具有在振膜與對電極之間的低壓區(qū)的mems麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】一種MEMS麥克風(fēng)，包括第一振膜元件、對電極元件、以及在第一振膜元件與對電極元件之間的低壓區(qū)。低壓區(qū)具有比環(huán)境壓強更小的壓強。
【專利說明】具有在振膜與對電極之間的低壓區(qū)的MEMS麥克風(fēng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施方式涉及微電子機械系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)。一些實施方式涉及用于制造MEMS麥克風(fēng)的方法。一些實施方式涉及MEMS聲音傳感器。一些實施方式涉及(近)真空麥克風(fēng)和/或(近)真空揚聲器。

【背景技術(shù)】
[0002]在設(shè)計傳感器例如壓力傳感器、加速度傳感器、麥克風(fēng)、或揚聲器時，實現(xiàn)高信噪比(SNR)可能是通?？扇〉摹鞲衅鞯牟粩辔⑿突岢鲫P(guān)于期望的高信噪比的新挑戰(zhàn)?？梢杂糜诶缫苿与娫捄皖愃圃O(shè)備中的麥克風(fēng)(以及在某些范疇也包括揚聲器)如今可以實現(xiàn)為硅麥克風(fēng)或微電子機械系統(tǒng)。為了有競爭力并且提供預(yù)期的性能，硅麥克風(fēng)可能需要高SNR。然而，以電容式麥克風(fēng)為例，SNR可能通常受限于電容式麥克風(fēng)的構(gòu)造。
[0003]利用當(dāng)前的電容式麥克風(fēng)設(shè)計特別是在實現(xiàn)為MEMS時，所能夠獲得的受限的SNR的問題可以解釋如下。電容式麥克風(fēng)通常包括振膜以及可以充當(dāng)對電極的背板。聲音可能需要穿過背板，并且因此背板可能通常被穿孔。注意到，即使在其中背板可能布置在振膜后面(例如，在振膜的背離聲音到達的方向的一側(cè))的設(shè)計中，背板也可能需要穿孔，這是因為在工作過程中振膜可能會經(jīng)由打孔后的背板將在振膜與背板之間的體積中的一些空氣壓至背側(cè)的腔體。在沒有背側(cè)腔體以及背板中的孔隙的情況下，在振膜與背板之間的體積可能會像剛性彈簧那樣動作，因而可能避免振膜響應(yīng)于到達的聲音而顯著地振動。
[0004]電容式麥克風(fēng)的一種不同設(shè)計可以使用通常所說的梳狀驅(qū)動，其中振膜和對電極在振膜的側(cè)周具有多個叉指狀梳齒。這些梳狀傳感器麥克風(fēng)可以具有降低的由于缺失背板所造成的噪聲。然而，在叉指梳齒之間仍然可能存在有噪聲的流體元素。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明可以提供一種MEMS麥克風(fēng)。該MEMS麥克風(fēng)可以包括第一振膜元件、對電極元件、以及在第一振膜元件與對電極元件之間的低壓區(qū)。低壓區(qū)可以具有比環(huán)境壓強更小的壓強。
[0006]本發(fā)明可以提供一種制造MEMS麥克風(fēng)的方法。該方法可以包括，在第一振膜元件與對電極元件之間創(chuàng)建低壓區(qū)。該方法可以進一步包括，持久地阻止物質(zhì)進入低壓區(qū)，以在低壓區(qū)內(nèi)在平均上持久地維持規(guī)定的低壓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]這里參考附圖描述本發(fā)明的實施方式。
[0008]圖1示出了包括低壓區(qū)和單個振膜元件的MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖；
[0009]圖2示出了包括包圍低壓區(qū)的第一振膜和第二振膜的MEMS麥克風(fēng)、MEMS揚聲器、或MEMS聲音傳感器的截面示意圖；
[0010]圖3A和圖3B示出了圖2的MEMS麥克風(fēng)在暴露于聲音下時的操作的過程中的截面示意圖；
[0011]圖4示出了圖2的截面示意圖，并且附加地示出了圖示了用于MEMS麥克風(fēng)的供電和感測電路的不意電路圖；
[0012]圖5A和圖5B示出了 MEMS麥克風(fēng)在第一截面位置的截面示意圖；
[0013]圖6A和圖6B不出了相同的MEMS麥克風(fēng)在另一個截面位置的截面不意圖；
[0014]圖7A和圖7B示出了相同的MEMS麥克風(fēng)在又一個截面位置的截面示意圖；
[0015]圖8A和圖8B示出了相同的MEMS麥克風(fēng)在另一個截面位置的截面示意圖；
[0016]圖9A和圖9B示出了相同的MEMS麥克風(fēng)在另一個截面位置的截面示意圖；
[0017]圖10示出了 MEMS麥克風(fēng)的局部透視截面示意圖；
[0018]圖11示出了與圖10類似的局部透視截面示意圖，以更好地圖示MEMS麥克風(fēng)的一些細節(jié)；
[0019]圖12示出了 MEMS麥克風(fēng)、以及大氣壓強對第一和第二振膜元件的影響的截面示意圖；
[0020]圖13圖示了跨越在兩個以上的支柱之間的區(qū)域的振膜分段的尺寸標注；
[0021]圖14示意性圖示了在大氣壓強下的、作為振膜分段的厚度和邊長的函數(shù)的、在圖13中的振膜片段的中央的彎曲的量；
[0022]圖15示出了具有防粘凸塊的MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖；
[0023]圖16A和圖16B示出了具有經(jīng)橫向分割的對電極的MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖；
[0024]圖17A和圖17B示出了包括充當(dāng)用于第一和第二振膜元件的鉸鏈或懸架的較軟的振膜元件的MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖；
[0025]圖17C示出了圖17A和圖17B中的MEMS麥克風(fēng)的局部透視剖面示意圖；
[0026]圖18A示出了包括X形對電極的MEMS麥克風(fēng)的水平截面示意圖；
[0027]圖18B和圖18C示出了來自圖18A的MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖；
[0028]圖19示出包括可以針對彼此電隔離的單個對電極以及第一和第二振膜元件的MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖；
[0029]圖20A至圖200示意性地圖示了用于制造MEMS麥克風(fēng)的方法的工藝流程。
[0030]相同或相當(dāng)?shù)脑蛘呔哂邢嗤蛳喈?dāng)功能的元件在以下說明中由相等或相當(dāng)?shù)母綀D標記來標示。
具體實施例
[0031]在以下的描述中，闡述多個細節(jié)以提供對本發(fā)明的實施方式的更透徹的說明。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，在沒有這些具體的細節(jié)的情況下，本發(fā)明實施方式也是可以被實踐的。在其他實例中，公知的結(jié)構(gòu)和器件以框圖的形式而不是詳細地示出以避免使本發(fā)明的實施方式模糊。此外，下面所描述的不同實施方式的特征可以彼此結(jié)合，除非特別注明。
[0032]標準電容式麥克風(fēng)使用具有由膜位移引起的間隙的距離改變的平行板電容。這可能隱含了經(jīng)由穿孔流動的空氣的噪聲。在研究當(dāng)今的麥克風(fēng)的信噪比問題時，穿孔背板可以被確定為主要噪聲貢獻者之一。一種可能的解決方案可能是去除穿孔背板，但這可能需要新的傳感器概念。由本發(fā)明人進行的實驗和模擬揭示了，穿孔背板的去除理論上可以將信噪比提高4至27dB (分貝聲壓級)。對于具有40mm3有效容積的較大的麥克風(fēng)，在穿孔背板存在的情況下信噪比可能約為71dB(A)。在去除穿孔背板后，信噪比可以增加至98dB(A)。對于具有2.3mm3有效容積的較小的麥克風(fēng)，改善可能并不如此明顯，但仍有4dB，即從在穿孔背板存在的情況下的69dB(A)到在去除穿孔基板后的73dB(A)。
[0033]聲學(xué)系統(tǒng)中的噪聲可能來自于微細結(jié)構(gòu)中的空氣的滯流，并且可能造成阻尼和耗散損失。對于電容式麥克風(fēng)概念，這里描述的一些方面可以教導(dǎo)如何在可移動膜或振膜內(nèi)部的真空或低壓氣氛下包封靜態(tài)參考電極(對電極)。這里公開的另一些方面可以教導(dǎo)如何以及在何種條件下能夠在單個振膜元件與對電極元件之間形成低壓區(qū)。
[0034]圖1示意性圖示了一個用于MEMS麥克風(fēng)的概念，其中低壓區(qū)132可以設(shè)置在振膜元件112與對電極元件122之間。圖1示意性地示出了一個可能的實施方式作為實例。為了與所描述的后續(xù)部分相一致，振膜元件112也可以被稱為“第一振膜元件”。振膜元件112可以在其一側(cè)被暴露于環(huán)境壓強和潛在的聲壓下。振膜元件112的該側(cè)也可以被稱為振膜元件112的聲音接收主表面。在其另一個主表面，振膜元件112可以鄰接低壓區(qū)132。振膜元件112可以被實現(xiàn)為膜或膜元件。振膜元件112響應(yīng)于聲壓的位移可以由點劃線在圖1中示意性地圖示(注意到，為了說明目的，該位移可能有些夸大地被示出)。
[0035]低壓區(qū)132可以由虛線在圖1中示意性地圖示。低壓區(qū)132具有可能通常小于環(huán)境壓強或標準大氣壓強。低壓區(qū)132可以與振膜元件112鄰接并通常直接接觸，并且也與對電極元件122鄰接并通常直接接觸。
[0036]振膜元件112可以被在環(huán)境壓強與低壓區(qū)132內(nèi)的壓強之間的壓強差偏置，該低壓區(qū)132內(nèi)的壓強通常可能低于環(huán)境壓強。因此，當(dāng)沒有聲音到達振膜元件112時，振膜元件112可以呈現(xiàn)相應(yīng)的靜止位置或配置。根據(jù)低壓或真空區(qū)內(nèi)的密度，更低的壓強會導(dǎo)致更弱的阻尼。同時，承受正常壓強和感測聲音的膜可以不需要任何后腔體積，因為可能存在很小的力或沒有力經(jīng)由流體耦合而轉(zhuǎn)移到第二電極。給出一些數(shù)字為例，膜可能必須承受高達約10kPa的絕對壓強。將感測的聲壓例如可以在高達約IMPa或高達1MPa的范圍內(nèi)。
[0037]根據(jù)至少一個實施方式，低壓區(qū)的壓強可以基本上為真空或近真空。在實現(xiàn)方式的其他實例中，低壓區(qū)中的壓強可以小于約50%的環(huán)境壓強或標準大氣壓強。也可能，低壓區(qū)中的壓強可以小于約45 %、40 %、35 %、30 %、25 %、或20 %的環(huán)境壓強或標準大氣壓強(標準大氣壓強通?？梢詾?01.325kPa或1013.25mbar)。低壓區(qū)中的壓強也可以表述為絕對壓強，例如小于50kPa，小于40kPa，小于30kPa，或小于25kPa。在任一情形下，低壓區(qū)的壓強可以通常被選取為其可以低于環(huán)境壓強的典型范圍，該典型范圍用于MEMS麥克風(fēng)可能將要可用的應(yīng)當(dāng)被合理預(yù)期的氣象條件以及相對于海拔的高度(例如，高達海拔之上9000 米)。
[0038]第一振膜元件可以具有至少約lnm/Pa的振膜柔量。根據(jù)可選的實現(xiàn)方式，振膜柔量可能至少約為2nm/Pa,至少約為3nm/Pa,至少約為4nm/Pa,或者至少約為5nm/Pa。振膜柔量通常可以理解為振膜剛度的倒數(shù)。然而，如這里所使用的，振膜柔量可以歸一化為振膜的尺寸，并且可以表現(xiàn)出振膜在承受特定的聲壓(這里是I帕斯卡(Pa))時的最大偏移。通常所用的大氣中的參考聲壓可以為Pref = 20 μ Pa(rms)，其近似相當(dāng)于人類聽覺的閾值。在該參考聲壓下，94dB的聲壓級(SPL)會引起IPa的聲壓(相比之下，在I米處的鑿巖錘可以具有約10dB的聲壓級)。
[0039]圖2示出了經(jīng)過一種MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖，該MEMS麥克風(fēng)可以進一步包括布置在對電極元件222的關(guān)于第一振膜元件212的相對側(cè)上的第二振膜元件214。圖2示出另一個可能的實施方式。MEMS麥克風(fēng)可以包括在第一振膜元件212與第二振膜214之間延伸的多個支柱或支撐物272。支柱272通常不接觸或觸碰對電極元件222，而是可以經(jīng)由對電極元件222中的開口或孔洞227而穿過對電極元件222。在圖2中所圖示的實現(xiàn)的實例中，支柱272可能與第一振膜元件212和第二振膜元件214 —體形成。因此，第一振膜元件212、第二振膜元件214和支柱272可以形成同種材料例如多晶硅的整體結(jié)構(gòu)。然而，這并不意味著第一振膜元件212、第二振膜元件214和支柱272需要在MEMS麥克風(fēng)的制造過程中同時形成。相反可能地，在第一次沉積過程中，第二振膜元件214可以首先形成在襯底202的表面(或輔助層(諸如蝕刻阻擋層)的表面)上。在第二次沉積過程中并且可能在第三次沉積過程中，支柱272可以隨后形成并且還有第一振膜元件212可以最后形成。在以下將要描述的可選的實現(xiàn)實例中，支柱272可以由不同于第一和第二振膜元件212、214的材料制成。第一振膜元件212可以具有可以面向聲音到達方向的主表面(在圖2中由箭頭示意性地圖示)。
[0040]在作為一個實例在圖2中以截面圖示意性地圖示的MEMS麥克風(fēng)中，除了第一對電極元件222，還可以設(shè)置第二對電極元件224。第二對電極元件224可以與第一對電極元件222相隔開。對電極隔離層252可以使第一對電極元件222與第二對電極元件224彼此電隔離。在圖2中示意性地圖示的MEMS麥克風(fēng)的實例中，第一對電極元件222、第二對電極元件224和對電極隔離層252可以形成可以在其外緣或周圍被支撐結(jié)構(gòu)支撐的對電極裝置或?qū)﹄姌O結(jié)構(gòu)。注意到，盡管圖2所描繪的對電極裝置的三個中央部分在低壓區(qū)232內(nèi)顯現(xiàn)“漂浮”狀態(tài)，但它們通?？梢栽趫D2的繪圖平面的上方和/或下方附接至對電極裝置的周圍，如虛線所示。
[0041]在圖2中示意性圖示的實例中，支撐結(jié)構(gòu)可以具有堆疊構(gòu)造，并且第一振膜元件212、第二振膜元件214、以及對電極裝置222、224、252的外圍部分可以與支撐結(jié)構(gòu)在它們主表面中的一個或兩個上平面地接觸。支撐結(jié)構(gòu)本身可以布置在襯底202的主表面處。在襯底202的該主表面上，各層可以以如下順序布置在彼此的頂部，例如:第二振膜元件214、第二振膜隔離層244、第二對電極元件224、對電極隔離層252、第一對電極元件222、第一振膜隔離層242、以及第一振膜元件212。背側(cè)腔體298可以形成在襯底202中以允許第二振膜元件214響應(yīng)于聲波而振蕩。
[0042]當(dāng)研究該結(jié)構(gòu)的壓強情況時，可以觀察到包括第一振膜元件212、支柱272和第二振膜元件214的振膜結(jié)構(gòu)可以足夠剛性到承受外部大氣對真空腔或低壓腔的Ibar過壓強。特別地，支柱272可以視為延伸通過對電極裝置的孔227以穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的垂直脊(也叫做“定子”)。振膜裝置212、214可以是緊密地密封的。
[0043]圖2示出，例如當(dāng)沒有會引起振膜元件212、214發(fā)生偏移的聲波到達振膜元件212、214時，處于其靜止位置的MEMS麥克風(fēng)。在第一振膜元件212的聲音可以到達的一側(cè)，總的壓強可以表述為P (t)=正常壓強+P^i (t)。在背側(cè)腔體298內(nèi)，只可能存在正常大氣壓強，即Po=正常壓強。低壓區(qū)232內(nèi)的壓強可以相對低，例如？,^?O或者〈環(huán)境壓強的 50%。
[0044]圖3A和圖3B示出通過當(dāng)一種可能的MEMS麥克風(fēng)作為可能的實例和/或?qū)嵤┓绞蕉┞队诼曇粝聲r，通過該MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖。圖3A示出這樣的情形，其中振膜裝置212、214、272可以由于與第一振膜元件212鄰接的上側(cè)的聲音所引起的、與背側(cè)腔體298內(nèi)的參考壓強相比的相對過壓強的作用而被推下，即，
[0045]P (t)=正常壓強+I P聲音I。
[0046]在圖3B中，在聲音接收側(cè)的壓強可以低于在背側(cè)腔體298內(nèi)的壓強，使得振膜裝置212、214、272可以向上偏移。因此在有聲音的情況下，振膜結(jié)構(gòu)或膜結(jié)構(gòu)相對于對電極結(jié)構(gòu)222、224、252(定子)上下移動。在圖3B中的壓力不足可以表述為
[0047]卩⑴二正常壓強一卜聲音丨。
[0048]圖4示意性地圖示了 MEMS麥克風(fēng)如何可以電連接至供電電路和放大器的一個實例。圖4示出可能的連接的一個實例。其他布置也是可能的。圖4中，第一和第二振膜元件212,214可以通過振膜連接412而接地至接地電位或參考電位。第一對電極元件222可以通過第一對電極連接422而電連接至第一供電電路并且也連接至放大器401的第一輸入。第一供電電路包括電壓源402和電阻器406。電阻器406可以具有數(shù)吉咖歐姆甚至高達I太拉歐姆的很高的電阻。放大器401可以是差分放大器。第二對電極元件224可以通過第二對電極連接424而連接至第二供電電路以及放大器401的第二輸入。第二供電電路包括第二電壓源404以及通常具有與電阻器406大約相同的電阻的電阻器408。第一和第二供電電路分別使第一和第二對電極元件222、224相對于參考電位(接地電位)電偏置。當(dāng)振膜結(jié)構(gòu)可以響應(yīng)于到達的聲音而偏移時，在第一和第二對電極222、224的電勢可以由于在振膜結(jié)構(gòu)與第一和第二對電極元件之間變化的電容的影響，而在相反方向上變化。這在圖4中通過可以分別被饋送至放大器401中的第一和第二輸入的第一波形432和第二波形434來示意性地圖示。放大器401可以基于輸入信號432、434 (特別是輸入信號432、434之差)而產(chǎn)生放大的輸出信號430。然后將放大的輸出信號430提供給用于后續(xù)信號處理(例如模數(shù)轉(zhuǎn)換、濾波等)的另外的部件。
[0049]現(xiàn)在將關(guān)于圖5A至圖10來描述具有在兩個振膜元件之間的低壓區(qū)以及在該低壓區(qū)內(nèi)的對電極的MEMS麥克風(fēng)的可能的實現(xiàn)方式。圖5A至圖10示出了可能的實施方式和/或可能的實現(xiàn)方式的實例。圖5A、6A、7A、8A和9A可以基本相同，并且分別表示圖5B、6B、7B、8B和9B中所示的對應(yīng)的水平截面的位置。圖5A至圖10中示意性圖示的實例可以涉及一種包括用于使環(huán)境大氣與背側(cè)腔體298之間的靜態(tài)壓強均衡的通風(fēng)孔515的橫向設(shè)計。
[0050]圖6A表示，可以根據(jù)穿過第二振膜元件214的截面來實施下一個水平截面，在圖6B中示例性圖示了該水平截面。在該位置，通風(fēng)孔515可以具有方形的截面。
[0051]圖7A示出了 MEMS麥克風(fēng)的另一個截面示意圖，而圖7B示出了對應(yīng)的示意水平截面，可能在第二振膜隔離層244的高度上實施了該水平截面。在所描述的MEMS麥克風(fēng)的實例中，第二振膜隔離層244可能不僅提供在第二振膜元件214與第二對電極元件224之間的電隔離，也可以充當(dāng)對于第二對電極元件224以及可以布置在第二對電極元件224頂部的其他結(jié)構(gòu)的支撐。因此，第二振膜隔離層244也可以被視為支撐結(jié)構(gòu)的一部分。第二振膜隔離層244還可以在橫向上約束或限制低壓區(qū)232。在圖7A和7B中也可以看到支柱272。以與支柱272類似的方式，可以由在第一振膜元件212與第二振膜元件214之間延伸的四個側(cè)壁形成通道715。在所描述的實例中，通道715可以具有方形的截面，但也可以具有其他截面形狀。通道715可以針對通風(fēng)孔515密封低壓區(qū)232。
[0052]在圖7B中可以看出，各個支柱272可以具有細長的截面(特別是矩形的截面)。然而，其他截面形狀也是可以的。因此，各個支柱272可以顯著地比厚更寬，例如比厚更寬三倍至六倍之間。支柱的寬度在圖7B中可以示意性地圖示為“W”，而支柱272的厚度在圖7B中可以示意性地圖示為“t”。可以定向支柱272的第一子集，使得它們的截面的寬度w沿著第一方向延伸?？梢圆煌囟ㄏ蛑е?72的第二子集，使得它們的截面的寬度w沿著可以不平行于第一方向的第二方向延伸。在圖7B中示意性地圖示的實例中，支柱272的第二子集的截面取向的第二方向可以正交于描述支柱272的第一子集內(nèi)的截面取向的第一方向。在可選的實施方式中，多個支柱272可以細分為支柱的三個或者甚至更多的子集，每個子集具有不同的截面取向的方向。支柱272具有不同的截面取向以便實現(xiàn)，針對由大氣施加至第一和第二振膜元件212、214上的過壓強，整個振膜元件的基本各向同性的剛度。此夕卜，可以將至少一些支柱272彼此隔開，以為對電極裝置222、224、252留下足夠的空間，如將在圖8B中看到的。
[0053]圖8B示出了在對電極隔離層252的高度的水平截面。在所描繪的實例中，對電極隔離層252的幾何形狀也可以代表第一和第二對電極元件222、224的幾何形狀，并且從而代表了包括第一對電極222、對電極隔離層252和第二對電極元件224的三個層的整個對電極裝置。對電極隔離層252可以包括孔227。支柱272可以在不接觸孔227的邊緣的情況下(即，具有足夠間隙地)穿過孔227。因此，當(dāng)可以使振膜裝置向上或向下偏移時，振膜裝置可以相對于對電極裝置而上下移動，這可能在對電極裝置暴露于聲波下時主要發(fā)生在其中央部分內(nèi)。此外，對電極裝置內(nèi)的孔227可以防止支柱272與第一對電極222和/或第二對電極224產(chǎn)生電接觸，該電接觸將在振膜裝置與對電極裝置之間導(dǎo)致短路。
[0054]為了給振膜裝置提供一些額外的機械穩(wěn)定性，圖8中的通道715的側(cè)壁可以比圖7B的水平截面中的更厚。通風(fēng)孔515可以在圖8B中的所示位置處具有圓形的截面。
[0055]圖9B示出了與圖SB類似的水平截面，截面的不同之處在于是在第一對電極元件222的高度實施的。
[0056]圖10示出了 MEMS麥克風(fēng)的透視截面示意圖。圖11示出了類似的透視截面示意圖，其中對電極裝置與支柱272的關(guān)系可以被進一步詳細示出。特別地，圖11可以示出了，支柱272中的一個可以如何穿過可以形成于對電極裝置中的孔227中的一個。
[0057]圖12示出了一種MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖，其中振膜部的彎曲可以被示意性地圖示了。由于在第一與第二振膜元件212、214之間的真空或低壓的作用，懸浮振膜部件可以承載有導(dǎo)致彎曲的環(huán)境壓強。由于可以通常有規(guī)律地布置在第一與第二振膜元件212、214之間的支柱272的作用，彎曲可以被減少至相對小的量。
[0058]圖13示意性地圖示了一個懸浮振膜部件(膜部件)。懸浮振膜部件的橫向尺寸“I”、其厚度、以及其內(nèi)應(yīng)力可以限定彎曲的量。作為一個實例，圖14用圖表圖示了無應(yīng)力多晶硅振膜的一小方塊在Ibar壓強下(大氣壓強)的、對于不同厚度和邊長的、彎曲的計算結(jié)果。對于典型的尺寸(邊長=20 μ m,厚度=0.5 μ m),彎曲可以約為140nm,并且對于2 μ m的空氣間隙來說是可接受的。振膜層中的張應(yīng)力可以額外地減少彎曲。
[0059]圖15示出了根據(jù)可能在第一與第二振膜元件212、214之間具有低壓區(qū)232的一種可能的實施方式的、MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖。根據(jù)在圖15中示意性圖示的實現(xiàn)方式的實例，第一振膜元件212可以包括可以布置在第一振膜元件212的可以面向低壓區(qū)232的表面處的防粘凸塊1512。防粘凸塊1512可以降低第一振膜元件212由于粘附力的作用而粘連至第一對電極元件222的風(fēng)險。以類似的方式，第二對電極元件224可以包括面向第二振膜元件214的多個第二防粘凸塊1524。防粘凸塊1512可以與第一振膜元件212集成。防粘凸塊1524可以作為一部分與第二對電極元件224集成。
[0060]圖16A不出了一種具有對于對電極的橫向分割的MEMS麥克風(fēng)的截面不意圖。圖16B示出了同種MEMS麥克風(fēng)的示意水平截面圖。在該實施方式中，第一對電極元件222并不延伸至支撐結(jié)構(gòu)中，除了用于將第一對電極元件222與外部電路系統(tǒng)(諸如供電電路和讀出電路)電連接的小接觸條。第一對電極元件222可以被間隙1623橫向限制，該間隙1623可以將第一對電極兀件222與周圍的對電極材料1622的區(qū)域電隔離。第一對電極兀件222可以被限制于MEMS麥克風(fēng)的中央?yún)^(qū)域。第一振膜元件212和第二振膜元件214可以在中心區(qū)域經(jīng)受由于聲波激勵的作用而造成的比在邊緣區(qū)域中更大的偏移。在邊緣區(qū)域中(即支撐結(jié)構(gòu)內(nèi)以及在支撐結(jié)構(gòu)附近)，第一和第二振膜元件212、214可能通常并不響應(yīng)于聲波而顯著地移動。因此，邊緣區(qū)域可能并不對電容的變化做出貢獻。對于第一和第二對電極元件222、224的橫向分割通?？梢詫?dǎo)致響應(yīng)于聲波的更大比率的電容變化，并且因而得到更高的MEMS麥克風(fēng)靈敏度。間隙1623在穿過支撐區(qū)域時，可以填充有第一振膜隔離層242的材料，以便針對外部環(huán)境大氣而密封低壓區(qū)232?？梢詫υ诘诙﹄姌O元件224與對應(yīng)的邊緣材料1624之間的間隙進行同樣的處理，因為第二振膜隔離層244可以用于填充元件224與元件1624之間的間隙。在可選的方式中，間隙1623以及在第二對電極元件224周圍的間隙可以填充有專用的隔離材料或者由專用的隔離材料替代。
[0061]圖17A示出了一種MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖，作為如何可以引入更軟的振膜或膜并且該更軟的振膜或膜可以針對在低壓區(qū)內(nèi)(即在第一和第二振膜元件212、214之間)的低壓仍是剛性的的一個實例。圖17B示出了對應(yīng)的水平截面。MEMS麥克風(fēng)可以包括鉸鏈元件或者第三振膜元件1716。鉸鏈元件或第三振膜元件1760可以耦合在第一振膜元件212與支撐結(jié)構(gòu)1706之間。鉸鏈元件/第三振膜元件1716可以具有可以比第一振膜元件212的剛度更小并且/或者比第二振膜元件214的剛度更小的剛度。第三振膜元件1716可以包括配置以橫向約束低壓區(qū)232的壁元件1717。壁元件1717可以耦合至支撐結(jié)構(gòu)1706，使得支撐結(jié)構(gòu)1706可以參與到約束低壓區(qū)232中。圖17A和17B中所示意性地圖示的MEMS麥克風(fēng)可以包括四個鉸鏈元件/第三振膜元件1716。第一對電極元件222可以獨立于鉸鏈元件1716地耦合至支撐結(jié)構(gòu)1706。這可以通過在鉸鏈元件1716中設(shè)置至少一個間隙來實現(xiàn)，第一對電極元件222可以通過該至少一個間隙從低壓區(qū)232延伸至圖17B中的支撐結(jié)構(gòu)1706。這可以對于對電極隔離層252示意性圖示。第一對電極元件222和第二對電極元件224的結(jié)構(gòu)可以與對電極隔離層252的結(jié)構(gòu)基本類似。在圖17A和17B中示出的構(gòu)造中，在四個鉸鏈元件1716之間可能設(shè)置有四個間隙，四個間隙設(shè)置在例如在由四個鉸鏈元件1716所形成的方形的四個角部中。
[0062]圖17C示出了第一和第二振膜元件212、214以及鉸鏈元件1716中的兩個鉸鏈元件的透視剖面示意圖。為清楚起見，從圖17C的圖示中省略了對電極元件222、224以及對電極隔離層252?？梢钥闯?，各個鉸鏈元件1716可以形成具有彼此底對底布置的兩個槽的、可以描述為“雙槽(double-trough) ”的結(jié)構(gòu)。在角部中，兩個鉸鏈元件1716不必彼此接觸，并且可以保留在鉸鏈元件1716之間的空隙，該空隙可以允許對電極結(jié)構(gòu)獨立于振膜結(jié)構(gòu)地機械結(jié)合并且電耦合于支撐結(jié)構(gòu)。在該實現(xiàn)方式的實例中，鉸鏈元件1716可以具有H形的截面。在可選的實現(xiàn)方式中，一個或多個鉸鏈元件1716可以具有例如U形截面或另一種截面，其中例如第二振膜元件214可以連續(xù)形成“U”的下邊，而第一振膜元件212可以被壁元件1717中斷。圖17C中的虛線示意性地表示了低壓區(qū)232的一些內(nèi)輪廓。
[0063]圖18A至圖18C示意性圖示了 MEMS麥克風(fēng)的另一個可能的實現(xiàn)方式，其中對電極元件可以具有大致X形的構(gòu)造。圖18A可以示出了第一對電極元件1822的以及鉸鏈元件或第三振膜元件1816的示意頂部圖。為清楚起見,從圖示中省略了一些元件,例如圖17A至圖17C中的壁元件1717?？梢钥闯?，可以通過可以從第一對電極元件222的中央部以X形的方式延伸的四個臂，而在支撐結(jié)構(gòu)1706處懸掛第一對電極元件222。作為一個可選的實現(xiàn)方式，可以通過一個臂、兩個臂、三個臂、或任何其他數(shù)量的臂，而在支撐結(jié)構(gòu)處支撐第一對電極元件1822。
[0064]圖18B示出了通過圖18A的MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖，而圖18C示出了通過MEMS麥克風(fēng)的對應(yīng)的水平截面。在圖18C中可以看出，可以以成角度的截取平面實施圖18B的截面圖，使得圖18B中的左側(cè)部分示出通過鉸鏈元件1816的截面,而圖18B的右側(cè)部分示出通過對電極隔離層1852的截面示意圖。鉸鏈元件或第三振膜元件1816可以包括促進鉸鏈元件1816在該區(qū)域中的彎曲的波紋線1818。各鉸鏈元件1816的彎曲可以描述為繞著平行于波紋線1818的延長線的軸的旋轉(zhuǎn)。鉸鏈元件1816的壁元件1817可以參與到針對環(huán)境大氣而約束低壓區(qū)232中。為此，壁元件1817可以耦合至支撐結(jié)構(gòu)1706。在圖18A至圖18C所示的實例中，壁元件1817可以包括可以以某角度開始于支撐結(jié)構(gòu)1706的第一壁部、可以基本平行于支撐結(jié)構(gòu)1706而延伸的第二壁部、以及可以以某角度與支撐結(jié)構(gòu)1706合并的第三壁部。以這種方式，壁元件1817可以形成包圍鉸鏈元件1816的剩余部分特別是包括波紋線1818的部分的梯形的三個邊。梯形的第四個邊可以由支撐結(jié)構(gòu)形成?？梢栽谝粋€以上的鉸鏈元件1816內(nèi)形成另外的排氣孔1815。通風(fēng)孔1815可以配置以便于使得環(huán)境壓強與背側(cè)腔體298之間的靜態(tài)壓強均衡。如上文所說明的，在中心支柱715中也可以有另外的通風(fēng)孔515。
[0065]圖19示出了 MEMS麥克風(fēng)的可能的實現(xiàn)方式的另一個實例，其中定子即對電極裝置可以實現(xiàn)為單電極，并且可動振膜結(jié)構(gòu)包括針對彼此電隔離的兩個電極。MEMS麥克風(fēng)可以包括第一振膜元件1912和第二振膜元件1914。第一振膜元件1912可以經(jīng)由多個電隔離支柱1972而機械耦合至第二振膜元件1914。對電極裝置可以包括導(dǎo)電材料的單個對電極元件1922。也可以設(shè)置可以針對彼此電隔離的兩個對電極、以及也可以針對彼此電隔離的額外的兩個振膜(即用于MEMS麥克風(fēng)的四個不同的電極)。
[0066]圖20A至圖200示出了在用于如上文所描述的MEMS麥克風(fēng)的制造工藝的一個可能的實例的不同階段或步驟中，經(jīng)過晶片的一部分的截面示意圖。任何的尺寸、不同層的厚度值、材料選擇等都只是實例，并且因而可以改變。
[0067]圖20A示出了可以是其中硅可以以單晶結(jié)構(gòu)布置的硅晶片的襯底202?？梢砸呀?jīng)在背板202的上主表面處淀積了下蝕刻阻擋層203。下蝕刻阻擋層203可以確?？赡艹霈F(xiàn)在后續(xù)制造工藝中的用于形成腔體298的的蝕刻工藝的可靠停止。下蝕刻阻擋層203可以通常由例如氧化物、熱氧化物、或TEOS制成。其厚度可以在0.1至I μ m之間。
[0068]圖20B示出了在用于已經(jīng)在下蝕刻阻擋層203處淀積了第二振膜元件214的層后的晶片的截面示意圖。此外，在圖20B中可以還已經(jīng)形成了第二振膜元件214結(jié)構(gòu)。該材料可以是摻雜硅聚合物(poly-silicone)，其可以是作為MEMS麥克風(fēng)的馬達的一部分而淀積的摻雜多晶硅層。層214的厚度通常可以在0.5至2μπι之間。
[0069]圖20C示出了在圖20Β所示的結(jié)構(gòu)處淀積了用于下間隙的犧牲氧化物2044的層之后的通過晶片的截面示意圖。犧牲氧化物可以為與用于下蝕刻阻擋層203的材料基本相同的材料。淀積的第二振膜氧化層2044的在第二振膜元件214的頂部的厚度通?？梢栽诩s0.5至2 μ m之間，取決于期望的用于MEMS麥克風(fēng)的間隙寬度。
[0070]圖20D示出了在先前淀積好的犧牲氧化物2044上淀積了多層定子的各個層之后的截面示意圖。在所描述實例中，多層定子可以包括三個層:層2024，用于隨后形成第二對電極元件224 ;電絕緣材料的層2052，用于隨后形成對電極隔離層252的；以及層2022，用于隨后形成第一對電極兀件222。層2024和層2022可以是摻雜多晶娃的,或者包括摻雜多晶硅。層2052可以包括氮化硅SiN。其他材料也是可以的，例如單晶硅(體硅；或者絕緣體上硅，SOI)、多晶硅、金屬(例如鋁或者AlSiCu)。介電層可以包括氧化物、Si3N4、SixNy0、聚酰亞胺等。多層定子的各個層的厚度可以，例如，對于第一和第二對電極元件2022、2024的層,在約0.1至I μ m之間，而對于對電極隔離層2052的層，在約0.1至0.5 μ m之間。[0071 ] 圖20E示出了在可以已經(jīng)形成了包括三個層2024、2052和2022的多層定子結(jié)構(gòu)之后，特別是在可以已經(jīng)在多層定子中形成了開口 2027或溝槽之后的截面示意圖，例如所述開口 2027可以延伸至第二振膜隔離層2044。
[0072]接著可以通過淀積工藝(例如，具有在約0.5至5 μ m之間的厚度的TEOS淀積結(jié)構(gòu)2042)來填充開口 2027。在第二振膜隔離層2044可以為與淀積材料是相同材料的情況下，這兩個層可以合并，并且可以形成一個結(jié)構(gòu)。在TEOS淀積之后的截面示意圖可以如圖20F所示。其他淀積材料也是可以的。
[0073]圖20G示出了可以已經(jīng)在第二振膜隔離層2042處淀積了掩膜2045并且已經(jīng)使掩膜2045形成了結(jié)構(gòu)之后的截面示意圖。接著，可以執(zhí)行通常所說的間隔體蝕刻工藝(支柱蝕刻工藝)，其結(jié)果可以在圖20H中看到。特別地，可以已經(jīng)使孔2027相對于它們的深被延伸，使得它們現(xiàn)在可以向下到達第二振膜元件214。
[0074]在圖201中，可以已經(jīng)除去了掩膜2045?？?027可以現(xiàn)在限定將來的支柱272的形狀。在后續(xù)的步驟中，可以執(zhí)行進一步淀積摻雜多晶硅2012，該淀積填充孔2027(圖20J)。淀積的摻雜多晶硅的厚度可以例如在約0.5至2 μ m之間。
[0075]隨后，可以構(gòu)造淀積的摻雜多晶硅2012。通過構(gòu)造第一振膜層2012，可以在第一振膜層2012中創(chuàng)建多個小孔2011。每個孔可以具有例如在約0.1至I μ m之間的直徑。小孔2011可以隨后用作蝕刻孔，并且接著使小孔2011再次閉合。圖20J示出了在已經(jīng)淀積了第一振膜層2012并且使第一振膜層2012形成結(jié)構(gòu)之后的截面示意圖。在形成小蝕刻孔2011的同時，可以通過形成可以將第一振膜元件212與第一振膜材料2012的周圍的部分分離的間隙2021來執(zhí)行對第一振膜層2012的橫向分割,該分離可以隨后完成。第一振膜材料的周圍的部分可以隨后被用于電接觸第一對電極元件222、第二對電極元件224和/或第二振膜元件214。
[0076]圖20K示出了在橫向分割2021可以已經(jīng)暫時借助于掩膜2046的方被覆蓋之后的截面示意圖。利用還未被掩膜覆蓋的剩余的小孔2011，執(zhí)行釋放蝕刻以便除去在第二振膜層214與第一振膜層2012之間的氧化物。釋放蝕刻工藝可以受時間控制，使得犧牲材料2042和2044的邊緣部分不會被蝕刻劑蝕刻掉，因為，最近的孔2011的距離可以太大，使得蝕刻劑不能在釋放蝕刻工藝持續(xù)的期間到達該邊緣部分。替代受時間控制的蝕刻工藝，也可以使用用于設(shè)置蝕刻阻擋的其他形式。
[0077]圖20L示出了已經(jīng)除去了掩膜2046之后的截面示意圖。在圖20M中可以已經(jīng)執(zhí)行了蝕刻孔閉合，以使用適當(dāng)?shù)拿芊獠牧?019來使小孔2011閉合，這可以在圖20M和隨后的圖20N和200中由粗線示意性地表示。該閉合步驟可以是在低壓氣氛或(近)真空下執(zhí)行的，以獲得低壓區(qū)232。該蝕刻孔閉合可以包括下列活動中的一個以上:
[0078]在低壓下，利用氧化物的非保形淀積來進行覆蓋，或者
[0079]在低壓/真空下，淀積BPSG(硼磷硅玻璃)并且稍后回流，或者
[0080]在低壓/真空下，層壓箔片。
[0081]圖20M圖示了淀積BPSG的情況，其也可能造成BPSG覆蓋低壓區(qū)232的內(nèi)側(cè)壁。
[0082]圖20N示出了在可以已經(jīng)蝕刻了接觸孔之后制造的過程中MEMS麥克風(fēng)的截面示意圖?？梢栽诘谝唤佑|孔內(nèi)形成第一接觸2082，并且該第一接觸2082提供用于第一振膜元件212的電連接?？梢栽诘诙佑|孔內(nèi)設(shè)置第二接觸點2092，以提供用于第一對電極元件222的電連接?？梢栽诘谌佑|孔內(nèi)設(shè)置第三接觸點2094，作為用于第二對電極元件224的電連接。注意到，一個或多個橫向分割2021、第一振膜隔離層242、以及對電極隔離層252例如在不同接觸點2082、2092和2094之間，提供電隔離。用于第二振膜元件214的接觸可能未在圖20N中明確示出，但能夠以與例如接觸點2082、2084、2092類似的方式形成。
[0083]圖200以截面示意圖示出了，在例如利用DRIE/Bosch工藝(DRIE:深反應(yīng)離子蝕刻)進行的對背側(cè)腔體298的背側(cè)蝕刻之后的、最終的MEMS麥克風(fēng)。下蝕刻阻擋層203可以充當(dāng)用于DRIE工藝的蝕刻阻擋，并且可以已經(jīng)在DRIE工藝之后通過進一步的專用氧化物蝕刻工藝而被除去。
[0084]盡管已經(jīng)在器件的背景下描述了一些方面，但是很清楚，這些方面也表示對對應(yīng)的方法的描述，其中，模塊或器件對應(yīng)于方法步驟或者方法步驟的特征。類似地，在方法步驟的背景下描述的方面也表示對于對應(yīng)的模塊或者對應(yīng)的器件的項目或特征的描述。
[0085]上文所描述的實施方式只是對本發(fā)明原理的說明。應(yīng)該理解，對本文所描述的布置和細節(jié)的修改和變化對于本領(lǐng)域其它技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，其旨在僅僅由隨后的專利權(quán)利要求的范圍所限定，而不是由以對本文的實施方式的描述和闡釋的方式而呈現(xiàn)的具體細節(jié)所限定。
[0086]盡管每項權(quán)利要求僅向前引用一個單一的權(quán)利要求，但是本公開也涵蓋任何可想到的權(quán)利要求的組合。
【權(quán)利要求】
1.一種MEMS麥克風(fēng)，包括: 第一振膜兀件； 對電極元件；以及 低壓區(qū)，在所述第一振膜元件和所述對電極元件之間，所述低壓區(qū)具有比環(huán)境壓強更小的壓強。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述低壓區(qū)中的所述壓強基本上為真空。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述低壓區(qū)中的所述壓強比所述環(huán)境壓強的約50%更小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述麥克風(fēng)進一步包括設(shè)置在所述對電極元件的與第一振膜元件相對的側(cè)上的第二振膜元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述第一振膜元件電耦合至所述第二振膜元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述第一振膜元件與所述第二振膜元件電隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述麥克風(fēng)進一步包括與所述第一對電極元件分隔開的第二對電極元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述第一對電極元件與所述第二對電極元件電隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述第一振膜元件具有至少約lnm/Pa的振膜柔量。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述第一振膜元件具有至少約5nm/Pa的振膜柔量。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述低壓區(qū)在密封腔體內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，進一步包括耦合在所述第一振膜元件與支撐結(jié)構(gòu)之間的鉸鏈元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述鉸鏈元件包括配置以橫向約束所述低壓區(qū)的壁元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述壁元件耦合至所述支撐結(jié)構(gòu)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)參與約束所述低壓區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述對電極元件通過在所述鉸鏈元件中的至少一個間隙獨立于所述鉸鏈元件地耦合至所述支撐結(jié)構(gòu)，所述至少一個間隙從所述低壓區(qū)延伸至所述支撐結(jié)構(gòu)。
16.一種MEMS麥克風(fēng)，包括: 第一振膜兀件； 第二振膜元件，與所述第一振膜元件分隔開； 低壓區(qū)，設(shè)置在所述第一振膜元件與所述第二振膜元件之間，所述低壓區(qū)具有比環(huán)境壓強更小的壓強；以及 第一對電極元件，設(shè)置在所述低壓區(qū)內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述低壓區(qū)中的壓強基本上是真空。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述低壓區(qū)中的壓強比所述環(huán)境壓強的約50%更小。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述低壓區(qū)在密封腔體內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MEMS麥克風(fēng)，進一步包括與所述第一對電極元件電隔離的第二對電極元件。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MEMS麥克風(fēng)，進一步包括耦合在所述第一振膜元件和所述第二振膜元件之間的一個或多個支柱。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述一個或多個支柱是電隔離的。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述一個或多個支柱是導(dǎo)電的。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的MEMS麥克風(fēng)，其中至少有兩個支柱彼此隔開5μ m至20 μ m之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的MEMS麥克風(fēng)，進一步包括第三振膜元件，所述第三振膜元件具有比所述第一振膜元件的剛度或者所述第二振膜元件的剛度更小的剛度。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的MEMS麥克風(fēng)，其中所述第三振膜元件耦合在支撐結(jié)構(gòu)與所述第一振膜元件和所述第二振膜元件中的至少一個振膜元件之間。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的MEMS麥克風(fēng)，其中在所述支撐結(jié)構(gòu)處，獨立于所述第三振膜元件地支撐所述第一對電極元件。
28.一種用于制造MEMS麥克風(fēng)的方法，所述方法包括: 在第一振膜元件與對電極元件之間創(chuàng)建低壓區(qū)；以及 持久地阻止物質(zhì)進入所述低壓區(qū)中，以在平均上持久地維持規(guī)定的低壓。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中創(chuàng)建所述低壓區(qū)包括在所述第一振膜元件與所述對電極元件之間形成腔體。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述持久地阻止物質(zhì)進入包括，在低壓氣氛下關(guān)閉所述腔體以獲得在所述第一振膜元件與所述對電極元件之間的低壓區(qū)。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述低壓區(qū)的壓強比標準大氣壓強的70%更小。
32.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述持久地阻止物質(zhì)進入包括下列至少一項: 利用非保形地淀積氧化物來覆蓋所述MEMS麥克風(fēng)的表面； 在所述MEMS麥克風(fēng)的所述表面淀積磷硅酸鹽(BPSG)，并且稍后在所述低壓氣氛下回流；以及 層壓箔片。
33.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，在創(chuàng)建所述低壓之前進一步包括: 在對電極材料的層上淀積犧牲材料； 在所述犧牲材料上淀積振膜材料； 構(gòu)造所述振膜材料以接入所述犧牲材料；以及 除去所述犧牲材料； 其中，創(chuàng)建所述低壓區(qū)包括，從在去除所述犧牲材料之前由所述犧牲材料先前占據(jù)的空間抽出空氣、氣體和流體中的至少一種。
【文檔編號】H04R19/04GK104254046SQ201410289575
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】A·德厄, A·弗勒梅爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司