一種單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路的制作方法
【專利摘要】一種單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路,包括接收輸入的光信號的第一光接收PIN管和第二光接收PIN管,所述第一光接收PIN管的輸出端與第一低噪聲放大管的輸入端連接,所述第二光接收PIN管的輸出端與第二低噪聲放大管的輸入端連接,所述第一低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道一輸入口連接,所述第二低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道二輸入口連接,所述射頻切換芯片與控制通道一和通道二之間切換的單片機(jī)芯片連接,所述第一低噪聲放大管和第二低噪聲放大管均與通過導(dǎo)通不同三極管來分別給其供電的單片機(jī)芯片連接。該電路成本低,雙路光接收信號隔離度達(dá)到50dB以上。
【專利說明】一種單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于有線電視【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及一種應(yīng)用于有線電視網(wǎng)絡(luò)光接收機(jī)的單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路。
【背景技術(shù)】 [0002]隨著三網(wǎng)融合的不斷推進(jìn),對有線電視網(wǎng)絡(luò)可靠性要求的不斷提高,具有主備切換功能的雙光輸入光接收機(jī)應(yīng)用越來越廣泛。一方面,隨著傳輸節(jié)目的不斷豐富,有線電視網(wǎng)絡(luò)頻率帶寬不斷拓寬,從750MHz升級到860MHz再升級到1000MHz。頻率越高,射頻切換芯片的隔離度越差。常規(guī)的射頻切換芯片應(yīng)用于1000MHz帶寬的光接收機(jī)中,其隔離度通常在20-30dB。離40dB的隔離度要求差的很遠(yuǎn)。尤其是模數(shù)混傳的有線電視網(wǎng)絡(luò)中,該問題顯得尤為突出,由于隔離度不夠,兩路光接收信號間產(chǎn)生嚴(yán)重串?dāng)_,導(dǎo)致模擬電視出現(xiàn)重影現(xiàn)象,數(shù)字電視出現(xiàn)馬賽克現(xiàn)象。另一方面,隨著光進(jìn)銅退的網(wǎng)絡(luò)發(fā)展,光接收機(jī)的部署越來越靠近用戶端,數(shù)量越來越多,成本控制要求越來越高。如何提供一種既低成本又能實(shí)現(xiàn)高隔離度切換的雙路光接收機(jī),是目前急需解決的一個(gè)問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型要解決現(xiàn)有雙路光接收機(jī)產(chǎn)品的低帶寬、低隔離度切換缺陷,提供了一種低成本、高隔離度的單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
[0005]一種單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路,其特征在于:包括接收輸入的光信號的第一光接收PIN管和第二光接收PIN管,所述第一光接收PIN管的輸出端與第一低噪聲放大管的輸入端連接,所述第二光接收PIN管的輸出端與第二低噪聲放大管的輸入端連接,所述第一低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道一輸入口連接,所述第二低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道二輸入口連接,所述射頻切換芯片與控制通道一和通道二之間切換的單片機(jī)芯片連接,所述第一低噪聲放大管和第二低噪聲放大管均與通過導(dǎo)通不同三極管來分別給其供電的單片機(jī)芯片連接。
[0006]進(jìn)一步,所述第一光接收PIN管Dl的正極接電容Cl、電阻Rl,電容Cl、電阻Rl的另一端接地,所述第一光接收PIN管Dl的負(fù)極接電容C2、電感LI,電感LI的另一端接電阻R2,電阻R2的另一端接直流電源+5V,電容C2的另一端接電容C3、第一低噪聲放大管Ul的輸入端,電容C3的另一端接電阻R3,所述第一低噪聲放大管Ul的接地腳接地,所述第一低噪聲放大管Ul的輸出端接電阻R3的另一端、電感L2、電容C5,電感L2的另一端接三極管V2的發(fā)射極、電容C4,電容C4的另一端接地,電容C5的另一端接射頻切換芯片U3的第5腳;所述第二光接收PIN管D2的正極接電容C7、電阻R4,電容C7、電阻R4的另一端接地,所述第二光接收PIN管D2的負(fù)極接電感L4、電容C8,電感L4的另一端接電阻R5,電阻R5的另一端接直流電源+5V,電容C8的另一端接電容C9、第二低噪聲放大管U2的輸入端,電容C9的另一端接電阻R6,所述第二低噪聲放大管U2的接地腳接地,所述第二低噪聲放大管U2的輸出端接電阻R6的另一端、電感L3、電容C10,電感L3的另一端接三極管Vl的發(fā)射極、電容C11,電容Cll的另一端接地,電容ClO的另一端接射頻切換芯片U3的第8腳;所述單片機(jī)芯片U4第3腳接電容C14、晶振G1,電容C14的另一端接地,晶振Gl的另一端接電容C15、單片機(jī)芯片U4第4腳,電容C15的另一端接地,所述單片機(jī)芯片U4第12腳接地,單片機(jī)芯片U4第26腳接電阻R8、三極管Vl的基極、電阻R10,電阻R8的另一端接直流電壓+5V,三極管Vl的集電極接直流電壓+5V,電阻RlO的另一端三極管V3的基極,三極管V3的發(fā)射極接地,三極管V3的集電極接電阻R9、三極管V2的基極,電阻R9的另一端接直流電壓+5V,三極管V2的集電極接直流電壓+5V,所述單片機(jī)芯片U4第27腳接射頻切換芯片U3第2腳,所述單片機(jī)芯片U4第28腳接直流電壓+5V,所述單片機(jī)芯片U4第31腳接電阻R7、電解電容C12負(fù)極,電阻R7的另一端接電容C13、接地,電解電容C12正極接直流電壓+5V、電容C13的另一端;所述射頻切換芯片U3第I腳接直流電壓+3V,射頻切換芯片U3第3、6、7腳接地,射頻切換芯片U3第4腳接電容C6,電容C6的另一端輸出射頻信號。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果:該電路采用市場通用的低成本元器件,實(shí)現(xiàn)雙路光接收信號的切換,雙路光接收信號隔離度達(dá)到50dB以上。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的原理框圖。
[0009]圖2是本實(shí)用新型的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合具體實(shí)施例來對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步說明,但并不將本實(shí)用新型局限于這些【具體實(shí)施方式】。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到,本實(shí)用新型涵蓋了權(quán)利要求書范圍內(nèi)所可能包括的所有備選方案、改進(jìn)方案和等效方案。
[0011]參見圖1、圖2,一種單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路,包括接收輸入的光信號的第一光接收PIN管和第二光接收PIN管,所述第一光接收PIN管的輸出端與第一低噪聲放大管的輸入端連接,所述第二光接收PIN管的輸出端與第二低噪聲放大管的輸入端連接,所述第一低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道一輸入口連接,所述第二低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道二輸入口連接,所述射頻切換芯片與控制通道一和通道二之間切換的單片機(jī)芯片連接,所述第一低噪聲放大管和第二低噪聲放大管均與通過導(dǎo)通不同三極管來分別給其供電的單片機(jī)芯片連接。
[0012]單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路,包括光接收PIN管D1-D2、低噪聲放大管U1-U2、射頻切換芯片U3、單片機(jī)芯片U4、三極管V1-V3、晶振G1、電阻R1-R10、電容C1-C15、電感L1-L4。其中U1-U2為ASL380低噪聲放大管、U3為PE4231射頻切換芯片、U4為STC12C5205AD單片機(jī)芯片。所述第一光接收PIN管Dl的正極接電容Cl、電阻Rl,電容Cl、電阻Rl的另一端接地,所述第一光接收PIN管Dl的負(fù)極接電容C2、電感LI,電感LI的另一端接電阻R2,電阻R2的另一端接直流電源+5V,電容C2的另一端接電容C3、第一低噪聲放大管Ul的輸入端,電容C3的另一端接電阻R3,所述第一低噪聲放大管Ul的接地腳接地,所述第一低噪聲放大管Ul的輸出端接電阻R3的另一端、電感L2、電容C5,電感L2的另一端接三極管V2的發(fā)射極、電容C4,電容C4的另一端接地,電容C5的另一端接射頻切換芯片U3的第5腳;所述第二光接收PIN管D2的正極接電容C7、電阻R4,電容C7、電阻R4的另一端接地,所述第二光接收PIN管D2的負(fù)極接電感L4、電容C8,電感L4的另一端接電阻R5,電阻R5的另一端接直流電源+5V,電容C8的另一端接電容C9、第二低噪聲放大管U2的輸入端,電容C9的另一端接電阻R6,所述第二低噪聲放大管U2的接地腳接地,所述第二低噪聲放大管U2的輸出端接電阻R6的另一端、電感L3、電容C10,電感L3的另一端接三極管Vl的發(fā)射極、電容Cll,電容Cll的另一端接地,電容ClO的另一端接射頻切換芯片U3的第8腳;單片機(jī)芯片U4第1、2、5-11、13-25、29、30、32管腳懸空,所述單片機(jī)芯片U4第3腳接電容C14、晶振Gl,電容C14的另一端接地,晶振Gl的另一端接電容C15、單片機(jī)芯片U4第4腳,電容C15的另一端接地,所述單片機(jī)芯片U4第12腳接地,單片機(jī)芯片U4第26腳接電阻R8、三極管Vl的基極、電阻R10,電阻R8的另一端接直流電壓+5V,三極管Vl的集電極接直流電壓+5V,電阻RlO的另一端三極管V3的基極,三極管V3的發(fā)射極接地,三極管V3的集電極接電阻R9、三極管V2的基極,電阻R9的另一端接直流電壓+5V,三極管V2的集電極接直流電壓+5V,所述單片機(jī)芯片U4第27腳接射頻切換芯片U3第2腳,所述單片機(jī)芯片U4第28腳接直流電壓+5V,所述單片機(jī)芯片U4第31腳接電阻R7、電解電容C12負(fù)極,電阻R7的另一端接電容C13、接地,電解電容C12正極接直流電壓+5V、電容C13的另一端;所述射頻切換芯片U3第I腳接直流電壓+3V,射頻切換芯片U3第3、6、7腳接地,射頻切換芯片U3第4腳接電容C6,電容C6的另一端輸出射頻信號。
[0013]本實(shí)用新型的工作過程,第一光接收PIN管Dl接收輸入的光信號,解調(diào)出1000MHz帶寬的射頻信號,第一低噪聲放大管Ul接收該信號進(jìn)行放大后輸入射頻切換芯片U3的第5腳射頻輸入腳;第二光接收PIN管D2接收輸入的光信號,解調(diào)出1000MHz帶寬的射頻信號,第二低噪聲放大管U2接收該信號進(jìn)行放大后輸入射頻切換芯片U3的第8腳射頻輸入腳;單片機(jī)芯片U4第27腳輸出高電平,則射頻切換芯片U3切換到第8腳,連通第8腳和第4腳,輸入第8腳的射頻信號通過第4腳輸出;單片機(jī)芯片U4第27腳輸出低電平,則射頻切換芯片U3切換到第5腳,連通第5腳和第4腳,輸入第5腳的射頻信號通過第4腳輸出。單片機(jī)芯片U4第26腳輸出高電平,則三極管Vl導(dǎo)通,通過三極管Vl的集電極對第二低噪聲放大管U2供電,第二低噪聲放大管U2正常工作,三極管V3導(dǎo)通,三極管V3的集電極低電平,三極管V2截止,停止對第一低噪聲放大管Ul供電,第一低噪聲放大管Ul停止工作。單片機(jī)芯片U4第26腳輸出底電平,則三極管Vl截止,停止對第二低噪聲放大管U2供電,第二低噪聲放大管U2停止工作,三極管V3截止,三極管V3的集電極高電平,三極管V2導(dǎo)通,通過三極管V2的發(fā)射極對第一低噪聲放大管Ul供電,第一低噪聲放大管Ul正常工作。
[0014]當(dāng)需要選擇第一光接收PIN管Dl接收的信號切換輸出時(shí),單片機(jī)芯片U4第26腳輸出底電平,第27腳輸出低電平。單片機(jī)芯片U4第26腳輸出底電平,第一低噪聲放大管Ul正常工作,第二低噪聲放大管U2停止工作。單片機(jī)芯片U4第27腳輸出低電平,則射頻切換芯片U3切換到第5腳,連通第5腳和第4腳,輸入第5腳的射頻信號通過第4腳輸出。這樣,第一光接收PIN管Dl接收的信號經(jīng)過第一低噪聲放大管Ul放大后由射頻切換芯片U3切換輸出;第二低噪聲放大管U2停止工作,第二光接收PIN管D2接收的信號經(jīng)過第二低噪聲放大管U2衰減30dB以上,再加上射頻切換芯片U3的隔離度20-30dB,雙路光接收信號隔離度達(dá)到50dB以上,遠(yuǎn)高于隔離度大于40dB的要求。第二低噪聲放大管U2停止工作帶來的另一好處是可以降低功耗,起到節(jié)能的效果。
[0015]同理,當(dāng)需要選擇第二光接收PIN管D2接收的信號切換輸出時(shí),單片機(jī)芯片U4第26腳輸出高電平,第27腳輸出高電平。單片機(jī)芯片U4第26腳輸出高電平,第二低噪聲放大管U2正常工作,第一低噪聲放大管Ul停止工作。單片機(jī)芯片U4第27腳輸出高電平,則射頻切換芯片U3切換到第8腳,連通第8腳和第4腳,輸入第8腳的射頻信號通過第4腳輸出。這樣,第二光接收PIN管D2接收的信號經(jīng)過第二低噪聲放大管U2放大后由射頻切換芯片U3切換輸出;第一低噪聲放大管Ul停止工作,第一光接收PIN管Dl接收的信號經(jīng)過第一低噪聲放大管Ul衰減30dB以上,再加上射頻切換芯片U3的隔離度20-30dB,雙路光接收信號隔離度達(dá)到50dB以上,遠(yuǎn)高于隔離度大于40dB的要求。第一低噪聲放大管Ul停止工作帶來的另一好處是可以降低功耗,起到節(jié)能的效果。
【權(quán)利要求】
1.一種單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路,其特征在于:包括接收輸入的光信號的第一光接收PIN管和第二光接收PIN管,所述第一光接收PIN管的輸出端與第一低噪聲放大管的輸入端連接,所述第二光接收PIN管的輸出端與第二低噪聲放大管的輸入端連接,所述第一低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道一輸入口連接,所述第二低噪聲放大管的輸出端與輸出射頻信號的射頻切換芯片的通道二輸入口連接,所述射頻切換芯片與控制通道一和通道二之間切換的單片機(jī)芯片連接,所述第一低噪聲放大管和第二低噪聲放大管均與通過導(dǎo)通不同三極管來分別給其供電的單片機(jī)芯片連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單片機(jī)控制雙路光接收高隔離度切換電路,其特征在于:所述第一光接收PIN管Dl的正極接電容Cl、電阻Rl,電容Cl、電阻Rl的另一端接地,所述第一光接收PIN管Dl的負(fù)極接電容C2、電感LI,電感LI的另一端接電阻R2,電阻R2的另一端接直流電源+5V,電容C2的另一端接電容C3、第一低噪聲放大管Ul的輸入端,電容C3的另一端接電阻R3,所述第一低噪聲放大管Ul的接地腳接地,所述第一低噪聲放大管Ul的輸出端接電阻R3的另一端、電感L2、電容C5,電感L2的另一端接三極管V2的發(fā)射極、電容C4,電容C4的另一端接地,電容C5的另一端接射頻切換芯片U3的第5腳;所述第二光接收PIN管D2的正極接電容C7、電阻R4,電容C7、電阻R4的另一端接地,所述第二光接收PIN管D2的負(fù)極接電感L4、電容C8,電感L4的另一端接電阻R5,電阻R5的另一端接直流電源+5V,電容C8的另一端接電容C9、第二低噪聲放大管U2的輸入端,電容C9的另一端接電阻R6,所述第二低噪聲放大管U2的接地腳接地,所述第二低噪聲放大管U2的輸出端接電阻R6的另一端、電感L3、電容C10,電感L3的另一端接三極管Vl的發(fā)射極、電容Cll,電容Cll的另一端接地,電容ClO的另一端接射頻切換芯片U3的第8腳;所述單片機(jī)芯片U4第3腳接電容C14、晶振G1,電容C14的另一端接地,晶振Gl的另一端接電容C15、單片機(jī)芯片U4第4腳,電容C15的另一端接地,所述單片機(jī)芯片U4第12腳接地,單片機(jī)芯片U4第26腳接電阻R8、三極管Vl的基極、電阻R10,電阻R8的另一端接直流電壓+5V,三極管Vl的集電極接直流電壓+5V,電阻RlO的另一端三極管V3的基極,三極管V3的發(fā)射極接地,三極管V3的集電極接電阻R9、三極管V2的基極,電阻R9的另一端接直流電壓+5V,三極管V2的集電極接直流電壓+5V,所述單片機(jī)芯片U4第27腳接射頻切換芯片U3第2腳,所述單片機(jī)芯片U4第28腳接直流電壓+5V,所述單片機(jī)芯片U4第31腳接電阻R7、電解電容C12負(fù)極,電阻R7的另一端接電容C13、接地,電解電容C12正極接直流電壓+5V、電容C13的另一端;所述射頻切換芯片U3第I腳接直流電壓+3V,射頻切換芯片U3第3、6、7腳接地,射頻切換芯片U3第4腳接電容C6,電容C6的另一端輸出射頻信號。
【文檔編號】H04B10/60GK203416269SQ201320354540
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月19日
【發(fā)明者】鄭新源, 方國明 申請人:浙江省廣電科技股份有限公司