專(zhuān)利名稱(chēng)：一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制的設(shè)備和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域，尤其涉及一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制的設(shè)備和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的通信系統(tǒng)中，移動(dòng)通信基站基本上可以分為三部分:移動(dòng)臺(tái)、無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng)和核心網(wǎng)。其中，基站的主要作用是接收和發(fā)送移動(dòng)通信信號(hào)。通常，在某個(gè)區(qū)域內(nèi)，多個(gè)基站相互之間組成一個(gè)蜂窩狀的網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)控制基站與基站之間信號(hào)的相互發(fā)送和接收來(lái)實(shí)現(xiàn)移動(dòng)通信信號(hào)的傳輸，而信號(hào)傳輸范圍內(nèi)的區(qū)域就是我們常說(shuō)的網(wǎng)絡(luò)覆蓋面。而基站在傳輸信號(hào)的過(guò)程中存在信號(hào)無(wú)法覆蓋的地區(qū)就是常說(shuō)的移動(dòng)通信的信號(hào)盲區(qū)。在實(shí)際的移動(dòng)通信系統(tǒng)中，由于地理環(huán)境、天氣變化或基站覆蓋范圍調(diào)整等原因，基站信號(hào)覆蓋的目標(biāo)區(qū)域中難免會(huì)存在信號(hào)覆蓋較弱的區(qū)域，甚至還會(huì)出現(xiàn)無(wú)信號(hào)覆蓋的信號(hào)盲區(qū)。為了解決基站在進(jìn)行信號(hào)覆蓋時(shí)出現(xiàn)的信號(hào)弱覆蓋區(qū)域以及信號(hào)覆蓋盲區(qū)的問(wèn)題，目前在3GPP (The 3rd Generation Partnership Project,第三代合作伙伴計(jì)劃)協(xié)議LTE (Long Term Evolution,長(zhǎng)期演進(jìn))Rel_8版本中引入了一種新的延伸覆蓋技術(shù),稱(chēng)為中繼Relay技術(shù),該技術(shù)中的核心設(shè)備稱(chēng)為RN (Relay Node,中繼節(jié)點(diǎn))。根據(jù)中繼Relay技術(shù)在通信網(wǎng)絡(luò)中應(yīng)用類(lèi)型不同，在LTE Rel-8版本定義了三種類(lèi)型的Relay技術(shù)，分別是層 IRelay (LI Relay)、層 2Relay (L2 Relay)和層 3Relay (L3 Relay)。其中，層IRelay技術(shù)對(duì)應(yīng)的設(shè)備是層IRelay設(shè)備,該設(shè)備是模擬設(shè)備,不會(huì)對(duì)信號(hào)進(jìn)行解碼，只是直接將信號(hào)進(jìn)行放大和轉(zhuǎn)發(fā)，不能區(qū)分出有用信號(hào)與底部噪聲(簡(jiǎn)稱(chēng)為底噪)，使得在對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大的同時(shí)也會(huì)抬升底噪，因此，采用層IRelay技術(shù)的設(shè)備雖然能夠提升覆蓋范圍，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、成本和引入的時(shí)延低的優(yōu)點(diǎn)，但會(huì)同時(shí)對(duì)信號(hào)以及干擾進(jìn)行放大和轉(zhuǎn)發(fā)，進(jìn)而嚴(yán)重影響上行覆蓋和上行吞吐率，導(dǎo)致不能大規(guī)模應(yīng)用。層2Relay設(shè)備應(yīng)用在MAC層，對(duì)接收到數(shù)據(jù)塊進(jìn)行解碼，再進(jìn)行編碼和轉(zhuǎn)發(fā)；層3Relay設(shè)備對(duì)接收到的IP數(shù)據(jù)包進(jìn)行轉(zhuǎn)發(fā)，具有和基站類(lèi)似的空口協(xié)議結(jié)構(gòu)，不僅可以解調(diào)基站的信號(hào)，還具有相當(dāng)完整的RRM能力和權(quán)限。也就是說(shuō)，層2Relay技術(shù)與層3Relay技術(shù)雖然不會(huì)抬升施主基站底噪,但已被證明存在效率低、時(shí)延較大、設(shè)備復(fù)雜和成本較高等缺點(diǎn)。在現(xiàn)有技術(shù)中，將LTE數(shù)字光纖直放站引入基站，利用LTE數(shù)字光纖直放站的工作原理將信號(hào)放大，覆蓋目標(biāo)區(qū)域，從而擴(kuò)大了基站的覆蓋范圍，消除了信號(hào)覆蓋的盲區(qū)，但是，由于LTE數(shù)字光纖直放站屬于采用層IRelay技術(shù)的設(shè)備，其仍然存在基站底噪被抬升的缺點(diǎn)，并嚴(yán)重影響基站的上行接收靈敏度，從而降低了基站的利用率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制的設(shè)備和系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中LTE數(shù)字光纖直放站存在的基站底噪被抬升的問(wèn)題。[0009]一種上行基帶處理設(shè)備，包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，該上行基帶處理設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，且該上行基帶處理設(shè)備還包括:載噪比Ec/1判決電路，其中:模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，與數(shù)字下變頻器DDC連接，用于對(duì)上行LTE射頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)發(fā)送給DDC ；數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，與載噪比Ec/1判決電路連接，用于分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為所述Ec/1判決電路的輸入信號(hào);載噪比Ec/1判決電路，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接，用于確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比，并將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備；數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，用于對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送。一種LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，包括近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端系統(tǒng)包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)，其中，所述上行傳輸子系統(tǒng)包括:模擬下變頻設(shè)備、上行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備，其中:模擬下變頻器，用于對(duì)上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行放大后的上行射頻信號(hào)進(jìn)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號(hào)發(fā)送給所述上行基帶處理設(shè)備；上行基帶處理設(shè)備，用于將接收到的模擬中頻信號(hào)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)，并確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比，并將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)通過(guò)上行鏈路發(fā)送至光收發(fā)設(shè)備；光收發(fā)設(shè)備，用于將所述上行基帶處理設(shè)備發(fā)送的數(shù)字射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)后，發(fā)送給近端系統(tǒng)。本實(shí)用新型有益效果如下:本實(shí)用新型實(shí)施例在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行基帶處理設(shè)備包含了與數(shù)字下變頻器DDC連接的模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，與載噪比Ec/1判決電路連接的數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接的載噪比Ec/1判決電路和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，其中，載噪比Ec/1判決電路關(guān)斷了載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。

[0020]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制方法的流程圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種上行基帶處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種上行基帶處理設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為多臺(tái)LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的組網(wǎng)示意圖；圖5為頻分雙工LTE (包括LTE-FDD、LTE-FDD Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為頻分雙工LTE (包括LTE-FDD、LTE-FDD Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖 7 為時(shí)分雙工 LTE (包括 LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TD-LTE, TD-LTEAdvance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖 8 為時(shí)分雙工 LTE (包括 LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TD-LTE, TD-LTEAdvance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制方法、設(shè)備和系統(tǒng)，其中，本實(shí)用新型實(shí)施例中涉及的上行噪聲抑制是基于OFDMA (Orthogonal Frequency Division Multiple Access 正交頻分多址)和 SC-FDMA(Single-carrier Frequency-Division Multiple Access,單載波分頻多工)多址接入進(jìn)行處理的，在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行基帶處理設(shè)備包含了與數(shù)字下變頻器DDC連接的模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，與載噪比Ec/1判決電路連接的數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接的載噪比Ec/1判決電路和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，其中，載噪比Ec/1判決電路關(guān)斷了載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中涉及的上行噪聲抑制可以是基于OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access 正交頻分多址)原理進(jìn)行處理，以及基于 SC-FDMA (Single-carrier Frequency-Division MultipleAccess,單載波分頻多工)多址接入原理進(jìn)行處理。下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本實(shí)用新型各實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例一:如圖1所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例一的一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制方法的流程圖，該方法應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，所述方法包括:步驟101:接收對(duì)上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行放大、模擬下變頻處理后的模擬中頻信號(hào)。具體地，在步驟101中，通過(guò)覆蓋或者接收天線(xiàn)從空間接收到用戶(hù)終端發(fā)射的上行LTE射頻信號(hào)，濾除無(wú)用信號(hào)后得到上行射頻信號(hào)；上行射頻信號(hào)經(jīng)過(guò)低噪聲放大器將上行射頻信號(hào)的幅度放大，并經(jīng)過(guò)模擬下變頻處理后，將上行中頻信號(hào)下變頻為模擬中頻信號(hào)。[0036]步驟102:將接收到的模擬中頻信號(hào)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個(gè)
子頻帶基帶信號(hào)。具體地，在步驟102中，將接收到的模擬中頻信號(hào)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備采樣后，變成多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)；多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)經(jīng)過(guò)數(shù)字下變頻DDC設(shè)備進(jìn)行下變頻處理后，得到多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)。需要說(shuō)明的是，所述得到的子頻帶基帶信號(hào)的子載波數(shù)量將根據(jù)基站配置和實(shí)際網(wǎng)絡(luò)情況進(jìn)行確定，這里不限定子頻帶基帶信號(hào)的子載波數(shù)量。步驟103:確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比。具體地，在步驟103中，所述確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比的方法包括但不限于:根據(jù)子頻帶基站信號(hào)的強(qiáng)度值和子頻帶基站信號(hào)所受到的干擾信號(hào)的強(qiáng)度值，計(jì)算得到每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比:Ec與1的比值；其中，Ec表示子頻帶基站信號(hào)的強(qiáng)度值，1表示子頻帶基站信號(hào)所受到的干擾信號(hào)的強(qiáng)度值。其中，所述設(shè)定的載噪比門(mén)限值為l 20dB。較優(yōu)地，所述預(yù)定的載噪比門(mén)限值為9dB。需要說(shuō)明的是，所述設(shè)定的載噪比門(mén)限值可以根據(jù)LTE標(biāo)準(zhǔn)的演化進(jìn)行修改，也可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，這里不做具體限定。步驟104:將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，執(zhí)行步驟105 ;當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，執(zhí)行步驟106。具體地，在步驟104中，將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較的方法包括但不限于:將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值之間進(jìn)行作差運(yùn)算，將得到的差值與O進(jìn)行比較，當(dāng)差值不小于O時(shí)，確定所述確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值；當(dāng)差值小于O時(shí)，確定所述確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值。步驟105:關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙。在步驟105中，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙意味著將該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)濾除，這樣有效的減少了載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)傳輸時(shí)所受到的噪聲干擾。步驟106:將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)通過(guò)上行鏈路發(fā)送至基站。具體地，在步驟106中，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)經(jīng)由數(shù)字濾波設(shè)備進(jìn)行濾波處理，濾除比較過(guò)程中產(chǎn)生的雜散信號(hào)，得到濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)；對(duì)所述濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備；由光收發(fā)設(shè)備將得到的數(shù)字射頻信號(hào)傳輸?shù)絃TE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)，再經(jīng)過(guò)近端系統(tǒng)中的上行基帶處理設(shè)備、D/A轉(zhuǎn)換設(shè)備變換成模擬中頻信號(hào);該模擬中頻信號(hào)經(jīng)過(guò)上行放大器將信號(hào)幅值進(jìn)行放大后，由近端雙工器進(jìn)行濾波處理后，通過(guò)饋線(xiàn)返回。這樣在LTE數(shù)字光纖直放站中實(shí)現(xiàn)了對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制，即只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大處理，使得基站上行接入信號(hào)的噪聲電平低于-123dBm/100KHz。通過(guò)本實(shí)用新型實(shí)施例一的方案，在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行傳輸方向增加對(duì)子頻帶基帶信號(hào)載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較的操作，對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙執(zhí)行關(guān)斷操作，而只對(duì)載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。實(shí)施例二:如圖2所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例二的一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)用新型實(shí)施例二是與本實(shí)用新型實(shí)施例一的在同一構(gòu)思下的設(shè)備，該設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，所述設(shè)備包括:確定模塊11、比較模塊12和抑制模塊13，其中:確定模塊11，用于確定上行LTE射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換得到的各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比。比較模塊12，用于將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較。抑制模塊13，用于當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶上行信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶上行信號(hào)通過(guò)上行鏈路發(fā)送。具體地，所述確定模塊11，具體用于計(jì)算得到每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比為Ec與1的比值；其中，Ec表示子頻帶基帶信號(hào)的強(qiáng)度值，1表示子頻帶基帶信號(hào)所受到的干擾信號(hào)的強(qiáng)度值。具體地，所述抑制模塊13，具體包括:數(shù)字濾波單元21、數(shù)字上變頻單元22和關(guān)斷單元23，其中:數(shù)字濾波單元21，用于將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)進(jìn)行濾波處理，濾除比較過(guò)程中產(chǎn)生的雜散信號(hào)，得到濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)；數(shù)字上變頻單元22，用于對(duì)對(duì)所述濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)，并發(fā)送；關(guān)斷單元23，用于關(guān)斷比較單元比較得到的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例二所述的噪聲抑制設(shè)備可以是具有上述模塊的邏輯部件，還可以是能夠?qū)崿F(xiàn)上述功能的物理實(shí)體，這里不做具體限定。實(shí)施例三:如圖3所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例三的一種上行基帶處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。該上行基帶設(shè)備包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備41、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備42和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備43，該上行基帶處理設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，且該上行基帶處理設(shè)備還包括:載噪比Ec/1判決電路44，其中:模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備41，與數(shù)字下變頻器DDC連接，用于對(duì)上行LTE射頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)發(fā)送給DDC ；數(shù)字下變頻DDC設(shè)備42，與載噪比Ec/1判決電路連接，用于分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為所述Ec/1判決電路的輸入信號(hào)；載噪比Ec/1判決電路44，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接，用于確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比，并將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備；數(shù)字上變頻DUC設(shè)備43，用于對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送。所述上行基帶處理器，還包括:數(shù)字濾波器45，一端與載噪比Ec/1判決電路連接，另一端與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接，用于在載噪比Ec/1判決電路的比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)進(jìn)行濾波處理，濾除比較過(guò)程中產(chǎn)生的雜散信號(hào)，得到濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備。通過(guò)本實(shí)用新型實(shí)施例三的方案，在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行基帶處理設(shè)備包含了與數(shù)字下變頻器DDC連接的模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，與載噪比Ec/1判決電路連接的數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接的載噪比Ec/1判決電路和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，其中，載噪比Ec/1判決電路關(guān)斷了載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例三所述上行基帶處理設(shè)備中包含的載噪比Ec/1判決電路可以是與本實(shí)用新型實(shí)施例二所述噪聲抑制設(shè)備具有相同功能的邏輯部件，也可以是具有本實(shí)用新型實(shí)施例二所述噪聲抑制設(shè)備具有相同功能的物理設(shè)備，例如:載噪比Ec/1判決電路包括一個(gè)計(jì)算單元、一個(gè)比較電路和一個(gè)選擇電路，其中，計(jì)算單元，用于確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比；比較電路用于將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較；選擇電路，用于根據(jù)比較結(jié)果觸發(fā)觸發(fā)不同的設(shè)備，這里不做具體限定。[0080]基于上述上行基帶處理設(shè)備，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，其可以應(yīng)用于 LTE-FDD 系統(tǒng)、LTE-FDD Advance 系統(tǒng)、FDD-LTE 系統(tǒng)、FDD-LTEAdvance系統(tǒng)、LTE-TDD 系統(tǒng)、LTE-TDD Advance 系統(tǒng)、TDD-LTE 系統(tǒng)、TDD-LTE Advance 系統(tǒng)、TD-LTE系統(tǒng)以及TD-LTE Advance系統(tǒng)的至少一種系統(tǒng)中。如圖4所示，為多臺(tái)LTE數(shù)字微波射頻拉遠(yuǎn)覆蓋系統(tǒng)的組網(wǎng)示意圖。其中，該LET數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)包括近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)，近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)又分別包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。如圖5 所示，為頻分雙工 LTE (包括 LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE,FDD-LTEAdvance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。其中，上行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的光收發(fā)設(shè)備、上行基帶處理單元、模擬上變頻設(shè)備、上行放大器和DT端雙工設(shè)備；下行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的DT端雙工器、下行衰減設(shè)備、模擬下變頻設(shè)備、下行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備。其中，DT端雙工器通過(guò)饋線(xiàn)與基站連接。如圖6 所示，為頻分雙工 LET (包括 LTE-FDD、LTE-FDD Advance、FDD-LTE,FDD-LTEAdvance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不意圖，包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)。其中，上行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的MT端雙工器、上行低噪聲放大器、模擬下變頻設(shè)備、上行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備；下行傳輸子系統(tǒng)包括:依次連接的光收發(fā)設(shè)備、下行基帶處理設(shè)備、模擬上變頻設(shè)備、下行放大器和MT端雙工器，其中MT端雙工器通過(guò)覆蓋或者接收天線(xiàn)接收用戶(hù)終端(如手機(jī)終端)的信號(hào)。需要說(shuō)明的是，圖5中涉及的上行基帶處理單元和圖6中涉及的上行基帶處理設(shè)備是兩個(gè)功能不同的設(shè)備。具體地，MT端雙工器，與低噪聲放大器連接，用于通過(guò)天線(xiàn)接收用戶(hù)終端發(fā)射的上行LTE射頻信號(hào)，并對(duì)接收到的上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行濾波處理，并將濾波處理后的上行射頻信號(hào)發(fā)送給低噪聲放大器。低噪聲放大器，與模擬下變頻器連接，用于將接收到的上行射頻信號(hào)的信號(hào)幅度放大后，發(fā)送給模擬下變頻器。模擬下變頻器，與所述上行基帶處理設(shè)備連接，用于對(duì)接收對(duì)用戶(hù)終端發(fā)射的上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行放大后的上行射頻信號(hào)進(jìn)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號(hào)發(fā)送給所述上行基帶處理設(shè)備。上行基帶處理設(shè)備，與光收發(fā)設(shè)備連接，用于將接收到的模擬中頻信號(hào)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)，并確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比，并將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)通過(guò)上行鏈路發(fā)送至光收發(fā)設(shè)備。光收發(fā)設(shè)備，用于將所述上行基帶處理設(shè)備發(fā)送的數(shù)字射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)后，發(fā)送給近端系統(tǒng)。較優(yōu)地，所述MT端雙工器，具體包括:環(huán)形器和濾波器，其中:濾波器，與環(huán)形器連接，用于通過(guò)天線(xiàn)接收用戶(hù)終端發(fā)射的上行LTE射頻信號(hào)，并對(duì)接收到的上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行濾波處理，并發(fā)送給環(huán)形器；環(huán)形器，與低噪聲放大器連接，用于在確定接收的射頻信號(hào)是上行射頻信號(hào)時(shí)，將接收到的濾波處理后的上行射頻信號(hào)發(fā)送給低噪聲放大器。其中，遠(yuǎn)端系統(tǒng)中的上行基帶處理設(shè)備包括依次連接的A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備、載噪比Ec/1判決電路、數(shù)字濾波器和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備。對(duì)于上述各功能實(shí)體之間的信號(hào)流向及處理機(jī)制，如上述圖5和圖6所示，上述系統(tǒng)的噪聲抑制方法如下:MT端雙工器通過(guò)覆蓋天線(xiàn)接收移動(dòng)終端的上行LTE射頻信號(hào)，并濾除其中的無(wú)用信號(hào)后，發(fā)送給上行低噪聲放大器；上行低噪聲放大器接收上行射頻信號(hào)后，將其的信號(hào)幅度放大，發(fā)送給模擬下變頻器；模擬下變頻器對(duì)接收到的上行射頻信號(hào)進(jìn)行下變頻處理，得到模擬中頻信號(hào)；A/D轉(zhuǎn)換器對(duì)模擬下變頻器發(fā)送來(lái)的模擬中頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)(由多個(gè)子載波組合而成)發(fā)送給DDC;其中，數(shù)字子頻帶信號(hào)的子載波數(shù)量和分布可以根據(jù)基站配置及網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)狀進(jìn)行調(diào)整。數(shù)字下變頻DDC設(shè)備分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為Ec/1判決電路的輸入信號(hào)；載噪比Ec/1判決電路確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比，并將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備；數(shù)字上變頻DUC設(shè)備對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送給光收發(fā)設(shè)備；光收發(fā)設(shè)備將接收到的數(shù)字射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，發(fā)送給數(shù)字微波拉遠(yuǎn)遠(yuǎn)端室內(nèi)單元IDU，再通過(guò)微波傳送到數(shù)字微波拉遠(yuǎn)近端IDU ；經(jīng)過(guò)近端微波傳輸系統(tǒng)的上行基帶處理器進(jìn)行基帶處理后，得到模擬中頻信號(hào)，發(fā)送給模擬上變頻器；模擬上變頻器對(duì)該模擬中頻信號(hào)進(jìn)行上變頻處理后，得到射頻信號(hào)，再經(jīng)過(guò)上行放大器后，將射頻信號(hào)的幅度放大，經(jīng)過(guò)DT端雙工器濾波后，通過(guò)饋線(xiàn)回傳給基站。其中，在時(shí)分雙工LET數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)中，DT端雙工器被濾波器和環(huán)形器代替，如圖7所示，為時(shí)分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TDD-LTE,TDD-LTE Advance、TD-LTE、TD-LTE Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的近端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；在時(shí)分雙工LET數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)中，MT端雙工器被濾波器和環(huán)形器代替，如圖8所示，為時(shí)分雙工LTE (包括LTE-TDD、LTE-TDD Advance、TDD-LTE、TDD-LTEAdvance、TD-LTE、TD-LTE Advance)數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，如圖7和圖8所示的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)以及各功能實(shí)體之間的信號(hào)流向及處理機(jī)制與上述圖5和圖6的所示的系統(tǒng)相似，在此不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端系統(tǒng)上行傳輸方向增加對(duì)子頻帶基帶信號(hào)載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較的操作，對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙執(zhí)行關(guān)斷操作，而只對(duì)載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，從而有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。另外，本實(shí)用新型實(shí)施例中的數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)與其他數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)相t匕，還具有以下優(yōu)點(diǎn):1、有效地避免了為降低底噪對(duì)基站的干擾而人為的降低上行增益，從而使得網(wǎng)絡(luò)覆蓋上下行不平衡的缺陷。2、本實(shí)用新型采用了數(shù)字中頻和大動(dòng)態(tài)A/D、D/A技術(shù)，將射頻信號(hào)數(shù)字化，在數(shù)字域?qū)TE上行時(shí)域信號(hào)進(jìn)行處理，使LTE數(shù)字光纖直放站具有上行噪聲抑制功能，利用這種技術(shù)可以在同一個(gè)施主基站下并聯(lián)多臺(tái)帶有此功能的LTE數(shù)字光纖直放站而不抬升基站的底噪，能夠極大改善施主基站的上行接收靈敏度，并極大的降低網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種上行基帶處理設(shè)備，包括模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備、數(shù)字下變頻DDC設(shè)備和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，其特征在于，該上行基帶處理設(shè)備應(yīng)用于LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)中，且該上行基帶處理設(shè)備還包括:載噪比Ec/1判決電路，其中: 模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，與數(shù)字下變頻器DDC連接，用于對(duì)上行LTE射頻信號(hào)執(zhí)行模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換，將得到的多個(gè)數(shù)字子頻帶信號(hào)發(fā)送給DDC ； 數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，與載噪比Ec/1判決電路連接，用于分別對(duì)各數(shù)字子頻帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字下變頻處理后，將得到的多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)作為所述Ec/1判決電路的輸入信號(hào); 載噪比Ec/1判決電路，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接，用于確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比，并將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上變頻DUC設(shè)備; 數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，用于對(duì)接收到的子頻帶基帶信號(hào)執(zhí)行數(shù)字上變頻處理，得到相應(yīng)的數(shù)字射頻信號(hào)并發(fā)送。
2.如權(quán)利要求1所述的上行基帶處理設(shè)備，其特征在于，所述上行基帶處理設(shè)備，還包括: 數(shù)字濾波器，一端與載噪比Ec/1判決電路連接，用于在載噪比Ec/1判決電路的比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)進(jìn)行濾波處理，濾除比較過(guò)程中產(chǎn)生的雜散信號(hào)，得到濾噪后的子頻帶基帶信號(hào)發(fā)送給數(shù)字上 變頻DUC設(shè)備。
3.如權(quán)利要求廣2任一所述的上行基帶處理設(shè)備，其特征在于，所述上行基帶處理設(shè)備采用FPGA技術(shù)、CPLD技術(shù)或DSP技術(shù)中的至少一種技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
4.一種LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，包括近端系統(tǒng)和遠(yuǎn)端系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端系統(tǒng)包括上行傳輸子系統(tǒng)和下行傳輸子系統(tǒng)，其中，所述上行傳輸子系統(tǒng)包括:模擬下變頻設(shè)備、上行基帶處理設(shè)備和光收發(fā)設(shè)備，其特征在于，其中: 模擬下變頻器，用于對(duì)上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行放大后的上行射頻信號(hào)進(jìn)行模擬下變頻處理，將得到的模擬中頻信號(hào)發(fā)送給所述上行基帶處理設(shè)備； 上行基帶處理設(shè)備，用于將接收到的模擬中頻信號(hào)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字下變頻處理，得到多個(gè)子頻帶基帶信號(hào)，并確定各子頻帶基帶信號(hào)的載噪比，并將確定的每一個(gè)子頻帶基帶信號(hào)的載噪比與設(shè)定的載噪比門(mén)限值進(jìn)行比較，當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，關(guān)斷該載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙；當(dāng)比較結(jié)果為確定的載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值時(shí)，將該載噪比不小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基站信號(hào)通過(guò)上行鏈路發(fā)送至光收發(fā)設(shè)備； 光收發(fā)設(shè)備，用于將所述上行基帶處理設(shè)備發(fā)送的數(shù)字射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)后，發(fā)送給近端系統(tǒng)。
5.如權(quán)利要求4所述的LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng),其特征在于，所述上行傳輸子系統(tǒng)還包括:MT端雙工器和低噪聲放大器，其中:MT端雙工器，用于通過(guò)天線(xiàn)接收用戶(hù)終端發(fā)射的上行LTE射頻信號(hào)，并對(duì)接收到的上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行濾波處理，并將濾波處理后的上行射頻信號(hào)發(fā)送給低噪聲放大器；低噪聲放大器，用于將接收到的上行射頻信號(hào)的信號(hào)幅度放大后，發(fā)送給模擬下變頻器。
6.如權(quán)利要求5所述的LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，其特征在于，所述MT端雙工器，具體包括:環(huán)形器和濾波器，其中: 濾波器，用于通過(guò)天線(xiàn)接收用戶(hù)終端發(fā)射的上行LTE射頻信號(hào)，并對(duì)接收到的上行LTE射頻信號(hào)進(jìn)行濾波處理，并發(fā)送給環(huán)形器； 環(huán)形器，用于在確定接收的射頻信號(hào)是上行射頻信號(hào)時(shí)，將接收到的濾波處理后的上行射頻信號(hào)發(fā)送給低噪聲放大器。
7.如權(quán)利要求4飛任一項(xiàng)所述的LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)，其特征在于，所述LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)應(yīng)用于LTE-FDD系統(tǒng)或FDD-LTE系統(tǒng)、LTE-FDD Advance系統(tǒng)或FDD-LTEAdvance 系統(tǒng)、LTE-TDD 系統(tǒng)或 TDD-LTE 系統(tǒng)或 TD-LTE 系統(tǒng)、LTE-TDD Advance 系統(tǒng)或TDD-LTE Advance系統(tǒng)以及TD-LT EAdvance系統(tǒng)的至少一種系統(tǒng)中。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種對(duì)上行信號(hào)進(jìn)行噪聲抑制的設(shè)備和系統(tǒng)，其內(nèi)容包括在LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)的遠(yuǎn)端傳輸系統(tǒng)中，上行基帶處理設(shè)備包含了與數(shù)字下變頻器DDC連接的模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換設(shè)備，與載噪比Ec/Io判決電路連接的數(shù)字下變頻DDC設(shè)備，與數(shù)字上變頻DUC設(shè)備連接的載噪比Ec/Io判決電路和數(shù)字上變頻DUC設(shè)備，其中，載噪比Ec/Io判決電路關(guān)斷了載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)的發(fā)送時(shí)隙，使得該LTE數(shù)字光纖直放站系統(tǒng)只對(duì)上行有用信號(hào)進(jìn)行放大，而對(duì)載噪比小于設(shè)定的載噪比門(mén)限值的子頻帶基帶信號(hào)進(jìn)行抑制，有效地避免了基站底噪被抬升的缺陷，極大的改善了基站的上行接收靈敏度，降低了網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本。
文檔編號(hào)H04L25/03GK202979008SQ20122072190
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者肖田忠, 柳洋, 馮量 申請(qǐng)人:京信通信系統(tǒng)(中國(guó))有限公司