一種提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其特征在于：其具體包括如下步驟：(1)設(shè)置一高音缸體；(2)設(shè)置一盆架、一磁路系統(tǒng)、一結(jié)合于盆架的振膜及一音圈；(3)設(shè)置一等化器組件，其包括一壓縮型等化器結(jié)構(gòu)、以及一擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)；(4)設(shè)置一EVA墊片以及一防塵網(wǎng)；(5)設(shè)置相互連接的一襯蓋以及一散熱器柱；(6)將上述的構(gòu)件組裝起來，制成一揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器，所述揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的振膜振動(dòng)產(chǎn)生的聲波向上方經(jīng)過壓縮型等化器結(jié)構(gòu)處理后，再經(jīng)過擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)處理后向外傳出，所制成的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度可達(dá)到103～110db。本發(fā)明還公開了實(shí)施上述方法的裝置。
【專利說明】一種提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及音響設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)研究技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)音響的性能提出了更高的要求，其要求具有高靈敏度、大功率、以及頻率范圍寬等特性。
[0003]而等化器是其提高靈敏度、增大功率、以及增大頻率范圍的一個(gè)關(guān)鍵部件，但是，現(xiàn)有的等化器結(jié)構(gòu)復(fù)雜，不利于生產(chǎn)制造，也不利于組裝，同時(shí)，現(xiàn)有的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)構(gòu)造復(fù)雜，其靈敏度不高，現(xiàn)有的市面上的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器，其可達(dá)到的靈敏度一般為:102db~105db，不能滿足持續(xù)提高的音響性能需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種解決上述問題的提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，以及實(shí)施該方法的揚(yáng)聲驅(qū)動(dòng)器裝置。
[0005]本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的而采用的技術(shù)方案為:
[0006]一種提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其具體包括如下步驟:
[0007](I)設(shè)置一高音缸體；
[0008](2)設(shè)置一盆架、一磁路系統(tǒng)、一結(jié)合于盆架的振膜及一音圈，該音圈的上端固定至振膜，下端穿入磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)；所述的盆架設(shè)置于高音缸體的開口處，所述的磁路系統(tǒng)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部；
[0009](3)設(shè)置一等化器組件，其包括一壓縮型等化器結(jié)構(gòu)、以及一擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)，所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)與盆架相連，所述的擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部；
[0010](4)設(shè)置一 EVA墊片以及一防塵網(wǎng)，所述的EVA墊片，其為一整體輪廓形狀呈環(huán)形的片材構(gòu)件，所述防塵網(wǎng)設(shè)置于EVA墊片的中部，所述的EVA墊片設(shè)置于高音缸體的底部；
[0011](5)設(shè)置相互連接的一襯蓋以及一散熱器柱，所述的襯蓋與壓縮型等化器結(jié)構(gòu)連接；
[0012](6)將上述的構(gòu)件組裝起來，制成一揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器，所述揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的振膜振動(dòng)產(chǎn)生的聲波，先向上方經(jīng)過壓縮型等化器結(jié)構(gòu)處理，再經(jīng)過擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)處理后向外傳出，使揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度達(dá)到103~107db。
[0013]所述步驟(1)中的高音缸體，其為一由壓鑄鋁制備的中空的腔體構(gòu)件，其中空的腔體形成一號(hào)角；其內(nèi)部還增設(shè)有用來屏蔽金屬自身振動(dòng)聲音的吸音材料；所述的吸音材料，其為吸首棉。
[0014]所述步驟(2)中的磁路系統(tǒng)，其包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁鐵、以及一設(shè)置于磁鐵上、且容置于磁杯中的華司，所述的磁鐵，其為由釹鐵硼制備的強(qiáng)磁鐵，其優(yōu)選為型號(hào)N38H的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵；(本發(fā)明所使用的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵，其他型號(hào)的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵也可以用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。)所述的磁杯、磁鐵、華司均為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述的磁鐵、華司的直徑相等，且均小于磁杯的直徑，所述的華司、磁鐵與磁杯之間形成一磁間隙，所述的音圈穿入磁間隙內(nèi)，所述的音圈與磁間隙的內(nèi)側(cè)、外側(cè)的距離比例為0.46:0.54，通過采用釹鐵硼強(qiáng)磁鐵、以及調(diào)整音圈與磁間隙內(nèi)側(cè)、外側(cè)距離比例的分配，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度達(dá)到104?I IOdb。
[0015]所述步驟(2)中的音圈，(所述的音圈，其橫截面為矩形，圓形或者是其他的幾何形狀，可根據(jù)揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的具體要求，設(shè)計(jì)為作為合適的幾何形狀)其包括音圈骨架及音圈線，將所述音圈線繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)，形成內(nèi)、外線圈結(jié)構(gòu)；所述的音圈的直徑為90mm至150mm，其以單層結(jié)構(gòu)形式繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)，通過線圈內(nèi)外繞的方式，提高磁能利用率，；所述音圈骨架為kapton高分子材料構(gòu)件，所述音膜為peek高分子材料構(gòu)件；且所述的音圈骨架及音膜，均設(shè)有向一側(cè)或兩側(cè)表面凸出的加強(qiáng)肋條；該肋條呈中心對(duì)稱、均勻間隔、福射狀分布，每條肋條自圓心向圓周方向延伸，其厚度是音圈骨架其他部位厚度的1.1?1.4倍。
[0016]采用大直徑的音圈，提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器功率，通過上述的兩種方式結(jié)合，進(jìn)一步提高了揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度進(jìn)一步達(dá)到107?llOdb。
[0017]所述步驟(3)的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)，其包括一等化器本體，其中部設(shè)有一圓孔，圍繞所述圓孔成型有多個(gè)氣室通道，所述氣室通道包括朝向音膜的聲波入口、與音膜相對(duì)的反射斜面、兩側(cè)面、一頂面、一底面以及一朝向圓孔的聲波出口 ；振膜振動(dòng)產(chǎn)生聲波由聲波入口傳入，經(jīng)反射斜面折向聲波出口再傳出；且所述氣室通道的聲波入口呈螺旋線分布，即各氣室通道的聲波入口與等化器本體中心的距離是不等的；所述每個(gè)氣室通道的聲波出口處設(shè)有延伸部，且延伸部呈尖狀。
[0018]所述的等化器本體，其由兩個(gè)環(huán)形的第一主體和第二主體組合而成，所述的第一主體上呈螺旋狀設(shè)置多個(gè)聲波入口，以及多個(gè)底面，以及與聲波入口對(duì)應(yīng)的多組第一側(cè)面，側(cè)壁之間即制成通道；所述第二主體上則設(shè)置反射斜面、頂面以及與第一主體上的側(cè)面對(duì)應(yīng)平齊的多組第二側(cè)面，即組合后第一側(cè)面與第二側(cè)面制成每個(gè)氣室通道的側(cè)面，聲波出口由第一主體的底面、第一側(cè)面及第二主體的頂面制成，朝向擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)；聲波由聲波入口傳入，經(jīng)反射斜面反射折成水平方向傳播，再經(jīng)過通道傳輸，經(jīng)聲波出口傳輸至擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)。
[0019]—種實(shí)施上述方法的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器裝置，其包括一高音缸體、一盆架、一磁路系統(tǒng)、一結(jié)合于盆架的振膜及一音圈，一壓縮型等化器結(jié)構(gòu)、一擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)、一 EVA墊片、一防塵網(wǎng)、一襯蓋、以及一散熱器柱；所述音圈的上端固定至振膜，下端穿入磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)；所述的盆架設(shè)置于高音缸體的開口處，所述的磁路系統(tǒng)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部；所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)與盆架相連，所述的擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部；所述的EVA墊片，其為一整體輪廓形狀呈環(huán)形的片材構(gòu)件，所述防塵網(wǎng)設(shè)置于EVA墊片的中部，所述的EVA墊片設(shè)置于高音缸體的底部；所述襯蓋與散熱器柱連接，所述的襯蓋與壓縮型等化器結(jié)構(gòu)連接。
[0020]所述的高音缸體，其為一由壓鑄鋁制備的中空的腔體構(gòu)件，其中空的腔體形成一號(hào)角；其內(nèi)部還增設(shè)有用來屏蔽金屬自身振動(dòng)聲音的吸音材料，所述的吸音材料，其為吸音棉。[0021]所述磁路系統(tǒng),其包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁鐵、以及一設(shè)置于磁鐵上、且容置于磁杯中的華司，所述的磁鐵，其為釹鐵硼制備的強(qiáng)磁鐵；其優(yōu)選由型號(hào)為N38H的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵；所述的磁杯、磁鐵、華司均為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述的磁鐵、華司的直徑相等，且均小于磁杯的直徑，所述的華司、磁鐵與磁杯之間形成一磁間隙；所述的音圈穿入磁間隙內(nèi)，所述的音圈與磁間隙的內(nèi)側(cè)、外側(cè)的距離比例為0.46:0.54 ;所述的音圈，其包括音圈骨架及音圈線，將所述音圈線繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)，形成內(nèi)、外線圈結(jié)構(gòu)；所述的音圈的直徑為90mm至150mm,其以單層結(jié)構(gòu)形式繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)。
[0022]其中所述音圈骨架為kapton高分子材料構(gòu)件,且所述的音圈骨架,設(shè)有向一側(cè)或兩側(cè)表面凸出的加強(qiáng)肋條；該肋條呈中心對(duì)稱、均勻間隔、輻射狀分布，每條肋條自圓心向圓周方向延伸，其厚度是音圈骨架其他部位厚度的1.1?1.4倍。
[0023]所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)，其包括一等化器本體，其中部設(shè)有一圓孔，圍繞所述圓孔成型有多個(gè)氣室通道，所述氣室通道包括朝向音膜的聲波入口、與音膜相對(duì)的反射斜面、兩側(cè)面、一頂面、一底面以及一朝向圓孔的聲波出口 ；且所述氣室通道的聲波入口呈螺旋線分布，各氣室通道的聲波入口與本體中心的距離不等；所述的等化器本體，其由兩個(gè)環(huán)形的第一主體和第二主體組合而成，其中所述的第一主體上呈螺旋狀設(shè)置多個(gè)聲波入口，以及多個(gè)底面，以及與聲波入口對(duì)應(yīng)的多組第一側(cè)面，側(cè)壁之間即制成通道；所述第二主體上則設(shè)置反射斜面、頂面以及與第一主體上的側(cè)面對(duì)應(yīng)平齊的多組第二側(cè)面，即組合后第一側(cè)面與第二側(cè)面制成每個(gè)氣室通道的側(cè)面，聲波出口由第一主體的底面、第一側(cè)面及第二主體的頂面制成；所述每個(gè)氣室通道的聲波出口處設(shè)有延伸部，且延伸部呈尖狀，朝向擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)。
[0024]本發(fā)明通過采用音圈上的線體的內(nèi)外繞線結(jié)構(gòu)，以及采用大直徑的音圈，一方面提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的功率、磁能利用率，另一方面，也可以提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度。
[0025]本發(fā)明采用釹鐵硼強(qiáng)磁鐵，以及音圈至磁間隙內(nèi)側(cè)、外側(cè)距離的合理分配，進(jìn)一步的增強(qiáng)本發(fā)明的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度。
[0026]本發(fā)明通過壓縮型等化器結(jié)構(gòu)、擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)的組合使用，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度達(dá)到103?107db。
[0027]同時(shí)，本發(fā)明通過采用壓鑄鋁制備、內(nèi)部增設(shè)吸音材料、且中空的腔體形成一號(hào)角的高音缸體、特別設(shè)計(jì)的音圈骨架結(jié)構(gòu)，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度進(jìn)一步達(dá)到107?IIOdb。
[0028]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明的剖視圖；
[0030]圖2為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3為圖2的分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4為壓縮型等化器結(jié)構(gòu)的第一主體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖5為壓縮型等化器結(jié)構(gòu)的第二主體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖6為本發(fā)明的音圈的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖7為傳統(tǒng)的音圈的結(jié)構(gòu)示意圖；[0036]其中:
[0037]1、高音缸體2、盆架3、振膜
[0038]4、音圈 5、壓縮型等化器結(jié)構(gòu)6、擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)
[0039]7、EVA墊片 8、防塵網(wǎng)9、襯蓋
[0040]10、散熱器柱11、號(hào)角12、吸音棉
[0041]13、磁杯 14、磁鐵15、華司
[0042]16、第一主體17、第二主體18、聲波入口
[0043]19、底面 20、第一側(cè)面21、延伸部
[0044]22、反射斜面23、頂面24、第二側(cè)面
[0045]41、音圈骨架42、音圈線
【具體實(shí)施方式】
[0046]參見圖1~圖5，本發(fā)明提供的一種提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其具體包括如下步驟:
[0047](I)設(shè)置一高音缸體I ;
[0048](2)設(shè)置一盆架2、一磁路系統(tǒng)、一結(jié)合于盆架2的振膜3及一音圈4,該音圈4的上端固定至振膜3，下端穿 入磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)；所述的盆架2設(shè)置于高音缸體I的開口處，所述的磁路系統(tǒng)設(shè)置于高音缸體I的內(nèi)部；
[0049](3)設(shè)置一等化器組件，其包括一壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5、以及一擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6，所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5與盆架2相連，所述的擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6設(shè)置于高音缸體I的內(nèi)部；
[0050](4)設(shè)置一 EVA墊片7以及一防塵網(wǎng)8，所述的EVA墊片7，其為一整體輪廓形狀呈環(huán)形的片材構(gòu)件，所述防塵網(wǎng)8設(shè)置于EVA墊片7的中部，所述的EVA墊片7設(shè)置于高音缸體I的底部；
[0051](5)設(shè)置相互連接的一襯蓋9以及一散熱器柱10，所述的襯蓋9與壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5連接；
[0052](6)將上述的構(gòu)件組裝起來，制成一揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器，所述揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的振膜3振動(dòng)產(chǎn)生的聲波向上方經(jīng)過壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5處理后，再經(jīng)過擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6處理后向外傳出，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度達(dá)到103~107db。
[0053]所述步驟(1)中的高音缸體1，其為一由壓鑄鋁制備的中空的腔體構(gòu)件，其中空的腔體形成一號(hào)角11 ;其內(nèi)部還增設(shè)有用來屏蔽金屬自身振動(dòng)聲音的吸音材料；所述的吸音材料，其為吸音棉12。
[0054]所述步驟(2)中的磁路系統(tǒng)，其包括一磁杯13、一容置于磁杯13中的磁鐵14、以及一設(shè)置于磁鐵14上、且容置于磁杯13中的華司15，所述的磁鐵14，其為由釹鐵硼制備的強(qiáng)磁鐵，其優(yōu)選為型號(hào)N38H的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵；(本發(fā)明所使用的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵，其他型號(hào)的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵也可以用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。)所述的磁杯13、磁鐵14、華司15均為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述的磁鐵14、華司15的直徑相等，且均小于磁杯13的直徑，所述的華司15、磁鐵14與磁杯13之間之間形成一磁間隙，所述的音圈4穿入磁間隙內(nèi)，所述的音圈4與磁間隙的內(nèi)側(cè)、外側(cè)的距離比例為0.46:0.54，通過采用釹鐵硼強(qiáng)磁鐵、以及調(diào)整音圈4與磁間隙內(nèi)側(cè)、外側(cè)距離比例的分配，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度達(dá)到104?107db。
[0055]所述步驟(2)中的音圈4，(所述的音圈，其橫截面為矩形，圓形或者是其他的幾何形狀，可根據(jù)揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的具體要求，設(shè)計(jì)為作為合適的幾何形狀)其包括音圈骨架41及音圈線42，將所述音圈線42繞于音圈骨架41的內(nèi)外兩側(cè)，形成內(nèi)、外線圈結(jié)構(gòu)；所述的音圈4的直徑為90mm至150mm,其以單層結(jié)構(gòu)形式繞于音圈骨架41的內(nèi)外兩側(cè),通過音圈線42內(nèi)外繞的方式，提高了磁能利用率，采用大直徑的音圈，提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器功率，通過上述的兩種方式結(jié)合，進(jìn)一步提高了揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度達(dá)到107?I IOdb。
[0056]其中所述音圈骨架為kapton高分子材料構(gòu)件,且所述的音圈骨架41,設(shè)有向一側(cè)或兩側(cè)表面凸出的加強(qiáng)肋條；該肋條呈中心對(duì)稱、均勻間隔、輻射狀分布，每條肋條自圓心向圓周方向延伸，其厚度是音圈骨架或音膜其他部位厚度的1.1?1.4倍。
[0057]本發(fā)明獨(dú)特設(shè)計(jì)的音圈骨架41的加強(qiáng)肋條的厚度是音圈骨架其他部位厚度的
1.1?1.4倍，經(jīng)實(shí)際檢測(cè)表明，其剛性、熱膨脹系數(shù)、交辦應(yīng)力下的抗疲勞性等綜合性能為最佳，超出此范圍則會(huì)出現(xiàn)綜合性能下降、甚至出現(xiàn)相反的效果。
[0058]Kapton高分子材料是美國(guó)杜邦公司(DuPont)生產(chǎn)的聚酰亞胺(PI)薄膜材料的商品名稱。PI是20世紀(jì)50年代發(fā)展起來的耐熱性較高的一類高分子材料，具有優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性、耐高溫性、堅(jiān)韌性、耐磨性、阻燃性、電絕緣性等。
[0059]本實(shí)施例中，音圈骨架41采用的Kapton高分子材料，可以是熱固性聚酰亞胺、熱塑性聚酰亞胺和增強(qiáng)型聚酰亞胺之一，其中優(yōu)選熱塑性聚酰亞胺，其連續(xù)工作溫度最高為220。C，且剛性好、熱膨脹系數(shù)、吸濕性和介電常數(shù)均較低，可以針對(duì)性的提高大直徑音圈的強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性和絕緣性能。
[0060]所述步驟(3)的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5，其包括一等化器本體，其中部設(shè)有一圓孔，圍繞所述圓孔成型有多個(gè)氣室通道，所述氣室通道包括朝向音膜的聲波入口 18、與音膜相對(duì)的反射斜面22、兩側(cè)面、一頂面、一底面19以及一朝向圓孔的聲波出口 ；振膜3振動(dòng)產(chǎn)生聲波由聲波入口口 18傳入，經(jīng)反射斜面22折向聲波出口再傳出；且所述氣室通道的聲波入口口 18呈螺旋線分布，即各氣室通道的聲波入口口 18與等化器本體中心的距離是不等的；所述每個(gè)氣室通道的聲波出口處設(shè)有延伸部21，且延伸部21呈尖狀。
[0061 ] 所述的等化器本體，其由兩個(gè)環(huán)形的第一主體16和第二主體17組合而成，所述的第一主體16上呈螺旋狀設(shè)置多個(gè)聲波入口口 18，以及多個(gè)底面19，以及與聲波入口口 18對(duì)應(yīng)的多組第一側(cè)面20，側(cè)壁之間即制成通道；所述第二主體17上則設(shè)置反射斜面22、頂面以及與第一主體16上的側(cè)面對(duì)應(yīng)平齊的多組第二側(cè)面24，即組合后第一側(cè)面20與第二側(cè)面24制成每個(gè)氣室通道的側(cè)面，聲波出口由第一主體16的底面19、第一側(cè)面20及第二主體17的頂面制成，朝向擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6 ;聲波由聲波入口口 18傳入，經(jīng)反射斜面22反射折成水平方向傳播，再經(jīng)過通道傳輸，經(jīng)聲波出口傳輸至擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6。
[0062]—種實(shí)施上述的提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度方法的裝置，其包括一高音缸體1、一盆架2、一磁路系統(tǒng)、一結(jié)合于盆架2的振膜3及一音圈4，一壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5、一擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6、一 EVA墊片7、一防塵網(wǎng)8、一襯蓋9、以及一散熱器柱10 ;所述音圈4的上端固定至振膜3，下端穿入磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)；所述的盆架2設(shè)置于高音缸體I的開口處，所述的磁路系統(tǒng)設(shè)置于高音缸體I的內(nèi)部；所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5與盆架2相連，所述的擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6設(shè)置于高音缸體I的內(nèi)部；所述的EVA墊片7，其為一整體輪廓形狀呈環(huán)形的片材構(gòu)件，所述防塵網(wǎng)8設(shè)置于EVA墊片7的中部，所述的EVA墊片7設(shè)置于高音缸體I的底部；所述襯蓋9與散熱器柱10連接，所述的襯蓋9與壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5連接。
[0063]所述的的高音缸體1，其為一由壓鑄鋁制備的中空的腔體構(gòu)件，其中空的腔體形成一號(hào)角11 ;其內(nèi)部還增設(shè)有用來屏蔽金屬自身振動(dòng)聲音的吸音材料，所述的吸音材料，其為吸首棉12。
[0064]所述磁路系統(tǒng)，其包括一磁杯13、一容置于磁杯13中的磁鐵14、以及一設(shè)置于磁鐵14上、且容置于磁杯13中的華司15，所述的磁鐵14，其為釹鐵硼制備的強(qiáng)磁鐵；其優(yōu)選由型號(hào)為N38H的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵；所述的磁杯13、磁鐵14、華司15均為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述的磁鐵14、華司15的直徑相等，且均小于磁杯13的直徑，所述的華司15、磁鐵14與磁杯13之間形成一磁間隙；所述的音圈4穿入磁間隙內(nèi)，所述的音圈4與磁間隙的內(nèi)側(cè)、外側(cè)的距離比例為0.46:0.54 ;所述的音圈4，其包括音圈骨架41及音圈線42，將所述音圈線42繞于音圈骨架41的內(nèi)外兩側(cè),形成內(nèi)、夕卜線圈結(jié)構(gòu)；所述的音圈4的直徑為90mm至150mm,其以單層結(jié)構(gòu)形式繞于音圈骨架41的內(nèi)外兩側(cè)。
[0065]其中所述音圈骨架41為kapton高分子材料構(gòu)件，且所述的音圈骨架41,設(shè)有向一側(cè)或兩側(cè)表面凸出的加強(qiáng)肋條；該肋條呈中心對(duì)稱、均勻間隔、輻射狀分布，每條肋條自圓心向圓周方向延伸，其厚度是音圈骨架或音膜其他部位厚度的1.1?1.4倍。
[0066]本實(shí)施例中，音圈骨架41采用的Kapton高分子材料，可以是熱固性聚酰亞胺、熱塑性聚酰亞胺和增強(qiáng)型聚酰亞胺之一，其中優(yōu)選熱塑性聚酰亞胺，其連續(xù)工作溫度最高為220。C，且剛性好、熱膨脹系數(shù)、吸濕性和介電常數(shù)均較低，可以針對(duì)性的提高大直徑音圈的強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性和絕緣性能。
[0067]所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)5，其包括一等化器本體，其中部設(shè)有一圓孔，圍繞所述圓孔成型有多個(gè)氣室通道，所述氣室通道包括朝向音膜的聲波入口 18、與音膜相對(duì)的反射斜面22、兩側(cè)面、一頂面、一底面19以及一朝向圓孔的聲波出口 ；且所述氣室通道的聲波入口 18呈螺旋線分布，各氣室通道的聲波入口 18與本體中心的距離不等。所述的等化器本體，其由兩個(gè)環(huán)形的第一主體16和第二主體17組合而成，其中所述的第一主體16上呈螺旋狀設(shè)置多個(gè)聲波入口 18，以及多個(gè)底面19，以及與聲波入口 18對(duì)應(yīng)的多組第一側(cè)面20，側(cè)壁之間即制成通道；所述第二主體17上則設(shè)置反射斜面22、頂面以及與第一主體16上的側(cè)面對(duì)應(yīng)平齊的多組第二側(cè)面24，即組合后第一側(cè)面20與第二側(cè)面24制成每個(gè)氣室通道的側(cè)面，聲波出口由第一主體16的底面19、第一側(cè)面20及第二主體17的頂面23制成；所述每個(gè)氣室通道的聲波出口處設(shè)有延伸部21，且延伸部21呈尖狀，朝向擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)6。
[0068]本發(fā)明采用釹鐵硼強(qiáng)磁鐵，以及音圈至磁間隙內(nèi)側(cè)、外側(cè)距離的合理分配，進(jìn)一步的增強(qiáng)本發(fā)明的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度。
[0069]本發(fā)明通過壓縮型等化器結(jié)構(gòu)、擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)的組合使用，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度達(dá)到103?107db。
[0070]同時(shí)，本發(fā)明通過采用壓鑄鋁制備、內(nèi)部增設(shè)吸音材料、且中空的腔體形成一號(hào)角的高音缸體，獨(dú)特設(shè)計(jì)的音圈骨架結(jié)構(gòu)，使得揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度進(jìn)一步達(dá)到107?IIOdb。[0071 ] 本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，凡采用與本發(fā)明相似方法及結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的所有方式，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其特征在于:其具體包括如下步驟: (1)設(shè)置一高音缸體； (2)設(shè)置一盆架、一磁路系統(tǒng)、一結(jié)合于盆架的振膜及一音圈，該音圈的上端固定至振膜，下端穿入磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)；所述的盆架設(shè)置于高音缸體的開口處，所述的磁路系統(tǒng)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部； (3)設(shè)置一等化器組件，其包括一壓縮型等化器結(jié)構(gòu)、以及一擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)，所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)與盆架相連，所述的擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部； (4)設(shè)置一EVA墊片以及一防塵網(wǎng)，所述的EVA墊片，其為一整體輪廓形狀呈環(huán)形的片材構(gòu)件，所述防塵網(wǎng)設(shè)置于EVA墊片的中部，所述的EVA墊片設(shè)置于高音缸體的底部； (5)設(shè)置相互連接的一襯蓋以及一散熱器柱，所述的襯蓋與壓縮型等化器結(jié)構(gòu)連接； (6)將上述的構(gòu)件組裝起來，制成一揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器，所述揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的振膜振動(dòng)產(chǎn)生的聲波，先向上方經(jīng)過壓縮型等化器結(jié)構(gòu)處理，再經(jīng)過擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)處理后向外傳出，使揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度得到提高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其特征在于:所述步驟(1)中的高音缸體，其為一由壓鑄鋁制備的中空的腔體構(gòu)件，其中空的腔體形成一號(hào)角；其內(nèi)部還增設(shè)有用來屏蔽金屬自身振動(dòng)聲音的吸音材料；所述的吸音材料，為吸音棉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其特征在于:所述步驟(2)中的磁路系統(tǒng),其包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁鐵、以及一設(shè)置于磁鐵上、且容置于磁杯中的華司，所述的磁鐵，其為由釹鐵硼制備的強(qiáng)磁鐵；所述的磁杯、磁鐵、華司均為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述的磁鐵、華司的直徑相等，且均小于磁杯的直徑，所述的華司、磁鐵與磁杯之間形成一磁間隙，所述的音圈穿入磁間隙內(nèi)，所述的音圈與磁間隙的內(nèi)側(cè)、外側(cè)的距離比例為`0.46:0.54，通過采用釹鐵硼強(qiáng)磁鐵、以及調(diào)整音圈與磁間隙內(nèi)側(cè)、外側(cè)距離比例的分配，使揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器的靈敏度得到提高。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其特征在于:所述步驟(2)中的音圈，其包括音圈骨架及音圈線，將所述音圈線繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)，形成內(nèi)、外線圈結(jié)構(gòu)；所述的音圈的直徑為90mm至150mm，其以單層結(jié)構(gòu)形式繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)，通過線圈內(nèi)外繞的方式，提高磁能利用率；其中所述音圈骨架為kapton高分子材料構(gòu)件，且所述的音圈骨架，設(shè)有向一側(cè)或兩側(cè)表面凸出的加強(qiáng)肋條；該肋條呈中心對(duì)稱、均勻間隔、輻射狀分布，每條肋條自圓心向圓周方向延伸，其厚度是音圈骨架其他部位厚度的1.1 ~1.4 倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其特征在于:所述步驟(3)的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)，其包括一等化器本體，其中部設(shè)有一圓孔，圍繞所述圓孔成型有多個(gè)氣室通道，所述氣室通道包括朝向音膜的聲波入口、與音膜相對(duì)的反射斜面、兩側(cè)面、一頂面、一底面以及一朝向圓孔的聲波出口 ；振膜振動(dòng)產(chǎn)生聲波由聲波入口傳入，經(jīng)反射斜面折向聲波出口再傳出；且所述氣室通道的聲波入口呈螺旋線分布，即各氣室通道的聲波入口與等化器本體中心的距離是不等的；所述每個(gè)氣室通道的聲波出口處設(shè)有延伸部，且延伸部呈尖狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器靈敏度的方法，其特征在于:所述的等化器本體，其由兩個(gè)環(huán)形的第一主體和第二主體組合而成，所述的第一主體上呈螺旋狀設(shè)置多個(gè)聲波入口，以及多個(gè)底面，以及與聲波入口對(duì)應(yīng)的多組第一側(cè)面，側(cè)壁之間即制成通道；所述第二主體上則設(shè)置反射斜面、頂面以及與第一主體上的側(cè)面對(duì)應(yīng)平齊的多組第二側(cè)面，即組合后第一側(cè)面與第二側(cè)面制成每個(gè)氣室通道的側(cè)面，聲波出口由第一主體的底面、第一側(cè)面及第二主體的頂面制成，朝向擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)；聲波由聲波入口傳入，經(jīng)反射斜面反射折成水平方向傳播，再經(jīng)過通道傳輸，經(jīng)聲波出口傳輸至擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)。
7.一種實(shí)施權(quán)利要求1~6之一所述方法的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器裝置,其特征在于:其包括一高音缸體、一盆架、一磁路系統(tǒng)、一結(jié)合于盆架的振膜及一音圈，一壓縮型等化器結(jié)構(gòu)、一擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)、一 EVA墊片、一防塵網(wǎng)、一襯蓋、以及一散熱器柱；所述音圈的上端固定至振膜，下端穿入磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)；所述的盆架設(shè)置于高音缸體的開口處，所述的磁路系統(tǒng)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部；所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)與盆架相連，所述的擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)設(shè)置于高音缸體的內(nèi)部；所述的EVA墊片，其為一整體輪廓形狀呈環(huán)形的片材構(gòu)件，所述防塵網(wǎng)設(shè)置于EVA墊片的中部，所述的EVA墊片設(shè)置于高音缸體的底部；所述襯蓋與散熱器柱連接，所述的襯蓋與壓縮型等化器結(jié)構(gòu)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器裝置，其特征在于:所述的高音缸體，其為一由壓鑄鋁制備的中空的腔體構(gòu)件，其中空的腔體形成一號(hào)角；其內(nèi)部還增設(shè)有用來屏蔽金屬自身振動(dòng)聲音的吸音材料，所述的吸音材料，其為吸音棉。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器裝置，其特征在于:所述磁路系統(tǒng)，其包括一磁杯、一容置于磁杯中的磁鐵、以及一設(shè)置于磁鐵上、且容置于磁杯中的華司，所述的磁鐵，其為釹鐵硼制備的強(qiáng)磁鐵；其優(yōu)選由型號(hào)為N38H的釹鐵硼強(qiáng)磁鐵；所述的磁杯、磁鐵、華司均為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述的磁鐵、華司的直徑相等，且均小于磁杯的直徑，所述的華司、磁鐵與磁杯之間形成一磁間隙；所述的音圈穿入磁間隙內(nèi)，所述的音圈與磁間隙的內(nèi)側(cè)、外側(cè)的距離比例為0.46:0.54 ;所述的音圈，其包括音圈骨架及音圈線，將所述音圈線繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)，形成內(nèi)、外線圈結(jié)構(gòu)；所述的音圈的直徑為90mm至150mm,其以單層結(jié)構(gòu)形式繞于音圈骨架的內(nèi)外兩側(cè)；其中所述音圈骨架為kapton高分子材料構(gòu)件,且所述的音圈骨架，設(shè)有向一側(cè)或兩側(cè)表面凸出的加強(qiáng)肋條；該肋條呈中心對(duì)稱、均勻間隔、輻射狀分布，每條肋條自圓心向圓周方向延伸`，其厚度是音圈骨架其他部位厚度的1.1~1.4倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器裝置，其特征在于:所述的壓縮型等化器結(jié)構(gòu)，其包括一等化器本體，其中部設(shè)有一圓孔，圍繞所述圓孔成型有多個(gè)氣室通道，所述氣室通道包括朝向音膜的聲波入口、與音膜相對(duì)的反射斜面、兩側(cè)面、一頂面、一底面以及一朝向圓孔的聲波出口 ；且所述氣室通道的聲波入口呈螺旋線分布，各氣室通道的聲波入口與本體中心的距離不等；所述的等化器本體，其由兩個(gè)環(huán)形的第一主體和第二主體組合而成，其中所述的第一主體上呈螺旋狀設(shè)置多個(gè)聲波入口，以及多個(gè)底面，以及與聲波入口對(duì)應(yīng)的多組第一側(cè)面，側(cè)壁之間即制成通道；所述第二主體上則設(shè)置反射斜面、頂面以及與第一主體上的側(cè)面對(duì)應(yīng)平齊的多組第二側(cè)面，即組合后第一側(cè)面與第二側(cè)面制成每個(gè)氣室通道的側(cè)面，聲波出口由第一主體的底面、第一側(cè)面及第二主體的頂面制成；所述每個(gè)氣室通道的聲波出口處設(shè)有延伸部，且延伸部呈尖狀，朝向擴(kuò)散型等化器結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H04R9/02GK103826187SQ201410066938
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2014年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月26日
【發(fā)明者】譚紅梅 申請(qǐng)人:譚紅梅