高導(dǎo)磁拼接盆架的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種高導(dǎo)磁拼接盆架，包括磁路系統(tǒng)和固定收容磁路系統(tǒng)的盆架，磁路系統(tǒng)包括中心磁鐵；盆架包括低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板和高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板，其中，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板上開設(shè)有與中心磁鐵相對應(yīng)的通孔；中心磁鐵粘接設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的通孔上；高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板粘接設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板下方與中心磁鐵相對應(yīng)的位置，并且，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的厚度小于低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的厚度。利用上述本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架，可以有效緩解磁路系統(tǒng)形成的磁間隙產(chǎn)生的磁飽和，同時增加磁路系統(tǒng)中中心磁鐵的厚度，進一步擴大音圈的驅(qū)動力，提升產(chǎn)品靈敏度。
【專利說明】高導(dǎo)磁拼接盆架【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電聲轉(zhuǎn)換【技術(shù)領(lǐng)域】，更為具體地，涉及一種應(yīng)用于雙磁路系統(tǒng)的高導(dǎo)磁拼接盆架。
【背景技術(shù)】[0002]隨著便攜式消費類電子產(chǎn)品市場的發(fā)展，如微型動圈式電聲轉(zhuǎn)換器等大量的電子裝置得到了廣泛的應(yīng)用。為了增大微型動圈式電聲轉(zhuǎn)換器的輸出功率，其中的磁路系統(tǒng)通常采用雙磁路結(jié)構(gòu),雙磁路結(jié)構(gòu)的磁路系統(tǒng)包括中心磁鐵、邊磁鐵和結(jié)合于中心磁鐵、邊磁鐵底部的盆架，由于盆架使用價格低廉的軟鐵作為材料，該材料的導(dǎo)磁特性不理想，所以容易在磁路系統(tǒng)形成的磁間隙產(chǎn)生磁飽和。
[0003]對于上述問題，一種解決方法是:采用加厚盆架的方式來緩解磁飽和，但是這種解決方法會不可避免地減小中心磁鐵的厚度，降低產(chǎn)品靈敏度。
[0004]而另一種解決方法是:采用兩種不同的導(dǎo)磁材料組成盆架，磁導(dǎo)率高的材料放在容易產(chǎn)生磁飽和的位置，但磁導(dǎo)率高的材料沒有直接與中心磁鐵接觸，緩解磁飽和的效果不明顯，而且中心磁鐵的厚度沒有得到增加。
[0005]因此，需要一種能夠有效緩解磁路系統(tǒng)形成的磁間隙產(chǎn)生的磁飽和，并能增加中心磁鐵厚度的盆架。
實用新型內(nèi)容
[0006]鑒于上述問題，本實用新型的目的是提供一種將兩種不同磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板結(jié)合在一起的高導(dǎo)磁拼接盆架。
[0007]本實用新型提供的高導(dǎo)磁拼接盆架，包括磁路系統(tǒng)和固定收容磁路系統(tǒng)的盆架，磁路系統(tǒng)包括中心磁鐵；盆架包括低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板和高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板,其中,在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板上開設(shè)有與中心磁鐵相對應(yīng)的通孔；中心磁鐵粘接設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的通孔上；高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板粘接設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板下方與中心磁鐵相對應(yīng)的位置，并且，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的厚度小于低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的厚度。
[0008]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的通孔壁上設(shè)置有與高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板相配合的凹槽；高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板通過凹槽與低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板搭接。
[0009]另外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的長度大于中心磁鐵的長度；高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板的寬度大于中心磁鐵的寬度
[0010]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，磁路系統(tǒng)還包括設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板上位于中心磁鐵兩側(cè)的邊磁鐵；并且，邊磁鐵的上表面和中心磁鐵的上表面在同一水平線上。
[0011]另外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，磁路系統(tǒng)還包括分別對應(yīng)設(shè)置在中心磁鐵和邊磁鐵上的中心華司和邊華司。
[0012]此外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，中心磁鐵為矩形結(jié)構(gòu)。
[0013]另外，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，中心磁鐵和邊磁鐵均為矩形結(jié)構(gòu)。[0014]再者，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板為SPCC。
[0015]利用上述根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架，可以有效緩解磁路系統(tǒng)形成的磁間隙產(chǎn)生的磁飽和，同時增加磁路系統(tǒng)的中心磁鐵的厚度，進一步擴大音圈的驅(qū)動力，提升產(chǎn)品靈敏度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]通過參考以下結(jié)合附圖的說明及權(quán)利要求書的內(nèi)容，并且隨著對本實用新型的更全面理解，本實用新型的其它目的及結(jié)果將更加明白及易于理解。在附圖中:
[0017]圖1是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例一的結(jié)構(gòu)分解示意圖；
[0018]圖2是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例一的結(jié)構(gòu)組合示意圖；
[0019]圖3是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例一的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0020]圖4是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例二的結(jié)構(gòu)示意剖面圖；
[0021]圖5是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例三的結(jié)構(gòu)示意剖面圖；
[0022]圖6是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例四的結(jié)構(gòu)示意剖面圖。
[0023]在所有附圖中相同的標(biāo)號指示相似或相應(yīng)的特征或功能。
[0024]其中的附圖標(biāo)記包括:中心磁鐵1、低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2、高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3、邊磁鐵4、邊華司5、中心華司6。
【具體實施方式】
[0025]以下將結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施例進行詳細(xì)描述。
[0026]為了緩解磁路系統(tǒng)形成的磁間隙產(chǎn)生的磁飽和，本實用新型采用兩種不同磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板組成，磁導(dǎo)率高的導(dǎo)磁板設(shè)置在產(chǎn)生磁飽和的位置，在此基礎(chǔ)上，本實用新型為了達到在保證磁路系統(tǒng)整體高度不變的情況下增加中心磁鐵厚度的目的，在磁導(dǎo)率低的導(dǎo)磁板底部開設(shè)凹槽，將磁導(dǎo)率高的導(dǎo)磁板通過凹槽與磁導(dǎo)率低的導(dǎo)磁板搭接在一起。這樣就能緩解磁路系統(tǒng)形成的磁間隙產(chǎn)生的磁飽和，同時增加磁路系統(tǒng)的中心磁鐵的厚度。
[0027]下面將以四個具體實施例對本實用新型的具體技術(shù)方案進行詳細(xì)地說明。
[0028]實施例一
[0029]圖1、圖2和圖3是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例一的結(jié)構(gòu)分解示意圖、結(jié)構(gòu)組合示意圖和結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0030]如圖1、圖2和圖3所示，本實用新型涉及的高導(dǎo)磁拼接盆架,包括磁路系統(tǒng)和固定收容磁路系統(tǒng)的盆架,磁路系統(tǒng)包括矩形結(jié)構(gòu)的中心磁鐵I和位于中心磁鐵I兩側(cè)同樣為矩形結(jié)構(gòu)的邊磁鐵4，中心磁鐵I和邊磁鐵4形成磁間隙。
[0031]盆架包括低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2和高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3，其中，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的兩端形成收容磁路系統(tǒng)的側(cè)壁，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2對應(yīng)中心磁鐵I的位置開設(shè)有矩形通孔；矩形結(jié)構(gòu)的中心磁鐵I設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的矩形通孔上，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的矩形通孔壁上對應(yīng)中心磁鐵I底面位置向下的部分設(shè)置有去料形成的凹槽，凹槽與高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3相配合，即，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3的長度和厚度與凹槽的長度和深度相同；高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3通過凹槽粘接設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2下方與中心磁鐵I相對應(yīng)的位置，因此,高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3的長度大于中心磁鐵I的長度,高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3的寬度大于中心磁鐵I的寬度。
[0032]將高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3縱向的兩邊設(shè)置在磁間隙之間，即，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3橫向兩邊伸出中心磁鐵I的長度小于磁間隙的長度,通過高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3伸出中心磁鐵I的部分與低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2搭接可以很好的緩解磁間隙產(chǎn)生的磁飽和。
[0033]磁路系統(tǒng)中的邊磁鐵4粘接在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2兩端的上表面，位于中心磁鐵I的兩側(cè)；為了使中心磁鐵I和邊磁鐵4處于同一高度，邊磁鐵4的厚度要小于中心磁鐵I的厚度，且邊磁鐵4的上表面與中心磁鐵I的上表面在同一水平線上。
[0034]磁路系統(tǒng)還包括粘接在中心磁鐵I和邊磁鐵4上表面起導(dǎo)磁作用的中心華司6和邊華司5，由于邊磁鐵4與邊華司5通過膠水粘接在一起，為了阻止膠水漏到磁間隙內(nèi)，邊華司5的寬度略小于中心磁鐵的寬度，且邊華司5對齊在邊磁鐵4形成磁間隙的一側(cè)。
[0035]本實用新型實施例一的高導(dǎo)磁拼接盆架，因其采用高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3直接粘接在中心磁鐵I下表面的方式結(jié)合在一起，故可以增強中心磁鐵I的磁導(dǎo)率。
[0036]由于導(dǎo)磁板3的磁導(dǎo)率高于導(dǎo)磁板2的磁導(dǎo)率，所以高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3的厚度可以小于低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的厚度，采用這種方式搭接在一起的盆架，可以把高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3節(jié)省出來的空間用于增加中心磁鐵I的厚度，進一步擴大音圈的驅(qū)動力，提升產(chǎn)品靈敏度。
[0037]由于在本實施例一中邊磁鐵4、邊華司5和中心華司6的結(jié)構(gòu)位置關(guān)系在實施例二至實施例四中沒有發(fā)生變化，故在實施例二至實施例四中不再重復(fù)。
[0038]實施例二
[0039]圖4是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例二的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0040]在上述實施例一的基礎(chǔ)上，本實用新型可以做出如圖4所示的另一種改進，實施例二與實施例一的不同之處在于高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3的長度不一樣。在圖4所不的高導(dǎo)磁拼接盆架中，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的中部開有矩形通孔，矩形結(jié)構(gòu)的中心磁鐵設(shè)置在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的矩形通孔上，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的矩形通孔壁上對應(yīng)中心磁鐵I底面位置向下的部分設(shè)置有去料形成的與高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3相配合的凹槽，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3粘接設(shè)置在中心磁鐵I的下表面，并通過凹槽與低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2搭接在一起。
[0041]本實施例二中將高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3縱向的兩邊設(shè)置在超出磁間隙的位置，即，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3橫向兩邊伸出中心磁鐵I的長度大于磁間隙的長度，但考慮成本因素，為了節(jié)約成本，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3橫向兩邊伸出中心磁鐵I的長度要略大于磁間隙的長度。
[0042]對比實施例一，在本實施例二中，由于高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3伸出中心磁鐵I的長度大于磁間隙的長度，所以本實施例二能更有效的緩解磁間隙產(chǎn)生的磁飽和。
[0043]實施例三
[0044]圖5是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例三的結(jié)構(gòu)示意剖面圖。
[0045]在上述實施例一的基礎(chǔ)上，本實用新型還可以做出如圖5所示的另一種改進，實施例三相對于實施例一的改進之處為去料形成的凹槽設(shè)置在高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3上。
[0046]在圖5所示的高導(dǎo)磁拼接盆架中，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的中心位置開有孔壁對應(yīng)在磁間隙中的矩形通孔，在矩形通孔的孔壁上粘接有與低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2厚度相同的高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3，在高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3上設(shè)置有去料形成的與中心磁鐵I相配合的凹槽,中心磁鐵I設(shè)置在高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3的凹槽上。
[0047]本實施例三的這種拼接盆架結(jié)合方式同樣可以將高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3節(jié)省出來的空間用于增加中心磁鐵I的厚度，進一步擴大音圈的驅(qū)動力，提升產(chǎn)品靈敏度。
[0048]對比實施例一，本實施例三中的高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3形成有向上凸起的部分，由于向上凸起的部分對應(yīng)在磁間隙中，所以增大了高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3在磁間隙中的面積，因此，能提高磁間隙的磁導(dǎo)率，有效緩解磁間隙產(chǎn)生的磁飽和。
[0049]實施例四
[0050]圖6是表示根據(jù)本實用新型的高導(dǎo)磁拼接盆架實施例四的結(jié)構(gòu)示意剖面圖。
[0051]在上述實施例三的基礎(chǔ)上，本實用新型還可以做出如圖6所示的另一種改進，實施例四相對于實施例三的不同之處為實施例四中在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2上開設(shè)矩形通孔的孔徑要長于實施例三中在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2上開設(shè)矩形通孔的孔徑。
[0052]在圖6所示的高導(dǎo)磁拼接盆架中，在低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2的中心位置開設(shè)有矩形通孔，在矩形通孔的孔壁上粘接有與低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2厚度相同的高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3，在高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3上設(shè)置有去料形成的與中心磁鐵I相配合的凹槽，中心磁鐵I設(shè)置在高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3的凹槽上。
[0053]為了進一步增大高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3在磁間隙中的面積，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3伸出中心磁鐵I的長度要大于磁間隙的長度，同樣的為了節(jié)約成本，高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3伸出中心磁鐵I的長度要略大于磁間隙的長度。
[0054]本實施例四的這種盆架結(jié)構(gòu)結(jié)合方式同樣的將高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3節(jié)省出來的空間用于增加中心磁鐵I的厚度，進一步擴大音圈的驅(qū)動力，提升產(chǎn)品靈敏度。
[0055]相比實施例一，本實施例四中大幅增加高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3在磁間隙中的面積，提高磁間隙的磁導(dǎo)率，有效緩解磁間隙產(chǎn)生的磁飽和。
[0056]在上述的四個實施例中，可以米用SPCC作為低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2, SPCC表不一般用冷軋?zhí)间摫“寮颁搸?，其價格便宜，采用SPCC作為低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板2能夠節(jié)省成本；由于鐵、鎳、錳等金屬的磁導(dǎo)率高，所以采用鐵、鎳、錳等金屬制成高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板3。
[0057]如上參照附圖以示例的方式描述了根據(jù)本實用新型提出的高導(dǎo)磁拼接盆架。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對于上述本實用新型所提出的高導(dǎo)磁拼接盆架，還可以在不脫離本實用新型內(nèi)容的基礎(chǔ)上做出各種改進和變形。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)當(dāng)由所附的權(quán)利要求書的內(nèi)容確定。
【權(quán)利要求】
1.一種高導(dǎo)磁拼接盆架，包括磁路系統(tǒng)和固定收容所述磁路系統(tǒng)的盆架，所述磁路系統(tǒng)包括中心磁鐵(I);所述盆架包括低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2 )和高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(3 )，其特征在于， 在所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)上開設(shè)有與所述中心磁鐵(I)相對應(yīng)的通孔； 所述中心磁鐵(I)粘接設(shè)置在所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)的通孔上； 所述高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(3)粘接設(shè)置在所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)下方與所述中心磁鐵(I)相對應(yīng)的位置，并且，所述高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(3)的厚度小于所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)磁拼接盆架，其特征在于， 在所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)的通孔壁上設(shè)置有與所述高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(3)相配合的凹槽； 所述高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(3)通過所述凹槽與所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)搭接。
3.如權(quán)利要求2所述的高導(dǎo)磁拼接盆架，其特征在于， 所述高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(3)的長度大于所述中心磁鐵(I)的長度； 所述高磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(3)的寬度大于所述中心磁鐵(I)的寬度。
4.如權(quán)利要求2所述的高導(dǎo)磁拼接盆架，其特征在于， 所述磁路系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)上位于所述中心磁鐵(I)兩側(cè)的邊磁鐵(4);并且， 所述邊磁鐵(4)的上表面和所述中心磁鐵(I)的上表面在同一水平線上。
5.如權(quán)利要求4所述的高導(dǎo)磁拼接盆架，其特征在于， 所述磁路系統(tǒng)還包括分別對應(yīng)設(shè)置在所述中心磁鐵(I)和所述邊磁鐵(4)上的中心華司(6)和邊華司(5)。
6.如權(quán)利要求1?4中任一項所述的高導(dǎo)磁拼接盆架，其特征在于，所述中心磁鐵(I)為矩形結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求4所述的高導(dǎo)磁拼接盆架，其特征在于， 所述中心磁鐵(I)和所述邊磁鐵(4)均為矩形結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1?4中任一項所述的高導(dǎo)磁拼接盆架，其特征在于， 所述低磁導(dǎo)率的導(dǎo)磁板(2)為SPCC。
【文檔編號】H04R7/20GK203399278SQ201320445872
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月24日
【發(fā)明者】邵明輝, 牟宗君, 許超 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司