電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，包括如下步驟：S1：提供襯底；S2：在襯底的正面淀積絕緣材料以形成第一絕緣層；S3：在第一絕緣層上淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成可動(dòng)敏感層，在所形成的可動(dòng)敏感層上形成若干窄槽以定義振動(dòng)體、圍設(shè)在振動(dòng)體的外圍的框體、以及連接框體和振動(dòng)體的梁；S4：在可動(dòng)敏感層上淀積絕緣材料以形成第二絕緣層，在第二絕緣層上淀積導(dǎo)電物質(zhì)以制作背極板；S5：在背極板上形成若干聲孔；S6：形成金屬壓焊點(diǎn)；S7：在襯底上形成背腔，背腔自襯底的背面朝正面延伸并貫穿襯底；以及，S8：去除部分第一絕緣層以于襯底背面露出振動(dòng)體并使振動(dòng)體和梁懸空，去除振動(dòng)體、梁與背極板之間的第二絕緣層。
【專利說明】電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]MEMS技術(shù)是近年來高速發(fā)展的一項(xiàng)高新技術(shù)，它采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，實(shí)現(xiàn)MEMS器件的批量制造，與對(duì)應(yīng)的傳統(tǒng)器件相比，MEMS器件在體積、功耗、重量以及價(jià)格方面有十分明顯的優(yōu)勢(shì)。市場(chǎng)上，MEMS器件的主要應(yīng)用實(shí)例包括壓力傳感器、加速度計(jì)及硅麥克風(fēng)等。
[0003]裝配麥克風(fēng)至電路板的自動(dòng)化表面貼裝工藝需經(jīng)歷高溫，傳統(tǒng)駐極體麥克風(fēng)(ECM)在高溫下會(huì)發(fā)生電荷泄漏，致使ECM失效，因此ECM的裝配只能采用手工裝配。電容式微硅麥克風(fēng)可以耐受高溫，能采用表面貼裝工藝以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)裝配，另外電容式微硅麥克風(fēng)在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐受性、成本及量產(chǎn)能力上與ECM比都有相當(dāng)優(yōu)勢(shì)，采用MEMS技術(shù)制造的電容式微硅麥克風(fēng)將迅速作為ECM的代替者迅速占領(lǐng)手機(jī)、PDA、MP3及助聽器等消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)。
[0004]雖然對(duì)電容式微硅麥克風(fēng)的研究已經(jīng)開展有二十余年，具體實(shí)現(xiàn)電容式微硅麥克風(fēng)的方法很多，但電容式微硅麥克風(fēng)制作中遇到的一個(gè)主要問題就是振動(dòng)體應(yīng)力的控制?，F(xiàn)有薄膜制備手段基本采用淀積，通過淀積得到的振動(dòng)體會(huì)存在較大的殘余應(yīng)力，通常包括熱失配應(yīng)力和本征應(yīng)力兩種。殘余應(yīng)力對(duì)電容式微硅麥克風(fēng)特性有很大影響，甚至使其失效不能工作。大的殘余張應(yīng)力會(huì)顯著降低振動(dòng)體的機(jī)械靈敏度，而振動(dòng)體的機(jī)械靈敏度與電容式微硅麥克風(fēng)的關(guān)鍵指標(biāo)——靈敏度成正比，因此大的殘余應(yīng)力會(huì)降低電容式微硅麥克風(fēng)的靈敏度。另外大的殘余壓應(yīng)力可能導(dǎo)致振動(dòng)體發(fā)生屈曲，從而使電容式微硅麥克風(fēng)失效。
[0005]提高電容式微硅麥克風(fēng)靈敏度可通過改進(jìn)制備方法——淀積，或采用一些附加工藝如退火等來減小振動(dòng)體的殘余應(yīng)力，但是采用這種方法對(duì)減小殘余應(yīng)力的效果不大，而且重復(fù)性不好，實(shí)現(xiàn)也較為復(fù)雜；另外一個(gè)重要途徑就是對(duì)振動(dòng)體結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，使振動(dòng)體的機(jī)械靈敏度，但現(xiàn)有工藝中其加工工藝復(fù)雜。
[0006]有鑒于此，有必要對(duì)現(xiàn)有的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法予以改進(jìn)以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種可提高靈敏度和減小體積的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法。
[0008]為實(shí)現(xiàn)前述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，包括如下步驟:
S1:提供具有正面和背面的襯底；
S2:在所述襯底的正面采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積絕緣材料以形成第一絕緣層； S3:在所述第一絕緣層上采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成可動(dòng)敏感層，在所形成的可動(dòng)敏感層上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成若干窄槽以定義振動(dòng)體、圍設(shè)在所述振動(dòng)體的外圍的框體、以及連接所述框體和振動(dòng)體的梁；
S4:在所述可動(dòng)敏感層上采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積絕緣材料以形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成背極板；
55:在所述背極板上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成若干聲孔；
56:形成金屬壓焊點(diǎn)；
S7:在所述襯底上進(jìn)行深硅刻蝕制作背腔，所述背腔自所述襯底的背面朝正面延伸并貫穿所述襯底；
以及，S8:采用緩沖氫氟酸溶液濕法腐蝕去除部分第一絕緣層以于襯底背面露出振動(dòng)體并使所述振動(dòng)體和梁懸空，去除振動(dòng)體、梁與背極板之間的第二絕緣層。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述S4步驟還包括:在所述第二絕緣層上形成若干凹槽，于所述凹槽內(nèi)淀積以形成凸點(diǎn)。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述凹槽通過在第二絕緣層上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成。
[0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述凸點(diǎn)采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述第二絕緣層上淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成。
[0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述凸點(diǎn)與所述聲孔錯(cuò)位設(shè)置。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述聲孔位于所述振動(dòng)體的正上方。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，在所述可動(dòng)敏感層上還形成有若干短縫，所述短縫自所述窄槽沿梁的側(cè)邊朝所述振動(dòng)體或框體延伸所形成。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述S3步驟還包括:在所述可動(dòng)敏感層上還形成有若干短縫，所述短縫自所述窄槽沿梁的側(cè)邊分別朝振動(dòng)體和框體延伸所形成。
[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述梁為柔性梁。
[0017]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述振動(dòng)體的形狀為矩形，所述梁設(shè)置在所述振動(dòng)體的四個(gè)端腳。
[0018]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法通過在所形成的可動(dòng)敏感層上形成若干窄槽以定義出振動(dòng)體、圍設(shè)在振動(dòng)體的外圍且固定在第一絕緣層上的框體、以及連接框體和振動(dòng)體的梁，然后使該振動(dòng)體懸空，使振動(dòng)體能夠充分釋放殘余應(yīng)力，從而提高了電容式微硅麥克風(fēng)的靈敏度，并且減小了電容式微硅麥克風(fēng)的體積，除此以夕卜，通過上述制造方法可在不同批次中可得到均勻性和一致性的電容式微硅麥克風(fēng)，而且還能降低在后續(xù)封裝時(shí)所引入的應(yīng)力對(duì)麥克風(fēng)靈敏度造成的影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明【具體實(shí)施方式】中實(shí)施例一的電容式微娃麥克風(fēng)的局部剖視圖。
[0020]圖2為圖1中電容式微硅麥克風(fēng)的可動(dòng)敏感層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖3至圖12為本發(fā)明【具體實(shí)施方式】中電容式微硅麥克風(fēng)的工藝流程圖。
[0022]圖13為本發(fā)明【具體實(shí)施方式】中第二種振動(dòng)體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖14為本發(fā)明【具體實(shí)施方式】中第三種振動(dòng)體的結(jié)構(gòu)示意圖。[0024]圖15為本發(fā)明【具體實(shí)施方式】中實(shí)施例二的電容式微硅麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0025]請(qǐng)參見圖1和圖12，本發(fā)明一實(shí)施例中的電容式微硅麥克風(fēng)包括具有正面11和背面12的襯底1、設(shè)置在襯底I正面11且具有導(dǎo)電功能的可動(dòng)敏感層3、設(shè)置在可動(dòng)敏感層3上且具有導(dǎo)電功能的背極板72、設(shè)置在襯底I正面11和可動(dòng)敏感層3之間且用以支撐可動(dòng)敏感層3的第一支撐部23、設(shè)置在可動(dòng)敏感層3和背極板72之間且用以支撐背極板72的第二支撐部62、分別形成在可動(dòng)敏感層3和背極板72上的若干金屬壓焊點(diǎn)14、以及形成在背極板72和可動(dòng)敏感層3之間的腔體8。背極板72上開設(shè)有若干聲孔73。
[0026]請(qǐng)結(jié)合圖2，可動(dòng)敏感層3包括振動(dòng)體32、圍設(shè)在該振動(dòng)體32外圍的框體33、形成在振動(dòng)體32和框體33之間的若干窄槽4、以及自振動(dòng)體32朝框體33延伸以連接振動(dòng)體32和框體33的梁31。振動(dòng)體32和梁31為懸空設(shè)置，該懸空的振動(dòng)體32為可動(dòng)敏感層3中的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。第一支撐部23位于框體33與襯底I之間。第二支撐部62位于框體33和背極板72之間。腔體8形成在振動(dòng)體32和背極板72之間。振動(dòng)體32和背極板72形成一電容，振動(dòng)體32和背極板72分別作為該電容的兩個(gè)電極板。
[0027]窄槽4的數(shù)量為四個(gè)，且分別設(shè)置在振動(dòng)體32的周邊。上述振動(dòng)體32、框體33和梁31通過在可動(dòng)敏感層3上開設(shè)窄槽4定義而成。梁31為柔性梁，數(shù)量為四個(gè)。振動(dòng)體32的形狀呈矩形，四個(gè)柔性梁31分別設(shè)置在振動(dòng)體32的四個(gè)端腳上。誠然，該振動(dòng)體32和梁31還可以為其他形狀，如圖13、圖14所示的形狀。
[0028]可動(dòng)敏感層3還包括設(shè)置在梁31外圍的短縫34。在本實(shí)施例中，該短縫34自窄槽4沿梁31的側(cè)邊分別朝框體33和振動(dòng)體32延伸所形成。誠然，該短縫34也可以自窄槽4沿梁31的側(cè)邊僅朝振動(dòng)體32延伸形成，或者該短縫34自窄槽4沿梁31的側(cè)邊僅朝框體33延伸形成。
[0029]襯底I為低阻硅，或者有金屬覆蓋表面的玻璃。襯底I用以起支撐作用。襯底I包括自背面12朝正面11凹陷并貫穿該襯底I以露出振動(dòng)體32的背腔13。背極板72上設(shè)置有朝向振動(dòng)體32的防粘著結(jié)構(gòu)71。該防粘著結(jié)構(gòu)71為自背極板72朝振動(dòng)體32突伸所形成的凸點(diǎn)。該凸點(diǎn)71與背極板72上的聲孔73錯(cuò)位設(shè)置。通過該凸點(diǎn)71能夠有效的防止背極板72黏附到振動(dòng)體32上。
[0030]在本實(shí)施例中，可動(dòng)敏感層3與襯底I為兩個(gè)獨(dú)立的部分，且可動(dòng)敏感層3通過第一支撐部23支撐并固定在襯底I的上方，但除本實(shí)施例外，該可動(dòng)敏感層3也可以為襯底I的一部分，即將可動(dòng)敏感層3和襯底I合并。
[0031]上述電容式微娃麥克風(fēng)通過在可動(dòng)敏感層3上設(shè)置振動(dòng)體32、圍設(shè)在振動(dòng)體32外圍的框體33、以及連接框體33和振動(dòng)體32的梁31，使振動(dòng)體32能夠充分的釋放殘余應(yīng)力，從而使電容式微硅麥克風(fēng)具有高靈敏度和體積小的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，又由于背極板72上設(shè)置有朝向振動(dòng)體32的防粘著結(jié)構(gòu)71，所以能夠有效的防止背極板72黏附到振動(dòng)體32上。
[0032]在本實(shí)施例中，背極板72設(shè)置在振動(dòng)體32的上方。誠然，請(qǐng)參見圖15，該背極板72可設(shè)置在振動(dòng)體32的下方。此時(shí)，該電容式微硅麥克風(fēng)包括具有正面11和背面12的襯底1、形成在襯底I正面11的背極板72、設(shè)置在背極板72上的可動(dòng)敏感層3?？蓜?dòng)敏感層3包括振動(dòng)體32、圍設(shè)在振動(dòng)體32外圍的框體33、形成在振動(dòng)體32和框體33之間的若干窄槽4、自振動(dòng)體32朝框體33延伸以連接振動(dòng)體32和框體33的梁31、以及設(shè)置在梁31外圍的短縫34。振動(dòng)體32和梁31懸空設(shè)置，振動(dòng)體32與背極板72之間形成有腔體8，短縫34自窄槽4朝振動(dòng)體32延伸所形成。襯底I包括自襯底I背面12朝正面11凹陷以露出背極板72的背腔13?？蝮w33與背極板72之間設(shè)置有第二支撐部62。振動(dòng)體32設(shè)置有朝向背極板72的防粘著結(jié)構(gòu)71。該防粘著結(jié)構(gòu)71為自振動(dòng)體32朝背極板72突伸所形成的凸點(diǎn)，凸點(diǎn)71與背極板72上的聲孔73錯(cuò)位設(shè)置。
[0033]該電容式微娃麥克風(fēng)通過在可動(dòng)敏感層3上設(shè)置振動(dòng)體32、圍設(shè)在振動(dòng)體32外圍的框體33、以及連接框體33和振動(dòng)體32的梁31，使振動(dòng)體32能夠充分的釋放殘余應(yīng)力，從而使電容式微硅麥克風(fēng)具有高靈敏度和體積小的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，又由于振動(dòng)體32上設(shè)置有朝向背極板72的防粘著結(jié)構(gòu)71，所以能夠有效的防止振動(dòng)體32黏附到背極板72上。
[0034]請(qǐng)參見圖3至圖12，本發(fā)明一實(shí)施例中的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法包括SI至S8步驟。
[0035]請(qǐng)參見圖3，S1:提供具有正面11和背面12的襯底I。該襯底I可以為低阻硅，或者有金屬覆蓋表面的玻璃。該襯底I用以起支撐作用。
[0036]S2:在襯底I的正面11采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝淀積絕緣材料以形成
第一絕緣層2。該絕緣材料可為二氧化硅。
[0037]S3:請(qǐng)參見圖4，在第一絕緣層2上采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成可動(dòng)敏感層3。該導(dǎo)電物質(zhì)可為多晶硅?？蓜?dòng)敏感層3具有導(dǎo)電功能。
[0038]請(qǐng)參見圖5和圖2，在所形成的可動(dòng)敏感層3上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成若干窄槽4以定義振動(dòng)體32、圍設(shè)在振動(dòng)體32的外圍的框體33、以及連接框體33和振動(dòng)體32的梁31。窄槽4的數(shù)量為四個(gè)。振動(dòng)體32由窄槽4決定大小。在本實(shí)施例中，振動(dòng)體32的形狀為矩形，梁31為柔性梁，且數(shù)量為四個(gè)。四個(gè)柔性梁31分別設(shè)置在振動(dòng)體32的四個(gè)端腳上。誠然，該振動(dòng)體32和梁31還可以為其他形狀，如圖13、圖14所示的形狀。
[0039]在本步驟中，在可動(dòng)敏感層3上還形成有若干短縫34。短縫34采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝所形成。短縫34自窄槽4沿梁31的側(cè)邊分別朝框體33和振動(dòng)體32延伸所形成。誠然，該短縫34也可以自窄槽4沿梁31的側(cè)邊僅朝振動(dòng)體32延伸形成，或者該短縫34自窄槽4沿梁31的側(cè)邊僅朝框體33延伸形成。
[0040]請(qǐng)結(jié)合圖6至圖8，S4:在可動(dòng)敏感層3上采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝淀積絕緣材料以形成第二絕緣層6，在第二絕緣層6上采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成背極板72。本步驟中還包括:在第二絕緣層6上形成凹槽61，于凹槽61內(nèi)淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成凸點(diǎn)71。絕緣材料可為氧化硅，導(dǎo)電物質(zhì)可為多晶硅。
[0041]上述S4步驟具體由S41至S43步驟完成。
[0042]請(qǐng)參見圖6，S41:在可動(dòng)敏感層3上采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝淀積氧化硅以形成第二絕緣層6。
[0043]請(qǐng)參見圖7，S42:在第二絕緣層6上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成若干凹槽61。所形成的凹槽61位于振動(dòng)體32的正上方。
[0044]請(qǐng)參見圖8，S43:采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)工藝在第二絕緣層6上淀積多晶硅以形成背極板72。背極板72具有導(dǎo)電功能。在本步驟中，由于在S42步驟中于第二絕緣層6上形成有若干凹槽，所以，在形成背極板72的同時(shí)，多晶硅將凹槽填充以形成凸點(diǎn)71。該凸點(diǎn)71用以防止背極板72黏附到振動(dòng)體32上。由于，在S6步驟中凹槽形成在振動(dòng)體32的正上方，而凸點(diǎn)71又是多晶硅填充凹槽所形成，所以，凸點(diǎn)71位于振動(dòng)體32的正上方O
[0045]請(qǐng)參見圖9，S5:在背極板72上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成若干圓孔73，該圓孔73即定義為聲孔。聲孔73與S7步驟中形成的凸點(diǎn)71錯(cuò)位設(shè)置。聲孔73位于振動(dòng)體32的正上方。
[0046]請(qǐng)參見圖10，S6:采用光刻腐蝕等工藝局部腐蝕以露出用以制作金屬壓焊點(diǎn)的部位，然后采用濺射、光刻、腐蝕等工藝在用以制作金屬壓焊點(diǎn)的部位形成金屬壓焊點(diǎn)14。
[0047]請(qǐng)參見圖11，S7:采用雙面光刻工藝，從襯底I的背面12進(jìn)行深硅刻蝕制作背腔
13。該背腔13自襯底I的背面12朝正面11延伸并貫穿襯底I。在本步驟中，第一絕緣層2作為自停止層，深硅刻蝕自停止在自停止層2上。
[0048]請(qǐng)參見圖12和圖2，S8:采用緩沖氫氟酸溶液(BOE)濕法腐蝕等工藝，從背腔13進(jìn)行濕法腐蝕，從而去除部分第一絕緣層以于襯底I的背面露出振動(dòng)體32并使該振動(dòng)體32、梁31懸空，去除振動(dòng)體32、梁31與背極板72之間的第二絕緣層以形成腔體8。懸空的振動(dòng)體32為可動(dòng)敏感層中的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。上述振動(dòng)體32和背極板72形成一電容，振動(dòng)體32和背極板72分別作為該電容的兩個(gè)電極板。在本步驟中，第一絕緣層中未被去除的部分僅保留在框體33與襯底I之間，該部分的第一絕緣層命名為第一支撐部23。第一支撐部23用以支撐可動(dòng)敏感層。第二絕緣層中未被去除的部分僅保留在框體33和背極板72之間，該部分的第二絕緣層命名為第二支撐部62。第二支撐部62用以支撐背極板72。
[0049]上述電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法通過在所形成的可動(dòng)敏感層3上形成若干窄槽4以定義出振動(dòng)體32、圍設(shè)在振動(dòng)體32的外圍且固定在第一絕緣層2上的框體33、以及連接框體33和振動(dòng)體32的梁31，然后使該振動(dòng)體32懸空，使振動(dòng)體32能夠充分釋放殘余應(yīng)力，從而提高了電容式微硅麥克風(fēng)的靈敏度，并且減小了電容式微硅麥克風(fēng)的體積，除此以外，通過上述制造方法可在不同批次中可得到均勻性和一致性的電容式微硅麥克風(fēng)，而且還能降低在后續(xù)封裝時(shí)所引入的應(yīng)力對(duì)麥克風(fēng)靈敏度造成的影響。
[0050]盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。
【權(quán)利要求】
1.一種電容式微娃麥克風(fēng)的制造方法,其特征在于:所述電容式微娃麥克風(fēng)的制造方法包括如下步驟: S1:提供具有正面和背面的襯底； S2:在所述襯底的正面采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積絕緣材料以形成第一絕緣層； S3:在所述第一絕緣層上采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成可動(dòng)敏感層，在所形成的可動(dòng)敏感層上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成若干窄槽以定義振動(dòng)體、圍設(shè)在所述振動(dòng)體的外圍的框體、以及連接所述框體和振動(dòng)體的梁； S4:在所述可動(dòng)敏感層上采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積絕緣材料以形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成背極板； 55:在所述背極板上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成若干聲孔； 56:形成金屬壓焊點(diǎn)； S7:在所述襯底上進(jìn)行深硅刻蝕制作背腔，所述背腔自所述襯底的背面朝正面延伸并貫穿所述襯底； 以及，S8:采用緩沖氫氟酸溶液濕法腐蝕去除部分第一絕緣層以于襯底背面露出振動(dòng)體并使所述振動(dòng)體和梁懸空，去除振動(dòng)體、梁與背極板之間的第二絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于:所述S4步驟還包括:在所述第二絕緣層上形成若干凹槽，于所述凹槽內(nèi)淀積以形成凸點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于:所述凹槽通過在第二絕緣層上采用光刻、腐蝕掩膜、各向異性刻蝕工藝形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于:所述凸點(diǎn)采用低壓化學(xué)氣相沉積工藝在所述第二絕緣層上淀積導(dǎo)電物質(zhì)以形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式微硅麥克風(fēng)，其特征在于:所述凸點(diǎn)與所述聲孔錯(cuò)位設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容式微娃麥克風(fēng)的制造方法,其特征在于:所述聲孔位于所述振動(dòng)體的正上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于:所述S3步驟還包括:在所述可動(dòng)敏感層上還形成有若干短縫，所述短縫自所述窄槽沿梁的側(cè)邊朝所述振動(dòng)體或框體延伸所形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于:所述S3步驟還包括:在所述可動(dòng)敏感層上還形成有若干短縫，所述短縫自所述窄槽沿梁的側(cè)邊分別朝振動(dòng)體和框體延伸所形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于:所述梁為柔性M
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10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式微硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于:所述振動(dòng)體的形狀為矩形，所述梁設(shè)置在所述振動(dòng)體的四個(gè)端腳。
【文檔編號(hào)】H04R31/00GK103974181SQ201310030499
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年1月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月28日
【發(fā)明者】李剛, 胡維, 梅嘉欣 申請(qǐng)人:蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司