麥克風(fēng)模塊及其制造方法
【專利摘要】本申請涉及一個(gè)麥克風(fēng)模塊,其包括,包括半導(dǎo)體芯片且上表面具有凹槽的封裝體,和電連接至所述封裝體的微機(jī)電麥克風(fēng)。另外,所述微機(jī)電麥克風(fēng)被置于所述封裝體的上表面。所述凹槽構(gòu)成所述微機(jī)電麥克風(fēng)的聲學(xué)后腔。
【專利說明】麥克風(fēng)模塊及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及電子模塊和組件,并且更具體的涉及包括微機(jī)電麥克風(fēng)的模塊和組 件。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體器件制造商正在不斷努力提高其產(chǎn)品的通用性和性能,同時(shí)降低其制造成 本。半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要組成部分是對器件的封裝。半導(dǎo)體器件的封裝可包 括對微機(jī)電麥克風(fēng)的封裝。通常情況下,微機(jī)電麥克風(fēng)被安裝在通常包括半導(dǎo)體芯片的外 殼中。經(jīng)過這樣封裝的微機(jī)電麥克風(fēng)在需要較小尺寸組件的應(yīng)用中,用于將聲音轉(zhuǎn)化成電 信號。因此,所需要的是以低成本提供高性能且小尺寸設(shè)備的封裝方法。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,提供了一個(gè)麥克風(fēng)模塊。所述麥克風(fēng)模塊包括上表面具有凹槽 的封裝體,嵌入所述封裝體的半導(dǎo)體芯片,和微機(jī)電麥克風(fēng)芯片包括一個(gè)被置于所述凹槽 的機(jī)電元件并且所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片電連接到所述半導(dǎo)體芯片。
[0004] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,提供了一個(gè)麥克風(fēng)模組。所述麥克風(fēng)模組包括密封件,其包括 位于上表面的凹槽陣列,和嵌入所述密封件的半導(dǎo)體芯片陣列,其中每個(gè)半導(dǎo)體芯片與一 個(gè)凹槽相關(guān)聯(lián)。所述麥克風(fēng)模組還包括微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列,其中每個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié) 構(gòu)包括置于一個(gè)所述凹槽以上的機(jī)電元件并且每個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)電連接到與相應(yīng)的 所述凹槽相關(guān)聯(lián)的所述半導(dǎo)體芯片。
[0005] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,提供了一種麥克風(fēng)模塊制造方法。所述方法包括提供上表面 具有凹槽且包括半導(dǎo)體芯片的封裝體,并提供包括機(jī)電元件微機(jī)電麥克風(fēng)芯片。所述方法 還包括放置所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片于所述封裝體的所述上表面并且電連接所述微機(jī)電麥 克風(fēng)芯片至所述封裝體,使得所述凹槽形成微機(jī)電麥克風(fēng)的聲學(xué)后腔。
[0006] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,提供了一種麥克風(fēng)模塊制造方法。所述方法包括形成一個(gè)密 封件,其上表面具有凹槽陣列,以及嵌入其中的半導(dǎo)體芯片陣列,以及放置微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié) 構(gòu)陣列于所述密封件上方,其中每個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)包括置于凹槽上的機(jī)電元件。所述 方法還包括電連接每個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)至與相應(yīng)的所述凹槽相關(guān)聯(lián)的半導(dǎo)體芯片,并將 所述密封件分離為單一的封裝體,每個(gè)封裝體包括一個(gè)所述凹槽和一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007] 附圖提供了對實(shí)施例的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖對實(shí)施例 進(jìn)行示意,并與【具體實(shí)施方式】中的描述一起對實(shí)施例中的原理進(jìn)行解釋。參照以下詳細(xì)描 述更易于理解其它實(shí)施例以及許多實(shí)施例的預(yù)期優(yōu)點(diǎn)。附圖中的單元不一定是彼此成比例 的。相似的附圖標(biāo)記用于指定類似部件。
[0008] 圖1所示為一個(gè)示例的麥克風(fēng)模塊的橫截面示意圖;
[0009] 圖2所示為一個(gè)示例的麥克風(fēng)模塊的橫截面示意圖;
[0010] 圖3所示為一個(gè)示例的麥克風(fēng)模塊的橫截面示意圖;
[0011] 圖4所示為一個(gè)示例的麥克風(fēng)模塊的橫截面示意圖;
[0012] 圖5所不為一個(gè)不例的麥克風(fēng)模塊的橫截面不意圖;
[0013] 圖6所不為一個(gè)不例的麥克風(fēng)模塊的橫截面不意圖;
[0014] 圖7所示為一個(gè)示例的麥克風(fēng)模塊的橫截面示意圖;
[0015] 圖8,9,10,和11所示為一種麥克風(fēng)模塊制造方法的過程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 以下的詳細(xì)描述是參照作為本申請一部分的附圖來進(jìn)行的,在其中對實(shí)施本申請 的具體的實(shí)施例加以示意申請。在這方面,方向術(shù)語,如"頂","底","左","右","上","下" 等,是參照附圖的方向來描述的。因?yàn)閷?shí)施例的各組件可以位于不同的方向,方向術(shù)語僅是 用于說明而不作限制??梢岳斫獾氖?,在不脫離本申請的范圍的前提下,可以采用其它實(shí)施 例以及結(jié)構(gòu)或邏輯的變化申請。因此,下面的詳細(xì)描述并不是限制性的,且本申請的范圍是 由所附的權(quán)利要求定義的。
[0017] 可以理解的是,除非特別注明或除非在技術(shù)上存在限制,本申請所描述的多種示 例實(shí)施例的特征可以相互結(jié)合。
[0018] 本說明書中術(shù)語"鍵合(bonded) ","附著(attached) ","連接(connect) ","f禹合 (coupled) "和/或"電f禹合(electrically coupled) "并不意味著所述元素必須彼此直接 接觸,在"鍵合","附著","連接","耦合"和/或"電耦合"的元素之間可以提供中間元件或 層。
[0019] 下文所述的麥克風(fēng)模塊和組件包括一個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)的實(shí)施例,所述微機(jī)電麥克 風(fēng)動態(tài)地轉(zhuǎn)化聲音,例如,協(xié)同一個(gè)包括半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)合,將聽覺頻率范圍的聲音信 號轉(zhuǎn)化為電信號。
[0020] 所述麥克風(fēng)模塊包括一個(gè)在上表面包括凹槽的封裝體。所述凹槽可以在由可塑體 構(gòu)成的封裝體中的一部分中形成,可以采用不同的技術(shù)加以制造,其中包括成型技術(shù)如壓 縮成型或注塑成型,或加工技術(shù)如研磨。這些技術(shù)既可以提供高的設(shè)計(jì)通用性和也可以提 供低廉的生產(chǎn)成本。所述凹槽可以形成所述微機(jī)電麥克風(fēng)的聲學(xué)后腔體積。
[0021] 作為所述封裝的電子組件的接觸元件或建立傳導(dǎo)路徑的金屬結(jié)構(gòu)可以形成于所 述封裝體的表面。不同的技術(shù)可以用于在所述封裝體上形成這種金屬結(jié)構(gòu),如:水電鍍 (galvanic plating)或無電鍍(electroless plating)過程,物理氣相沉積(PVD),化學(xué)氣 相沉積(CVD),濺射,旋涂過程、霧化沉積、或印刷過程,例如,噴墨印刷可被用來形成這種導(dǎo) 電的或金屬結(jié)構(gòu)。
[0022] 圖1不意了麥克風(fēng)模塊100的一個(gè)實(shí)施例。麥克風(fēng)模塊100包括一個(gè)封裝體 101,嵌入有一個(gè)半導(dǎo)體芯片102,且封裝體101上表面106具有一個(gè)凹槽105。此外,麥 克風(fēng)模塊100包括一個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103。所述封裝體101可以包括、或是由聚合物 材料構(gòu)成,并通過成型技術(shù)或分層技術(shù)制造而成。所述聚合物材料可以是例如,樹脂,環(huán) 氧樹脂,丙烯酸樹脂或聚酰亞胺材料??捎米魉鼍酆衔锊牧系牟牧暇唧w例子是聚醚醚 酮(polyetheretherketone,簡稱 PEEK),聚苯硫醚(polyphenylsulphone,簡稱 PPS),聚諷 (polysulfone),聚醚酰亞胺(polyetherimide,簡稱 PEI ),聚酰胺亞胺(polyamidimide,簡 稱 PAI)和液晶聚合物(liquid crystalline polymers,簡稱 LCP)。
[0023] 所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可以由例如硅的半導(dǎo)體材料制造,并且能夠?qū)⒙曇艮D(zhuǎn) 化成電信號。所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103也可以由絕緣材料制造,例如玻璃,塑料等。所述 微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可以被置于所述封裝體101的上表面106上,并且可用適當(dāng)?shù)氖侄?如,鍵合,膠合(gluing),夾緊(clamping)等機(jī)械連接至所述表面。所述麥克風(fēng)芯片103可 以以相對于所述封裝體101來說以正面朝下的方式安裝,這也被稱為"倒裝芯片安裝"。
[0024] 所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103包括一個(gè)機(jī)電元件104。所述機(jī)電元件104可包括一 個(gè)機(jī)械元件(圖1未示出)用于根據(jù)如聲波的力進(jìn)行操作,并且所述機(jī)電元件104還可以包 括一個(gè)電子元件(圖1未示出),如電容器,用以根據(jù)機(jī)械元件的驅(qū)動產(chǎn)生調(diào)制的電信號。所 述機(jī)電元件104可以通過所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103的開口 107暴露于聲波。所述凹槽 105可以位于所述機(jī)電元件104以下,并形成所述微機(jī)電麥克風(fēng)的聲學(xué)后腔體積。
[0025] 在圖2 - 11中,所述相同的附圖標(biāo)記代表與圖1所述的相像或類似的部件。另外, 為了避免重復(fù),說明書對相應(yīng)描述采用了引用的方式。圖2所示為比圖1所示模塊100更 詳細(xì)的麥克風(fēng)模塊200。所述封裝體101可以例如,包括穿通接觸204,位于圖2所示的所 述實(shí)施例中的所述封裝體101的左側(cè)。所述穿通接觸204可貫穿整個(gè)封裝體101,即可提供 所述封裝體101的所述上表面和所述封裝體101的所述下表面之間的電連接。第二個(gè)穿通 接觸(未示出)可以被置于所述凹槽105的右側(cè)。在所述封裝體101的所述上表面和所述下 表面之間可能延伸有更多的電接觸,例如采用以穿通接觸204為例的穿通接觸,或以其他 方式形成這些電接觸。例如,可以提供2, 3,4, 5個(gè)或更多的穿通接觸204。
[0026] 所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103和所述封裝體101之間的電連接可由沉積例如印刷, 各向異性導(dǎo)電膏(ACP)到所述封裝體101上來實(shí)現(xiàn)。所述ACP可沉積在電結(jié)構(gòu)例如穿通接 觸204上。在后續(xù)模組中,所述微電機(jī)械麥克風(fēng)芯片103可以被置于所述封裝體101上,例 如倒裝芯片電極面對所述電結(jié)構(gòu)。所述ACP也為所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103提供到所述封 裝體101的機(jī)械固定以及聲學(xué)密封。
[0027] 在一些實(shí)施例中,非導(dǎo)電膏(NCP)可以沉積到所述封裝體101上。在這種情況下, 所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可具有導(dǎo)電沉積物202,例如焊料沉積物或柱形凸起。這些導(dǎo)電 沉積物202可用于以電的方式以及,可選地以機(jī)械的方式使所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103與 所述封裝體101互連。例如,如果所述導(dǎo)電沉積物202形成為柱形凸起,所述微機(jī)電麥克風(fēng) 芯片103的所述柱形凸起可以被壓入位于所述封裝體101上表面的NCP。這可能會產(chǎn)生在 所述柱形凸起和所述封裝體101上的金屬盤之間電互連,從而提供了所述封裝體101和所 述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103之間的電連接。此外,這可能會提供所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103 至所述封裝體101的額外機(jī)械固定。
[0028] 聲學(xué)密封203可以被置于所述封裝體101和所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103之間。所 述聲學(xué)密封203可與所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103 -起為所述凹槽105提供氣密性閉合。這 樣可以形成對環(huán)境的完整保護(hù),例如可以防止灰塵,污垢,水分等。
[0029] 所述麥克風(fēng)模塊200可以包括一個(gè)導(dǎo)電屏蔽層201,其置于所述封裝體101的上 表面。所述屏蔽層201可以是金屬層。此外,所述屏蔽層201可以是除接觸如上述穿通接 觸204所處的特定區(qū)域以外覆蓋所述封裝體101的整個(gè)上表面的整體電鍍層。例如,所述 屏蔽層201至少可以完全覆蓋所述凹槽105所定義的所述封裝體101的上表面所述。
[0030] 所述屏蔽層201可以通過添加法或減去法電鍍工藝實(shí)現(xiàn)。此外,所述屏蔽層201 可以是金屬薄片,厚度可以為幾十到幾百微米。所述屏蔽層201可以是通過粘合劑附著到 所述封裝體101的金屬薄片。另外,所述屏蔽層201本身可以是導(dǎo)電的粘合劑。此外,所述 屏蔽層201通過電鍍工藝而實(shí)現(xiàn),如水電鍍或無電鍍。如果應(yīng)用了水電鍍工藝,可以在所述 封裝體101的上表面沉積種子層(未示出)所述。所述種子層可以由鋅構(gòu)成。所述種子層可 以作為電極,銅或其他金屬或金屬合金可以在所述種子層上鍍至所需的高度??商娲模瑹o 電鍍也可用于生成所述屏蔽層201。無電鍍也被業(yè)內(nèi)稱為化學(xué)鍍。此外,也可使用其他沉積 方法如印刷,濺射,旋涂等。最后,所述屏蔽層201可以通過金屬薄片層壓實(shí)現(xiàn)。
[0031] 所述封裝體101包括與所述上表面相反的下表面。所述封裝體101的所述下 表面可以與所述半導(dǎo)體芯片102的下表面持平。所述封裝體101的所述下表面,以及如 果在同一平面上的所述半導(dǎo)體芯片102的所述下表面,可被電再分配結(jié)構(gòu)(electrical redistribution structure) 205 覆蓋。
[0032] 所述電再分配結(jié)構(gòu)205可包括導(dǎo)電的再布線層(rewiring layer)用于為其他組 件提供電連接。所述電再分配結(jié)構(gòu)205或更具體的說所述被包含在其中的一個(gè)或多個(gè)再布 線層,可以提供所述半導(dǎo)體芯片102的焊盤與所述穿通接觸204之間的電連接。所述電再 分配結(jié)構(gòu)205或更具體的說所述重新布線層,可以提供所述半導(dǎo)體芯片102的焊盤和所述 麥克風(fēng)模塊200的外部端子之間的電連接,所述外部端子可以是如伸出所述封裝體101的 端線或暴露在所述封裝體101的外圍的外部端焊盤。所述電再分配結(jié)構(gòu)205或更具體的所 述重新布線層,可以提供所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103 (例如,通過穿通接觸204)和所述麥克 風(fēng)模塊200的外部端子之間的電連接,所述外部端子可以是如伸出所述封裝體101端線或 暴露在所述封裝體101的外圍的外部端焊盤。
[0033] 所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可以包括覆蓋凹槽105的第一和第二薄層206和207。 所述第一和第二薄層206, 207可以形成所述機(jī)電元件104。聲音可以通過所述微機(jī)電麥克 風(fēng)芯片103的所述開口 107即聲孔,到達(dá)所述第一薄層206。所述第一薄層206可以是所述 微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103的膜206。所述膜206可以非常薄。在各種實(shí)施例中,所述膜可以是 薄于lOOOnm,500nm,300nm,或更薄的薄膜。所述膜206可由娃或者涂有金屬的玻璃制成。 所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103還可以包括一個(gè)由第二薄層207形成的反電極207所述。所述 反電極207的驅(qū)動電壓可以和所述膜206的驅(qū)動電壓不同。所述反電極207也可以由硅或 者涂有金屬的玻璃制成。所述反電極207也可以有多個(gè)穿孔(未示出)從而讓聲音通過。
[0034] 嵌入所述封裝體101中的所述半導(dǎo)體芯片102可以是集成電路(1C)例如,邏輯 芯片或?qū)S脩?yīng)用集成電路(ASIC)。所述半導(dǎo)體芯片102可包含電子組件如,濾波器,比較 器,放大器,時(shí)間延遲器,均衡器,邏輯單元,存儲器件或模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。所述半導(dǎo)體芯片 102可以是只處理模擬信號的模擬裝置。所述半導(dǎo)體芯片102可以是將所述微機(jī)電麥克風(fēng) 103的模擬信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換裝置所述,或者也可以被設(shè)計(jì)成混合信號電路。在所 述集成電路是完全的數(shù)字電路或混合信號電路的情況下,所述微機(jī)電麥克風(fēng)103的所述頻 率響應(yīng)可以由所述集成電路中實(shí)現(xiàn)的數(shù)字濾波器進(jìn)行調(diào)整。在使用模擬裝置的情況下,可 以提供額外的獨(dú)立無源組件(未示出)用于信號整形。
[0035] 所述麥克風(fēng)模塊100 (或本申請中任何其他模塊200-700)的尺寸申請可以在很寬 的范圍內(nèi)變化。在以下的描述中,X和Y表示在水平平面中的橫向方向,Z表示垂直于X和 Y的(堅(jiān)直)方向。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述凹槽105在Z方向可以具有在所述所述凹槽105的 所述底面和封裝體101所述上表面106之間的深度,所述深度可以等于或大于例如,50 μ m, 80 μ m,100 μ m,200 μ m,300 μ m。另一方面,所述深度可以等于或小于例如,300 μ m,200 μ m, 100 μ m,80 μ m,50 μ m。
[0036] 所述封裝體101的所述下表面和所述凹槽的所述底面之間沿z方向的距離可以等 于或大于例如,50 μ m,75 μ m,100 μ m,150 μ m,200 μ m??商娲?,所述沿Z方向的距離可以 等于或小于例如,200 μ m,150 μ m,100 μ m,75 μ m,50 μ m。所述麥克風(fēng)模塊100 (或本申請中 任何其他模塊200-700)包括所述封裝體101和附著于其上的所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103 的總高度可以等于或大于例如1〇〇 μ m,200 μ m,300 μ m,400 μ m,500 μ m??商娲模鳆?克風(fēng)模塊100的總高度可以等于或小于例如,500 μ m,400 μ m,300 μ m,200 μ m,100 μ m。
[0037] 所述封裝體101的橫向尺寸或?qū)挾瓤梢缘扔诨虼笥诶纾?mm,2mm,5mm, 10mm。此 夕卜,所述寬度可以等于或小于例如,1〇_,5mm, 2mm, 1mm。所述寬度可以是在X方向或Y方向 測量得到的。
[0038] 所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103的橫向尺寸或?qū)挾瓤梢缘扔诨蛐∮谒龇庋b體101的 橫向尺寸。特別是,所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可以具有至少一個(gè)橫向尺寸等于所述封裝 體101的相應(yīng)的橫向尺寸。特別是,如果例如所述麥克風(fēng)模塊100是由嵌入式晶圓級封裝 (embedded Wafter Level Packaging,簡稱eWLP)工藝制造的,就可以獲得所述封裝體101 和所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103的所述相等的橫向尺寸所述,下文中會對上述工藝有更詳細(xì) 的說明。
[0039] 所述麥克風(fēng)模塊100的寬度可以通過所述封裝體101的最大橫向尺寸或所述微機(jī) 電麥克風(fēng)芯片103的最大橫向尺寸定義。特別是,所述麥克風(fēng)模塊100的寬度可能例如,對 應(yīng)于所述封裝體101的最大橫向尺寸。
[0040] 如圖1中所述實(shí)施例所述,所述封裝體101的所述橫向尺寸和所述微機(jī)電麥克風(fēng) 芯片103在一個(gè)(例如X)或兩個(gè)(例如,X,Y)的橫向方向上也可以相等。正如將在下面更 詳細(xì)的解釋的,在所述微機(jī)電麥克風(fēng)模塊100是由多器件陣列中切割出來(見圖8-11)的情 況下,就可以獲得所述微機(jī)電麥克風(fēng)103和所述封裝體101在一個(gè)或兩個(gè)的橫向方向相等 的橫向尺寸所述。
[0041] 正如下面將更詳細(xì)解釋的,所述麥克風(fēng)模塊100和/或所述麥克風(fēng)模塊200可以 被設(shè)計(jì)成包括變化和/或額外的細(xì)節(jié)。所有在下文中通過例子所解釋的細(xì)節(jié)可以與所述麥 克風(fēng)模塊100或所述麥克風(fēng)模塊200結(jié)合,除非有相反的明確表達(dá)或者由于技術(shù)限制不可 能實(shí)現(xiàn)這樣的組合。
[0042] 圖3示意了一種麥克風(fēng)模塊300。除了所述麥克風(fēng)模塊200,所述麥克風(fēng)模塊300 包含附加的蓋301,其可以覆蓋所述開口 107。所述蓋301可包含或由聚合物組成,所述聚 合物可以由以下材料制造而成,成型的聚合物,預(yù)制配件如聚合物薄片或熱固性塑料。為了 對所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103進(jìn)行電屏蔽,所述蓋301可以例如,涂有金屬層(未示出),或 被金屬顆粒填充,或所述蓋可由金屬或金屬合金制造而成。所述蓋301包括聲孔302用于 讓聲音通過。所述蓋301的厚度可以例如,在約0. 1至0.3_的范圍內(nèi)。
[0043] 圖4示意了一種麥克風(fēng)模塊400。在所述示例性麥克風(fēng)模塊400中,所述微機(jī)電 麥克風(fēng)芯片103的所述橫向尺寸小于所述封裝體101的所述橫向尺寸。所述封裝體101包 括級聯(lián)的凹槽402,403,其包括低層凹槽403和高層凹槽402。所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103 位于高層凹槽402的下部或高層凹槽402中。低層凹槽403可定義所述麥克風(fēng)的所述聲學(xué) 后腔。所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可伸出所述封裝體101的所述上表面106。可選的,與 圖3類似,所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可由蓋加以關(guān)閉(未顯示)。可以看出,所述半導(dǎo)體芯 片102可以被置于在所述封裝體101中稍微偏離所述凹槽402,403中心的位置。另外,所 述封裝體中的所述凹槽402,403也可位于封裝體中心位置。
[0044] 所述封裝體101可以包括若干穿通接觸401a,401b。在圖4所示的所述麥克風(fēng)模 塊400中,穿通接觸401a延伸到高層凹槽402,或穿通接觸401b延伸到低層凹槽403,或兩 種類型的穿通接觸401a,401b都可用于連接所述微電機(jī)械麥克風(fēng)芯片103至所述封裝體 101的周邊如,至所述電再分配結(jié)構(gòu)205。
[0045] 圖5示意了一個(gè)示例的麥克風(fēng)模塊500。麥克風(fēng)模塊500與麥克風(fēng)模塊400類似, 引用以上描述作為參考以避免重復(fù)。所述麥克風(fēng)模塊500包括蓋501。所述蓋501可以由 以下材料制成例如,成型的聚合物,預(yù)制配件如聚合物薄片,或熱固性塑料。為了對所述微 機(jī)電麥克風(fēng)芯片103進(jìn)行電屏蔽,所述蓋501可以涂有金屬層(未示出),或被金屬顆粒填 充,或由金屬或金屬合金制造。所述蓋501包括聲孔502用于讓聲音通過。所述蓋501可 以被置于所述封裝體101的側(cè)壁上,而不是在如圖3所示的所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103上。 類似于蓋301,所述蓋501的厚度可以是例如,在約0. 1到0. 3mm之間的范圍內(nèi)。和圖4所 示的布置相反,所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103可以例如,沒有突出所述封裝體101的所述上表 面106。所述蓋501可以延伸并位于所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103上方。
[0046] 圖6不意了一個(gè)不例的麥克風(fēng)模塊600。所述麥克風(fēng)模塊600與所述麥克風(fēng)模塊 200類似,引用以上描述作為參考以避免重復(fù)。除了所述麥克風(fēng)模塊200,所述麥克風(fēng)模塊 600還包括重疊模603 (overmold)。這種重疊模603可以覆蓋或密封所述封裝體101的所 述側(cè)壁和所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103的所述側(cè)壁。
[0047] 所述麥克風(fēng)模塊600可以包括蓋601,其可類似于圖3中的所述蓋301和圖5中 的所述蓋501。所述蓋601可具有類似聲孔302, 502的聲孔602。所述蓋601可以是單獨(dú) 的元件,其可被置于所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103的頂部,且可靠近所述重疊模603。所述蓋 601也可形成所述重疊模603的組成部分。使用重疊模603覆蓋所述封裝體101的所述側(cè) 壁和所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103的所述側(cè)壁的概念可應(yīng)用于本申請所公開的所有實(shí)施例。
[0048] 本申請公開的所述麥克風(fēng)模塊可包含各種封裝類型,如eWLP封裝,帶有例如半蝕 刻引線框的四方扁平無引腳(quad flat no lead,簡稱QFN)型封裝或基于另一種引線框 的封裝,或基于層壓的封裝,例如球柵陣列(ball grid array,簡稱BGA)型封裝。在每一種 情況下,所使用的所述封裝體101可包括上述的所述半導(dǎo)體芯片102和所述凹槽105,其中 所述半導(dǎo)體芯片102可被嵌入所述封裝體101。所述半導(dǎo)體芯片102可以例如,置于所述 凹槽105以下。也就是說,如果從垂直投影來看,所述半導(dǎo)體芯片102的輪廓可以與所述凹 槽105的輪廓相交或被框在所述凹槽105的輪廓內(nèi)。換句話說,所述半導(dǎo)體芯片102的覆 蓋區(qū)可以是完全或至少部分在所述凹槽105的輪廓內(nèi)的。
[0049] 如圖7所示的所述示例麥克風(fēng)模塊700包括具有半蝕刻引線框701的QFN型封裝。 可使用與上述相同的技術(shù)將所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103置于所述QFN型封裝體101頂部所 述。
[0050] 在所述示例的麥克風(fēng)模塊700中,所述半導(dǎo)體芯片102可被置于所述引線框701 的多個(gè)部分之間。所述引線框701的多個(gè)部分可以暴露在所述封裝體101外圍。更具體地, 所述引線框701的多個(gè)部分可以,例如,被暴露在所述封裝體101的下表面,或所述封裝體 101的側(cè)面,或同時(shí)被暴露在兩處。如圖7所示,所述微電機(jī)械麥克風(fēng)芯片102可以直接連 接到所述引線框701的一些部分。因此,這個(gè)實(shí)施例中不需要穿通接觸204穿透所述封裝 體 101。
[0051] 此外,如圖7所示,所述引線框701的部分的上表面可以例如,具有彎曲用于形成 槽狀凹陷702。
[0052] 所述帶有被置于所述多個(gè)部分間的所述半導(dǎo)體芯片102的所述引線框可填充有 絕緣材料704例如,聚合物成型材料或聚合物片材。所述凹槽105可由所述絕緣材料704 形成。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所述凹槽105可以與由所述引線框701的部分形成的槽狀凹陷對 齊。
[0053] 在使用所述絕緣材料的同時(shí)或之前,可以通過例如圖7所示的鍵合線703或其他 類型的電連接將所述半導(dǎo)體芯片102電連接到所述引線框701的部分,所述其他類型的電 連接可以是例如沉積在位于所述引線框701的多個(gè)部分上的絕緣層上所述或沉積在所述 絕緣材料704上的金屬痕跡。
[0054] 結(jié)合圖3 - 6所示的實(shí)施例可以與圖7所示的所述實(shí)施例結(jié)合。特別是,可以添 加蓋子和/或可以應(yīng)用重疊成型(overmolding)技術(shù)等。
[0055] -般情況下,本申請所述所述麥克風(fēng)模塊的所述實(shí)施例可以提供小而緊湊的模 塊。特別是,所述模塊的緊湊性的提高是通過在所述封裝體101中嵌入所述半導(dǎo)體芯片102 且在所述半導(dǎo)體芯片102上提供所述麥克風(fēng)的聲學(xué)后腔(即所述凹槽105,403)來實(shí)現(xiàn)的。
[0056] 在所述模塊中可以設(shè)置若干個(gè)半導(dǎo)體芯片102。此外,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,所有的所 述若干個(gè)半導(dǎo)體芯片102都嵌入在所述封裝體101中。
[0057] 圖8 - 11示意了制造麥克風(fēng)模塊100的所述示例方法的工藝階段。圖8 - 11所 示的生產(chǎn)階段可以被理解為一個(gè)簡化流程,因?yàn)檫€可以使用圖中未示出的后續(xù)步驟。此外, 圖8 - 11中一些步驟說明可以被省略或由其它工藝步驟取代。特別是,雖然圖8 - 11所 述步驟是在晶圓級執(zhí)行(或人工晶圓級)的,所述制造也可以在芯片級進(jìn)行。因此,晶圓到晶 圓的組裝,特別是半導(dǎo)體晶圓到人工晶圓的組裝,將在下面加以描述。然而,芯片到晶圓的 組裝,特別是微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103到人工晶圓的組裝,或芯片到芯片的組裝,特別是微機(jī) 電麥克風(fēng)芯片103到封裝體101的組裝也是可能的。
[0058] 如圖8 - 11中示例,本申請的部分或全部工藝可以在晶圓級執(zhí)行。在此,晶圓級 意味著所述經(jīng)組裝麥克風(fēng)模塊仍然是整體的,即沒有被分離成單獨(dú)的麥克風(fēng)模塊。以下將 對晶圓級的示例性工藝過程進(jìn)行更詳細(xì)地描述。
[0059] 如圖8所見,可以使用兩個(gè)晶圓801和803。晶圓801可以是微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 晶圓,其包括微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)802的陣列,每個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)802具有機(jī)電元件104 例如圖2中一個(gè)或多個(gè)膜206, 207。所述晶圓801可以是例如硅晶圓。所述機(jī)電元件104 可由微機(jī)械加工技術(shù)制造,如采用掩膜技術(shù),光刻,刻蝕,研磨等。
[0060] 此外,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)晶圓801上可以已經(jīng)形成了電互連。所述電互連可包 括,例如,導(dǎo)電的沉積物202如焊料沉積物或柱形突起,并且可以包括,例如,通過內(nèi)部布線 將用于據(jù)所述機(jī)電元件104的驅(qū)動產(chǎn)生經(jīng)調(diào)制的電信號的所述電子元件互連所述所述至 所述導(dǎo)電的沉積物202。因此,所述MEMS晶圓801在所述工藝階段可以是已經(jīng)被完全處理 過的。
[0061] 所述晶圓803,也被稱為"人工晶圓"或"重配置晶圓"可以包括完整的封裝體101 的陣列。晶圓803可以是采用eWLP技術(shù)制造而成。每個(gè)封裝體101包括至少一個(gè)半導(dǎo)體 芯片102和一個(gè)凹槽105。所述凹槽105可以例如,在形成所述晶圓803或?qū)λ鲆研纬傻?晶片803的所述上表面106進(jìn)行加工的過程中形成。
[0062] 形成所述晶片803的過程可以包括將半導(dǎo)體晶圓(未顯示)分離為多個(gè)半導(dǎo)體芯片 102。多個(gè)半導(dǎo)體芯片102可以以彼此間隔開的方式的被置于臨時(shí)載體(未不出)上。臨時(shí) 載體可以具有例如,平坦的表面,和粘性膠帶例如雙面膠帶且可粘在所述臨時(shí)載體的所述 表面上。所述半導(dǎo)體芯片102和例如附加組件如,所要制造的所述麥克風(fēng)模塊的無源組件 (如電容,電感,電阻,天線),可以被置于所述粘性膠帶上。所述半導(dǎo)體芯片102可以通過其 包含的芯片觸盤焊盤的表面面向所述臨時(shí)載體的方式被置于所述臨時(shí)載體上。在這種情況 下,所述芯片的下表面以及所述芯片接觸焊盤可與所述粘性膠帶直接接觸??商鎿Q的,膠料 或其他粘性材料或機(jī)械緊固裝置(如夾緊裝置或真空發(fā)生器)可以與臨時(shí)載體結(jié)合用于固 定所述半導(dǎo)體芯片102以及例如所述臨時(shí)載體的附加組件。
[0063] 如圖8所示,為封裝所述半導(dǎo)體芯片102,所述半導(dǎo)體芯片102被密封 (encapsulate)材料所密封形成密封件(encapsulant) 804。所述密封材料可以覆蓋所述半 導(dǎo)體芯片102的所述上部主要表面和所述半導(dǎo)體芯片102的側(cè)面。所述半導(dǎo)體芯片102之 間的間隙(以及例如其他組件)也被填充了密封材料。例如,所述密封材料可以是硬質(zhì)塑料 或熱固性成型材料。所述密封材料可以是基于環(huán)氧基樹脂材料的材料,且可能含有由玻璃 (Si02)小顆?;蚱渌娊^緣礦物填充材料如三氧化二鋁或有機(jī)填充材料組成的填充材料。 所述密封材料可以是基于聚合物材料的材料。經(jīng)過固化后,所述密封材料保證了嵌入所述 密封劑的半導(dǎo)體芯片102陣列,即人工晶圓803的穩(wěn)定性。
[0064] 可以采用各種技術(shù)可用于利用所述密封材料來覆蓋所述半導(dǎo)體芯片102。例如,所 述密封材料(如成型材料)可以通過壓縮成型,注塑成型,顆粒成型,粉末成型或液體成型的 方式來加以利用。
[0065] 在壓縮成型過程中,所述液體密封材料可以被分配到開放的下模,其中所述臨時(shí) 載體(未顯示)形成所述下半模的底部。隨后,在分配所述液體密封材料后,將上半模下移并 分散所述液體密封料直到在構(gòu)成所述下半模底部的所述臨時(shí)載體和所述上半模之間的空 腔被完全填充。這個(gè)過程的完成可以伴隨著熱量和壓力的施加。經(jīng)過固化后,所述密封材 料是剛性的并形成所述密封件或人工晶圓803。所述人工晶圓803的橫向尺寸越大,嵌入的 半導(dǎo)體芯片102的數(shù)量越多,所述工藝過程通常成本效益就越高。
[0066] 所述凹槽105的陣列可以通過具有突起陣列的上半模的模工具形成。所述突起陣 列被設(shè)計(jì)用于形成所述凹槽陣列,且被放在所述臨時(shí)載體上的所述半導(dǎo)體芯片102的位置 與所述突起陣列對準(zhǔn)。
[0067] 進(jìn)一步可替代的,可以使用聚合物復(fù)合材料密封所述半導(dǎo)體芯片102并形成所述 密封件804。所述聚合物復(fù)合材料可以具有電絕緣薄片或片材的形狀,其覆蓋在所述半導(dǎo)體 芯片102以及所述臨時(shí)載體的上面。可以在合適時(shí)間內(nèi)施加熱量和壓力,將所述聚合物薄 片或片材附著到下面的結(jié)構(gòu)上。所述半導(dǎo)體芯片102之間的間隙也可以填充聚合物復(fù)合材 料。所述聚合物復(fù)合材料可以例如是預(yù)浸材料(pregmeg,預(yù)浸纖維的簡稱),即纖維墊的組 合,例如玻璃纖維或碳纖維,和樹脂,例如硬質(zhì)塑料材料。預(yù)浸材料通常用于制造印刷電路 板(PCB)。預(yù)浸材料是雙狀態(tài)材料,當(dāng)應(yīng)用于所述半導(dǎo)體芯片102時(shí)是彈性的,在熱處理時(shí) 硬化。所述預(yù)浸材料的層壓過程與PCB制造中可以使用的步驟相同或相似。
[0068] 也可以在晶圓級產(chǎn)生所述封裝體101的電互連,即在將所述人工晶圓803分離成 單個(gè)的封裝體101以前。所述電互連可以包括,例如,所述電再分配結(jié)構(gòu)205,所述穿通接觸 204和所述屏蔽層201。
[0069] 所述穿通接觸204可以通過形成通孔并且采用導(dǎo)電材料例如金屬填充而產(chǎn)生。所 述通孔可以通過模具在成型過程中制成,或可以使用的加工技術(shù)如鉆孔在成型后產(chǎn)生???以通過采用例如電鍍或其它鍍層技術(shù)來涂覆所述導(dǎo)電材料??梢圆捎脤訅?、鍍層或沉積技 術(shù)將所述屏蔽層201作為可選的頂層金屬加以涂覆。
[0070] 密封在所述封裝件804中的所述半導(dǎo)體芯片102脫離所述臨時(shí)載體。所述粘性膠 帶具有熱釋放特征,可以在熱處理中去除所述粘性膠帶。
[0071] 所述密封件804脫離所述臨時(shí)載體后,所述電再分配結(jié)構(gòu)205可用于所述晶圓803 的平坦的下表面。所述電再分配結(jié)構(gòu)205可以包括一層或多層由聚合物層所分離且通過通 孔互聯(lián)的結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電層。所述結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電層可以使用結(jié)構(gòu)化方法采用薄膜技術(shù),如光 亥IJ,蝕刻等技術(shù)產(chǎn)生。
[0072] 如圖9所示的下一步,連接裝置901可以被沉積在所述晶圓803上。所述連接裝 置可以是例如各向異性的導(dǎo)電膠,其可以通過印刷,分配,或其他技術(shù)沉積而成。所述連接 裝置901與上述形成所述聲學(xué)密封203的材料可以是相同的。
[0073] 下一步,兩片晶圓801和803可以鍵合用于產(chǎn)生單一的晶圓復(fù)合裝置1000。所述 鍵合可包括為每個(gè)封裝體101和微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103形成電互連和聲學(xué)密封203。所述 鍵合過程可通過應(yīng)用能量(例如,熱,輻射)和壓力到兩片晶圓上而執(zhí)行。所述聲學(xué)密封203 和所述電互連可以順序的方式產(chǎn)生或同時(shí)在相同的工藝步驟中產(chǎn)生。所述聲學(xué)密封203和 所述電互連可以通過不同的方式提供(例如,非導(dǎo)電膏(NCP)和柱狀突起)或通過同樣的方 式-例如,各向異性導(dǎo)電骨(ACP)可同時(shí)用于所述聲學(xué)密封203和所述電互連。
[0074] 如圖10所示,可以在晶圓級上進(jìn)行所述鍵合。然而,所述鍵合步驟也可以作為鍵 合單一的微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103到人工晶圓803的步驟,或鍵合所述MEMS晶圓801到位于 陣列模式中的單一的封裝體101的步驟,或鍵合單一的微機(jī)電麥克風(fēng)芯片103到單一的封 裝體101的步驟。
[0075] 在所述鍵合步驟后,所述麥克風(fēng)模塊1101,1102,1103可以被分離的。所述分離可 采用切割技術(shù)執(zhí)行,如,例如刀片切割(鋸切),激光切割,蝕刻,等離子體刻蝕等。也可以使 用不同的切割技術(shù)進(jìn)行多步切割。根據(jù)本申請的一個(gè)實(shí)施例,所述MEMS晶圓801可以,例 如,采用蝕刻技術(shù)被分離,而所述封裝體晶圓803可以,例如,采用鋸切進(jìn)行分離。
[0076] 如圖11所示,所述麥克風(fēng)模塊1101,1102,1103是沿所述麥克風(fēng)模塊之間的切割 道1104,1105而分離的。這樣每個(gè)麥克風(fēng)模塊1101,1102,1103包括所有必要的元件。雖 然圖中只顯示了三個(gè)組件的行,切割道1104,1105可以排列成行和列。切割后,所述麥克風(fēng) 模塊1101,1102,1103可以準(zhǔn)備好被使用。
[〇〇77] 雖然本申請示意和描述了具體的實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員會明白,各種替代和/ 或同等的實(shí)現(xiàn)可以取代本申請示意和描述的具體實(shí)施例,而不背離本申請范圍。此申請的 目的是覆蓋此處討論的具體實(shí)施例中的任何修改或變化。因此,本申請僅由權(quán)利要求及其 等同所限制。
【權(quán)利要求】
1. 一種麥克風(fēng)模塊,包括: 上表面具有凹槽的封裝體; 嵌入所述封裝體的半導(dǎo)體芯片;以及 微機(jī)電麥克風(fēng)芯片,其包括置于所述凹槽上的機(jī)電兀件,并且所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片 電連接到所述半導(dǎo)體芯片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,其中所述凹槽形成所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片的聲 學(xué)后腔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,其中所述半導(dǎo)體芯片是專用集成電路。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,其中所述封裝體包括用于電連接所述微機(jī)電麥 克風(fēng)芯片至所述半導(dǎo)體芯片的穿通接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,其中所述半導(dǎo)體芯片位于所述凹槽下方。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,還包括:位于所述封裝體底面上的電再分配結(jié) 構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,還包括:位于所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片和所述封 裝體之間的聲學(xué)密封。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,還包括:位于所述封裝體的上表面上的屏蔽層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,其中所述封裝體和所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片在至 少一個(gè)橫向方向具有相等的橫向尺寸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,其中所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片至少部分地位于 所述封裝體的所述凹槽內(nèi)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,其中所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片被倒裝在所述封 裝體上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)模塊,還包括:位于所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片頂部的 蓋。
13. -個(gè)麥克風(fēng)模組,包括: 上表面具有凹槽陣列的密封件; 嵌入所述密封件的半導(dǎo)體芯片陣列,其中每個(gè)半導(dǎo)體芯片與一個(gè)所述凹槽相關(guān)聯(lián);以 及 微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列,其中每個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)包括置于一個(gè)所述凹槽上的機(jī)電 元件,并且每個(gè)所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)電連接到與相應(yīng)的所述凹槽相關(guān)聯(lián)的所述半導(dǎo)體芯 片。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的麥克風(fēng)模組,其中所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列形成于半導(dǎo) 體晶圓上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的麥克風(fēng)模組,其中所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列被設(shè)計(jì)為單 個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)芯片所組成的陣列,且其中每個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng)芯片包括一個(gè)微機(jī)電麥克風(fēng) 結(jié)構(gòu)。
16. -種麥克風(fēng)模塊制造方法,包括: 提供上表面具有凹槽并且包括半導(dǎo)體芯片的封裝體; 提供包括機(jī)電兀件的微機(jī)電麥克風(fēng)芯片; 放置所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片于所述封裝體的上表面;以及 電連接所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片至所述封裝體,使得所述凹槽成為微機(jī)電麥克風(fēng)的聲學(xué) 后腔。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,還包括提供在所述封裝體和所述微機(jī)電麥克風(fēng)芯片 之間的聲學(xué)密封。
18. -種麥克風(fēng)模塊的制造方法,包括: 形成上表面具有凹槽陣列且在其中嵌入有半導(dǎo)體芯片陣列的密封件; 放置微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列于所述密封件上方,其中每個(gè)所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)包括 置于一個(gè)所述凹槽上的機(jī)電元件; 電連接每個(gè)所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)至與相應(yīng)的所述凹槽相關(guān)聯(lián)的所述半導(dǎo)體芯片;以 及 將所述密封件分離為單個(gè)的封裝體,每個(gè)所述封裝體包括一個(gè)所述凹槽和一個(gè)所述半 導(dǎo)體芯片。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,還包括: 放置所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列前,在半導(dǎo)體晶圓上形成所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣 列;以及 放置所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列后,將所述半導(dǎo)體晶圓分離為單個(gè)的微機(jī)電麥克風(fēng)芯 片。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,還包括: 放置所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列前,在半導(dǎo)體晶圓上形成所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣 列;以及 放置所述微機(jī)電麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)陣列前,將所述半導(dǎo)體晶圓分離為單個(gè)的芯片。
【文檔編號】H04R31/00GK104113808SQ201410158051
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月19日
【發(fā)明者】J·赫格爾, H·托伊斯 申請人:英飛凌科技股份有限公司