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一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的制作方法

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一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),屬于電聲【技術(shù)領(lǐng)域】。本發(fā)明包括軛鐵、磁鐵、感應(yīng)線圈、平衡電樞、調(diào)節(jié)線圈和控制芯片,感應(yīng)線圈設(shè)置于平衡電樞的一端,調(diào)節(jié)線圈設(shè)置于平衡電樞的另一端;或者,調(diào)節(jié)線圈設(shè)置于軛鐵與感應(yīng)線圈之間;或者,調(diào)節(jié)線圈設(shè)置于感應(yīng)線圈的后端;調(diào)節(jié)線圈和感應(yīng)線圈分別與控制芯片相連接;調(diào)節(jié)線圈在低頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng);調(diào)節(jié)線圈在中高頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng)。本發(fā)明有效地抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真,提高了對(duì)低音的解析能力,從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能;同時(shí)對(duì)于中高頻段的頻響具有一定的補(bǔ)償作用,使動(dòng)鐵單元的高頻性能更加完美。
【專利說(shuō)明】一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種動(dòng)鐵單元的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),更具體地說(shuō),涉及一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]動(dòng)鐵單元具有隔音效果好、體積小、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),已被廣泛運(yùn)用于耳機(jī)及音箱中。與動(dòng)圈單元相比,動(dòng)鐵單元的頻響曲線更加穩(wěn)定,且使用動(dòng)鐵單元的耳機(jī)更加有助于保護(hù)聽力,但是動(dòng)鐵單元的低頻性能并沒有動(dòng)圈單元的低頻性能好,主要原因在于,動(dòng)鐵單元的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)電磁轉(zhuǎn)換效率較高,且其平衡電樞的機(jī)械強(qiáng)度較大,共振頻率較高,因此動(dòng)鐵單兀對(duì)于中、高頻的聲音信號(hào)的放大幅度強(qiáng)于對(duì)于低頻聲音的信號(hào)放大幅度,造成中、高頻段的聲音輸出較強(qiáng),低頻段的聲音輸出不足,失真較為嚴(yán)重。
[0003]現(xiàn)有的動(dòng)鐵單元的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)主要由平衡電樞、軛鐵、感應(yīng)線圈和永磁體組成,永磁鐵對(duì)稱設(shè)置于軛鐵內(nèi),形成平衡電樞的振動(dòng)空間,平衡電樞穿過(guò)兩個(gè)永磁體的中間,一端設(shè)置有感應(yīng)線圈,一端通過(guò)傳導(dǎo)桿連接振膜。對(duì)上述結(jié)構(gòu)的動(dòng)鐵單元進(jìn)行性能測(cè)試,如圖4所示,得到動(dòng)鐵單元的失真曲線和頻響曲線。由圖4中的失真曲線可知,該動(dòng)鐵單元在2000Hz范圍內(nèi)的頻段上的失真度較高,尤其在1000Hz附近的失真更為嚴(yán)重;而在2000Hz以上的頻率上,失真度較低,并且波動(dòng)很小。由頻響曲線可知,該動(dòng)鐵單元的頻響曲線較為穩(wěn)定,性能良好,但是在高頻末端,頻響曲線的下降趨勢(shì)明顯,在動(dòng)鐵單元中,容許頻響曲線在高頻末端下降,但要求頻響曲線在下降過(guò)程中具有一定的波動(dòng)。對(duì)于市面上的其他動(dòng)鐵單元進(jìn)行性能測(cè)試,均獲得了與圖4中類似的失真曲線和頻響曲線,可見,現(xiàn)有的動(dòng)鐵單元均存在低頻段失真嚴(yán)重的問題。而許多音樂愛好者偏愛低音,這也使得動(dòng)鐵單元的應(yīng)用受到一定的局限,如何減小動(dòng)鐵單元在低頻段的失真和改善高頻末端的頻響也成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]1.發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有動(dòng)鐵單元低頻失真嚴(yán)重、低音解析度差的不足,提供一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),采用本發(fā)明的技術(shù)方案,有效地抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真,提高了對(duì)低音的解析能力,從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能;同時(shí)對(duì)于高頻段的頻響具有一定的補(bǔ)償作用,使動(dòng)鐵單元的高頻性能更加完美。
[0006]2.技術(shù)方案
[0007]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供的技術(shù)方案為:
[0008]本發(fā)明的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵、磁鐵、感應(yīng)線圈和平衡電樞,還包括調(diào)節(jié)線圈和控制芯片,所述的平衡電樞穿過(guò)軛鐵的中間,所述的磁鐵對(duì)稱設(shè)置于平衡電樞的兩側(cè),并固定于軛鐵上;所述的感應(yīng)線圈設(shè)置于平衡電樞的一端,所述的調(diào)節(jié)線圈設(shè)置于平衡電樞的另一端;或者,所述的調(diào)節(jié)線圈設(shè)置于軛鐵與感應(yīng)線圈之間;或者,所述的調(diào)節(jié)線圈設(shè)置于感應(yīng)線圈的后端;所述的調(diào)節(jié)線圈和感應(yīng)線圈分別與控制芯片相連接;所述的調(diào)節(jié)線圈在低頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng);所述的調(diào)節(jié)線圈在中高頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng)。
[0009]更進(jìn)一步地,所述的調(diào)節(jié)線圈的匝數(shù)小于感應(yīng)線圈的匝數(shù)。
[0010]3.有益效果
[0011]采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案,與已有的公知技術(shù)相比,具有如下顯著效果:
[0012]本發(fā)明的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),在低頻時(shí),利用控制芯片控制調(diào)節(jié)線圈產(chǎn)生與感應(yīng)線圈方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng),降低了平衡電樞在低頻時(shí)的磁通密度,有效地抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真,提高了對(duì)低音的解析能力,從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能;在中高頻時(shí),控制芯片控制調(diào)節(jié)線圈產(chǎn)生與感應(yīng)線圈方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng),增加了平衡電樞在中高頻的磁通密度,對(duì)于中高頻段的頻響具有一定的補(bǔ)償作用,使動(dòng)鐵單元的高頻性能更加完美。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0014]圖2為本發(fā)明實(shí)施例2的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0015]圖3為本發(fā)明實(shí)施例3的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖4為現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的動(dòng)鐵單元的失真與頻響曲線圖。
[0017]示意圖中的標(biāo)號(hào)說(shuō)明:
[0018]1、軛鐵;2、磁鐵;3、感應(yīng)線圈;4、平衡電樞;5、傳導(dǎo)桿;6、調(diào)節(jié)線圈;7、控制芯片。

【具體實(shí)施方式】
[0019]為進(jìn)一步了解本發(fā)明的內(nèi)容,結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述。
[0020]實(shí)施例1
[0021]結(jié)合圖1所示,本實(shí)施例的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵1、磁鐵2、感應(yīng)線圈3、平衡電樞4、調(diào)節(jié)線圈6和控制芯片7,平衡電樞4穿過(guò)軛鐵I的中間,且兩端伸出軛鐵1,磁鐵2對(duì)稱設(shè)置于平衡電樞4的兩側(cè),并固定于軛鐵I上,為了避免大量漏磁,本實(shí)施例中的磁鐵2固定于軛鐵I的內(nèi)側(cè),其固定方式可以采用膠接或激光焊接;感應(yīng)線圈3設(shè)置于平衡電樞4的一端,調(diào)節(jié)線圈6設(shè)置于平衡電樞4的另一端,且感應(yīng)線圈3和抑制線圈6分別與軛鐵I膠接固定,調(diào)節(jié)線圈6的匝數(shù)小于感應(yīng)線圈3的匝數(shù);平衡電樞4遠(yuǎn)離感應(yīng)線圈3的一端連接有傳導(dǎo)桿5,用于連接振膜,將平衡電樞4的振動(dòng)傳導(dǎo)給振膜;調(diào)節(jié)線圈6和感應(yīng)線圈3分別與控制芯片7相連接;調(diào)節(jié)線圈6在低頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng);調(diào)節(jié)線圈6在中高頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng),調(diào)節(jié)線圈6和感應(yīng)線圈3所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)方向均由控制芯片7控制。
[0022]實(shí)施例2
[0023]結(jié)合圖2所示,本實(shí)施例的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵1、磁鐵2、感應(yīng)線圈3、平衡電樞4、調(diào)節(jié)線圈6和控制芯片7,平衡電樞4穿過(guò)軛鐵I的中間,且兩端伸出軛鐵1,磁鐵2對(duì)稱設(shè)置于平衡電樞4的兩側(cè),并固定于軛鐵I上,為了避免大量漏磁,本實(shí)施例中的磁鐵2固定于軛鐵I的內(nèi)側(cè),其固定方式可以采用膠接或激光焊接;感應(yīng)線圈3設(shè)置于平衡電樞4的一端,調(diào)節(jié)線圈6設(shè)置于軛鐵I與感應(yīng)線圈3之間,且調(diào)節(jié)線圈6分別與感應(yīng)線圈3、軛鐵I膠接固定,調(diào)節(jié)線圈6的匝數(shù)小于感應(yīng)線圈3的匝數(shù);平衡電樞4遠(yuǎn)離感應(yīng)線圈3的一端連接有傳導(dǎo)桿5,用于連接振膜,將平衡電樞4的振動(dòng)傳導(dǎo)給振膜;調(diào)節(jié)線圈6和感應(yīng)線圈3分別與控制芯片7相連接;調(diào)節(jié)線圈6在低頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng);調(diào)節(jié)線圈6在中高頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng),調(diào)節(jié)線圈6和感應(yīng)線圈3所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)方向均由控制芯片7控制。
[0024]實(shí)施例3
[0025]結(jié)合圖3所示,本實(shí)施例的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵1、磁鐵2、感應(yīng)線圈3、平衡電樞4、調(diào)節(jié)線圈6和控制芯片7,平衡電樞4穿過(guò)軛鐵I的中間,且兩端伸出軛鐵1,磁鐵2對(duì)稱設(shè)置于平衡電樞4的兩側(cè),并固定于軛鐵I上,為了避免大量漏磁,本實(shí)施例中的磁鐵2固定于軛鐵I的內(nèi)側(cè),其固定方式可以采用膠接或激光焊接;感應(yīng)線圈3設(shè)置于平衡電樞4的一端,調(diào)節(jié)線圈6設(shè)置于感應(yīng)線圈3的后端,且感應(yīng)線圈3分別與軛鐵1、調(diào)節(jié)線圈6膠接固定,調(diào)節(jié)線圈6的匝數(shù)小于感應(yīng)線圈3的匝數(shù);平衡電樞4遠(yuǎn)離感應(yīng)線圈3的一端連接有傳導(dǎo)桿5,用于連接振膜,將平衡電樞4的振動(dòng)傳導(dǎo)給振膜;調(diào)節(jié)線圈6和感應(yīng)線圈3分別與控制芯片7相連接;調(diào)節(jié)線圈6在低頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng);調(diào)節(jié)線圈6在中高頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng),調(diào)節(jié)線圈6和感應(yīng)線圈3所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)方向均由控制芯片7控制。
[0026]上述實(shí)施例1?3的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),在低頻時(shí),利用控制芯片7控制調(diào)節(jié)線圈6產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng),降低了平衡電樞4在低頻時(shí)的磁通密度,使在1000Hz左右的頻段內(nèi),失真曲線的峰值有效地降低,抑制了動(dòng)鐵單元在低頻段的失真,提高了對(duì)低音的解析能力,從而改善了動(dòng)鐵單元的低音性能;在中高頻時(shí),控制芯片7控制調(diào)節(jié)線圈6產(chǎn)生與感應(yīng)線圈3方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng),增加了平衡電樞4在中高頻的磁通密度,對(duì)于中高頻段的頻響具有一定的補(bǔ)償作用,使動(dòng)鐵單元的高頻性能更加完美。
[0027]以上示意性地對(duì)本發(fā)明及其實(shí)施方式進(jìn)行了描述,該描述沒有限制性,附圖中所示的也只是本發(fā)明的實(shí)施方式之一,實(shí)際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。所以,如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下,不經(jīng)創(chuàng)造性地設(shè)計(jì)出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實(shí)施例,均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),包括軛鐵(I)、磁鐵(2)、感應(yīng)線圈(3)和平衡電樞(4),其特征在于:還包括調(diào)節(jié)線圈(6)和控制芯片(7),所述的平衡電樞(4)穿過(guò)軛鐵⑴的中間,所述的磁鐵(2)對(duì)稱設(shè)置于平衡電樞⑷的兩側(cè),并固定于軛鐵(I)上;所述的感應(yīng)線圈(3)設(shè)置于平衡電樞(4)的一端,所述的調(diào)節(jié)線圈(6)設(shè)置于平衡電樞⑷的另一端;或者,所述的調(diào)節(jié)線圈(6)設(shè)置于軛鐵⑴與感應(yīng)線圈(3)之間;或者,所述的調(diào)節(jié)線圈(6)設(shè)置于感應(yīng)線圈(3)的后端;所述的調(diào)節(jié)線圈(6)和感應(yīng)線圈(3)分別與控制芯片(7)相連接;所述的調(diào)節(jié)線圈(6)在低頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈(3)方向相反的感應(yīng)磁場(chǎng);所述的調(diào)節(jié)線圈(6)在中高頻段產(chǎn)生與感應(yīng)線圈(3)方向相同的感應(yīng)磁場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善動(dòng)鐵單元低、高頻性能的磁力驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),其特征在于:所述的調(diào)節(jié)線圈(6)的匝數(shù)小于感應(yīng)線圈(3)的匝數(shù)。
【文檔編號(hào)】H04R11/00GK104284282SQ201410610608
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】魏鵬, 何新陽(yáng), 王興 申請(qǐng)人:常州阿木奇聲學(xué)科技有限公司
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