一種階梯型音圈及使用該音圈的發(fā)聲器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種階梯型音圈，由漆包線繞制而成，所述音圈壁厚不同，其一端壁薄，另一端壁厚。本實用新型還提供了一種使用該音圈的發(fā)聲器，音圈壁薄一端與振膜膠合，音圈壁厚一端處于磁通密度最大且相對均勻的區(qū)域，使有限的音圈導線集中到磁通密度最大且相對均勻的區(qū)域，提高了能量的轉(zhuǎn)換效率，從而使發(fā)聲器獲得高靈敏度和高保真的音質(zhì)。
【專利說明】一種階梯型音圈及使用該音圈的發(fā)聲器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種發(fā)聲器，尤其涉及發(fā)聲器的音圈結(jié)構。
【背景技術】
[0002]在人們對高靈敏度，高保真音質(zhì)的追求下，各種音視頻、通信設備、便攜式計算機等便攜式電子設備以較快速度發(fā)展，其功能性越來越強，特別是近年來智能手機的普遍使用，使產(chǎn)品對微型發(fā)聲器的品質(zhì)要求越來越高。
[0003]目前電動式發(fā)聲器普遍使用導線繞制層數(shù)為2層、4層或6層的音圈，所述音圈上、下端面導線層數(shù)相同，具有壁厚均等的特點。所述發(fā)聲器主要由磁路部分和振動部分組成，磁路部分由極板、磁鐵和U杯構成，磁路部分形成磁間隙；振動部分由音圈和振膜組成，音圈和振膜膠粘形成整體，當音頻電流加載到音圈上時，根據(jù)法拉第定律，音圈在磁路部分產(chǎn)生的磁場中會受到一個電動力，并帶動振膜推動空氣而發(fā)聲，其受力方向符合弗萊明左手定則，力與電流、磁場方向互相垂直，受力大小F與電流強度1、導線長度L及磁通密度B成正比:F a B.L.I。然而磁通密度總體不均勻，但在磁路部分形成的磁間隙內(nèi)，其磁通密度相對均勻并且磁通密度最大，現(xiàn)有結(jié)構音圈壁厚均等，不能使有限的音圈導線集中在磁通密度最大區(qū)域，導致能量的轉(zhuǎn)換效率難以提高，發(fā)聲器靈敏度偏低，低頻諧波失真偏大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型的目的在于提供一種階梯型并能提升發(fā)聲器轉(zhuǎn)換效率、提升發(fā)聲器靈敏度和降低發(fā)聲器失真的音圈。
[0005]本實用新型的目的通過以下技術方案來實現(xiàn):
[0006]一種階梯型音圈，由漆包線繞制而成，所述音圈壁厚不同，其一端壁薄，另一端壁厚。
[0007]為了獲得更好的技術效果，所述音圈壁厚變化為階梯式過渡方式，壁厚從薄壁端逐漸增厚至厚壁端；所述階梯型音圈漆包線形成的閉合回路形狀包含圓形、方形、跑道型。
[0008]一種使用上述階梯型音圈的發(fā)聲器，包括階梯型音圈和振膜，音圈壁薄一端與振膜膠合，音圈壁厚一端處于磁通密度最大且相對均勻的區(qū)域。
[0009]與現(xiàn)有技術的音圈相比，本實用新型音圈可以將有限的音圈導線集中到磁通密度最大且相對均勻的區(qū)域，提高了能量的轉(zhuǎn)換效率，從而使發(fā)聲器獲得高靈敏度和高保真的首質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型音圈與振膜膠合形成的振動部分示意圖。
[0011]圖2為圖1的A部放大示意圖。
[0012]圖3為本實用新型音圈實施例的發(fā)聲器剖面圖?！揪唧w實施方式】
[0013]以下結(jié)合實施例并對照附圖對本實用新型作進一步說明。
[0014]發(fā)聲器2的振動部分I由本實用新型音圈11與振膜12組成，音圈11的薄壁端面111通過膠層13與振膜12膠合，音圈11的厚壁端面112處于遠離振膜12的一端。
[0015]為本實用新型音圈實施例的發(fā)聲器2，發(fā)聲器2包括振動部分1、磁路部分3和前蓋4。其中磁路部分3由極板31、磁鐵32、U杯33組成，磁路部分3形成磁間隙34，磁間隙34區(qū)域內(nèi)的磁通密度最大且相對均勻，音圈11的厚壁端面112懸置在磁間隙34內(nèi)，當外界音頻電流饋給音圈11后，音圈11在磁間隙34內(nèi)往復運動。
[0016]以上所述僅為本實用新型的較佳實施方式，本實用新型的保護范圍并不以上述實施方式為限，但凡本領域普通技術人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所做的等效修飾或變化，皆應納入權利要求書中記載的保護范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種階梯型音圈，由漆包線繞制而成，其特征在于:所述音圈壁厚不同，其一端壁薄，另一端壁厚。
2.如權利要求1所述的階梯型音圈，其特征在于:所述音圈壁厚變化為階梯式過渡方式，壁厚從薄壁端逐漸增厚至厚壁端。
3.如權利要求1所述的階梯型音圈，其特征在于:所述階梯型音圈漆包線形成的閉合回路形狀包含圓形、方形、跑道型。
4.一種使用權利要求1所述階梯型音圈的發(fā)聲器，包括階梯型音圈和振膜，其特征在于:音圈壁薄一端與振膜膠合，音圈壁厚一端處于磁通密度最大且相對均勻的區(qū)域。
【文檔編號】H04R9/02GK203504745SQ201320564115
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月12日 優(yōu)先權日:2013年9月12日
【發(fā)明者】吳昌彥, 丁新敏, 蔡榮明, 劉冬冬 申請人:江西聯(lián)創(chuàng)宏聲電子有限公司