻蝕的方法刻蝕。所述掩模具有多個通孔，本實施例中，所述通孔的形狀為矩形。因此在刻蝕所述第一絕緣層122及第二絕緣層124的過程中，形成多個沿同一方向延伸的矩形凹槽，所述凹槽的橫截面為矩形，暴露出所述基底100的部分表面。在步驟S33中，在刻蝕所述基底100的過程中，由于所述基底100的材料為單晶硅，因此形成所述凹部102的橫截面為倒梯形結構。在刻蝕所述基底100的過程中，所述第一絕緣層122以及第二絕緣層124基本不受影響。所述第一絕緣層122及所述第二絕緣層124層疊設置于所述凸部104的頂面。在步驟S34中，所述第三絕緣層126為一連續(xù)的單層結構，連續(xù)覆蓋所述多個凹部102及多個凸部104，所述第三絕緣層126貼附于所述圖案化的表面，其起伏趨勢與所述多個凹部102及多個凸部104的起伏趨勢相同。即對應凸部104位置處的所述第三絕緣層126貼附于所述凸部104頂面的第二絕緣層124表面，對應凹部102位置處的第三絕緣層126直接貼附于所述凹部102的底面及側(cè)面。通過設置多層絕緣層，可充分的保證所述熱致發(fā)聲元件與所述基底的電絕緣，減少短路現(xiàn)象的發(fā)生，減少所述硅片被氧化而影響發(fā)聲效果，并且更加適應于工業(yè)化及產(chǎn)業(yè)化的需求。請參閱圖7、圖8及圖9，本實用新型第四實施例提供一種熱致發(fā)聲裝置40，其包括一基底100、一熱致發(fā)聲兀件110、一絕緣層120以及多個第一電極106及多個第二電極116。該基底100具有相對的第一表面101及第二表面103，所述第一表面101具有多個凹部102間隔設置，相鄰凹部102之間形成一凸部104，所述絕緣層120至少設置于所述凸部104的頂面。所述該熱致發(fā)聲兀件110設置于該基底100具有凹部102的第一表面101,所述熱致發(fā)聲元件110包括一第一區(qū)域112以及一第二區(qū)域114，所述第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置于所述凹部102，所述第二區(qū)域114的熱致發(fā)聲元件110貼附于所述凹部102的頂面。該多個第一電極106及多個第二電極116間隔于該熱致發(fā)聲元件110與凸部104頂面的絕緣層120之間。該第四實施例的熱致發(fā)聲裝置40與第二實施例的熱致發(fā)聲裝置20結構基本相同，其區(qū)別在于，該熱致發(fā)聲裝置40包括多個第一電極106及多個第二電極116，該多個第一電極106及多個第二電極116交替間隔設置且分別設置于多個所述凸部104頂面的絕緣層120表面。該多個第一電極106及多個第二電極116的高度不限,優(yōu)選地,該多個第一電極106及多個第二電極116的高度為I微米-200微米。進一步地，該多個第一電極106與該多個第二電極116交替設置，且相鄰的第一電極106與第二電極116之間間隔設置。具體地，所述多個第一電極106通過一第一連接部1061電連接,構成一第一梳狀電極；所述多個第二電極116通過一第二連接部1161電連接，構成一第二梳狀電極。所述第一梳狀電極與所述第二梳狀電極相互交錯且相對設置，使多個第一電極106與多個第二電極116相互平行且交替間隔設置。所述第一連接部1061及第二連接部1161可分別設置于所述基底100第一表面101相對的兩邊緣，所述第一連接部1061及第二連接部1161僅起到電連接的作用，其設置位置不影響所述熱致發(fā)聲元件110的熱致發(fā)聲。如圖10與圖11所示，所述熱致發(fā)聲裝置20在凹部102選擇不同深度時的發(fā)聲效果圖。所述凹部102的深度優(yōu)選為100微米 200微米，從而使得所述熱致發(fā)聲裝置20在人耳可聽到的發(fā)生頻率頻段內(nèi)，使所述熱致發(fā)聲裝置20具有優(yōu)良的熱波波長，在小尺寸的情況下依然具有良好的發(fā)聲效果。進一步，基底100在起到保護熱致發(fā)聲元件110的同時，又能確保所述熱致發(fā)聲元件110與所述基底100之間形成足夠的間距，防止工作時產(chǎn)生的熱量直接被基底100吸收而無法完全實現(xiàn)與周圍介質(zhì)熱交換造成音量降低，并保證所述熱致發(fā)聲元件110在發(fā)聲頻段均具有良好的響應。同時，所述深度也可保證所述熱致發(fā)聲元件110具有更好的發(fā)聲效果，避免由于凹部深度過深時產(chǎn)生聲音干涉現(xiàn)象，保證發(fā)聲音質(zhì)。此種連接方式使相鄰的每一組第一電極106與第二電極116之間形成一熱致發(fā)聲單元，所述熱致發(fā)聲元件110形成多個相互并聯(lián)的熱致發(fā)聲單元，從而使驅(qū)動該熱致發(fā)聲元件110發(fā)聲所需的電壓降低。請參閱圖12，本實用新型進一步提供一種所述熱致發(fā)聲裝置40的制備方法，主要包括:步驟S41，提供一基板1001，所述基板1001包括第一表面101，在所述基底的第一表面101定義多個單元格子；步驟S42，在所述基板1001的第一表面101每一單元格子內(nèi)形成多個平行且間隔設置的凹部102 ；步驟S43，在所述基板1001的第一表面每一單元格子內(nèi)形成相互間隔的至少一第一電極106及至少一第二電極116,所述第一電極106與第二電極116之間具有至少一凹槽；步驟S44，在所述基底的第一表面101貼附一熱致發(fā)聲元件110，并使所述熱致發(fā)聲元件110覆蓋每一單元格子，且與所述第一電極106及第二電極116電連接，所述熱致發(fā)聲元件110在所述多個凹部102位置懸空；步驟S45，按照所述多個單元格子分割所述熱致發(fā)聲元件110，使相鄰單元格子的熱致發(fā)聲元件110之間電絕緣，形成一熱致發(fā)聲裝置陣列401 ;以及步驟S46，分割所述基板1001，形成多個熱致發(fā)聲裝置40。所述熱致發(fā)聲裝置40的制備方法與熱致發(fā)聲裝置20的制備方法基本相同，其不同在于，首先在基板1001上形成多個單元格子，然后再切割所述基板1001，從而形成多個熱致發(fā)聲裝置40。在步驟S41中，所述基板1001的第一表面101多個單元格子相互獨立。所述將基板1001的第一表面101定義多個單元格子的方法不限。本實施例中，通過在基板1001的第一表面101形成多個切割線107而將所述第一表面101預分割形成多個單元格子。所述形成切割線107的方法不限，可通過機械法或化學法，如切削、打磨、化學刻蝕、腐蝕等方法在所述基板1001的第一表面101形成多個切割線107。本實施例中，所述基板1001通過濕法刻蝕的方法形成所述切割線107。所述切割線107的設置位置可以根據(jù)實際需要進行選擇，如需要形成的熱致發(fā)聲裝置40的形狀等。本實施例中，相鄰的切割線107將所述基板1001分割成多個矩形單元。在步驟S45中，所述熱致發(fā)聲元件110的切割方向基本沿所述切割線107的延伸方向，從而使得形成的熱致發(fā)聲裝置40中，每一單元格子均形成一熱致發(fā)聲單元。可以理解，所述熱致發(fā)聲元件110也可以其他方式進行切割，只要保證形成的熱致發(fā)聲裝置40中，每一單元格子均可形成一熱致發(fā)聲單元即可。在步驟S46中，所述基板1001沿所述切割線107切斷，從而使所述基板1001分割形成多個熱致發(fā)聲裝置40。所述切割方式不限，可與形成所述切割線107的方法相同?？梢岳斫?，步驟S41和S42可以一步完成，S卩，通過一個掩模而在所述基板1001的第一表面101 —次形成多個切割線107和多個凹部102。本實用新型所述熱致發(fā)聲裝置40的制備方法具有以下優(yōu)點:由于所述基板1001的第一表面101定義多個單兀格子，在該多個單兀格子一次形成多個第一電極106和多個第二電極116，該熱致發(fā)聲元件110 —次鋪設之后再按照單元格子進行分割，可方便的在同一基板1001表面一次形成多個熱致發(fā)聲單元，切割后可一次形成多個熱致發(fā)聲裝置40，因此所述制備方法可實現(xiàn)熱致發(fā)聲裝置40的產(chǎn)業(yè)化。請參閱圖13，本實用新型第五實施例提供一種熱致發(fā)聲裝置50，其包括一基底100、一熱致發(fā)聲兀件110、一絕緣層120、一第一電極106以及一第二電極116。該第一電極106及第二電極116間隔設置并與該熱致發(fā)聲元件110電連接。該基底100包括一第一表面101以及與該第一表面101相對的第二表面103。所述第一表面101及所述第二表面103均具有多個凸部104，且相鄰的凸部104之間形成一凹部102，所述絕緣層120設置于所述基底100的第一表面101及第二表面103，該熱致發(fā)聲元件110分別設置于所述第一表面101及所述第二表面103，并通過絕緣層120與所述基底100絕緣設置。每一表面的所述熱致發(fā)聲元件110均具有一第一區(qū)域112及一第二區(qū)域114，且所述第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置于所述凹部102，并與所述凹部102的底面間隔設置，所述第二區(qū)域114的熱致發(fā)聲元件110設置于所述凸部104的頂面，并通過絕緣層120與所述凸部104絕緣設置。本實用新型第五實施例提供的熱致發(fā)聲裝置50與第四實施例中所述熱致發(fā)聲裝置40結構基本相同，其不同在于，所述基底100的相對兩個表面分別具有多個凹部102及凸部104，且均設置有熱致發(fā)聲元件110。具體的，所述基底100的第一表面101的凹部102可與所述第二表面103的凹部102對應設置，即第一表面101的凹部102與第二表面103的凹部102在垂直于所述基底100表面的方向上一一對準。所述基底100的第一表面101的凹部102可與所述第二表面103的凹部102交錯設置，即第一表面101的凹部102與第二表面103的凸部104在垂直于所述基底100表面的方向上 對準；所述第一表面101的凹部102可與第二表面103的凹部102交叉設置，即第一表面101的凹部102可與第二表面103的凹部102的延伸方向形成一定角度。所述基底100兩表面的熱致發(fā)聲元件110可同時驅(qū)動進行工作，進而提高發(fā)聲效率及音量；也可單獨驅(qū)動，分別工作，并且可通過外接IC電路的控制，分別輸入不同的驅(qū)動信號，產(chǎn)生不同的聲音并合成輸出。當所述某一表面的熱致發(fā)聲兀件110由于損壞而無法工作時，所述另一表面的熱致發(fā)聲元件110依然可以穩(wěn)定工作，進而提高了所述熱致發(fā)聲裝置50的使用壽命。所述熱致發(fā)聲裝置50的制備方法主要包括以下步驟:步驟S51，提供一基底100，所述基底100具有一第一表面以及與第一表面相對的
第二表面；步驟S52，圖案化處理所述基底100的第一表面，形成多個相互平行且間隔的凹槽；步驟S53，圖案化處理所述基底100的第二表面，形成多個相互平行且間隔的凹槽；步驟S54，在所述基底100圖案化的第一表面及第二表面分別設置一絕緣層120 ；步驟S55，在所述基底100第一表面相鄰凹槽之間的絕緣層120表面間隔設置一第一電極106及第二電極116 ；步驟S56，在所述基底100第二表面相鄰凹槽之間的絕緣層120表面間隔設置一第一電極106及第二電極116 ；步驟S57，在所述基底100圖案化的第一表面設置一層狀碳納米管結構與所述第一表面的第一電極106及第二電極116電連接,對應凹槽位置處的層狀碳納米管結構懸空設置；以及步驟S58，在所述基底100圖案化的第二表面設置一層狀碳納米管結構與所述第二表面的第一電極106及第二電極116電連接，對應凹槽位置處的層狀碳納米管結構懸空設置。可以理解，所述熱致發(fā)聲裝置50的制備方法僅為一具體的實施例，可根據(jù)實際需要及實驗條件適當?shù)恼{(diào)整各步驟之間的先后順序。請參閱圖14，本實用新型第六實施例提供一種熱致發(fā)聲裝置60，其包括一基底100、一熱致發(fā)聲兀件110、一絕緣層120、一第一電極106以及一第二電極116。該第一電極106及第二電極116間隔設置并與該熱致發(fā)聲元件110電連接。該基底100包括一第一表面101以及與該第一表面101相對的第二表面103。所述第一表面101具有多個凸部104，相鄰的凸部104之間形成一凹部102，所述絕緣層120設置于所述基底100的第一表面101，該熱致發(fā)聲元件110設置于所述第一表面101并通過絕緣層120與所述基底100絕緣設置。所述熱致發(fā)聲元件110具有一第一區(qū)域112及一第二區(qū)域114，所述第一區(qū)域112的熱致發(fā)聲元件110懸空設置于所述凹部102，并與所述凹部102的底面間隔設置。所述第二區(qū)域114的熱致發(fā)聲元件110設置于所述凸部104的頂面，并通過絕緣層120與所述凸部104絕緣設置。所述第二表面103具有至少一凹槽105，一集成電路芯片140嵌入所述凹槽105 內(nèi)。[0155]本實用新型第五實施例提供的熱致發(fā)聲裝置60與第一實施例中所述熱致發(fā)聲裝置10結構基本相同，其不同在于，所述基底100的第二表面103進一步集成有一集成電路芯片140。所述基底100的第二表面103具有一凹槽105，所述集成電路芯片140嵌入所述凹槽105中。由于所述基底100的材料為硅，因此所述集成電路芯片140可直接形成于所述基底100中，即所述集成電路芯片140中的電路、微電子元件等直接集成于基底100的第二表面103，所述基底100作為電子線路及微電子元件的載體，所述集成電路芯片140與所述基底100為一體結構。進一步的，所述集成電路芯片140進一步包括一第三電極142及一第四電極144分別與所述第一電極106及第二電極116電連接，向所述熱致發(fā)聲元件110輸出音頻信號。所述第三電極142及所述第四電極144可位于所述基底100的內(nèi)部且與基底100電絕緣，并穿過所述基底100的厚度方向，與所述第一電極106及第二電極116電連接。本實施例中，所述第三電極142以及第四電極144表面包覆有絕緣層實現(xiàn)與基底100的電絕緣。可以理解，當所述基底100的面積足夠大時，所述集成電路芯片140也可設置于所述基底100的第一表面101，從而省略在基底100中設置連接線的步驟。具體的，所述集成電路芯片140可設置于所述第一表面101的一側(cè)，且不影響所述發(fā)聲元件的正常工作。所述集成電路芯片140主要包括一音頻處理模塊以及電流處理模塊。在工作過程中，所述集成電路芯片140將輸入的音頻信號及電流信號處理后，驅(qū)動所述熱致發(fā)聲元件110。所述音頻處理模塊對音頻電信號具有功率放大作用，用于將輸入的音頻電信號放大后輸入至該熱致發(fā)聲元件110。所述電流處理模塊用于對從電源接口輸入的直流電流進行偏置，從而解決音頻電信號的倍頻問題，為所述熱致發(fā)聲元件110提供穩(wěn)定的輸入電流，以驅(qū)動所述熱致發(fā)聲元件110正常工作。由于所述熱致發(fā)聲裝置60的基底材料為硅，因此，所述集成電路芯片140可直接集成于所述基底中，從而能夠最大限度的減少單獨設置集成電路芯片而占用的空間，減小熱致發(fā)聲裝置60的體積，利于小型化及集成化。并且，所述基底100具有良好的散熱性，從而能夠?qū)⒓呻娐沸酒?40以及熱致發(fā)聲元件110產(chǎn)生的熱量及時傳導到外界，減少因熱
量的聚集造成的聲音失真。所述熱致發(fā)聲裝置60的制備方法主要包括以下步驟:步驟S61，提供一基底100，所述基底100具有相對的第一表面101以及第二表面103，所述第一表面101具有一絕緣層120 ；步驟S62，在所述基底100的第一表面101形成多個凹部102，相鄰的凹部102之間具有一凸部104 ；步驟S63，在所述基底100的第一表面101形成一絕緣層120 ；步驟S64，在所述間隔設置的凸部104位置處的絕緣層120表面設置一第一電極106及第二電極116 ；步驟S65，設置一熱致發(fā)聲元件110與所述第一電極106及第二電極116電連接；以及步驟S66，在所述基底100的第二表面103設置一集成電路芯片140與所述熱致發(fā)聲元件110電連接。本實用新型第五實施例提供的熱致發(fā)聲裝置60的制備方法與所述熱致發(fā)聲裝置10的制備方法基本相同，其不同在于，進一步包括一在所述基底100的第二表面103設置一集成電路芯片140的步驟。在步驟S66中，所述集成電路芯片140嵌入所述基底100的第二表面103，具體的，可在所述基底100的第二表面103制備一凹槽105，然后將一封裝好的集成電路芯片140直接設置于所述凹槽105中。進一步的，由于所述基底100的材料為硅，因此所述集成電路芯片140可直接集成于所述基底100的第二表面103并封裝，所述集成電路芯片140可通過常用的微電子工藝如外延工藝、擴散工藝、離子注入技術、氧化工藝、光刻工藝、刻蝕技術、薄膜淀積等進行制備，因此可方便的將所述集成電路芯片140直接集成于所述基底100中，工藝簡單、成本低，有利于所述熱致發(fā)聲裝置60的集成化。本實施例中，所述集成電路芯片140可通過設置一第三電極142及第四電極144與所述熱致發(fā)聲元件110電連接。另外，本領域技術人員還可在本實用新型精神內(nèi)做其他變化，當然，這些依據(jù)本實用新型精神所做的變化，都應包含在本實用新型所要求保護的范圍之內(nèi)。
權利要求1.一種熱致發(fā)聲裝置，包括: 一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面； 一熱致發(fā)聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發(fā)聲元件電連接； 其特征在于，所述基底為一硅基底，所述硅基底的第一表面形成有多個相互平行且間隔設置的凹槽，所述凹槽的深度為100微米至200微米，所述熱致發(fā)聲元件包括一層狀碳納米管結構，該層狀碳納米管結構在所述凹槽處懸空設置。
2.如權利要求1所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述基底的面積為25平方毫米至100平方毫米。
3.如權利要求1所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述凹槽的寬度大于等于0.2毫米且小于I毫米。
4.如權利要求1所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構為多個碳納米管組成的層狀結構，該多個碳納米管沿同一方向延伸，且所述多個碳納米管的延伸方向與所述凹槽的延伸方向形成一夾角，該夾角大于O度小于等于90度。
5.如權利要求4所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構包括一碳納米管膜，所述碳納米管膜為多個沿同一方向擇優(yōu)取向延伸的碳納米管組成的膜狀結構，該多個碳納米管平行于所述基底的第一表面。
6.如權利要求4所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構在所述凹槽位置包括多個相互平行且間隔設置的碳納米管線。
7.如權利要求4所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構包括多個平行且間隔設置的碳納米·管線，所述多個碳納米管線的延伸方向與所述凹槽的延伸方向形成一夾角，該夾角大于O度小于等于90度，所述碳納米管線包括多個碳納米管沿該碳納米管線的長度方向平行排列或沿該碳納米管線的長度方向呈螺旋狀排列。
8.如權利要求6所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，相鄰碳納米管線之間的間隔為0.1微米至200微米。
9.如權利要求1所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述熱致發(fā)聲元件通過一設置于基底第一表面的絕緣層與所述基底絕緣。
10.如權利要求1所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，進一步包括多個第一電極及多個第二電極交替設置于所述相鄰凹槽之間的基底表面，所述多個第一電極形成一第一梳狀電極，多個第二電極形成一第二梳狀電極，所述第一梳狀電極和第二梳狀電極相互交錯的插入設置。
11.如權利要求1所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述基底的第二表面進一步包括一集成電路芯片與所述熱致發(fā)聲元件電連接，向所述熱致發(fā)聲元件輸入信號。
12.如權利要求11所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述集成電路芯片通過微電子工藝直接制備在該硅基底上。
13.如權利要求12所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述集成電路芯片分別與所述第一電極和第二電極電連接，輸出音頻電信號給所述熱致發(fā)聲元件。
14.一種熱致發(fā)聲裝置，包括: 一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；一熱致發(fā)聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發(fā)聲元件電連接； 其特征在于，所述基底的第一表面形成有多個均勻分布且間隔設置的凹部，所述凹部的深度為100微米至200微米，所述熱致發(fā)聲元件包括一層狀碳納米管結構，該層狀碳納米管結構在所述凹部處懸空設置。
15.如權利要求14所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述基底的第二表面進一步設置有與第一表面相同的凹部和熱致發(fā)聲元件。
16.如權利要求14所述的熱致發(fā)聲裝置，其特征在于，所述凹部為呈陣列設置的多個凹孔。
17.一種熱致發(fā)聲裝置，包括: 一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面； 一熱致發(fā)聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發(fā)聲元件電連接； 其特征在于，所述基底的第一表面形成有多個凹部，一第一絕緣層及一第二絕緣層依次層疊設置于所述凹部之間基底的第一表面，并使所述多個凹部暴露，一第三絕緣層連續(xù)地設置并覆蓋所述層疊設置的第一絕緣層及第二絕緣層以及所述凹部的側(cè)面和底面，所述熱致發(fā)聲元件設置在所述 第三絕緣層的表面，且相對于所述凹部位置處的部分懸空設置。
專利摘要本實用新型涉及一種熱致發(fā)聲裝置，其包括一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；一絕緣層，設置于所述基底的第一表面；一熱致發(fā)聲元件，設置于所述第一表面的絕緣層的表面，并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發(fā)聲元件電連接；其中，所述基底為一硅基底，所述硅基底的第一表面形成有多個凸部，相鄰的凸部之間形成一凹部，對應凹部位置處的熱致發(fā)聲元件相對于所述凹部懸空設置。
文檔編號H04R23/00GK203167267SQ20122061543
公開日2013年8月28日 申請日期2012年11月20日 優(yōu)先權日2012年11月20日
發(fā)明者魏洋, 林曉陽, 姜開利, 范守善 申請人:清華大學, 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司