專利名稱：Lte數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)及上行基帶處理器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)及上行基帶處理器。
背景技術(shù)：
移動(dòng)通信系統(tǒng)主要由三部分組成:移動(dòng)臺(tái)、無線接入網(wǎng)以及核心網(wǎng)。其中，無線接入網(wǎng)包括無線網(wǎng)絡(luò)控制器和基站。其中，基站的主要作用在于對(duì)移動(dòng)通信信號(hào)的接收和發(fā)送。一般情況下在某個(gè)區(qū)域內(nèi)，多個(gè)基站相互組成一個(gè)蜂窩狀的網(wǎng)絡(luò)，通過控制基站與基站之間的信號(hào)相互發(fā)送和接收來達(dá)到移動(dòng)通信信號(hào)的傳送，這個(gè)范圍內(nèi)的區(qū)域就是我們常說的網(wǎng)絡(luò)覆蓋面。而基站不能覆蓋的地區(qū)就是移動(dòng)通信信號(hào)的盲區(qū)。在實(shí)際的移動(dòng)通信系統(tǒng)中，由于地理環(huán)境、天氣變化或基站覆蓋范圍調(diào)整等原因，目標(biāo)區(qū)域中難免會(huì)存在信號(hào)弱覆蓋區(qū)，甚至還會(huì)出現(xiàn)信號(hào)覆蓋盲區(qū)，這對(duì)于要求服務(wù)質(zhì)量日益提高的移動(dòng)通信系統(tǒng)是一個(gè)普遍的難題。為了解決信號(hào)弱覆蓋區(qū)以及信號(hào)覆蓋盲區(qū)的問題，目前在3GPP (The3rdGeneration Partnership Project,第三代合作伙伴計(jì)劃)協(xié)議 LTE (LongTermEvolution,長期演進(jìn))Rel-8版本中引入了一種新的延伸覆蓋技術(shù),稱為中繼Relay技術(shù)，該技術(shù)中的核心設(shè)備稱為RN(Relay Node,中繼節(jié)點(diǎn))。根據(jù)不同的功能定位，LTE Rel-8版本定義了三種類型的Relay技術(shù),分別是層IRelay (LIRelay)、層2Relay (L2Relay)和層3Relay (L3Relay)。其中，層IRelay不會(huì)對(duì)信號(hào)進(jìn)行解碼，只是直接將信號(hào)進(jìn)行放大和轉(zhuǎn)發(fā)，不能區(qū)分出有用信號(hào)與底部噪聲(簡稱為底噪)，因此，在放大信號(hào)的同時(shí)也會(huì)抬升底噪，因此雖然能夠提升覆蓋范圍，且具有設(shè)備簡單、成本和引入的時(shí)延低的優(yōu)點(diǎn)，但會(huì)抬升施主基站(即發(fā)送信號(hào)的基站)底噪，從而嚴(yán)重影響上行覆蓋和上行吞吐率而不能大規(guī)模應(yīng)用。而層2Relay與層3Relay雖然不會(huì)抬升施主基站底噪，但已被證明存在效率低、時(shí)延較大、設(shè)備復(fù)雜和成本較高等缺點(diǎn)。目前，LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)主要采用層IRelay，其上行方向?qū)⒔邮盏降男盘?hào)進(jìn)行放大并轉(zhuǎn)發(fā)至LTE基站，下行方向?qū)TE基站發(fā)出的信號(hào)進(jìn)行放大使之覆蓋目標(biāo)區(qū)域，從而擴(kuò)大了 LTE基站的覆蓋范圍，消除了信號(hào)弱覆蓋區(qū)和信號(hào)覆蓋盲區(qū)，解決了室內(nèi)或特殊場(chǎng)景的覆蓋問題，但是其仍然存在基站底噪被抬升的缺點(diǎn)，并嚴(yán)重影響基站的上行接收靈敏度。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)及上行基帶處理器，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)存在的基站底噪被抬升的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例采用以下技術(shù)方案:—種上行基帶處理器，包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器、數(shù)字下變頻器DDC和數(shù)字上變頻器DUC,該上行基帶處理器應(yīng)用于LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)，且該上行基帶處理器還包括:載噪比Ec/1判決電路，其中:A/D轉(zhuǎn)換器，與數(shù)字下變頻器DDC連接，對(duì)模擬下變頻器發(fā)送來的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)發(fā)送給DDC ；DDC,與Ec/1判決電路連接，分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為所述Ec/1判決電路的輸入信號(hào)；Ec/1判決電路，與DUC連接，通過比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值，將載噪比大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給DUC，以及關(guān)斷載噪比不大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；DUC對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)器。一種LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)，包括近端微波傳輸系統(tǒng)和遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)，所述上行傳輸子系統(tǒng)包括:模擬下變頻器、上行基帶處理器和光收發(fā)器，其中:模擬下變頻器，與所述上行基帶處理器連接，對(duì)低噪聲放大器發(fā)送來的上行射頻信號(hào)執(zhí)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號(hào)發(fā)送給所述上行基帶處理器；上行基帶處理器，與光收發(fā)器連接，將接收到的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)，并比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值，將載噪比不大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙關(guān)斷；將載噪比大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)通過上行鏈路發(fā)送給光收發(fā)器；光收發(fā)器，將所述上行基帶處理器發(fā)送的數(shù)字射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)后，發(fā)送給數(shù)字微波拉遠(yuǎn)遠(yuǎn)端室內(nèi)單元IDU。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果如下:本實(shí)用新型實(shí)施例通過在LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)上行傳輸方向增加對(duì)子頻帶基帶信號(hào)載噪比的判斷過程，對(duì)載噪比不大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷發(fā)送時(shí)隙的操作，而只對(duì)載噪比大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)作為噪聲而存在的載噪比不大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷。另外，在保證每個(gè)基站的固有容量的基礎(chǔ)上，同一個(gè)基站下可以并聯(lián)多臺(tái)LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)而不會(huì)抬升該基站的底噪，改善了上行覆蓋和上行吞吐率，提升了基站的上行接收靈敏度，增加了組網(wǎng)的靈活性，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種上行基帶處理器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種噪聲抑制方法的主要流程圖；圖3為多臺(tái)LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的組網(wǎng)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的頻分雙工LTE (包括LTE-FDD、LTE-FDDAdvance、FDD-LTE, FDD-LTEAdvance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的近端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；[0022]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的頻分雙工LTE (包括LTE-FDD、LTE-FDDAdvance、FDD-LTE, FDD-LTEAdvance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的時(shí)分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDDAdvance、TDD-LTE, TDD-LTE Advance、TD-LTE, TD-LTE Advance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的近端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的時(shí)分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDDAdvance、TDD-LTE, TDD-LTE Advance、TD-LTE, TD-LTE Advance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不意圖。
具體實(shí)施方式
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)存在的基站底噪被抬升的問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)及上行基帶處理器。通過在LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)上行傳輸方向增加對(duì)子頻帶基帶信號(hào)載噪比的判斷過程，對(duì)載噪比不大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷發(fā)送時(shí)隙的操作，而只對(duì)載噪比大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)噪聲進(jìn)行抑制，有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷。另外，在保證每個(gè)基站的固有容量的基礎(chǔ)上，同一個(gè)基站下可以并聯(lián)多臺(tái)LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)而不會(huì)抬升該基站的底噪，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，不僅增加了組網(wǎng)的靈活性，而且也降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中涉及的上行噪聲抑制可以是基于OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access 正交頻分多址)原理進(jìn)行處理，以及基于 SC-FDMA (Single-carrier Frequency-Division MultipleAccess,單載波頻分多址)多址接入原理進(jìn)行處理。以下結(jié)合說明書附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的實(shí)施例僅用與說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。并且在不沖突的情況下，本實(shí)用新型中的實(shí)施例及實(shí)施列中的特征可以互相結(jié)合。如圖1所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種上行基帶處理器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖，其包括:模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器11、數(shù)字下變頻器00(:12、載噪比Ec/1判決電路13和數(shù)字上變頻器DUC14，其中，A/D轉(zhuǎn)換器11，與數(shù)字下變頻器DDC12連接，對(duì)模擬下變頻器發(fā)送來的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)發(fā)送給數(shù)字下變頻器DDC12;數(shù)字下變頻器DDC12，與Ec/1判決電路13連接，分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為Ec/1判決電路13的輸入信號(hào)；Ec/1判決電路13，與數(shù)字上變頻器DUC14連接，其功能在于通過比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值，將載噪比大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上變頻器DUC14，以及關(guān)斷載噪比不大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；數(shù)字上變頻器DUC14對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)器。其中，在Ec/1判決電路13執(zhí)行操作過程中，可能會(huì)產(chǎn)生一些雜散的噪聲，因此可選的，該上行基帶處理器還可以包括:數(shù)字濾波器15，連接Ec/1判決電路13與數(shù)字上變頻器DUC14，對(duì)載噪比大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)中的噪聲進(jìn)行過濾，并將得到的濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上變頻器DUC14。需要說明的是，所述載噪比Ec/1判決電路可以包括一個(gè)計(jì)算單元、一個(gè)比較電路和一個(gè)選擇電路，其中，計(jì)算單元，用于確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比；比較電路用于將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比閾值進(jìn)行比較；選擇電路，用于根據(jù)比較結(jié)果觸發(fā)觸發(fā)不同的設(shè)備。其中，比較電路與選擇電路的具體結(jié)構(gòu)不做限制，只要能夠分別實(shí)現(xiàn)比較與選擇功能即可，這里不做具體限定。在上述實(shí)施例的同一構(gòu)思下的一種噪聲抑制方法，如圖2所不,具體包括:步驟21，上行基帶處理器通過對(duì)模擬下變頻器發(fā)送來的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，得到多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)；具體的，該步驟21中，通過覆蓋或者接收天線從空間接收到用戶終端發(fā)射的上行LTE射頻信號(hào)，濾除無用信號(hào)后得到上行射頻信號(hào)，該上行射頻信號(hào)經(jīng)過低噪聲放大器將上行射頻信號(hào)的幅度放大，并經(jīng)過模擬下變頻器的模擬下變頻處理后，將上行中頻信號(hào)下變頻為模擬中頻信號(hào)，再對(duì)模擬中頻信號(hào)執(zhí)行A/D轉(zhuǎn)換采樣后，得到多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)。步驟22，通過分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理，得到多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)；需要說明的是，所述得到的子頻帶基帶信號(hào)的子載波數(shù)量將根據(jù)基站配置和實(shí)際網(wǎng)絡(luò)情況進(jìn)行確定，這里不限定子頻帶基帶信號(hào)的子載波數(shù)量。步驟23，分別比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值；對(duì)于載噪比大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)，執(zhí)行步驟24，對(duì)于載噪比不大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行步驟25 ；其中，預(yù)定的載噪比閾值范圍為f20dB，考慮算法誤差，該預(yù)定的載噪比閾值通常可設(shè)置為9dB較為合理。。步驟24，對(duì)于載噪比大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)器；可選的，由于在步驟23比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值的過程中，可能會(huì)產(chǎn)生一些雜散的噪聲信號(hào)，因此在對(duì)載噪比大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理之前，還可以對(duì)其進(jìn)行噪聲過濾，再對(duì)濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)器。其中，光收發(fā)器將得到的數(shù)字射頻信號(hào)傳送到LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)，再通過微波傳送到近端微波傳輸系統(tǒng)，再經(jīng)過近端微波傳輸系統(tǒng)中的上行基帶處理器、D/A轉(zhuǎn)換器變換成模擬中頻信號(hào)；該模擬中頻信號(hào)經(jīng)過上行放大器將信號(hào)幅值進(jìn)行放大后，由DT端雙工器進(jìn)行濾波處理后，通過饋線返回至基站。這樣在LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制，即只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大處理，使得基站上行接入信號(hào)的噪聲電平低于-123dBm/100KHz。步驟25，關(guān)斷載噪比不大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙。本實(shí)用新型實(shí)施例中通過在對(duì)載噪比大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理之前，對(duì)其進(jìn)行噪聲過濾，可以有效的對(duì)在Ec/1判決電路33中產(chǎn)生的額外的噪聲進(jìn)行抑制，進(jìn)一步減少基站底噪。本實(shí)用新型實(shí)施例通過在LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)上行傳輸方向增加對(duì)子頻帶基帶信號(hào)載噪比的判斷過程，對(duì)載噪比不大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷發(fā)送時(shí)隙的操作，而只對(duì)載噪比大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)作為噪聲而存在的載噪比不大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，并且最大限度的保證了基站的固有容量，提高了基站的利用率，進(jìn)而也增加了每個(gè)基站下的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的數(shù)量，增加了組網(wǎng)的靈活性?；谏鲜錾闲谢鶐幚砥?，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)，其可以應(yīng)用于LTE-FDD系統(tǒng)、LTE-FDD Advance系統(tǒng)、FDD-LTE系統(tǒng)、FDD -LTEAdvance 系統(tǒng)、LTE-TDD 系統(tǒng)、LTE-TDD Advance 系統(tǒng)、TDD-LTE 系統(tǒng)、TDD-LTE Advance系統(tǒng)、TD-LTE系統(tǒng)以及TD-LTEAdvance系統(tǒng)的至少一種系統(tǒng)中。如圖3所示，為多臺(tái)LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的組網(wǎng)示意圖。其中，該LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)包括近端微波傳輸系統(tǒng)和遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)，近端微波傳輸系統(tǒng)和遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)又分別包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。如圖4 所示，為頻分雙工 LTE (包括 LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE,FDD-LTEAdvance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的近端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。其中，上行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的數(shù)字微波拉遠(yuǎn)近端室內(nèi)單元IDU、光收發(fā)器、上行基帶處理器、模擬上變頻器、上行放大器和DT端雙工器；下行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的DT端雙工器、衰減器、模擬下變頻器、下行基帶處理器、光收發(fā)器和數(shù)字微波拉遠(yuǎn)近端IDU。其中，DT端雙工器通過饋線與基站連接。如圖5 所示，為頻分雙工 LTE (包括 LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE,FDD-LTEAdvance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。其中，上行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的MT端雙工器、低噪聲放大器、模擬下變頻器、上行基帶處理器、光收發(fā)器和數(shù)字微波拉遠(yuǎn)遠(yuǎn)端IDU ;下行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的數(shù)字微波拉遠(yuǎn)遠(yuǎn)端IDU、光收發(fā)器、下行基帶處理器、模擬上變頻器、下行放大器和MT端雙工器，其中MT端雙工器通過覆蓋天線接收移動(dòng)終端(如手機(jī)終端)的信號(hào)。其中，遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)中的上行基帶處理器包括依次連接的A/D轉(zhuǎn)換器、數(shù)字下變頻器DDC、載噪比Ec/1判決電路、數(shù)字濾波器和數(shù)字上變頻器DUC。需要說明的是，圖4中涉及的上行基帶處理器和圖5中涉及的上行基帶處理器是兩個(gè)功能不同的設(shè)備對(duì)于上述各功能實(shí)體之間的信號(hào)流向及處理機(jī)制，如上述圖4和圖5所示，上述系統(tǒng)的噪聲抑制方法如下:[0058]MT端雙工器通過覆蓋天線接收移動(dòng)終端的上行射頻信號(hào)，并濾除其中的無用信號(hào)后，發(fā)送給低噪聲放大器；低噪聲放大器接收上行射頻信號(hào)后，將其的信號(hào)幅度放大，發(fā)送給模擬下變頻器；模擬下變頻器對(duì)接收到的上行射頻信號(hào)進(jìn)行下變頻處理，得到模擬中頻信號(hào)；A/D轉(zhuǎn)換器對(duì)模擬下變頻器發(fā)送來的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)(由多個(gè)子載波組合而成)發(fā)送給DDC;其中，數(shù)字子頻帶信號(hào)的子載波數(shù)量和分布可以根據(jù)基站配置及網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)狀進(jìn)行調(diào)整。DDC分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為Ec/1判決電路的輸入信號(hào)；Ec/1判決電路，通過比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值，將載噪比大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給DUC，以及關(guān)斷載噪比不大于載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；DUC對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)器；光收發(fā)器將接收到的數(shù)字射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，發(fā)送給數(shù)字微波拉遠(yuǎn)遠(yuǎn)端室內(nèi)單元IDU，再通過微波傳送到數(shù)字微波拉遠(yuǎn)近端IDU ；經(jīng)過近端微波傳輸系統(tǒng)的上行基帶處理器進(jìn)行基帶處理后，得到模擬中頻信號(hào)，發(fā)送給模擬上變頻器；模擬上變頻器對(duì)該模擬中頻信號(hào)進(jìn)行上變頻處理后，得到射頻信號(hào)，再經(jīng)過上行放大器后，將射頻信號(hào)的幅度放大，經(jīng)過DT端雙工器濾波后，通過饋線回傳給基站。該方案實(shí)現(xiàn)了 LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)上行噪聲的抑制功能，即只對(duì)上行的有用信號(hào)進(jìn)行放大，對(duì)噪聲進(jìn)行有效抑制，使得基站上行接入噪聲電平低于-123dBm/100KHz。其中，在時(shí)分雙工LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的近端微波傳輸系統(tǒng)中，DT端雙工器被濾波器和環(huán)形器代替，如圖6所示，為時(shí)分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDDAdvance、TDD-LTE、TDD-LTE Advance, TD-LTE, TD-LTE Advance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的近端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；在時(shí)分雙工LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)中，MT端雙工器被濾波器和環(huán)形器代替，如圖7所示，為時(shí)分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TDD-LTE, TDD-LTE Advance、TD-LTE, TD-LTEAdvance)數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，如圖6和圖7所示的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)以及各功能實(shí)體之間的信號(hào)流向及處理機(jī)制與上述圖4和圖5的所示的系統(tǒng)相似，在此不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例通過在LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)上行傳輸方向增加對(duì)子頻帶基帶信號(hào)載噪比的判斷過程，對(duì)載噪比不大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷發(fā)送時(shí)隙的操作，而只對(duì)載噪比大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)作為噪聲而存在的載噪比不大于預(yù)定的載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷。[0071]另外，本實(shí)用新型實(shí)施例中的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)與其他LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)相比，還具有以下優(yōu)點(diǎn):1、有效地避免了為降低底噪對(duì)基站的干擾而人為的降低上行增益，從而使得網(wǎng)絡(luò)覆蓋上下行不平衡的缺陷。2、基于該LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的上行噪聲抑制功能，在同一個(gè)基站下可以并聯(lián)多臺(tái)LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)而不抬升基站的底噪，能夠極大的改善基站的上行接收靈敏度，并極大的降低網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本，增加了組網(wǎng)的靈活性。最后應(yīng)說明的是:本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種上行基帶處理器，包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器、數(shù)字下變頻器DDC和數(shù)字上變頻器DUC,其特征在于，該上行基帶處理器應(yīng)用于LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)，且該上行基帶處理器還包括:載噪比Ec/1判決電路，其中: A/D轉(zhuǎn)換器，與數(shù)字下變頻器DDC連接，對(duì)模擬下變頻器發(fā)送來的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)發(fā)送給DDC ； DDC,與Ec/1判決電路連接，分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為所述Ec/1判決電路的輸入信號(hào)； Ec/1判決電路，與DUC連接，通過比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值，將載噪比大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給DUC，以及關(guān)斷載噪比不大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙； DUC對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)器。
2.如權(quán)利要求1所述的上行基帶處理器，其特征在于，還包括: 數(shù)字濾波器，連接Ec/1判決電路與DUCjf Ec/1判決電路發(fā)送的載噪比大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)中的噪聲進(jìn)行過濾，并將得到的濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給 DUC。
3.如權(quán)利要求1或2所述的上行基帶處理器，其特征在于，所述上行基帶處理器采用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列芯片F(xiàn)PGA、復(fù)雜可編程邏輯器件CPLD或數(shù)字信號(hào)處理器DSP實(shí)現(xiàn)。
4.一種LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)，包括近端微波傳輸系統(tǒng)和遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)，所述上行傳輸子系統(tǒng)包括:模擬下變頻器、上行基帶 處理器和光收發(fā)器，其特征在于，其中: 模擬下變頻器，與所述上行基帶處理器連接，對(duì)低噪聲放大器發(fā)送來的上行射頻信號(hào)執(zhí)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號(hào)發(fā)送給所述上行基帶處理器； 上行基帶處理器，與光收發(fā)器連接，將接收到的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)，并比較各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與預(yù)定的載噪比閾值，將載噪比不大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙關(guān)斷；將載噪比大于所述載噪比閾值的子頻帶基帶信號(hào)通過上行鏈路發(fā)送給光收發(fā)器； 光收發(fā)器，將所述上行基帶處理器發(fā)送的數(shù)字射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)后，發(fā)送給數(shù)字微波拉遠(yuǎn)遠(yuǎn)端室內(nèi)單元IDU。
5.如權(quán)利要求4所述的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)，其特征在于，所述上行傳輸子系統(tǒng)還包括:MT端雙工器和低噪聲放大器，其中: MT端雙工器，與低噪聲放大器連接，將通過覆蓋天線接收到的上行射頻信號(hào)中的噪聲進(jìn)行濾波后，發(fā)送給低噪聲放大器； 低噪聲放大器，與模擬下變頻器連接，將接收到的濾噪后的上行射頻信號(hào)的信號(hào)幅度放大后，發(fā)送給模擬下變頻器。
6.如權(quán)利要求4所述的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)，其特征在于，所述上行傳輸子系統(tǒng)還包括:環(huán)形器、濾波器和低噪聲放大器，其中: 濾波器，與環(huán)形器連接，將通過覆蓋天線接收到的上行射頻信號(hào)中的噪聲進(jìn)行濾波后，發(fā)送給環(huán)形器；環(huán)形器，與低噪聲放大器連接，將接收到的上行射頻信號(hào)發(fā)送給低噪聲放大器； 低噪聲放大器，與模擬下變頻器連接，將接收到的濾噪后的上行射頻信號(hào)的信號(hào)幅度放大后，發(fā)送給模擬下變頻器。
7.如權(quán)利要求4所述的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)，其特征在于，所述上行基帶處理器采用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列芯片F(xiàn)PGA、復(fù)雜可編程邏輯器件CPLD或數(shù)字信號(hào)處理器DSP實(shí)現(xiàn)。
8.如權(quán)利要求Γ7任一項(xiàng)所述的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)，其特征在于，所述LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)應(yīng)用于頻分雙工長期演進(jìn)LTE-FDD系統(tǒng)或FDD-LTE系統(tǒng)、高級(jí)頻分雙工長期演進(jìn)LTE-FDD Advance系統(tǒng)或FDD-LTE Advance系統(tǒng)、時(shí)分雙工長期演進(jìn)LTE-TDD系統(tǒng)或TDD-LTE系統(tǒng)或TD-LTE系統(tǒng)、高級(jí)時(shí)分雙工長期演進(jìn)LTE-TDD Advance系統(tǒng)或TDD- LTE Advance系統(tǒng)或TD-LTE Advance系統(tǒng)的至少一種系統(tǒng)中。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)及上行基帶處理器，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)存在的基站底噪被抬升的問題。所述上行基帶處理器，應(yīng)用于LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的遠(yuǎn)端微波傳輸系統(tǒng)，包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器、數(shù)字下變頻器DDC和數(shù)字上變頻器DUC，載噪比Ec/Io判決電路，其中A/D轉(zhuǎn)換器，與數(shù)字下變頻器DDC連接；DDC，與Ec/Io判決電路連接；Ec/Io判決電路，與DUC連接。
文檔編號(hào)H04L25/03GK202979007SQ201220721778
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者肖田忠, 柳洋, 馮量 申請(qǐng)人:京信通信系統(tǒng)(中國)有限公司