減少與射頻功率耦合器相關(guān)的插入損耗影響的電路和方法
【專利摘要】公開了用于減少與射頻(RF)功率耦合器相關(guān)聯(lián)的插入損耗影響的電路和方法。在一些實(shí)現(xiàn)中，RF電路可包含配置為在第一頻帶傳送第一RF信號的第一路徑，和配置為在第二頻帶傳送第二RF信號的第二路徑。該RF電路可進(jìn)一步包含功率檢測器，該功率檢測器具有配置為檢測沿著第一路徑的功率的第一耦合器，和配置為檢測沿著第二路徑的功率的第二耦合器。第一耦合器與第二耦合器可以以菊花鏈配置連接。該RF電路可進(jìn)一步包含沿著第一路徑和第二路徑中的至少一個實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路。該調(diào)節(jié)電路可以配置為將與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
【專利說明】減少與射頻功率耦合器相關(guān)的插入損耗影響的電路和方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年10月29日提交的、名為“用于減少與射頻功率耦合器相關(guān)聯(lián)的插入損耗陷波(notch)的電路和方法”的美國臨時申請N0.61 / 719,865的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過引用整體清楚地合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開一般涉及減少與射頻功率耦合器相關(guān)聯(lián)的插入損耗影響。
【背景技術(shù)】
[0004]在一些無線設(shè)備中，功率耦合器可用于例如限制用于多個頻帶的傳送信號的最大功率。這樣的功率耦合器可以菊花鏈連接在一起以共享耦接線路，由此在電路板上間隔開。
[0005]這樣的結(jié)構(gòu)會造成由于各種相互作用而導(dǎo)致的在高頻帶與菊花鏈線路相關(guān)聯(lián)的插入損耗陷波(notch)。如果在給定頻帶的頻率范圍內(nèi)的插入損耗陷波足夠大且不能校準(zhǔn)，則與這種插入損耗陷波相關(guān)聯(lián)的問題會更加嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)多個實(shí)現(xiàn)，本公開涉及一種射頻(RF)電路，其包含配置為在第一頻帶傳送第
一RF信號的第一路徑，和配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號的第二路徑。該RF電路進(jìn)一步包含功率檢測器，該功率檢測器具有配置為檢測沿著第一路徑的功率的第一耦合器，和配置為檢測沿著第二路徑的功率的第二耦合器。第一耦合器與第二耦合器以菊花鏈配置連接。該RF電路進(jìn)一步包含沿著第一路徑和第二路徑中的至少一個實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路。調(diào)節(jié)電路配置為將與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
[0007]在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)電路可以使第二路徑的一部分。第一路徑和第二路徑中的每一個可以包含功率放大器(PA)、連接至PA的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)、和相應(yīng)的功率耦合器。第二路徑可進(jìn)一步包含在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和第二功率耦合器之間實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路。該調(diào)節(jié)電路可以包含在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和第二功率耦合器之間實(shí)現(xiàn)的電感，例如電感器。該調(diào)節(jié)電路可以進(jìn)一步包含與該電感串聯(lián)連接的電容，例如電容器。
[0008]在一些實(shí)施例中，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)可包含連接到PA的輸出的匹配電感，和連接到匹配電感的輸出的分路電容。
[0009]在一些實(shí)施例中，頻率響應(yīng)特征可以包含與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的功率頻譜中的陷波。在一些實(shí)施例中，第一頻帶可包含E-UTRA頻帶B7，B38或MO。第二頻帶可包含E-UTRA頻帶B18或B8。
[0010]在一些實(shí)施例中，不同的頻率范圍可包含第一或第二路徑未使用的范圍。在一些實(shí)施例中，該不同的頻率范圍可包含在E-UTRA頻帶B8和B4之間的頻率范圍。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)電路可配置為將陷波移動到更低的頻率。在一些實(shí)施例中，陷波移動到的更低的頻率可以在與第一頻帶和第二頻帶相關(guān)聯(lián)的頻率之間。[0011]在一些實(shí)施例中，本公開涉及一種射頻(RF)模塊，其包括配置為容納多個部件的封裝基板和實(shí)現(xiàn)在封裝基板上的RF電路。該RF電路包含配置為在第一頻帶傳送第一 RF信號的第一路徑，和配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號的第二路徑。該RF電路還包含功率檢測器，該功率檢測器具有配置為檢測沿著第一路徑的功率的第一耦合器，和配置為檢測沿著第二路徑的功率的第二耦合器。該第一耦合器和該第二耦合器以菊花鏈配置連接。該RF電路還包含沿著所述第一路徑和第二路徑中的至少一個實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路。該調(diào)節(jié)電路配置為將與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
[0012]在一些實(shí)施例中，RF模塊可以是功率放大器模塊,從而所述第一路徑包含第一功率放大器(PA)的輸出并且所述第二路徑包含第二 PA的輸出。在一些實(shí)施例中，第一和第
二PA兩者都可以在半導(dǎo)體芯片上實(shí)現(xiàn)。
[0013]根據(jù)多種實(shí)施方式，本公開涉及一種射頻(RF)設(shè)備，其包括配置為處理RF信號的收發(fā)器，和與該收發(fā)器通信并且配置為便利于放大的RF信號的傳送的天線。該RF設(shè)備進(jìn)一步包含連接至收發(fā)器并配置為生成放大的RF信號的功率放大器(PA)模塊。該P(yáng)A模塊包含配置為在第一頻帶傳送第一 RF信號的第一路徑，和配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號的第二路徑。該P(yáng)A模塊還包含功率檢測器，該功率檢測器具有配置為檢測沿著第一路徑的功率的第一耦合器，和配置為檢測沿著第二路徑的功率的第二耦合器。該第一耦合器和該第二耦合器以菊花鏈配置連接。該P(yáng)A模塊還包含沿著所述第一路徑和第二路徑中的至少一個實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路。該調(diào)節(jié)電路配置為將與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。在一些實(shí)施例中，RF設(shè)備可以包含無線設(shè)備。
[0014]在許多教導(dǎo)中，本公開涉及一種射頻(RF)電路，其包括第一電路，該第一電路具有包含所選頻率范圍中的特征的頻率響應(yīng)。RF電路還包含第二電路，該第二電路耦接至該第一電路，從而所述頻率響應(yīng)的特征至少一部分歸因于該耦接。RF電路還包含配置為將該特征從所選頻率范圍移走的調(diào)節(jié)電路。
[0015]在一些實(shí)施例中，所述特征例如插入損耗陷波，其可被移至更低的頻率。
[0016]根據(jù)多種實(shí)現(xiàn)，本公開涉及一種用于操作射頻(RF)設(shè)備的方法。該方法包括檢測沿著菊花鏈配置中的第一路徑和第二路徑的功率。該第一路徑被配置為在第一頻帶傳送第一 RF信號，該第二路徑被配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號。該方法還包含調(diào)節(jié)第一路徑和第二路徑中的至少一個，以將與功率檢測相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
[0017]在一些實(shí)現(xiàn)中，本公開涉及一種用于操作射頻(RF)設(shè)備的方法。該方法包括耦接第一電路和第二電路，所述第一電路具有包含所選頻率范圍中的特征的頻率響應(yīng)。該頻率響應(yīng)的該特征至少一部分歸因于該耦接。該方法還包含調(diào)節(jié)第二電路以將該特征從所選頻率范圍移走。
[0018]為了概括本公開，此處已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點(diǎn)和創(chuàng)新的特征。應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)本發(fā)明的任何特定實(shí)施例無需實(shí)現(xiàn)所有這些優(yōu)點(diǎn)。因此，本發(fā)明可以以如下的方式實(shí)施或執(zhí)行，該方式獲得或優(yōu)化此處教導(dǎo)的一個優(yōu)點(diǎn)或一組優(yōu)點(diǎn)，而無需實(shí)現(xiàn)此處教導(dǎo)或建議的其它優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】[0019]圖1A和IB示出在一些配置中射頻(RF)電路會在感興趣的頻帶中產(chǎn)生不期望的響應(yīng)。
[0020]圖2A和2B示出在一些實(shí)施方式中可以向圖1的RF電路提供調(diào)節(jié)電路以將不期望的響應(yīng)從感興趣的頻帶移走。
[0021]圖3示出會在操作頻帶中產(chǎn)生不期望的響應(yīng)的示例RF電路。
[0022]圖4A-4C示出在與圖3的示例電路相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)中的各種陷波的示例。
[0023]圖5A和5B示出每一個都具有配置為將陷波響應(yīng)從操作頻帶移走的調(diào)節(jié)電路的RF電路的示例。
[0024]圖6示出圖5的調(diào)節(jié)電路的示例。
[0025]圖7示出圖5的調(diào)節(jié)電路的另一個示例。
[0026]圖8示出由于調(diào)節(jié)電路而從操作頻帶移走的陷波響應(yīng)的示例。
[0027]圖9和10示出對于一個示例操作頻帶包含調(diào)節(jié)電路可以基本維持插入損耗性能。
[0028]圖11和12示出對于另一個操作頻帶包含調(diào)節(jié)電路可以基本維持插入損耗性能的另一個示例。
[0029]圖13示出可被實(shí)現(xiàn)以操作具有如此處所描述的一個或多個特征的RF設(shè)備的處理。
[0030]圖14示出可被實(shí)現(xiàn)以操作具有如此處所描述的一個或多個特征的RF設(shè)備的另一個處理。
[0031]圖15示出在一些實(shí)施例中本公開的一個或多個特征可在RF模塊中實(shí)現(xiàn)。
[0032]圖16A和16B示出在一些實(shí)施例中本公開的一個或多個特征可在無線設(shè)備中實(shí)現(xiàn)。
【具體實(shí)施方式】
[0033]此處提供的標(biāo)題(如果有的話)僅僅是為了方便，并非必定影響所要求的發(fā)明的范圍或涵義。
[0034]圖1A示意性地描述了射頻(RF)電路10，其可以被配置為接收RF信號(RF_in)并產(chǎn)生輸出信號(RF_out)。在一些情況中，并且如圖1B所示，這樣的電路可產(chǎn)生包含在所選頻率范圍20內(nèi)的不期望的減少或增加的頻率響應(yīng)。例如，示出頻率響應(yīng)曲線12包含波峰14，其部分存在于頻率范圍20內(nèi)并超過閾值16。在另一個示例中，示出頻率響應(yīng)曲線32包含波谷34，其部分存在于頻率范圍20內(nèi)并低于閾值36。
[0035]圖2A示出在一些實(shí)施例中，RF電路100可包括調(diào)節(jié)電路102。此處為了描述的目的，將假設(shè)不具有調(diào)節(jié)電路102的RF電路100可與參照圖1A和IB描述的RF電路類似地表現(xiàn)。
[0036]示出存在調(diào)節(jié)電路102以產(chǎn)生調(diào)節(jié)后的頻率響應(yīng)，并且在圖2B中描述了該調(diào)節(jié)的示例。例如，與圖1B的示例響應(yīng)曲線12對應(yīng)的頻率響應(yīng)曲線112被示出為包含已被移出頻率范圍20的波峰114。因此，響應(yīng)曲線112在頻率范圍20內(nèi)的部分低于閾值16。在另一個示例中，與圖1B的示例響應(yīng)曲線32對應(yīng)的頻率響應(yīng)曲線132被示出為包含已被移出頻率范圍20的波谷134。因此，響應(yīng)曲線132在頻率范圍20內(nèi)的部分高于閾值36。
[0037]在圖2B中，示例波峰114和示例波谷134被描述為被移至(如箭頭118，138)更低的頻率。然而，將理解，可以進(jìn)行該移動至更高的頻率。
[0038]圖3示出了示例RF電路10，其可以從如此處描述的一個或多個特征受益。電路10總體涉及用于RF設(shè)備的功率耦合器，例如無線手機(jī)。這樣的功率耦合器可用來，例如，限制無線設(shè)備的最大發(fā)送功率或比吸收率(SAR)。
[0039]在示例電路10中，功率耦合器組件可以總體指示為70并且被配置為對于兩個示例頻帶A和B提供功率檢測功能。第一頻帶A(例如高頻帶)被示出為由路徑A來促成(facilitate)，路徑A包含用于功率放大器(PA) 50a的RF輸入端(RFIN_A)。PA50a可包括一個或多個級，并且最后一級的輸出被示出為連接至輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60a。盡管圖3中沒有示出，但路徑A還可以包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和/或一個或多個級間匹配網(wǎng)絡(luò)。匹配網(wǎng)絡(luò)60a的輸出被示出為在被提供至雙工器80a之前與功率耦合元件耦接，雙工器80a配置為使用一個或多個連接至節(jié)點(diǎn)ANT_A的天線在(例如通過路徑A的放大的RF信號的)發(fā)送和(例如至RX_P_A和RX_N_A的接收信號的)接收之間提供雙工功能。
[0040]類似地，第二頻帶B (例如低頻帶)被示出為由路徑B來促成，路徑B包含用于功率放大器(PA) 50b的RF輸入(RFIN_B)。PA50b可包括一個或多個級，并且最后一級的輸出被示出為連接至輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60b。盡管圖3中沒有示出，但路徑B還可包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和/或一個或多個級間匹配網(wǎng)絡(luò)。匹配網(wǎng)絡(luò)60b的輸出被示出為在被提供至雙工器80b之前與功率耦合元件耦接，雙工器80b配置為使用一個或多個連接至節(jié)點(diǎn)ANT_B的天線在(例如通過路徑B的放大的RF信號的)發(fā)送和(例如至RX_P_B和RX_N_B的接收信號的)接收之間提供雙工功能。
[0041]在示例電路10中，PA50a，50b被示出為由偏置/控制電路52偏置和控制。在一些實(shí)施例中，這類偏置和/或控制操作可以已知的方式來實(shí)施。
[0042]在示例電路10中，每個頻帶的耦合器輸出可使用功率組合器電路(未示出)或菊花鏈組合到一起，其中每個耦合器共用一條耦接線路?？梢允褂镁栈ㄦ溤O(shè)計以例如比功率組合設(shè)計更加節(jié)省電路板(例如電話板)上的空間。
[0043]在一些配置中，利用菊花鏈耦合器的在低頻帶PA的輸出處的功率檢測會由于輸出匹配網(wǎng)絡(luò)、耦合器和/或雙工器的相互作用而在菊花鏈線路中在高頻帶產(chǎn)生插入損耗陷波。在一些情況中，在高頻帶與低頻帶共存的設(shè)計中，該問題會更加嚴(yán)重。陷波深度可以變化，且可以等于或大于收發(fā)器檢測器的動態(tài)范圍，并且因此通常在電話板校準(zhǔn)期間不能校出。在示例雙頻帶配置的環(huán)境中，會產(chǎn)生兩個前述的菊花鏈陷波。
[0044]圖4A-4C示出了頻率響應(yīng)中陷波的示例，其在存在兩個RF路徑(路徑A和路徑
B)中的一個或兩者的情況下可以導(dǎo)致菊花鏈耦合器(例如圖3中的70)。在圖4A中，對于前向功率頻譜，按照S參數(shù)S21示出了菊花鏈耦合器組件的模擬響應(yīng)和測量響應(yīng)。該菊花鏈耦合器組件可用于示例的雙頻帶PA電路。在兩個響應(yīng)中，深并且顯著的陷波出現(xiàn)在大約
2.0至2.6GHz的頻率范圍內(nèi)。該范圍可以包括例如B7、B34、B38和B40的E_UTRA(演進(jìn)的通用陸地?zé)o線接入)操作頻帶，或與該操作頻帶重疊。
[0045]在圖4B中，對于前向功率頻譜，按照S參數(shù)S21示出了類似的菊花鏈耦合器組件的模擬響應(yīng)和測量響應(yīng)。該菊花鏈耦合器組件用于另一個示例的雙頻帶PA電路。在兩個響應(yīng)中，深并且顯著的陷波出現(xiàn)在大約2.0至2.6GHz的頻率范圍內(nèi)。該范圍可以包括例如B7、B34、B38和B40的E-UTRA操作頻帶，或與該操作頻帶重疊。[0046]在圖4C中，示出了對于S21在前向功率頻譜中的示例陷波和示例的對應(yīng)的回波損耗(RL)波峰，以在大約2.0GHz的頻率及其周圍處提供顯著的劣化。該頻率范圍可較大地與例如BI的操作頻帶重疊，并由此影響該操作頻帶。
[0047]完全消除上述菊花鏈陷波的無損方法基本上還沒有獲得成功。此處描述的是用于將該陷波從操作頻帶移動到其中陷波對于該操作頻帶的影響減少或基本消除的頻率范圍的電路和方法的各種示例。在一些實(shí)現(xiàn)中，陷波移動到的該頻率范圍可以包括未使用的頻率范圍。在一些實(shí)現(xiàn)中，該未使用的頻率范圍對于給定的無線設(shè)備可以是完全未使用的。在一些實(shí)現(xiàn)中，該未使用的頻率范圍可以包括在該操作頻帶中的操作期間未被使用、但可以在另一個操作模式中使用的范圍。
[0048]圖5A和5B示出了與圖3的示例電路10相似、但是在給定的RF信號路徑中配備有調(diào)節(jié)電路102的電路的示例。此處將更加詳細(xì)地描述該調(diào)節(jié)電路102的示例。圖5A示出了本發(fā)明的一個或多個特征可在具有類似于圖3的示例的兩個RF信號路徑的配置中實(shí)現(xiàn)。圖5B示出了本發(fā)明的一個或多個特征可在具有兩個以上的RF信號路徑的配置中實(shí)現(xiàn)。
[0049]圖5A中所示的示例配置與圖3中的配置類似，但添加了具有此處描述的一個或多個特征的調(diào)節(jié)電路102a，102b。此處更加詳細(xì)的描述電路段150a、150b的示例，電路段150a、150b每一個包括其相應(yīng)的PA50的最后一級(對于電路段150a為50a，以及對于電路段150b為50b)、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60 (對于電路段150a為60a，以及對于電路段150b為60b)、以及調(diào)節(jié)電路102 (對于電路段150a為102a，以及對于電路段150b為102b)。
[0050]圖5B中示出的示例配置與圖5A的配置類似，但添加了第三RF信號路徑(路徑
C)以及對應(yīng)的調(diào)節(jié)電路102c。此處更加詳細(xì)的描述電路段150a、150b、150c的示例，電路段150a、150b、150c每一個包括其相應(yīng)的PA50的最后一級、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60、以及調(diào)節(jié)電路102。
[0051]在圖5A和5B的示例中，每一個RF路徑被示出為包括調(diào)節(jié)電路102。在一些實(shí)現(xiàn)中，不是所有的RF路徑都需要具有該調(diào)節(jié)電路。例如，高頻帶耦合器通常不會在感興趣的頻率或頻率范圍(例如0.5至2.6GHz)內(nèi)造成問題。由該高頻帶耦合造成的陷波響應(yīng)通常位于高得多的頻率處(例如，大約5.5GHz)。因此，在該示例配置中，高頻帶RF路徑可以具有或可以不具有調(diào)節(jié)電路102。
[0052]圖6示出了參照圖5A和5B描述的電路段150的示例。在一些實(shí)施例中，可對于圖5A的電路段150a和150b、以及圖5B中的電路段150a_150c中的每一個實(shí)施圖6的電路段150。在示例中，被放大的RF信號被示出為提供至與PA的最后一級(圖5A和5B中的50)相關(guān)聯(lián)的雙極結(jié)型晶體管(BJT)的基極。BJT的集電極被不出為提供PA的最后一級的輸出，且該輸出信號被示出為通過輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60匹配。應(yīng)當(dāng)理解，在PA50中還可以使用其它類型的晶體管。
[0053]示例輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60被輸出為包括沿著連接至BJT的集電極的路徑的電感LI (例如電感器)。輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60被輸出為還包括在電感LI的輸出大地之間的分路電容Cl (例如電容器)。在一些實(shí)現(xiàn)中，可以提供電容從而與電感LI串聯(lián)。應(yīng)當(dāng)理解，還可使用其它類型的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)。
[0054]圖6示出了在一些實(shí)現(xiàn)中，調(diào)節(jié)電路102可以包括與電感LI串聯(lián)的電感L2(例如電感器)。因此，放大的信號在被提供至耦合段(例如圖5A和5B中的菊花鏈耦合器70的相應(yīng)部分)之前，可以從BJT的集電極傳播，經(jīng)過LI，并經(jīng)過L2。
[0055]圖7示出了參照圖5A和5B描述的電路段150的另一個示例。在該示例中，PA50的最后一級和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60可以與參照圖6所描述的那些類似。
[0056]圖7示出了在一些實(shí)現(xiàn)中，調(diào)節(jié)電路102可以包括電感L2(例如電感器)和與電感LI串聯(lián)連接的電容C2(例如電容器)。因此，放大的信號在被提供至耦合段(例如圖5A和5B中的菊花鏈耦合器70的各自的部分)之前，可以從BJT的集電極傳播，經(jīng)過LI，經(jīng)過L2、并經(jīng)過C2。
[0057]在一些實(shí)現(xiàn)中，調(diào)節(jié)電路102的上述示例中的一些或全部可被配置為修正輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的帶外阻抗，以將與菊花鏈耦合器組件相關(guān)聯(lián)的陷波頻率移移動(shift)至，例如，在頻帶8和頻帶4 (例如0.960至1.710GHz)之間未被使用的頻率范圍。在一些實(shí)現(xiàn)中，圖7的串聯(lián)LC電路102可被配置為提供上述的功能，同時比圖6的僅有電感的電路102更好地減少或最小化例如插入損耗和頻率平坦度的其它性能參數(shù)的退化。
[0058]在一些實(shí)現(xiàn)中，圖6和7的調(diào)節(jié)電路102的每一個可以取代沿著RF信號路徑提供的、在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60之后但在功率耦合段之前的電容(未示出)。此處將更加詳細(xì)的描述該替換及有益效果的示例。
[0059]圖8示出了如何可以將覆蓋一個或多個操作頻帶或與該一個或多個操作頻帶重疊的陷波移動至例如頻帶8和頻帶4之間的上述示例范圍的未被使用頻率范圍的示例。與圖3的電路對應(yīng)的曲線160被輸出為包括陷波162，其在不期望地覆蓋頻帶B7、B38和B40或與該頻帶重疊的頻率范圍內(nèi)具有比示例閾值低_2dB的值。
[0060]在圖8的示例中，曲線170和180被輸出為具有其各自的、移至B8和B4頻帶之間的未被使用的頻率范圍內(nèi)的陷波172、182。曲線170，180覆蓋上述B7 / B38 / B40頻帶或與該頻帶重疊的部分顯示為具有大大高于_2dB閾值的數(shù)值。
[0061]箭頭164示出了近似的增益，其可在曲線160的陷波162和示例曲線180的大致變平坦的響應(yīng)之間獲得。代表功率檢測動態(tài)范圍(例如4dB)的箭頭166示出了未調(diào)節(jié)的陷波162不期望地接近于超過該動態(tài)范圍，而移動后的陷波172、182則很好地落在該動態(tài)范圍內(nèi)。因此，如果對于響應(yīng)170、180中的一個或者兩個期望校準(zhǔn)，則其可以被實(shí)現(xiàn)。
[0062]其陷波172被移出操作頻帶B7 / B38 / B40的示例響應(yīng)曲線170對應(yīng)于為示例低頻帶B18信號路徑提供的圖7中的調(diào)節(jié)電路102。輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60的分路電容Cl具有大約7.6pF的值。調(diào)節(jié)電路102的電感L2和電容C2分別具有大約4.3nH和5.6pF的值。調(diào)節(jié)電路102取代沿著信號路徑、在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60的輸出處的大約18pF的電容(未示出)。在圖7的示例中，LI是輸出匹配電感(例如電感線圈)，其可以實(shí)現(xiàn)為跡線(trace)而不是明顯的表面安裝部件。電感LI在示例中具有大約2.3nH的值，其通常不響應(yīng)于調(diào)節(jié)電路102的引入而改變。
[0063]其陷波182被移出操作頻帶B7 / B38 / B40的示例響應(yīng)曲線180對應(yīng)于為示例低頻帶B8信號路徑提供的圖7中的調(diào)節(jié)電路102。輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60的分路電容Cl具有大約6.8pF的值。調(diào)節(jié)電路102的電感L2和電容C2分別具有大約4.7nH和5.1pF的值。調(diào)節(jié)電路102取代沿著信號路徑、在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)60的輸出處的大約18pF的電容(未示出)。
[0064]圖9-12示出了此處所述的調(diào)節(jié)電路可以提供期望的陷波移動功能(例如圖8)，而在其它區(qū)域沒有明顯的性能劣化。圖9和10分別示出具有(例如圖8的曲線170)和不具有(例如圖8的曲線160)調(diào)節(jié)電路的情況下，對于示例低頻帶B18信號路徑的Sll參數(shù)的Smith圖表。圖11和12分別示出了具有(例如圖8的曲線180)和不具有(例如圖8的曲線160)調(diào)節(jié)電路的情況下，對于示例低頻帶B8信號路徑的Sll參數(shù)的Smith圖表。對于所有上述的示例配置，每個信號路徑具有大約500hms的負(fù)載阻抗。
[0065]對于B18頻帶的示例(圖9和10)，在三個頻率處獲得輸入阻抗(Zin)測量，并且結(jié)果列于表1中?？梢钥闯?，具有調(diào)節(jié)電路的情況下對于B18信號路徑的Zin值優(yōu)于不具有調(diào)節(jié)電路的情況下對于B18信號路徑的那些Zin值。
[0066]
【權(quán)利要求】
1.一種射頻(RF)電路，包括: 第一路徑，配置為在第一頻帶傳送第一 RF信號； 第二路徑，配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號；
功率檢測器，包含配置為檢測沿著第一路徑的功率的第一耦合器，該功率檢測器進(jìn)一步包含配置為檢測沿著第二路徑的功率的第二耦合器，該第一耦合器和該第二耦合器以菊花鏈配置連接；以及 調(diào)節(jié)電路，沿著所述第一路徑和第二路徑中的至少一個實(shí)現(xiàn)，該調(diào)節(jié)電路配置為將與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
2.如權(quán)利要求1的RF電路，其中所述調(diào)節(jié)電路是第二路徑的一部分。
3.如權(quán)利要求2的RF電路，其中所述第一路徑和第二路徑中的每一個包含功率放大器(PA)、連接至PA的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)、以及相應(yīng)的功率耦合器，所述第二路徑進(jìn)一步包含在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和第二功率耦合器之間實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路。
4.如權(quán)利要求3的RF電路，其中所述調(diào)節(jié)電路包含在輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和第二功率耦合器之間實(shí)現(xiàn)的電感。
5.如權(quán)利要求4的RF電路，其中所述電感包含電感器。
6.如權(quán)利要求4的RF電路，其中所述調(diào)節(jié)電路進(jìn)一步包含與所述電感串聯(lián)連接的電容。
7.如權(quán)利要求6的RF電路，其中所述電容包含電容器。
8.如權(quán)利要求3的RF電路，其中所述輸出匹配網(wǎng)絡(luò)包含連接到PA輸出的匹配電感，以及連接到匹配電感的輸出的分路電容。
9.如權(quán)利要求1的RF電路，其中所述頻率響應(yīng)特征包含與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的功率頻譜中的陷波。
10.如權(quán)利要求1的RF電路，其中所述第一頻帶包含E-UTRA頻帶B7、B38或B40。
11.如權(quán)利要求10的RF電路，其中所述第二頻帶包含E-UTRA頻帶B18或B8。
12.如權(quán)利要求11的RF電路，其中所述不同的頻率范圍包含第一或第二路徑未使用的范圍。
13.如權(quán)利要求12的RF電路，其中所述不同的頻率范圍包含在E-UTRA頻帶B8和B4之間的頻率范圍。
14.如權(quán)利要求9的RF電路，其中所述調(diào)節(jié)電路配置為將陷波移動到更低的頻率。
15.如權(quán)利要求14的RF電路，其中所述陷波移動到的更低的頻率在與第一頻帶和第二頻帶相關(guān)聯(lián)的頻率之間。
16.一種射頻(RF)模塊，包括: 封裝基板，配置為容納多個部件；以及 實(shí)現(xiàn)在所述封裝基板上的RF電路，該RF電路包含配置為在第一頻帶傳送第一 RF信號的第一路徑，該RF電路還包含配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號的第二路徑，該RF電路還包含功率檢測器，該功率檢測器具有配置為檢測沿著第一路徑的功率的第一耦合器，和配置為檢測沿著第二路徑的功率的第二耦合器，該第一耦合器和該第二耦合器以菊花鏈配置連接，該RF電路還包含沿著所述第一路徑和第二路徑中的至少一個實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路，該調(diào)節(jié)電路配置為將與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
17.如權(quán)利要求16的RF模塊，其中所述RF模塊為功率放大器模塊，從而所述第一路徑包含第一功率放大器(PA)的輸出并且所述第二路徑包含第二 PA的輸出。
18.如權(quán)利要求17的RF模塊，其中所述第一和第二PA兩者都在半導(dǎo)體芯片上實(shí)現(xiàn)。
19.一種射頻(RF)設(shè)備，包括: 收發(fā)器，配置為處理RF信號； 與該收發(fā)器通信的天線，該天線配置為便利于放大的RF信號的傳送；以及 連接至該收發(fā)器的功率放大器(PA)模塊，該P(yáng)A模塊配置為生成放大的RF信號，該P(yáng)A模塊包含配置為在第一頻帶傳送第一 RF信號的第一路徑，該P(yáng)A模塊還包含配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號的第二路徑，該P(yáng)A模塊還包含功率檢測器，該功率檢測器具有配置為檢測沿著第一路徑的功率的第一耦合器，和配置為檢測沿著第二路徑的功率的第二耦合器，該第一耦合器和該第二耦合器以菊花鏈配置連接，該P(yáng)A模塊還包含沿著所述第一路徑和第二路徑中的至少一個實(shí)現(xiàn)的調(diào)節(jié)電路，該調(diào)節(jié)電路配置為將與功率檢測器相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
20.如權(quán)利要求19的RF設(shè)備，其中該RF設(shè)備包括無線設(shè)備。
21.一種射頻(RF)電路，包括: 第一電路，具有包含所選頻率范圍中的特征的頻率響應(yīng)； 第二電路，耦接至該第一電路，從而所述頻率響應(yīng)的所述特征至少一部分歸因于該耦接；以及 調(diào)節(jié)電路，配置為將該特征從所選頻率范圍移走。
22.如權(quán)利要求21的RF電路，其中所述特征被移至更低的頻率。
23.一種用于操作射頻(RF)設(shè)備的方法，該方法包括: 檢測沿著菊花鏈配置中的第一路徑和第二路徑的功率，該第一路徑被配置為在第一頻帶傳送第一 RF信號，該第二路徑被配置為在第二頻帶傳送第二 RF信號；以及 調(diào)節(jié)該第一路徑和第二路徑中的至少一個，以將與功率檢測相關(guān)聯(lián)的頻率響應(yīng)特征移動到不同的頻率范圍。
24.一種用于操作射頻(RF)設(shè)備的方法，該方法包括: 耦接第一電路和第二電路，該第一電路具有包含所選頻率范圍中的特征的頻率響應(yīng)，該頻率響應(yīng)的該特征至少一部分歸因于該耦接；以及 調(diào)節(jié)該第二電路以將該特征從所選頻率范圍移走。
【文檔編號】H04B1/7097GK103916159SQ201310757341
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月29日
【發(fā)明者】R·A·賴斯納, J·C·巴爾德文 申請人:天工方案公司