本發(fā)明涉及固體攝像裝置等，涉及在電子靜態(tài)照相機(jī)、監(jiān)視攝像機(jī)、視頻攝像機(jī)等中使用的固體攝像裝置等。

背景技術(shù)：
固體攝像裝置一般被稱為圖像傳感器等，其種類大體分為CCD傳感器或MOS傳感器。在這些在硅基板中形成光電二極管而成的固體攝像裝置中，特別是在進(jìn)行像素的微細(xì)化的情況下存在3個(gè)缺點(diǎn)。（材料）第1個(gè)是，由于硅的材料特性導(dǎo)致光電二極管存在性能極限，因此靈敏度降低。例如，作為綠光的波長550nm的光在硅中入射2μm的情況下，只有約92%被吸收。也就是說，即使形成深度2μm的光電二極管，也不可能得到量子效率92%以上的特性。為了解決該問題，可以增大光電二極管的深度，但是由于像素很微細(xì)，深度方向與橫方向的縱橫比變大，難以制造。因此，難以制作高靈敏度的固體攝像裝置。（開口度）第2個(gè)是，由于在同一平面內(nèi)形成光電二極管和像素內(nèi)的晶體管，因此無法較大地取得光電二極管的面積（從像素的面積至少減去晶體管的面積而得到的面積）。為了使光集中到具有該有限面積的光電二極管，通常在各像素中配置有微透鏡。但是，不可能使入射至固體攝像裝置的全部光集中到光電二極管（通常效率為50～70%程度）。進(jìn)而，如果像素變得微細(xì)，則光電二極管相對于搭載在像素上的布線·層間膜的厚度的合計(jì)的面積變小，因此效率愈加變差。即，在硅基板中形成有光電二極管的以往型的固體攝像裝置中，對形成于基板上的放大晶體管及元件分離區(qū)域等光電二極管以外的部分照射的光未被光電變換而損失。即使采用微透鏡配置等手段，也無法使光僅集中在光電二極管，無法避免該效率的惡化。該效率的惡化通過對光電二極管從布線側(cè)的背面照射光（所謂的背面照射型傳感器）而得到改善，但是效率不可能達(dá)到100%。也就是說，在背面照射型傳感器或?qū)盈B型傳感器中，在整面進(jìn)行光電變換，所以不存在針對以往型的固體攝像裝置如上所述的損失。如果從光源到光電變換膜的反射或吸收引起的損失（該損失在以往型的固體攝像裝置中也存在）能夠忽略而光電變換膜的內(nèi)部量子效率成為100%，也許能夠?qū)崿F(xiàn)效率100%。實(shí)際上，不存在內(nèi)部量子效率100%的材料，但是已知大量比作為固體攝像裝置的一般基板的Si更好的材料。通過將這樣的材料和作為控制電路的材料、例如最容易制作的Si基板組合，能夠?qū)崿F(xiàn)效率比以往更好的固體攝像裝置，但是內(nèi)部量子效率不可能達(dá)到100%。因此，這也成為靈敏度降低的原因。（由于微細(xì)化而FD電容下降→光電二極管的蓄積電容存在限制）第3個(gè)是，無法較大地取得光電二極管的蓄積電容。通常，從像素內(nèi)的光電二極管經(jīng)由傳輸門向浮動(dòng)擴(kuò)散（floatingdiffusion）轉(zhuǎn)送電荷。該浮動(dòng)擴(kuò)散與放大晶體管的柵極連接，輸出與電荷相應(yīng)的電壓。這時(shí)，需要將由光電二極管生成的電荷（電子）全部轉(zhuǎn)送（完全轉(zhuǎn)送）到浮動(dòng)擴(kuò)散。為了防止轉(zhuǎn)送遺漏，無法增大相對于浮動(dòng)擴(kuò)散的電容的、光電二極管的蓄積電容。因此，像素的飽和電子數(shù)（每1像素能夠檢測到的最大電子數(shù)）變小，固體攝像裝置的動(dòng)態(tài)范圍降低。這一情況在各電容由于縮放而變小的微細(xì)的像素中尤為顯著。作為能夠解決這些問題的固體攝像裝置，有專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2等公開的層疊型傳感器。作為其中的一例，在圖7、圖8中示出了專利文獻(xiàn)1所公開的層疊型傳感器。圖7是與圖8中的虛線框?qū)?yīng)的截面圖。如圖7、圖8所示，在層疊型傳感器中，光電變換部（在圖7中為18）形成于（將光入射的面作為上）晶體管的上方。因此，不再有上述第2個(gè)限制，能夠在整面進(jìn)行光電變換。此外，光電變換部的材料能夠使用硅以外的光電變換特性更好的材料，所以也不再有上述第1個(gè)限制。進(jìn)而，在層疊型傳感器中，為了將光電變換膜和控制電路連接而利用金屬（像素電極），金屬中的電子不會(huì)耗盡，所以雖然無法進(jìn)行上述第3個(gè)所述的完全轉(zhuǎn)送，但是金屬能夠?qū)⒊蔀榛鶞?zhǔn)的電位任意設(shè)定得高（或低），所以也能夠?qū)⑿罘e電容設(shè)計(jì)得大。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：特公昭58-50030號(hào)公報(bào)（圖4）專利文獻(xiàn)2：特許第4444371號(hào)公報(bào)發(fā)明的概要發(fā)明所要解決的課題但是，在該層疊型傳感器中存在以下所示的問題。在復(fù)位期間和復(fù)位讀出期間之間將復(fù)位晶體管24從導(dǎo)通狀態(tài)變化為截止?fàn)顟B(tài)，從而在蓄積的電信號(hào)上重疊復(fù)位晶體管24的噪聲。將其稱為kTC噪聲。其原因在于，在光電變換部和浮動(dòng)擴(kuò)散之間必須有導(dǎo)體的布線或觸點(diǎn)，將該導(dǎo)體中的大量電荷以完全轉(zhuǎn)送的方式轉(zhuǎn)送是不可能的。如以上所述，由于產(chǎn)生層疊型傳感器特有的噪聲，需要減輕該噪聲（如果不減輕，則作為隨機(jī)噪聲重疊在圖像上）。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于，提供一種固體攝像裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，在層疊型傳感器中，確保飽和電子數(shù)，并且不增大像素間干擾，而減輕kTC噪聲。解決課題所采用的手段為達(dá)成所述目的，本發(fā)明的一個(gè)方面的固體攝像裝置具備：排列為2維狀的多個(gè)像素；多個(gè)像素共有電路，由所述多個(gè)像素中的相鄰的一定數(shù)量的像素共有，按每所述一定數(shù)量的像素配置1個(gè)，排列為矩陣狀；列共有電路，按所述多個(gè)像素共有電路的每列配置1個(gè)，由屬于同一列的所述像素共有電路共有；列信號(hào)線，按所述像素共有電路的每列配置；以及復(fù)位信號(hào)線，按所述像素共有電路的每列配置；所述多個(gè)像素各自的電信號(hào)被所述像素共有電路檢測，并經(jīng)由所述列信號(hào)線讀出至所述列共有電路，被所述像素共有電路檢測到的電信號(hào)通過包括所述列信號(hào)線、所述列共有電路和所述復(fù)位信號(hào)線的反饋路徑而被復(fù)位。根據(jù)該構(gòu)成，能夠確保飽和電子數(shù)，并且不增大像素間干擾就能夠降低kTC噪聲。根據(jù)該構(gòu)成，通過由一定數(shù)量的像素共有像素共有電路，從而降低各像素的電路規(guī)模，并且增大像素的設(shè)計(jì)自由度。能夠容易地增大電信號(hào)量（飽和電荷量）或減少寄生電容，不增大像素間干擾而容易地減少kTC噪聲。在此，也可以是，所述多個(gè)像素分別包括：光電變換部，將入射光變換為電信號(hào)；蓄積電容，蓄積來自所述光電變換部的電信號(hào)；以及連接晶體管，將對應(yīng)的像素共有電路和所述蓄積電容連接；所述多個(gè)像素共有電路分別包括：檢測電容，從對應(yīng)的像素經(jīng)由所述連接晶體管檢測所述蓄積電容的電信號(hào)；放大晶體管，將所述檢測電容的電信號(hào)放大，并輸出至對應(yīng)的列信號(hào)線；以及復(fù)位晶體管，將所述檢測電容和所述復(fù)位信號(hào)線連接；所述列共有電路包括與所述列信號(hào)線連接的放大電路，所述放大電路的輸出端子與所述復(fù)位信號(hào)線連接。根據(jù)該構(gòu)成，檢測電容相對于蓄積電容獨(dú)立，所以不增大kTC噪聲就能夠增大檢測電容。由此，能夠增大飽和電子數(shù)，還能夠減少像素間干擾。在此，也可以是，所述蓄積電容與所述檢測電容的電容值的合計(jì)被設(shè)計(jì)為互為相鄰的所述像素內(nèi)的所述蓄積電容的耦合電容值的10倍以上。根據(jù)該構(gòu)成，能夠使偽信號(hào)成為本來的信號(hào)的1/10程度，適于實(shí)際的使用。在此，也可以是，所述列共有電路還包括：開關(guān)，將所述放大電路的輸入端子與輸出端子之間短路或斷開；以及電容器，插入在所述放大電路的所述輸入端子與所述列信號(hào)線之間、或者所述輸出端子與所述復(fù)位信號(hào)線之間；所述放大電路不具有所述輸入端子以外的輸入端子。在此，也可以是，所述放大電路具有正輸入端子和與所述列信號(hào)線連接的負(fù)輸入端子；所述列共有電路具備：正輸入開關(guān)，插入在所述正輸入端子與所述負(fù)輸入端子之間；以及電壓源開關(guān)，將所述復(fù)位信號(hào)線和復(fù)位電壓源連接；所述正輸入開關(guān)將所述正輸入端子和所述負(fù)輸入端子連接或切斷，所述電壓源開關(guān)將復(fù)位電壓源和所述復(fù)位信號(hào)線連接或切斷。在此，也可以是，所述光電變換部含有有機(jī)材料，所述放大晶體管、所述復(fù)位晶體管和所述連接晶體管配置在與供光入射的所述光電變換部的面相反的面?zhèn)?。根?jù)該構(gòu)成，檢測電容及蓄積電容的設(shè)計(jì)自由度變大，能夠容易地增大電信號(hào)量（飽和電荷量）。在此，也可以是，所述一定數(shù)量的像素是由與1個(gè)列共有電路連接的4個(gè)像素構(gòu)成的像素組，所述固體攝像裝置具有連接控制信號(hào)線，該連接控制信號(hào)線按所述像素共有電路的每行設(shè)置2條，且用于控制所述連接晶體管的連接及斷開，各連接控制信號(hào)線與所述像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的所述連接晶體管的柵極、以及在列方向上相鄰的其他像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的所述連接晶體管的柵極輸入相連接。根據(jù)該構(gòu)成，不需要在共有4個(gè)像素的同時(shí)對4個(gè)像素配備單獨(dú)的（4條）連接控制信號(hào)，能夠?qū)⑦B接控制信號(hào)的條數(shù)減半。在此，也可以是，所述固體攝像裝置具備：行選擇電路，選擇所述像素共有電路的行，使電信號(hào)經(jīng)由屬于所選擇的行的像素共有電路從對應(yīng)的各個(gè)像素輸出；列選擇電路，選擇與所述像素共有電路的列對應(yīng)的列共有電路，使電信號(hào)從所選擇的列共有電路輸出。根據(jù)該構(gòu)成，不進(jìn)行像素行、像素列單位的選擇掃描，而是進(jìn)行像素共有電路的行單位及列共有電路的列單位的選擇掃描。在此，也可以是，所述行選擇電路使全部像素共有電路內(nèi)的所述復(fù)位晶體管暫時(shí)導(dǎo)通，并且在所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通的期間內(nèi)使全部像素內(nèi)的所述連接晶體管暫時(shí)導(dǎo)通，從而將全部像素同時(shí)復(fù)位。根據(jù)該構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的全局快門（globalshutter）。在此，也可以是，所述行選擇電路在所述全部像素同時(shí)復(fù)位中的所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通的期間內(nèi)，使全部像素內(nèi)的所述連接晶體管導(dǎo)通后逐漸截止。根據(jù)該構(gòu)成，能夠在全部像素同時(shí)復(fù)位時(shí)減少起因于連接晶體管的kTC噪聲。在此，也可以是，所述行選擇電路在全部像素同時(shí)復(fù)位后，對屬于所選擇的行的像素共有電路，以與所述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)進(jìn)行將所述檢測電容的復(fù)位電平讀出動(dòng)作、以及在該復(fù)位電平讀出動(dòng)作之后從與該像素共有電路對應(yīng)的1個(gè)所述像素向所述檢測電容轉(zhuǎn)送的電信號(hào)的讀出動(dòng)作。根據(jù)該構(gòu)成，在全局快門動(dòng)作中，能夠高效地進(jìn)行與像素共有電路的行單位對應(yīng)的各像素的電信號(hào)的讀出。在此，也可以是，所述行選擇電路在所述復(fù)位電平讀出動(dòng)作中，使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通后逐漸截止。根據(jù)該構(gòu)成，能夠減少在讀出動(dòng)作時(shí)起因于復(fù)位晶體管的kTC噪聲。在此，也可以是，所述行選擇電路對屬于所選擇的行的像素共有電路，以與所述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)進(jìn)行將從與該像素共有電路對應(yīng)的1個(gè)所述像素向所述檢測電容轉(zhuǎn)送的電信號(hào)的讀出動(dòng)作、以及該電信號(hào)的讀出動(dòng)作之后的所述檢測電容的復(fù)位電平讀出動(dòng)作。根據(jù)該構(gòu)成，例如能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的卷簾快門（rollingshutter）動(dòng)作。在此，也可以是，所述行選擇電路在所述復(fù)位電平讀出動(dòng)作中，使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通后逐漸截止。根據(jù)該構(gòu)成，能夠減少在復(fù)位電平讀出動(dòng)作時(shí)起因于復(fù)位晶體管的kTC噪聲。在此，也可以是，所述行選擇電路在所述電信號(hào)的讀出動(dòng)作中使1個(gè)所述像素內(nèi)的連接晶體管導(dǎo)通，在所述復(fù)位電平讀出動(dòng)作之后，使該連接晶體管逐漸截止。根據(jù)該構(gòu)成，能夠減少起因于連接晶體管的kTC噪聲。本發(fā)明的一個(gè)方面的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法是上述固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法，具有以下工序：讀出屬于同一行的像素共有電路內(nèi)的所述檢測電容的復(fù)位電平的工序；以及讀出從與像素共有電路對應(yīng)的1個(gè)所述像素向所述檢測電容轉(zhuǎn)送的電信號(hào)的工序；以與所述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)進(jìn)行讀出所述復(fù)位電平的工序和讀出所述電信號(hào)的工序，在讀出所述復(fù)位電平的工序中，形成包括所述列信號(hào)線、所述放大電路及所述復(fù)位信號(hào)線的負(fù)反饋路徑，并且使所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通后逐漸截止。在此，也可以是，所述固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法還具有如下工序：在讀出所述復(fù)位電平的工序及讀出所述電信號(hào)的工序之前，使像素共有電路內(nèi)的所述復(fù)位晶體管暫時(shí)導(dǎo)通、并且在所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通的期間內(nèi)使全部像素內(nèi)的所述連接晶體管暫時(shí)導(dǎo)通，從而將全部像素同時(shí)復(fù)位；在所述復(fù)位電平的讀出工序之后進(jìn)行所述電信號(hào)的讀出工序。在此，也可以是，所述固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法在所述電信號(hào)的讀出工序之后進(jìn)行所述復(fù)位電平的讀出工序。在此，也可以是，所述一定數(shù)量的像素是由與1個(gè)列共有電路連接的4個(gè)像素構(gòu)成的像素組，所述固體攝像裝置具有連接控制信號(hào)線，該連接控制信號(hào)線按所述像素共有電路的每行設(shè)置2條，且用于控制所述連接晶體管的連接及斷開，各連接控制信號(hào)線與1個(gè)像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的所述連接晶體管的柵極、以及在列方向上相鄰的其他像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的所述連接晶體管的柵極輸入相連接，在讀出所述電信號(hào)的工序中，從所述1個(gè)像素組中的1個(gè)像素經(jīng)由所述檢測電容讀出電信號(hào)，進(jìn)而從所述其他像素組中的1個(gè)像素經(jīng)由所述檢測電容讀出電信號(hào)，在讀出所述復(fù)位電平的工序中，讀出與所述1個(gè)像素組對應(yīng)的像素共有電路中的所述檢測電容的復(fù)位電平，進(jìn)而讀出與所述其他像素組對應(yīng)的像素共有電路中的所述檢測電容的復(fù)位電平。在此，也可以是，所述固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法還具有：復(fù)位工序，將與所述1個(gè)像素組對應(yīng)的像素共有電路中的所述檢測電容復(fù)位，進(jìn)而將與所述其他像素組對應(yīng)的像素共有電路中的所述檢測電容復(fù)位；以與所述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)依次進(jìn)行所述復(fù)位工序、讀出所述電信號(hào)的工序、讀出所述復(fù)位電平的工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在固體攝像裝置中，能夠容易地增大電信號(hào)量（飽和電荷量）或減少寄生電容，不增大像素間干擾就能夠容易地減少kTC噪聲。附圖說明圖1A是表示實(shí)施方式1、2、3及7中的固體攝像裝置的構(gòu)成的框圖。圖1B是表示實(shí)施方式1、2、3及7中的固體攝像裝置的更詳細(xì)構(gòu)成的電路圖。圖1C是實(shí)施方式1、2、3及7中的像素的截面圖。圖2是說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法的圖。圖3是說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法的圖。圖4是說明本發(fā)明的實(shí)施方式1、2、3及7的固體攝像裝置的圖。圖5A是表示實(shí)施方式4、5、6及7的固體攝像裝置的構(gòu)成的框圖。圖5B是表示實(shí)施方式4、5、6及7的固體攝像裝置的更詳細(xì)構(gòu)成的電路圖。圖6是說明實(shí)施方式1、2、3及7的固體攝像裝置的圖。圖7是表示以往的固體攝像裝置的像素的截面圖。圖8是包括以往的固體攝像裝置的像素的電路圖。圖9A是表示比較參照例的固體攝像裝置的像素的截面圖。圖9B是表示比較參照例的固體攝像裝置的像素的電路圖。圖10是說明比較參照例的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法的圖。圖11是說明本發(fā)明的實(shí)施方式4的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法的圖。圖12是說明本發(fā)明的實(shí)施方式5的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法的圖。圖13是說明本發(fā)明的實(shí)施方式6的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法的圖。圖14是說明本發(fā)明的實(shí)施方式3的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法的圖。圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施方式7的固體攝像裝置的更詳細(xì)構(gòu)成的電路圖。具體實(shí)施方式以下，參照附圖說明本發(fā)明的實(shí)施方式。在圖中，同一標(biāo)記表示同一構(gòu)成要素。首先，為了容易理解本申請發(fā)明的實(shí)施方式，對于發(fā)明人們設(shè)想的成為比較參照例的技術(shù)，使用圖9A、圖9B及圖10來說明噪聲產(chǎn)生的原理。圖9A及圖9B表示層疊型傳感器的一般的1像素的構(gòu)成。在固體攝像裝置上，具有圖9A及圖9B的構(gòu)成的像素配置為成為矩陣的2維狀。圖9A是表示比較參照例的固體攝像裝置的像素的截面圖，圖9B是表示比較參照例的固體攝像裝置的像素的電路圖。901是上電極。光從附圖的上側(cè)入射，入射至光電變換部902，光被變換為電荷（電子和空穴的對）。為了使光入射至光電變換部902，901使用透明的材料。903是像素電極，在與上電極901之間施加電壓，將由光電變換部902生成的電子或空穴的某一方取出到像素電極903中。904是復(fù)位晶體管。905是放大晶體管，輸出與取出到像素電極903中的電子或空穴的數(shù)量相應(yīng)的電壓。906是地址晶體管，僅被選擇的像素的地址晶體管906導(dǎo)通，其他截止。907是蓄積電容。908是電源線。909是復(fù)位信號(hào)線。910是垂直信號(hào)線，輸出信號(hào)從這里被取出。911是復(fù)位控制線。912是地址控制線。蓄積電容907由MIM（金屬-絕緣體-金屬：MetalInsulatorMetal）電容器等形成即可，但成為其電容值與以下的電容相加而得到的值：由上電極901和像素電極903形成的電容、復(fù)位晶體管904的源極（或漏極）與基板的電容、復(fù)位晶體管904的源極（或漏極）與柵極的電容、其他寄生電容等。另外，放大晶體管905的柵極電容在設(shè)放大晶體管905的放大率為α?xí)r加上（1－α）倍的值。將上述各電容組合，蓄積電容907能夠相當(dāng)自由地設(shè)計(jì)。將蓄積電容907的值設(shè)為Cp，將取出的電子或空穴的電荷設(shè)為Q，將向垂直信號(hào)線910的輸出電壓為V，則V以式1表示?！緮?shù)1】(式1)V與入射的光的強(qiáng)度成比例，是該像素的輸出信號(hào)。該層疊型傳感器的驅(qū)動(dòng)方法如圖10所示。圖10是以時(shí)間序列表示各控制線的電壓的圖。Vp是放大晶體管905的柵極的電壓。實(shí)際上，可能會(huì)發(fā)生由地址晶體管906的導(dǎo)通截止引起的變動(dòng)，但是將其忽視。Q是蓄積在放大晶體管905的柵極中的電壓，設(shè)為在無噪聲地復(fù)位后為Q＝0。首先，在曝光期間，通過降低地址控制線的電壓，使地址晶體管906截止。這時(shí)，通過對光電變換部902照射的光而產(chǎn)生電荷，并蓄積在蓄積電容907中。電荷為空穴的情況下，如圖10那樣電位上升。在下一信號(hào)讀出期間，提高地址控制線的電壓，使地址晶體管906導(dǎo)通，使放大晶體管905動(dòng)作，將蓄積的電荷作為信號(hào)電壓V1讀出。在復(fù)位期間中，通過提高復(fù)位控制線的電壓而使復(fù)位晶體管904導(dǎo)通，將Vp復(fù)位為復(fù)位電壓Vres。在復(fù)位讀出期間，通過降低復(fù)位控制線的電壓而使復(fù)位晶體管904截止，將這時(shí)的電壓作為與復(fù)位電壓對應(yīng)的值，得到放大晶體管905的輸出電壓V2。然后，雖然在此沒有記載，通過CDS（相關(guān)雙采樣：correlateddoublesampling）等列共通電路，對讀出的信號(hào)電壓V1減去復(fù)位電壓V2，從而得到以式1表示的輸出電壓V。但是，在該驅(qū)動(dòng)方式中存在以下示出的問題。在復(fù)位期間和復(fù)位讀出期間之間將復(fù)位晶體管904從導(dǎo)通狀態(tài)變化為截止?fàn)顟B(tài)，從而在蓄積電容Cp上重疊復(fù)位晶體管904的噪聲。該噪聲被稱為kTC噪聲，重疊在Q上的噪聲的均方值的平方根以式2表示?！緮?shù)2】(式2)在此，k為波茨曼常數(shù)，T是絕對溫度。將其修改為重疊在放大晶體管905的柵極電極上的電壓后，以式3表示。【數(shù)3】(式3)通過從上述V1減去V2的操作也無法將其除去。這是因?yàn)椋蔀橹丿B在V1上的kTC噪聲的原因的復(fù)位晶體管904的導(dǎo)通截止動(dòng)作是在曝光期間前，而作為重疊在V2上的kTC噪聲的原因的地址晶體管906的導(dǎo)通截止動(dòng)作是在曝光期間后，兩者不同。這是在以往的CCD或MOS傳感器中不曾有過的問題。在這些固體攝像裝置的情況下，由于以下的理由而不產(chǎn)生該問題。復(fù)位動(dòng)作及復(fù)位電壓V2的讀出之后，從光電二極管向浮動(dòng)擴(kuò)散完全轉(zhuǎn)送電荷而得到V1，所以成為kTC噪聲的原因的復(fù)位晶體管的導(dǎo)通截止動(dòng)作對V2及V1產(chǎn)生同樣的影響。由此，通過從V1減去V2，能夠?qū)TC噪聲除去。在層疊型傳感器中，也與以往的固體攝像裝置同樣，能夠?qū)⒐怆姸O管看作光電變換部，采用使用浮動(dòng)擴(kuò)散的構(gòu)造，但是無法將kTC噪聲除去。這是因?yàn)?，在光電變換部與浮動(dòng)擴(kuò)散之間，必須有導(dǎo)體的布線和觸點(diǎn)，將該導(dǎo)體中的大量電荷完全轉(zhuǎn)送是不可能的。如以上那樣，在層疊型傳感器中，產(chǎn)生層疊型傳感器特有的噪聲，所以需要減少該噪聲（如果不減少，則作為隨機(jī)噪聲重疊在圖像信號(hào)上）。為了減少上述噪聲，從式1可知，減小Cp即可。但是，通過該操作會(huì)產(chǎn)生飽和電子數(shù)（能夠由固體攝像裝置的像素檢測的最大電子數(shù)）的降低和像素間干擾增大的問題，因此難以解決這一問題。（飽和電子數(shù)的降低）根據(jù)式1，若Cp變小，則每1個(gè)電子和空穴的電壓增大，但是放大晶體管905在某一定電壓以上則無法進(jìn)行處理，所以較少的電子數(shù)便達(dá)到極限、即飽和，因此發(fā)生飽和電子數(shù)的降低。即，只能將Cp以一定程度增大。（像素間干擾的增大）像素間干擾指的是，在實(shí)際相鄰的像素的蓄積電容907間存在寄生電容Ci，所以相互造成影響，輸出電壓變化。為了將該影響抑制到可以忽視的程度，只能相對于Ci增大Cp。在此，在本發(fā)明中，通過以下的實(shí)施方式記載的方法將kTC噪聲除去。（實(shí)施方式1）以下，參照附圖說明本發(fā)明中的實(shí)施方式1。賦予同一編號(hào)的部件表示同一部位。以下，將晶體管設(shè)想為n型MOS，但是在p型MOS的情況下當(dāng)然也能夠同樣地動(dòng)作。此外，以下在記述為晶體管的源極·漏極的情況下，表示源極或漏極的某一方（這是因?yàn)椋趯?shí)際的元素中，源極和漏極完全相同而無法區(qū)分）。但是，在對其中的某一方施加的電壓比另一方高的情況下，標(biāo)記為漏極。圖1A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的固體攝像裝置的構(gòu)成的框圖。同圖的固體攝像裝置具備：攝像區(qū)域121、垂直掃描電路（行選擇電路）125、列處理電路122、水平掃描電路（列選擇電路）123。攝像區(qū)域121具備多個(gè)像素101和多個(gè)像素共有電路106。多個(gè)像素101排列為2維狀，將入射光變換為電信號(hào)。在同圖中，僅圖示了多個(gè)像素101中的一部分（12個(gè)）像素，但是像素101的數(shù)量實(shí)際上達(dá)到數(shù)萬～數(shù)千萬個(gè)。多個(gè)像素共有電路106排列為矩陣狀。各像素共有電路106由多個(gè)像素101中的相鄰的一定數(shù)量的像素101所共有，按每一定數(shù)量的像素配置1個(gè)。在同圖中，一定數(shù)量為2，但也可以是3以上。列處理電路122具有多個(gè)列共有電路120。列共有電路120按多個(gè)像素共有電路106的每列配置1個(gè)，由屬于同一列的所述像素共有電路共有。各列共有電路120與對應(yīng)的像素共有電路106通過列信號(hào)線113及復(fù)位信號(hào)線114連接。列信號(hào)線113按像素共有電路的每列配置，也被稱為垂直信號(hào)線。復(fù)位信號(hào)線114按像素共有電路的每列配置。水平掃描電路（列選擇電路）123選擇與像素共有電路106的列對應(yīng)的列共有電路120，從選擇的列共有電路120輸出電信號(hào)。在該構(gòu)成中，多個(gè)像素101各自的電信號(hào)由像素共有電路106檢測，進(jìn)而經(jīng)由列信號(hào)線由列共有電路120讀出。在與該讀出不同的復(fù)位動(dòng)作中，由像素共有電路106檢測到的電信號(hào)通過包括列信號(hào)線113、列共有電路120和復(fù)位信號(hào)線114的反饋路徑而被復(fù)位。具體地說，列信號(hào)線113與列共有電路120中的放大電路的輸入端子連接，復(fù)位信號(hào)線114與該放大電路的輸出端子連接。在復(fù)位動(dòng)作中，通過上述反饋路徑，像素共有電路106被復(fù)位為，列共有電路120中的放大電路的輸入端子和輸出端子成為相同電平。這樣，通過由一定數(shù)量的像素共有像素共有電路，從而減小各像素的電路規(guī)模，并且增大像素的設(shè)計(jì)自由度。能夠容易地增大電信號(hào)量（飽和電荷量）或減少寄生電容，不增大像素間干擾就能夠容易地減少kTC噪聲。圖1B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的固體攝像裝置的更詳細(xì)構(gòu)成的電路圖。在同圖中，示出了2個(gè)像素101、1個(gè)像素共有電路106、1個(gè)列共有電路。各像素101具備：光電變換部102，將入射光變換為電信號(hào)；蓄積電容103，蓄積來自光電變換部102的電信號(hào)；以及連接晶體管104，將對應(yīng)的像素共有電路106和蓄積電容103連接。各像素共有電路106具備：復(fù)位晶體管107、檢測電容108、放大晶體管109、選擇晶體管110。復(fù)位晶體管107將檢測電容108和復(fù)位信號(hào)線114連接。復(fù)位晶體管107的柵極與復(fù)位控制線111連接，按照復(fù)位控制信號(hào)φres進(jìn)行導(dǎo)通及截止。更準(zhǔn)確地說，為了使復(fù)位晶體管107從導(dǎo)通向截止逐漸變化，復(fù)位控制信號(hào)φres從高電平向低電平以平緩的傾斜變化。檢測電容108從對應(yīng)的像素101經(jīng)由連接晶體管104檢測蓄積電容103的電信號(hào)并保持。放大晶體管109將檢測電容108的電信號(hào)放大，并輸出至對應(yīng)的列信號(hào)線。選擇晶體管110連接在對應(yīng)的列信號(hào)線和放大晶體管109的源極之間。選擇晶體管110通過從行選擇線112對柵極施加的行選擇信號(hào)（地址信號(hào)）φadd而導(dǎo)通及截止。列共有電路120包括與列信號(hào)線連接的放大電路115。對放大電路115的正輸入端子施加基準(zhǔn)電壓，負(fù)輸入端子與列信號(hào)線113連接。放大電路115的輸出端子與復(fù)位信號(hào)線114連接。通過這樣的構(gòu)成，檢測電容108相對于蓄積電容103獨(dú)立，所以不增大kTC噪聲就能夠增大檢測電容108。由此，能夠增大飽和電子數(shù)，也能夠減少像素間干擾。圖1C表示像素101的截面圖的一例。在同圖中，光電變換部102含有有機(jī)材料，放大晶體管109、復(fù)位晶體管107和連接晶體管104配置在與供光入射的光電變換部102的面相反的面?zhèn)?。光電變換部102典型地如圖9A所示的光電變換部902那樣，具有在電路的上部（將光源的方向作為上部）整面配置為層狀并通過像素電極903與像素101連接的構(gòu)造。但是不限于此，例如也可以是形成于以往的硅基板上的光電二極管。采用光電變換部902這樣的構(gòu)造的情況下，光電變換部的材料并不一定要與基板（通常為硅）相同。例如，可以是非晶硅，也可以包含有機(jī)材料。蓄積電容103的一端與光電變換部102及連接晶體管104連接，另一端與恒壓源（例如接地電平）連接。蓄積電容103作為位于連接晶體管104的光電變換部102側(cè)（將其作為連接晶體管104的源極）的全部電容成分的合計(jì)而記載在圖1B中。在該電容中，包括由圖1C的上電極901和像素電極903形成的電容器的電容、即光電變換部102的電容。此外，還包括連接晶體管104截止時(shí)的源極·柵極間電容。此外，還包括與蓄積電容103連接的布線和與電壓源連接的布線之間的寄生電容。此外，如果需要，只需有意地制作MIM（MetalInsulatorMetal）電容器并連接，就能夠使蓄積電容103增加。也可以連接MOS電容。想要減少蓄積電容103的情況下，減小連接晶體管104的柵極寬度、或減小柵極長度、減小像素電極903、或者對布線的配置采取措施等即可。即，即使由于像素尺寸等而受到限制，也能夠在一定程度上自由地設(shè)計(jì)蓄積電容103。在連接晶體管104的漏極上連接有像素共有電路106。此外，在柵極上連接有連接晶體管控制線105，由此進(jìn)行導(dǎo)通截止控制。連接晶體管控制線105典型地為，按與相同像素共有電路106連接的每個(gè)像素101作為不同的線而設(shè)置。例如，與1個(gè)像素共有電路106連接的像素101為4個(gè)的情況下，使用4條不同的連接晶體管控制線105。由此，僅選擇性地使與1個(gè)像素共有電路106連接的像素101中的、1個(gè)像素101內(nèi)的連接晶體管104導(dǎo)通，而使其他截止。只要能夠?qū)崿F(xiàn)該動(dòng)作，也可以不使用不同的連接晶體管控制線105。像素共有電路106由復(fù)位晶體管107、檢測電容108、放大晶體管109和選擇晶體管110構(gòu)成。像素共有電路106與多個(gè)像素101連接。連接的像素101的個(gè)數(shù)是任意的，但是2個(gè)或4個(gè)的情況較多。在復(fù)位晶體管107的源極·漏極的一方連接有復(fù)位信號(hào)線114，另一方連接有像素101、檢測電容108及放大晶體管109。此外，在柵極上連接有復(fù)位控制線111。檢測電容108是連接有復(fù)位晶體管107的節(jié)點(diǎn)和成為一定電壓的部分的合計(jì)電容。實(shí)際上，包括復(fù)位晶體管107的源極·漏極與基板的接合電容、以及電源線116與上述節(jié)點(diǎn)的寄生電容。檢測電容108隨著放大晶體管109的動(dòng)作狀態(tài)而變化（留待后述）。此外，也隨著各控制線或信號(hào)線的動(dòng)作狀態(tài)而變化。此外，通過MIM電容器等而能夠在一定程度上自由地設(shè)計(jì)電容值，這與蓄積電容103是同樣的。在放大晶體管109的漏極上連接有電源線116。在源極上連接有選擇晶體管110。放大晶體管109檢測對柵極賦予的來自蓄積電容103和檢測電容108的電荷，變換為電壓并以能夠在后級(jí)中處理的程度以低阻抗輸出至列信號(hào)線113。但是，在選擇晶體管110截止的情況下，僅作為由柵極氧化膜形成的電容器進(jìn)行動(dòng)作，沒有放大作用。在選擇晶體管110的漏極上連接有放大晶體管109，在源極上連接有列信號(hào)線113。行選擇線112與柵極連接，在行方向上大量配置的選擇晶體管110中的、僅1行中的選擇晶體管110由行選擇線112選擇性地導(dǎo)通。在列信號(hào)線113和復(fù)位信號(hào)線114的末端連接有放大電路115。放大電路115在各列最少配置有1個(gè)。雖然也可以配置多個(gè)，但是由于固體攝像裝置的面積的制約，通常個(gè)數(shù)受到限制。在放大電路115中有負(fù)輸入和正輸入，對負(fù)輸入輸入列信號(hào)線113、對正輸入輸入?yún)⒄针妷?。該輸入可以是電壓源，也可以通過開關(guān)電容器電路等輸入電壓。實(shí)際的固體攝像裝置將圖1B所示的數(shù)個(gè)像素101和與其對應(yīng)的像素共有電路106作為1組，該組排列為2維狀。此外，作為圖1B的派生電路，例如可以想到圖4及圖6。以下，僅說明它們與圖1B不同的部分。在圖4中，列共有電路120具備：放大電路115a；開關(guān)418，將放大電路115a的輸入端子和輸出端子之間短路或斷開；以及電容器419，插入在放大電路115a的輸出端子和復(fù)位信號(hào)線之間。電容器419也可以插入在放大電路115a的輸入端子和列信號(hào)線113之間。放大電路115a不具有上述輸入端子以外的輸入端子。即，放大電路115a的輸入是單一的。其輸出與直流斷路用的電容器419連接。此外，復(fù)位信號(hào)線114與開關(guān)417連接。在圖6中，放大電路115具備正輸入端子和與列信號(hào)線113連接的負(fù)輸入端子。列共有電路120具備：放大電路115；開關(guān)618，插入在正輸入端子及所述負(fù)輸入端子之間；電壓存儲(chǔ)電容619，與正輸入端子連接。此外，在復(fù)位信號(hào)線114和復(fù)位電壓源之間插入電壓源開關(guān)617。開關(guān)618將正輸入端子和負(fù)輸入端子連接或切斷。電壓源開關(guān)617將復(fù)位電壓源和復(fù)位信號(hào)線114連接或切斷。使用圖2說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的驅(qū)動(dòng)方法。圖2是以時(shí)間序列示出圖1B、圖4及圖6的各部的電壓的圖。另外，在圖2中，設(shè)想了在圖1B、圖4及圖6中與1個(gè)像素共有電路106連接的像素101的個(gè)數(shù)為2的情況。其他個(gè)數(shù)的情況當(dāng)然也可以同樣地考慮。此外，圖2主要關(guān)注圖1B、圖4及圖6所示的數(shù)個(gè)像素101及與其對應(yīng)的像素共有電路106的組中的1個(gè)組的驅(qū)動(dòng)。在以下的記述中，對于包括其他組的固體攝像裝置整體的驅(qū)動(dòng)方法僅做了少許說明，但是作為本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地推測。在圖2中，記載為φadd的是對行選擇線112施加的電壓。記載為φres的是對復(fù)位控制線111施加的電壓。φtran1、φtran2分別是對第1個(gè)像素101的連接晶體管控制線105和第2個(gè)像素101的連接晶體管控制線105施加的電壓。V1是第1個(gè)像素101內(nèi)的蓄積電容103的電壓，V2是第2個(gè)像素101內(nèi)的蓄積電容103的電壓。Vfd是檢測電容108的電壓。在圖2中，在全局復(fù)位期間中，行選擇電路125將全部像素共有電路內(nèi)的復(fù)位晶體管107暫時(shí)導(dǎo)通，并且在復(fù)位晶體管107導(dǎo)通的期間內(nèi)將全部像素內(nèi)的連接晶體管104暫時(shí)導(dǎo)通，從而將全部像素同時(shí)復(fù)位。更具體地說，首先將全部φadd設(shè)為截止。另一方面，將全部φres設(shè)為導(dǎo)通。經(jīng)過一段時(shí)間后，將全部φtran（即全部連接晶體管控制線105）設(shè)為導(dǎo)通。由此，全部像素101內(nèi)的蓄積電容103和復(fù)位信號(hào)線114連接，通過對復(fù)位信號(hào)線114賦予的復(fù)位電壓，將全部蓄積電容103復(fù)位。在圖2中對V1及V2記載了該狀況。另外，用于對復(fù)位信號(hào)線114施加復(fù)位電壓的動(dòng)作根據(jù)圖1B、圖4、圖5B及圖6所示的電路構(gòu)成而不同。在圖1B所示的電路構(gòu)成的情況下，對放大電路115的正輸入端子施加與期望的復(fù)位電壓對應(yīng)的電壓。在圖4及圖6所示的電路構(gòu)成的情況下，分別將開關(guān)417及617設(shè)為導(dǎo)通，對復(fù)位信號(hào)線114施加復(fù)位電壓。當(dāng)然，需要將施加復(fù)位電壓的電壓源分別與開關(guān)417及617連接。經(jīng)過一段時(shí)間后，將全部φtran設(shè)為截止。這時(shí)，連接晶體管104產(chǎn)生的熱噪聲殘留在蓄積電容103中。將其稱為kTC噪聲，噪聲電壓以式4表示?！緮?shù)4】(式4)其中，k為波茨曼常數(shù)，T為固體攝像裝置的絕對溫度，Cp1為蓄積電容103的電容值。為了將上述噪聲電壓變換為電荷量，與電容值相乘即可。由此變換的電荷量以式5表示?！緮?shù)5】(式5)這時(shí)，φtran從導(dǎo)通電壓向截止電壓緩慢地以斜坡（taper）狀下降的方式更能夠減少上述kTC噪聲（在圖2中記載了以斜坡狀下降的波形）。如此能夠減少的理由并不清楚，但是在實(shí)驗(yàn)上已知能夠減少。使φtran以斜坡狀下降所需的時(shí)間大約為1μ秒以上。通過以上的驅(qū)動(dòng)，達(dá)成了作為本發(fā)明的目的之一的全局復(fù)位。然后，將像素曝光。通過曝光，由于從光電變換部102供給的電荷（以下記載為信號(hào)電荷），蓄積電容103的電壓（即V1、V2）變化。電壓的變化量依賴于入射至與像素101對應(yīng)的光電變換部102的光強(qiáng)度。然后，將曝光停止（在圖2中未記載）。典型地，通過將搭載有固體攝像裝置的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)的快門關(guān)閉而能夠?qū)崿F(xiàn)。但是，在上述曝光的期間，快門必須打開。以后，只要沒有特別記載，對各控制線施加的電壓均為截止。將曝光停止后，依次讀出各行的像素101的信號(hào)（該讀出方法留待后述）。這一操作可以通過使搭載于固體攝像裝置的行選擇電路動(dòng)作來實(shí)現(xiàn)。在輪到讀出搭載有圖2中關(guān)注的像素101的行時(shí)（在圖2中相當(dāng)于“FD（浮動(dòng)擴(kuò)散）復(fù)位·讀出”期間開始的時(shí)刻），行選擇電路125對屬于所選擇的行的像素共有電路106，以與共有像素共有電路的一定數(shù)量的像素?cái)?shù)相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)進(jìn)行檢測電容108的復(fù)位電平讀出動(dòng)作（“FD復(fù)位·讀出”期間）和在該復(fù)位電平讀出動(dòng)作之后從與像素共有電路106對應(yīng)的1個(gè)像素101向檢測電容108轉(zhuǎn)送的電信號(hào)的讀出動(dòng)作（“像素讀出”期間）。在“FD復(fù)位·讀出”期間中，首先，將對與連接于像素101的像素共有電路106對應(yīng)的行選擇線112施加的電壓、即φadd設(shè)為導(dǎo)通。同時(shí)，將該行的φres設(shè)為導(dǎo)通。此外，對復(fù)位信號(hào)線114施加復(fù)位電壓。這里的動(dòng)作根據(jù)圖1B、圖4、圖5B及圖6所示的電路構(gòu)成而不同。在圖1B所示的電路構(gòu)成的情況下，對放大電路115的正輸入施加與期望的復(fù)位電壓對應(yīng)的電壓。在圖4所示的電路構(gòu)成的情況下，將開關(guān)417接通，對復(fù)位信號(hào)線114施加復(fù)位電壓。與此同時(shí)，將開關(guān)418接通。然后，將開關(guān)417斷開之后，將開關(guān)418斷開。在圖6所示的電路構(gòu)成的情況下，將開關(guān)617接通，對復(fù)位信號(hào)線114施加復(fù)位電壓。與此同時(shí)，將開關(guān)618接通，將列信號(hào)線113的電壓存儲(chǔ)在電壓存儲(chǔ)電容619中。然后，按照開關(guān)617、開關(guān)618的順序?qū)⑵鋽嚅_。這時(shí)，與該像素101對應(yīng)的像素共有電路106內(nèi)的檢測電容108的電壓Vfd被復(fù)位。此外，這時(shí)，Vfd被放大晶體管109檢測到，所以形成由其與選擇晶體管110、列信號(hào)線113、放大電路115、復(fù)位信號(hào)線114、復(fù)位晶體管107構(gòu)成的負(fù)反饋電路。因此，對檢測電容108的電壓進(jìn)行控制，以使對放大電路115的正輸入端子施加的電壓和負(fù)輸入端子的電壓一致（所謂的虛短路）。接下來，使φres以斜坡的方式變化至截止電壓。即，行選擇電路125在復(fù)位電平讀出動(dòng)作中使復(fù)位晶體管107導(dǎo)通之后，使其逐漸截止。這時(shí)，復(fù)位晶體管107的溝道電阻逐漸增大，由該溝道電阻和檢測電容108形成的所謂RC電路的截?cái)囝l率逐漸下降。因此，即使發(fā)生溝道電阻導(dǎo)致的熱噪聲，也能夠抑制該截?cái)囝l率以上的成分。該截?cái)囝l率低于放大電路115的頻帶時(shí)，該負(fù)反饋電路對于熱噪聲能夠完全控制，即使φres成為截止，在檢測電容108中也能夠不殘留kTC噪聲。這樣，通過負(fù)反饋電路對熱噪聲施加控制時(shí)，需要用于施加負(fù)反饋的充分的時(shí)間，所以必須充分減小斜坡的速度。這大約需要1μ秒以上。斜坡速度過大的情況下，放大電路115的頻帶以上的頻率的熱噪聲無法控制，最終殘留kTC噪聲。這時(shí)，在列信號(hào)線113中出現(xiàn)與復(fù)位電壓Vres對應(yīng)的電壓Vres'，所以進(jìn)行讀出。在此，Vres'如下表達(dá)。【數(shù)6】Vres′=Vres·A+aA是放大晶體管109帶來的源極跟隨電路的電壓增益。a是常數(shù)，由放大晶體管109的閾值偏差等決定。然后，將φtran1設(shè)為導(dǎo)通，進(jìn)行第1個(gè)像素101的讀出（在圖2中記載為像素1讀出）。將蓄積在像素101內(nèi)的蓄積電容103中的信號(hào)電荷也分配給檢測電容108。這時(shí)，從放大晶體管109輸出的信號(hào)電壓Vout以式6表示?！緮?shù)7】(式6)其中，Qsig是信號(hào)電荷，在此忽略由連接晶體管104的寄生電容導(dǎo)致的電壓變動(dòng)（實(shí)際上，使連接晶體管104的柵極電壓變動(dòng)而進(jìn)行導(dǎo)通截止，所以由于寄生電容而對Vout造成影響）。讀出該Vout，通過減去之前得到的Vres'，能夠?qū)res和a除去。進(jìn)行該減法的電路被稱為CDS（correlateddoublesampling）電路，有模擬地進(jìn)行的方法和將各電壓值暫時(shí)通過模數(shù)轉(zhuǎn)換電路變換為數(shù)字值之后再執(zhí)行的方法這2種。經(jīng)過該CDS電路后得到的信號(hào)Vsig以式7表示。【數(shù)8】(式7)√的項(xiàng)表示噪聲，該式準(zhǔn)確地說是均方的平方根的值。Qsig的項(xiàng)表示期望的信號(hào)。已知為了減小噪聲，減小蓄積電容103的電容值Cp1即可。在固體攝像裝置內(nèi)，Cp1可以想到來源于以下原因：由光電變換部102形成的電容值、連接晶體管104的源極與基板之間的電容值、以及布線寄生電容值。相對于此，在圖9A及圖9B所示的以往的固體攝像裝置中，雖然在蓄積電容Cp（準(zhǔn)確地說，貢獻(xiàn)于kTC噪聲的電容）中不存在連接晶體管104導(dǎo)致的電容，但是加上了放大晶體管905的柵極氧化膜的電容。柵極氧化膜非常薄，并且放大晶體管905通常盡量設(shè)計(jì)為大的尺寸（尺寸小的情況下，1/f噪聲等噪聲通常增大），因此柵極氧化膜的電容變得極大，結(jié)果，kTC噪聲變大。即，與以往的固體攝像裝置相比，能夠減小kTC噪聲（上式的√的部分）。此外，雖然存在一定程度的制約，但是通過對布線的配置位置等施加措施而減少布線寄生電容，能夠減少kTC噪聲。越使像素微細(xì)，各電容越減少，所以這里所說的效果越大。在本實(shí)施例的固體攝像裝置中，檢測電容108相對于蓄積電容103獨(dú)立，所以不增大kTC噪聲就能夠增大檢測電容108。由此，能夠使飽和電子數(shù)增大。這是因?yàn)椋谏鲜街蟹帜冈酱?，固體攝像裝置的飽和電子數(shù)越增大。此外，也能夠減少像素間干擾。然后，進(jìn)行從與像素共有電路106連接的另一方的像素101讀出信號(hào)的動(dòng)作。該動(dòng)作與上述同樣，所以省略詳細(xì)說明。在此得到的信號(hào)通過通常內(nèi)置于固體攝像裝置的水平轉(zhuǎn)送電路而依次輸出。在輸出之前，有時(shí)變換為數(shù)字信號(hào)而輸出。這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的，因此省略說明。以下，通過行選擇電路對下一行進(jìn)行掃描，反復(fù)進(jìn)行同樣的驅(qū)動(dòng)。最終行結(jié)束后，全部驅(qū)動(dòng)結(jié)束，得到1張圖像。以上達(dá)成了本發(fā)明的課題。另外，以上所示的技術(shù)主要應(yīng)用于數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)等得到一張圖像的裝置，不適合影片等運(yùn)動(dòng)圖像攝像。如以上那樣，本實(shí)施方式中的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法包括以下工序：讀出屬于同一行的像素共有電路內(nèi)的檢測電容的復(fù)位電平的工序；以及讀出從與像素共有電路對應(yīng)的1個(gè)所述像素向所述檢測電容轉(zhuǎn)送的電信號(hào)的工序。以與所述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)進(jìn)行讀出復(fù)位電平的工序和讀出所述電信號(hào)的工序，在讀出復(fù)位電平的工序中，形成包括列信號(hào)線、放大電路及復(fù)位信號(hào)線的負(fù)反饋路徑，并且將所述復(fù)位晶體管導(dǎo)通之后逐漸截止。此外，上述驅(qū)動(dòng)方法在讀出復(fù)位電平的工序及讀出所述電信號(hào)的工序之前還具有如下的工序：使像素共有電路內(nèi)的復(fù)位晶體管暫時(shí)導(dǎo)通，并且在復(fù)位晶體管導(dǎo)通的期間內(nèi)使全部像素內(nèi)的連接晶體管暫時(shí)導(dǎo)通，由此將全部像素同時(shí)復(fù)位，在復(fù)位電平的讀出工序后進(jìn)行電信號(hào)的讀出工序。（實(shí)施方式2）以下，參照附圖說明本發(fā)明中的實(shí)施方式2。賦予同一編號(hào)的部件表示同一部位。以下，將晶體管設(shè)想為n型MOS，但是在p型MOS的情況下當(dāng)然也能夠同樣地動(dòng)作。此外，以下在記述為晶體管的源極·漏極的情況下，表示源極或漏極的某一方（這是因?yàn)椋趯?shí)際的元素中，源極和漏極完全相同而無法區(qū)分）。但是，在對其中的某一方施加的電壓比另一方高的情況下，標(biāo)記為漏極。在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，電路圖也與圖1B相同。不同點(diǎn)在于驅(qū)動(dòng)方法。圖3表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的驅(qū)動(dòng)方法。各記號(hào)與實(shí)施方式1同樣。圖3主要關(guān)注圖1B所示的數(shù)個(gè)像素101及與其對應(yīng)的像素共有電路106的組中的1個(gè)組的驅(qū)動(dòng)。在以下的記述中，對于包括其他組的固體攝像裝置整體的驅(qū)動(dòng)方法只做了少許說明，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠容易地推測。圖3示出的是被稱為旋轉(zhuǎn)復(fù)位的驅(qū)動(dòng)方法。旋轉(zhuǎn)復(fù)位是按每行在不同的時(shí)刻復(fù)位像素的驅(qū)動(dòng)方法，主要用于拍攝運(yùn)動(dòng)圖像的情況?；蛘?，在搭載有焦平面快門這樣的能夠進(jìn)行高速動(dòng)作的快門的數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)中也能夠應(yīng)用。這種情況下，將快門關(guān)閉時(shí)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)復(fù)位，從而進(jìn)行全部像素復(fù)位。然后，使快門動(dòng)作而曝光即可。另一方面，在使用難以進(jìn)行高速動(dòng)作的快門（例如透鏡快門）的情況下，在旋轉(zhuǎn)復(fù)位中難以進(jìn)行高速快門攝影。這是因?yàn)?，將快門關(guān)閉而進(jìn)行旋轉(zhuǎn)復(fù)位之后，需要進(jìn)行高速打開及高速關(guān)閉的動(dòng)作、即一個(gè)往返量的動(dòng)作。但是，如果使用實(shí)施方式1這樣的全局復(fù)位，則僅在關(guān)閉快門時(shí)進(jìn)行高速動(dòng)作，也就是說，僅單程即可，所以能夠進(jìn)行相對高速快門攝影。進(jìn)行旋轉(zhuǎn)復(fù)位即可的情況下，通過以下的驅(qū)動(dòng)方法，能夠比實(shí)施方式1更好地降低噪聲。以下參照圖3依次說明。圖3設(shè)想了進(jìn)行運(yùn)動(dòng)圖像攝影的情況。關(guān)于數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)這樣的得到單一圖像的情況，將在最后說明。行選擇電路125對屬于所選擇的行的像素共有電路106，以與上述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)進(jìn)行從與像素共有電路106對應(yīng)的1個(gè)像素向檢測電容108轉(zhuǎn)送的電信號(hào)的讀出動(dòng)作（“像素讀出”期間）和在該電信號(hào)的讀出動(dòng)作后的檢測電容108的復(fù)位電平讀出動(dòng)作（“FD復(fù)位讀出”期間）。首先，通過行選擇電路進(jìn)行行掃描，并且設(shè)為到達(dá)關(guān)注的像素101所存在的行。進(jìn)行與像素共有電路106連接的2個(gè)像素101中的（也可以不是2個(gè)，但是在此為便于說明，作為2個(gè)來說明）作為第1個(gè)的像素1讀出。這時(shí)，使與像素1對應(yīng)的連接晶體管控制線105的電壓、即φtran1的電壓上升到導(dǎo)通電平，使連接晶體管104導(dǎo)通。由此，將蓄積在蓄積電容103中的信號(hào)電荷分配給檢測電容108。這時(shí)，從放大晶體管109輸出的信號(hào)電壓Vout以式8表示?！緮?shù)9】(式8)關(guān)于平方根的項(xiàng)留待后述，是表示kTC噪聲的項(xiàng)。然后，將放大晶體管109的柵極電壓復(fù)位。在圖3中將該工序記載為FD復(fù)位讀出。提高φres的電壓，將復(fù)位晶體管107設(shè)為導(dǎo)通。由此，從復(fù)位信號(hào)線114供給復(fù)位電壓（這里與實(shí)施方式1同樣），放大晶體管109的柵極電壓被復(fù)位。然后，使φres以斜坡狀下降，使復(fù)位晶體管107截止。這時(shí)，通過放大電路施加負(fù)反饋，所以不殘留kTC噪聲，到此為止與前述相同。此外，對于圖4及圖6所示的電路構(gòu)成的情況，是與實(shí)施方式1相同的驅(qū)動(dòng)方法。在該時(shí)刻，使CDS電路動(dòng)作，出現(xiàn)與復(fù)位電壓Vres對應(yīng)的電壓Vres'，所以進(jìn)行讀出。在此，Vres'如下表示?！緮?shù)10】Vres′＝Vres·A+a但是，該Vres讀出也可以是使φres的電壓下降之前的時(shí)刻。但是，這種情況下，重疊有連接晶體管104的寄生電容導(dǎo)致的電壓偏置，所以并不優(yōu)選。然后，通過CDS電路得到與信號(hào)電荷對應(yīng)的值，這與實(shí)施方式1相同。然后，使φtran1的電壓以斜坡狀下降，使連接晶體管104截止。即，行選擇電路125在電信號(hào)的讀出動(dòng)作中將1個(gè)像素內(nèi)的連接晶體管104設(shè)為導(dǎo)通，在復(fù)位電平讀出動(dòng)作之后使連接晶體管104逐漸截止。使連接晶體管104截止時(shí)，殘留在蓄積電容103中的噪聲電荷以式9表示，受到蓄積電容103的值Cp1和檢測電容108的值Cp2的雙方影響?！緮?shù)11】(式9)該值是比實(shí)施方式1更小的值，所以在可以采用旋轉(zhuǎn)復(fù)位的情況下，通過使用該驅(qū)動(dòng)方法，能夠進(jìn)一步減小噪聲。然后，對于像素2也進(jìn)行同樣的工序，固體攝像裝置的1行量的工序結(jié)束。通過一邊對各行進(jìn)行掃描一邊進(jìn)行上述工序，能夠從固體攝像裝置得到圖像。（實(shí)施方式3）參照附圖說明本發(fā)明的實(shí)施方式3中的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法。在實(shí)施方式1中，向CDS電路讀入復(fù)位電壓時(shí)，將φtran設(shè)為截止。與此相對，在讀出信號(hào)電壓時(shí)將φtran設(shè)為導(dǎo)通。因此，在信號(hào)電壓的讀出時(shí)，受到連接晶體管104的寄生電容的影響。即，在將φtran的導(dǎo)通電壓與連接晶體管104的閾值電壓之差設(shè)為ΔV、將上述寄生電容設(shè)為Cc時(shí)，在信號(hào)電壓上重疊式10的電壓?！緮?shù)12】(式10)該電壓ΔV依賴于連接晶體管104的閾值電壓。另外，連接晶體管104的閾值電壓在各個(gè)像素101中通常有偏差，反映了該偏差的固定模式噪聲被重疊在輸出圖像上。為了解決該問題，在讀入復(fù)位電壓時(shí)，將φtran設(shè)為導(dǎo)通，使得在復(fù)位電壓上也重疊上式即可。圖14表示用于該處理的驅(qū)動(dòng)方法。以下使用該圖進(jìn)行說明。首先，到全局復(fù)位、曝光、（關(guān)注的像素以外的）其他行讀出為止與圖2相同。然后，F(xiàn)D復(fù)位、像素1讀出也與圖2相同。然后，進(jìn)行復(fù)位電壓讀出。在此，首先將φres設(shè)為導(dǎo)通，對復(fù)位信號(hào)線114施加復(fù)位電壓，將檢測電容108、蓄積電容103一起通過復(fù)位電壓復(fù)位（該方法與實(shí)施方式1所記載相同）。然后，一邊使負(fù)反饋電路動(dòng)作，一邊將φres以斜坡狀設(shè)為截止。即，行選擇電路125在復(fù)位電平讀出動(dòng)作中，將復(fù)位晶體管107設(shè)為導(dǎo)通之后逐漸設(shè)為截止。將復(fù)位晶體管107設(shè)為截止之后，連接晶體管104（及復(fù)位晶體管107）成為與像素1讀出時(shí)相同的柵極電壓，重疊有以上式表示的電壓。因此，如果在該時(shí)刻將復(fù)位電壓讀出到CDS電路中，并將該復(fù)位電壓從像素1讀出時(shí)得到的信號(hào)電壓減去，則能夠?qū)⒓纳娙莸挠绊懗ァＨ缓?，對像?及其他行也進(jìn)行同樣的動(dòng)作，從而得到輸出圖像。如以上所述，本實(shí)施方式中的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法包括以下工序：讀出屬于同一行的像素共有電路內(nèi)的檢測電容的復(fù)位電平的工序；讀出從與像素共有電路對應(yīng)的1個(gè)像素向上述檢測電容轉(zhuǎn)送的電信號(hào)的工序。以與上述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)進(jìn)行讀出復(fù)位電平的工序和讀出上述電信號(hào)的工序，在讀出復(fù)位電平的工序中，形成包括列信號(hào)線、放大電路及復(fù)位信號(hào)線的負(fù)反饋路徑，并且使復(fù)位晶體管導(dǎo)通之后逐漸截止。此外，上述驅(qū)動(dòng)方法在進(jìn)行所述電信號(hào)的讀出工序之后進(jìn)行所述復(fù)位電平的讀出工序。（實(shí)施方式4）參照附圖說明本發(fā)明中的實(shí)施方式4。圖5A是表示實(shí)施方式4的固體攝像裝置的構(gòu)成的框圖。同圖中記載的固體攝像裝置與圖1A中記載的固體攝像裝置相比不同點(diǎn)在于，像素共有電路106不由2個(gè)像素共有，而是由4個(gè)像素共有。此外，圖5B是本發(fā)明中的實(shí)施方式4的固體攝像裝置的電路圖。示出了排列為二維狀的多個(gè)像素101及像素共有電路106中的一部分及列共有電路的一部分。在圖5A及圖5B中，標(biāo)記與圖1A及圖1B重復(fù)的部分表示相同要素，對于相同點(diǎn)省略說明。將共有列供給電路的一定數(shù)量的像素稱為由與1個(gè)像素共有電路106a或106b連接的4個(gè)像素構(gòu)成的像素組。固體攝像裝置具有連接晶體管控制線511a、511b，該連接晶體管控制線511a、511b按像素共有電路的每行設(shè)置2條，且用于控制連接晶體管104的連接及斷開。連接晶體管控制線511a及511b與像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的連接晶體管104的柵極和列方向上相鄰的其他像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的連接晶體管104的柵極連接。即，各連接晶體管控制線由2個(gè)像素組共有。在圖5A及圖5B中，雖然像素共有電路由4個(gè)像素共有，但不需要在4個(gè)像素中具備單獨(dú)的（4條）連接晶體管控制線，能夠?qū)⑦B接晶體管連接線的總數(shù)減半。更詳細(xì)地說，在圖5B中，構(gòu)成為1個(gè)像素共有電路106a或106b連接有4個(gè)像素101。根據(jù)圖1B的構(gòu)成，對于各個(gè)像素101需要連接晶體管控制線105，但是在圖5B中能夠?qū)⑵錀l數(shù)減半。在圖5B中特征在于，不同的像素組的2個(gè)像素101共有1條連接晶體管控制線（圖5B中的511a及511b）。圖11是表示對該電路進(jìn)行全局復(fù)位的情況的驅(qū)動(dòng)方法。但是，對于圖5B中的像素101a，在圖11中記載為像素a。同樣地，將像素101b記載為像素b，將像素101c記載為像素c，將像素101d記載為像素d。此外，將對行選擇線112a施加的電壓記載為φadd1，將對行選擇線112b施加的電壓記載為φadd2，將對連接晶體管控制線511a施加的電壓記載為φtran1，將對連接晶體管控制線511b施加的電壓記載為φtran2。另外，將像素共有電路106a內(nèi)的放大晶體管109的柵極部記載為FD1，將像素共有電路106b內(nèi)的放大晶體管109的柵極部記載為FD2。首先，全局復(fù)位的工序與實(shí)施方式1相同。即，對固體攝像裝置內(nèi)的全部復(fù)位晶體管控制線施加導(dǎo)通電壓，并且對全部連接晶體管控制線施加導(dǎo)通電壓之后使其截止。這時(shí)，通過將對連接晶體管控制線供給的電壓以斜坡狀設(shè)為截止，能夠進(jìn)一步減少噪聲，這也與實(shí)施方式1相同。然后進(jìn)行曝光，然后對各行的像素信號(hào)等進(jìn)行掃描而依次讀出。輪到關(guān)注的像素時(shí)，首先進(jìn)行FD1復(fù)位的工序。在此，首先將φadd1設(shè)為導(dǎo)通，將φres1設(shè)為導(dǎo)通，對復(fù)位信號(hào)線施加復(fù)位電壓。（該方法與到目前為止說明的方法相同。另外，容易將與圖4及圖6同樣的電路應(yīng)用于圖5A記載的固體攝像裝置的構(gòu)成），然后一邊使負(fù)反饋電路進(jìn)行動(dòng)作，一邊使φres1以斜坡狀截止，由此防止向FD1的kTC噪聲。另外，此時(shí)，對垂直信號(hào)線輸出（與）復(fù)位電壓（對應(yīng)的電壓），因此通過CDS電路進(jìn)行采樣。然后，進(jìn)行FD2復(fù)位的工序。該工序是對FD2進(jìn)行與FD1同樣操作的工序，代替φadd1、φres1而使φadd2、φres2動(dòng)作。然后，進(jìn)行像素a讀出的工序。將φadd1和φtran1設(shè)為導(dǎo)通，將與蓄積在像素a中的電荷對應(yīng)的電壓讀出到垂直信號(hào)線（以及再之前連接的CDS電路）中。然后，進(jìn)行像素b讀出的工序。將φadd1設(shè)為截止，將φadd2設(shè)為導(dǎo)通，將與蓄積在像素b中的電荷對應(yīng)的電壓讀出到垂直信號(hào)線（以及再之前連接的CDS電路）。在此使用的CDS電路可以是與像素a相同的電路，但是想要增大向固體攝像裝置外輸出的速度的情況下，也可以另外準(zhǔn)備不同的CDS電路而并行動(dòng)作。這種情況下，在垂直信號(hào)線和CDS電路間另外準(zhǔn)備開關(guān)，與垂直信號(hào)線及CDS電路的某一方連接。然后，接下來進(jìn)行FD1復(fù)位、FD2復(fù)位、像素c讀出、像素d讀出。這只是替換φtran1和φtran2，與上述同樣。此外，也可以對像素a、像素b、像素c、像素d分別另外地準(zhǔn)備CDS電路，由此使輸出進(jìn)一步高速化。如以上說明，在本實(shí)施方式的固體攝像裝置中，上述一定數(shù)量的像素是由與1個(gè)列共有電路連接的4個(gè)像素構(gòu)成的像素組。固體攝像裝置具有連接晶體管控制線511a及511b，該連接晶體管控制線511a及511b按像素共有電路的每行設(shè)置2條，且用于控制連接晶體管的連接及斷開。各連接控制信號(hào)線與1個(gè)像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的連接晶體管的柵極和在列方向上相鄰的其他像素組中的1個(gè)像素內(nèi)的連接晶體管的柵極輸入相連接。本實(shí)施方式的固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法，在讀出像素信號(hào)的工序中，從1個(gè)像素組中的1個(gè)像素經(jīng)由檢測電容讀出電信號(hào)，進(jìn)而從其他像素組中的1個(gè)像素經(jīng)由上述檢測電容讀出電信號(hào)，在讀出復(fù)位電平的工序中，讀出與1個(gè)像素組對應(yīng)的像素共有電路中的檢測電容的復(fù)位電平，進(jìn)而讀出與其他像素組對應(yīng)的像素共有電路中的上述檢測電容的復(fù)位電平。此外，固體攝像裝置的驅(qū)動(dòng)方法也可以還具有：復(fù)位工序，將與1個(gè)像素組對應(yīng)的像素共有電路中的所述檢測電容復(fù)位，進(jìn)而將與其他像素組對應(yīng)的像素共有電路中的上述檢測電容復(fù)位。這種情況下，以與上述一定數(shù)量相同的次數(shù)，對不同的像素反復(fù)依次進(jìn)行復(fù)位工序、讀出電信號(hào)的工序、讀出復(fù)位電平的工序。（實(shí)施方式5）參照附圖說明本發(fā)明中的實(shí)施方式5。實(shí)施方式5是實(shí)施方式4的驅(qū)動(dòng)方法的改良，圖5B是固體攝像裝置的電路圖。圖12表示實(shí)施方式5中的驅(qū)動(dòng)方法。在本實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)方法中，到全局復(fù)位、曝光、其他行讀出期間、FD1復(fù)位、FD2復(fù)位、像素a讀出及像素b讀出為止，與實(shí)施方式4的驅(qū)動(dòng)方法相同。但是，在FD1復(fù)位和FD2復(fù)位中不讀出復(fù)位電壓，而是在下一工序中讀出。由此，能夠防止連接晶體管104的閾值電壓的偏差導(dǎo)致的固定模式噪聲（在實(shí)施方式3中已詳述）。在FD1復(fù)位讀出的工序中，進(jìn)行與前工序的FD1復(fù)位同樣的電路動(dòng)作（但是，φtran1導(dǎo)通這一點(diǎn)不同），將FD1復(fù)位。接下來，在使φres1完全截止時(shí)，從垂直信號(hào)線將（與）復(fù)位電壓（對應(yīng)的電壓）讀出到CDS電路中。由此，得到與實(shí)施方式3同樣的效果。之后的工序同樣，因此省略說明。（實(shí)施方式6）參照附圖說明本發(fā)明中的實(shí)施方式6。圖13是在圖5A所示的固體攝像裝置中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)復(fù)位的情況的驅(qū)動(dòng)方法。圖13僅示出了在圖5B中示出的4像素量的驅(qū)動(dòng)方法。位于這些像素上下的像素的驅(qū)動(dòng)工序通過配置于圖13記載的工序的前后，由此從固體攝像裝置整體的像素讀出信號(hào)，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說容易理解。首先，在圖13所示的工序中，到FD1復(fù)位、FD2復(fù)位、像素a讀出、像素b讀出、FD1復(fù)位讀出、FD2復(fù)位讀出的工序?yàn)橹梗c實(shí)施方式5所示的工序的要領(lǐng)完全相同。然后，在像素a、b復(fù)位工序中，通過將φtran1設(shè)為截止，將像素a和像素b復(fù)位。這時(shí)，通過使φtran1斜坡式地截止，能夠進(jìn)一步減少噪聲，這與到此為止說明的相同。然后，對于像素c及d也同樣，因此省略詳細(xì)說明。（實(shí)施方式7）參照附圖說明本發(fā)明中的實(shí)施方式7。在到此為止說明的本發(fā)明中的固體攝像裝置中，假定為各個(gè)像素沒有干擾，但是實(shí)際上在像素間存在寄生電容，相互受到影響。圖15是說明該情況的圖，是表示實(shí)施方式7中的固體攝像裝置的更詳細(xì)構(gòu)成的電路圖。圖15所記載的電路構(gòu)成與圖1B記載的電路構(gòu)成基本相同，但是在像素101a和像素101b之間存在寄生電容1520a（將該電容值設(shè)為Ci1），在像素101b和像素101c之間存在寄生電容1520b（將該電容值設(shè)為Ci2）。關(guān)注像素101a和像素101b，在Ci1＝0時(shí)，將像素101a的信號(hào)電壓設(shè)為Va，將像素101b的信號(hào)電壓設(shè)為Vb。其中，將這些信號(hào)電壓設(shè)為對與各個(gè)像素101對應(yīng)的連接晶體管控制線105施加導(dǎo)通電壓時(shí)、在列信號(hào)線113中出現(xiàn)的電壓。此外，為便于說明，設(shè)放大晶體管109的放大率為1。在該狀態(tài)（不使光電變換導(dǎo)致的電荷變化）下，將Ci1≠0時(shí)的像素101a的信號(hào)電壓設(shè)為Va'、像素101b的信號(hào)電壓設(shè)為Vb'時(shí)，Va'以式11表示。【數(shù)13】(式11)來自像素101a的理想的輸出電壓為Va，但實(shí)際上成為Va'，因此Va與Va'之差作為偽信號(hào)而重疊。例如，設(shè)固體攝像裝置的像素為拜耳排列，且像素101a對應(yīng)于綠，像素101b對應(yīng)于紅，將紅色入射至固體攝像裝置時(shí)，雖然理想地必須為Va＝0，但是由于Va≠0，所以作為偽色輸出。根據(jù)上式，為了防止該情況，使Ci1相對于Cp1及Cp2充分小即可。優(yōu)選為，蓄積電容和檢測電容的電容值的合計(jì)為互為相鄰的像素內(nèi)的蓄積電容的耦合電容值的10倍以上。特別是，若使用電容付加等的方法來增大Cp2，則不增加kTC噪聲就能夠抑制偽信號(hào)。特別是，若設(shè)定為10×Ci1＜Cp1＋Cp2這樣的關(guān)系，則偽信號(hào)與本來的信號(hào)相比成為約10分之1。這被認(rèn)為是在通常的固體攝像裝置的使用條件中必要的條件。以上基于實(shí)施方式說明了本發(fā)明的固體攝像裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式。只要不脫離本發(fā)明的主旨，對本實(shí)施方式施以本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的各種變形、或者將不同的實(shí)施方式中的構(gòu)成要素組合而構(gòu)成的方式也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明中的固體攝像裝置及其驅(qū)動(dòng)方法能夠在電子靜態(tài)照相機(jī)、監(jiān)視攝像機(jī)、視頻攝像機(jī)等中利用，是有用的。標(biāo)記說明：101、101a～101d像素102光電變換部103蓄積電容104連接晶體管105連接晶體管控制線106、106a、106b像素共有電路107復(fù)位晶體管108檢測電容109放大晶體管110選擇晶體管111復(fù)位控制線112行選擇線113列信號(hào)線114復(fù)位信號(hào)線115放大電路116電源線120列共有電路121攝像區(qū)域122列處理電路417、418、617、618開關(guān)419直流斷路電容511連接晶體管控制線619電壓存儲(chǔ)電容