專利名稱：Mems麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種聲電轉(zhuǎn)換裝置，具體地說涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
近年來利用MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))工藝集成的MEMS麥克風(fēng)開始被批量應(yīng)用到手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品中，這種MEMS麥克風(fēng)的耐高溫效果較好，可以經(jīng)受住SMT的高溫考驗(yàn)，因此受到大部分麥克風(fēng)生產(chǎn)商的青睞。常規(guī)的MEMS麥克風(fēng)包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，通常聲孔設(shè)計(jì)在外殼的底部并且為單一結(jié)構(gòu)形式，通常為圓形或方形，這種單一結(jié)構(gòu)的聲孔，當(dāng)外界氣流較大時，可以通過聲孔進(jìn)入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，而直接影響到MEMS聲電芯片，由此需要設(shè)計(jì)一種新型的MEMS麥克風(fēng)。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠防止MEMS聲電芯片直接受到外界較大氣流影響的一種MEMS麥克風(fēng)。為解決上述問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置。一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔設(shè)置在所述外殼的底部，所述延伸阻擋部為所述外殼聲孔位置局部向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸的一個延伸阻擋部，所述延伸阻擋部設(shè)置在臨近所述MEMS聲電芯片端的所述聲孔位置?！N優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔設(shè)置在所述外殼的底部，所述延伸阻擋部為兩個，所述兩個延伸阻擋部分別設(shè)置在臨近所述MEMS聲電芯片和ASIC芯片端的所述聲孔位置。一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔設(shè)置在所述外殼的底部，所述延伸阻擋部為聲孔周圍整體向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部凹陷的整體延伸阻擋部。一種優(yōu)選的技術(shù)方案，朝向所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述延伸阻擋部的端部沿水平方向延伸設(shè)有阻擋外界氣流的水平延伸部。一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔的形狀為圓形。一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔的形狀為方形。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置，可以通過延伸阻擋部對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，防止較大氣流直接作用到MEMS聲電芯片上，確保了 MEMS聲電芯片不受氣流的影響，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。

通過參考
以下結(jié)合附圖的說明及權(quán)利要求書的內(nèi)容，并且隨著對本實(shí)用新型的更全面理解，本實(shí)用新型的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一 MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二 MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二 MEMS麥克風(fēng)外殼聲孔采用圓形的俯視圖。圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二 MEMS麥克風(fēng)外殼聲孔采用方形的俯視圖。圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例三MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例三MEMS麥克風(fēng)外殼聲孔采用圓形結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例三MEMS麥克風(fēng)外殼聲孔采用方形結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例四MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例四MEMS麥克風(fēng)外殼聲孔為方形且延伸阻擋部為外殼聲孔周圍整體向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部凹陷的外殼的俯視圖。圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例四MEMS麥克風(fēng)外殼聲孔為圓形且延伸阻擋部為外殼聲孔周圍整體向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部凹陷的外殼的俯視圖。圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例五MEMS麥克風(fēng)外殼聲孔周圍延伸到外殼側(cè)壁整體下限的MEMS麥克風(fēng)的剖面圖。圖12是本實(shí)用新型實(shí)施例五MEMS麥克風(fēng)外殼的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例一:如圖1所不,一種MEMS麥克風(fēng),包括:由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，所述外殼2上設(shè)有接收聲音信號的聲孔21，其中，所述外殼聲孔21位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部22，所述延伸阻擋部22與所述外殼2 —體設(shè)置，此延伸阻擋部22可以在加工聲孔21時預(yù)留出來，然后將預(yù)留出的延伸阻擋部22壓入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，通過延伸阻擋部22對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔21設(shè)置在所述外殼2的底部，所述延伸阻擋部22為所述外殼聲孔21位置局部向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸的一個延伸阻擋部22，所述延伸阻擋部22設(shè)置在臨近所述MEMS聲電芯片3端的所述聲孔21位置，便于對MEMS聲電芯片3進(jìn)行保護(hù)。[0029]作為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聲孔21的形狀為方形。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置，可以通過延伸阻擋部對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，防止較大氣流直接作用到MEMS聲電芯片上，確保了 MEMS聲電芯片不受氣流的影響，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。實(shí)施例二:如圖2所示，一種MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，所述外殼2上設(shè)有接收聲音信號的聲孔21，其中，所述外殼聲孔21位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部22，所述延伸阻擋部22與所述外殼2 —體設(shè)置，此延伸阻擋部22可以在加工聲孔21時預(yù)留出來，然后將預(yù)留出的延伸阻擋部22壓入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，通過延伸阻擋部22對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，朝向所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述延伸阻擋部22的端部沿水平方向延伸設(shè)有阻擋外界氣流的水平延伸部23。如圖3所示，本實(shí)施例中的外殼聲孔21的形狀為圓形，當(dāng)然本實(shí)施例中的聲孔21的形狀也可以如圖4所示為一個方形結(jié)構(gòu)。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置，可以通過延伸阻擋部對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，防止較大氣流直接作用到MEMS聲電芯片上，確保了 MEMS聲電芯片不受氣流的影響，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。實(shí)施例三:如圖5所示，一種MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板I和外殼2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板I表面上設(shè)有MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4，所述MEMS聲電芯片3、所述ASIC芯片4以及線路板I之間通過金屬線5電連接，所述外殼2上設(shè)有接收聲音信號的聲孔21，其中，所述外殼聲孔21位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部22，所述延伸阻擋部22與所述外殼2 —體設(shè)置，此延伸阻擋部22可以在加工聲孔21時預(yù)留出來，然后將預(yù)留出的延伸阻擋部22壓入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，通過延伸阻擋部22對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。本實(shí)施例與實(shí)施例二的區(qū)別在于:所述聲孔21設(shè)置在所述外殼2的底部，所述延伸阻擋部22為兩個，所述兩個延伸阻擋部22分別設(shè)置在臨近所述MEMS聲電芯片3和ASIC芯片4端的所述聲孔21位置，便于更好的保護(hù)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的元器件。如圖6所示，本實(shí)施例中的外殼聲孔21的形狀為圓形，當(dāng)然本實(shí)施例中的聲孔21的形狀也可以如圖7所示為一個方形結(jié)構(gòu)。利用上述根據(jù)本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，由于本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置，可以通過延伸阻擋部對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，防止較大氣流直接作用到MEMS聲電芯片上，確保了 MEMS聲電芯片不受氣流的影響同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。實(shí)施例四:如圖8所示，本實(shí)施例與實(shí)施例三的區(qū)別在于本實(shí)施例中的所述延伸阻擋部22為聲孔21周圍整體向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部凹陷的整體延伸阻擋部22，并且朝向所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述延伸阻擋部22的端部沿水平方向延伸設(shè)有阻擋外界氣流的水平延伸部23，如圖9所示，本實(shí)施例中聲孔21的形狀為圓形，當(dāng)然聲孔21的形狀也可以如圖10所示為方形，另外本實(shí)施例中聲孔21的數(shù)量為一個，在實(shí)際設(shè)計(jì)時可以設(shè)計(jì)成多個聲孔21。實(shí)施例五:如圖11、圖12所示，本實(shí)施例與實(shí)施例四的區(qū)別在于，本實(shí)施例中所述延伸阻擋部為聲孔周圍延伸到外殼側(cè)壁，連同外殼側(cè)壁一起整體向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部凹陷的整體延伸阻擋部，設(shè)計(jì)簡單、便于一體加工成型。以上各實(shí)施例中的MEMS麥克風(fēng)，由于該MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置，可以通過延伸阻擋部對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，防止較大氣流直接作用到MEMS聲電芯片上，確保了 MEMS聲電芯片不受氣流的影響，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。上述實(shí)施例鑒于MEMS聲電芯片和ASIC芯片的適當(dāng)調(diào)整對本實(shí)用新型的主旨沒有影響，圖樣中的MEMS聲電芯片和ASIC芯片僅采用簡略圖樣表示，以上實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不是用于限定本實(shí)用新型，所述技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MEMS麥克風(fēng)，包括:由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其特征在于:所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述聲孔設(shè)置在所述外殼的底部，所述延伸阻擋部為所述外殼聲孔位置局部向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸的一個延伸阻擋部，所述延伸阻擋部設(shè)置在臨近所述MEMS聲電芯片端的所述聲孔位置。
3.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述聲孔設(shè)置在所述外殼的底部，所述延伸阻擋部為兩個，所述兩個延伸阻擋部分別設(shè)置在臨近所述MEMS聲電芯片和ASIC芯片端的所述聲孔位置。
4.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述聲孔設(shè)置在所述外殼的底部，所述延伸阻擋部為聲孔周圍整體向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部凹陷的整體延伸阻擋部。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述聲孔設(shè)置在所述外殼的底部，所述延伸阻擋部為聲孔周圍延伸到外殼側(cè)壁，連同外殼側(cè)壁一起整體向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部凹陷的整體延伸阻擋部。
6.如權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:朝向所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述延伸阻擋部的端部沿水平方向延伸設(shè)有阻擋外界氣流的水平延伸部。
7.如權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述聲孔的形狀為圓形。
8.如權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述聲孔的形狀為方形。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MEMS麥克風(fēng)，包括由線路板和外殼組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部所述線路板表面上設(shè)有MEMS聲電芯片和ASIC芯片，所述MEMS聲電芯片、所述ASIC芯片以及線路板之間通過金屬線電連接，所述外殼上設(shè)有接收聲音信號的聲孔，其中，所述外殼聲孔位置向封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸設(shè)有阻擋外界氣流的延伸阻擋部，所述延伸阻擋部與所述外殼一體設(shè)置，可以通過延伸阻擋部對進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的較大氣流進(jìn)行阻擋，防止較大氣流直接作用到MEMS聲電芯片上，確保了MEMS聲電芯片不受氣流的影響，同時可以起到調(diào)節(jié)MEMS麥克風(fēng)的高頻響應(yīng)的效果。
文檔編號H04R19/04GK202957979SQ20122062652
公開日2013年5月29日 申請日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者黨茂強(qiáng), 劉春寶, 潘珊珊, 張?jiān)?申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司