電聲器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種電聲器件，其包具有收容空間的殼體和收容固定于殼體內(nèi)的發(fā)聲單體，所述殼體由低介電系數(shù)材料制成。與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明電聲器件低頻音效性能更好。
【專利說明】電聲器件
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種電聲器件，尤其涉及一種運(yùn)用在便攜式電子產(chǎn)品上的電聲器件。【【背景技術(shù)】】
[0002]在移動(dòng)電話等便攜設(shè)備快速發(fā)展的過程中，人們對(duì)產(chǎn)品的功能性要求越來越強(qiáng)，由此，電聲器件的發(fā)展也相應(yīng)加快。
[0003]相關(guān)技術(shù)的電聲器件，其包括具有收容空間的殼體和置于所述收容空間內(nèi)的發(fā)聲單體，為了提高電聲器件的聲學(xué)效果，通常在殼體內(nèi)設(shè)置有聲腔，通過擴(kuò)大聲腔可以有效地提高低頻性能。然而，目前移動(dòng)設(shè)備等產(chǎn)品的小型化發(fā)展限制了電聲器件的規(guī)格，因此，單純通過擴(kuò)大聲腔來提高電聲器件的聲學(xué)效果是很難實(shí)現(xiàn)的。
[0004]因此，實(shí)有必要提出一種新的電聲器件以解決上述問題。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0005]本發(fā)明需解決的技術(shù)問題是提供一種低頻音效好的電聲器件。
[0006]本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種低頻音效好的電聲器件，其目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]—種電聲器件，其包具有收容空間的殼體和收容固定于殼體內(nèi)的發(fā)聲單體，其特征在于:所述殼體由低介電系數(shù)材料制成。
[0008]優(yōu)選的，所述低介電系數(shù)材料為籠型倍半硅氧烷材料與樹脂相結(jié)合制備而成。
[0009]優(yōu)選的，所述樹脂材料為環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯中的任意一種。
[0010]優(yōu)選的，所述電聲器件殼體內(nèi)部設(shè)有聲腔。
[0011]優(yōu)選的，所述聲腔內(nèi)填充有低介電系數(shù)材料。
[0012]與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明電聲器件其低頻音效性能更好。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0013]圖1為本發(fā)明電聲器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0015]如圖1所不,一種電聲器件10,其包括殼體I和收容并固定于殼體I內(nèi)的發(fā)聲單體2。
[0016]所述殼體由Low-K材料(Low dielectric,低介電系數(shù)材料)制成，在本實(shí)施方式中，所述Low-K材料為帶有活性基團(tuán)的籠型倍半硅氧烷(Polyhedral oligomericsilsesquioxane,POSS)與樹脂相結(jié)合制備而成。其中所述樹脂材料可以為環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯等常見樹脂材料。所述POSS材料是一類新型的有機(jī)/無機(jī)雜化材料，分子中具有一個(gè)由S1-O鍵圍成的籠，分子尺寸在I~3nm ；P0SS是一類分子的統(tǒng)稱，由分子中含有的硅原子個(gè)數(shù)可分為八聚、十聚、十二聚、十四聚等籠型倍半硅氧烷，其具有類似分子篩的納米孔結(jié)構(gòu)。
[0017]由此制成的Low-K材料具有耐熱性能好，強(qiáng)度高，介電系數(shù)低的特點(diǎn)，且其內(nèi)部具有10?40nm的孔道結(jié)構(gòu)，同時(shí)也具有0.5nm左右的孔結(jié)構(gòu)。
[0018]所述殼體I內(nèi)還可以設(shè)有一個(gè)聲腔3,所述聲腔由發(fā)聲單體2的外周輪廓與殼體的內(nèi)壁圍成，所述Low-K材料部分或全部填充所述聲腔。即所述用于發(fā)聲的部位既可以是傳統(tǒng)的空腔結(jié)構(gòu)，也可以是該Low-k材料與外殼體一體成型的結(jié)構(gòu)。由于Low-K材料具有孔道結(jié)構(gòu)和孔結(jié)構(gòu)等特定的分子結(jié)構(gòu)，其可以起到擴(kuò)大聲腔的作用，可以有效地增強(qiáng)低頻響應(yīng)性能。同時(shí)，由于其具有的耐熱性能好，強(qiáng)度高和介電系數(shù)低等特點(diǎn)，也使其制成的電聲器件
[0019]與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明電聲器件的外殼采用1w-K材料，且在聲腔中充填入Low-K材料，提高了電聲器件的低頻響應(yīng)，改善了其低頻聲學(xué)性能。
[0020]以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電聲器件，其包具有收容空間的殼體和收容固定于殼體內(nèi)的發(fā)聲單體，其特征在于:所述殼體由低介電系數(shù)材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電聲器件，其特征在于:所述低介電系數(shù)材料為籠型倍半硅氧烷材料與樹脂相結(jié)合制備而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電聲器件，其特征在于:所述樹脂材料為環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯中的任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電聲器件，其特征在于:所述電聲器件殼體內(nèi)部設(shè)有聲腔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電聲器件，其特征在于:所述聲腔內(nèi)填充有低介電系數(shù)材料。
【文檔編號(hào)】H04R1/22GK103491483SQ201310441578
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】王和志, 徐斌 申請(qǐng)人:瑞聲科技（南京）有限公司, 瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司