揚聲器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種揚聲器，包括外殼，磁路系統(tǒng)和振動系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)和所述振動系統(tǒng)收容固定于外殼內(nèi)，所述磁路系統(tǒng)包括磁鐵、華司及導磁部，并且，所述揚聲器還包括短路環(huán)，所述短路環(huán)包括第一短路環(huán)和第二短路環(huán)，所述第一、第二短路環(huán)分別設置于所述華司對應所述音圈兩端的兩側(cè)，所述短路環(huán)與所述華司靠近所述磁間隙一側(cè)平齊。本實用新型的揚聲器，華司上下雙短路環(huán)的設計可以有效降低揚聲器工作時的音圈電感，尤其是提高揚聲器高頻的頻率響應，延伸揚聲器高端頻率響應范圍，提高揚聲器的聲學性能，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對音圈振動影響，保證了揚聲器的聲學性能。
【專利說明】揚聲器

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電聲領域，尤其是涉及一種聲學性能好的揚聲器。

【背景技術】
[0002]揚聲器裝置在工作過程中，外部驅(qū)動電流驅(qū)動音圈振動的同時，也會引起相反方向的感應電流，尤其在高頻時，音圈自身的自感過大，產(chǎn)生的感應電流較大，對揚聲器工作產(chǎn)生影響，導致高頻頻率響應受損。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的揚聲器，在華司下端、環(huán)繞磁鐵放置一個短路環(huán)，短路環(huán)可以抵消音圈感應電流對揚聲器內(nèi)磁場的影響，但僅設置一個短路環(huán)對揚聲器裝置聲學性能的改善效果有限。
[0003]因此，有必要提出一種改進以克服傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)揚聲器缺陷。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種聲學性能好的揚聲器。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術方案:
[0006]—種揚聲器,包括外殼,磁路系統(tǒng)和振動系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)和所述振動系統(tǒng)收容固定于外殼內(nèi)，所述磁路系統(tǒng)包括磁鐵、華司及導磁部，所述華司與所述磁鐵固定，所述導磁部與所述華司形成磁間隙，所述振動系統(tǒng)包括折環(huán)、連接件、球頂、彈波及音圈，所述音圈設置于所述磁間隙內(nèi)，并且:所述揚聲器還包括短路環(huán)，所述短路環(huán)包括第一短路環(huán)和第二短路環(huán)，所述第一短路環(huán)與第二短路環(huán)分別設置于所述華司對應所述音圈兩端的兩側(cè)，所述短路環(huán)靠近所述音圈設置，所述短路環(huán)與所述華司靠近所述磁間隙一側(cè)平齊。
[0007]作為一種優(yōu)選的技術方案，所述導磁部為T鐵，所述磁鐵與所述華司為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形磁鐵及環(huán)形華司圍繞所述T鐵設置，所述短路環(huán)圍繞所述T鐵設置。
[0008]作為另一種優(yōu)選的技術方案，所述導磁部為盆架，所述磁鐵與所述華司設置于所述盆架內(nèi)，所述磁鐵與所述華司為柱狀結(jié)構(gòu)。
[0009]作為以上方案的進一步優(yōu)選，所述導磁部為盆架，所述磁鐵與所述華司設置于所述盆架內(nèi)，所述磁鐵與所述華司為柱狀結(jié)構(gòu)。作為以上方案的另一種優(yōu)選，所述揚聲器還包括第二磁鐵，所述第二磁鐵設置于所述華司靠近所述振動系統(tǒng)一側(cè)。
[0010]作為上述方案的優(yōu)選，所述短路環(huán)為導電率高的材料，作為進一步優(yōu)選，所述短路環(huán)材料為銅或招。
[0011]本實用新型揚聲器，華司對應音圈兩端的兩側(cè)均設置有短路環(huán)，短路環(huán)靠近音圈設置，可以在揚聲器高頻發(fā)聲時更好地降低音圈電感，提高揚聲器高頻的頻率響應，延伸高端頻率響應范圍，提高揚聲器聲學性能，同時，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙的一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對音圈振動產(chǎn)生影響，保證了揚聲器的聲學性倉泛。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型揚聲器實施例一分解圖；
[0013]圖2為圖1所示揚聲器剖視圖；
[0014]圖3為本實用新型揚聲器實施例二分解圖；
[0015]圖4為圖3所示揚聲器剖視圖。

【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖，詳細說明本實用新型內(nèi)容:
[0017]實施例一:
[0018]如圖1及圖2所示，本實施例的揚聲器，包括外殼2，外殼2內(nèi)部收容固定有振動系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，振動系統(tǒng)包括一體設置的折環(huán)1、連接件3、球頂4、彈波5及骨架音圈6，如圖2所示，折環(huán)I通過連接件3與骨架音圈6固定，球頂4固定于骨架音圈6上，彈波5固定于骨架音圈6外周，對骨架音圈6起到定心作用；如圖1、圖2所示，本實施例的揚聲器，振動系統(tǒng)包括T鐵10,設置于T鐵10靠近振動系統(tǒng)一側(cè)的磁鐵9,磁鐵9靠近振動系統(tǒng)一側(cè)設置有華司8，磁鐵9與華司8圍繞T鐵10中心部位設置，華司8與T鐵10形成磁間隙，如圖2所示，骨架音圈6的音圈部分設置于磁間隙內(nèi)。如圖1及圖2所示，揚聲器還設置有電連接部11，電連接部11將骨架音圈6與外部電路電連接，外部電路電信號通過電連接部11傳遞至骨架音圈6的音圈內(nèi)，設置于磁間隙內(nèi)的音圈內(nèi)電流變化使骨架音圈6收到洛侖茲力而上下振動，帶動振動系統(tǒng)振動發(fā)聲，揚聲器工作。
[0019]如圖1及圖2所示，為了避免音圈自感產(chǎn)生的自感電流影響揚聲器工作及聲學性能，華司8靠近折環(huán)I 一側(cè)設置有第一短路環(huán)71，華司8遠離折環(huán)I 一側(cè)設置有第二短路環(huán)72，即第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72分別設置于華司8對應骨架音圈6的音圈部分上下兩端的兩側(cè)。如圖2所示，第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72設置于磁間隙內(nèi)骨架音圈6振動區(qū)域，第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72靠近骨架音圈6的音圈部分，第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72靠近T鐵10中心部位一側(cè)與華司8靠近T鐵10中心部位一側(cè)平齊，即第一短路環(huán)71、第二短路環(huán)72與華司8靠近磁間隙的一側(cè)平齊，本實用新型的揚聲器，華司上下雙短路環(huán)的設計可以有效降低揚聲器工作時的音圈電感，尤其是提高揚聲器高頻的頻率響應，延伸揚聲器高端頻率響應范圍，提高揚聲器的聲學性能，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對音圈振動影響，保證了揚聲器的聲學性能。
[0020]圖1及圖2所示的揚聲器結(jié)構(gòu)僅為本實用新型揚聲器的【具體實施方式】，如圖2所示，第二短路環(huán)72設置于磁鐵9內(nèi)側(cè)，第一短路環(huán)設置于華司8的上側(cè)，在實際應用過程中，為了不影響磁鐵9體積，可以在華司8上對應短路環(huán)設置避讓，短路環(huán)可以設置于華司8的避讓內(nèi)，提高揚聲器內(nèi)部空間的利用率，從而進一步提高揚聲器的聲學性能。
[0021]實施例二:
[0022]本實施例的揚聲器結(jié)構(gòu)與實施例一的揚聲器結(jié)構(gòu)設計思路相同，與實施例一內(nèi)描述的揚聲器結(jié)構(gòu)不同的是磁路系統(tǒng)設計，如圖3及圖4所示，本實施例的揚聲器磁路系統(tǒng)，包括盆架10a，磁鐵及華司結(jié)構(gòu)設置于盆架1a內(nèi)部，磁鐵及華司為柱狀結(jié)構(gòu)，華司與盆架1a配合形成磁間隙。如圖3及圖4所示，為了提高磁間隙內(nèi)的磁通量，本實施例揚聲器結(jié)構(gòu)，磁鐵包括第一磁鐵9a和第二磁鐵9b，第一磁鐵9a與第二磁鐵9b之間固定設置有華司8a。華司8a靠近第一磁鐵9a —側(cè)設置有第二短路環(huán)72a，華司8a靠近第二磁鐵9b —側(cè)設置有第一短路環(huán)71a，第一短路環(huán)71a、第二短路環(huán)72a分別設置于華司8a對應骨架音圈6的音圈部分兩端的上下兩側(cè)，第一短路環(huán)71a、第二短路環(huán)72a設置于磁間隙內(nèi)骨架音圈6的振動區(qū)域，靠近骨架音圈6的音圈部分，第一短路環(huán)71a、第二短路環(huán)72a與華司8a靠近盆架1a—側(cè)平齊，即兩部分短路環(huán)與華司8a靠近磁間隙的一側(cè)平齊。本實施例的揚聲器，華司上下雙短路環(huán)的設計可以有效降低揚聲器工作時的音圈電感，尤其是提高揚聲器高頻的頻率響應，延伸揚聲器高端頻率響應范圍，提高揚聲器的聲學性能，兩部分短路環(huán)與華司靠近磁間隙一側(cè)平齊，短路環(huán)不占用磁間隙空間，避免短路環(huán)對音圈振動影響，保證了揚聲器的聲學性能。
[0023]如圖4所示，本實施例的揚聲器，華司8a對應第二短路環(huán)72a設置有避讓結(jié)構(gòu)，第_■短路環(huán)72a設直于華司8a的避讓結(jié)構(gòu)內(nèi)，提聞?chuàng)P聲器內(nèi)部空間利用率，從而進一步提聞?chuàng)P聲器的聲學性能。本實施例的揚聲器，第一短路環(huán)71a環(huán)繞第二磁鐵9b設置，在實際應用過程中，華司8a可以對應第一短路環(huán)71a設置避讓。華司對應短路環(huán)設置避讓，短路環(huán)設置于避讓內(nèi)，可以提高揚聲器內(nèi)部空間利用率，從而提高揚聲器的聲學性能。
[0024]在實際應用中，短路環(huán)采用導電率高的材料，優(yōu)選地，短路環(huán)可以采用銅、鋁等常見金屬材質(zhì)。
[0025]以上僅為本實用新型實施案例而已，并不用于限制本實用新型，但凡本領域普通技術人員根據(jù)本實用新型所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應納入權(quán)利要求書中記載的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種揚聲器，包括外殼，磁路系統(tǒng)和振動系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)和所述振動系統(tǒng)收容固定于外殼內(nèi)，所述磁路系統(tǒng)包括磁鐵、華司及導磁部，所述華司與所述磁鐵固定，所述導磁部與所述華司形成磁間隙，所述振動系統(tǒng)包括折環(huán)、連接件、球頂、彈波及音圈，所述音圈設置于所述磁間隙內(nèi)，其特征在于:所述揚聲器還包括短路環(huán)，所述短路環(huán)包括第一短路環(huán)和第二短路環(huán)，所述第一短路環(huán)與第二短路環(huán)分別設置于所述華司對應所述音圈兩端的兩側(cè)，所述短路環(huán)靠近所述音圈設置，所述短路環(huán)與所述華司靠近所述磁間隙一側(cè)平齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚聲器，其特征在于:所述導磁部為T鐵，所述磁鐵與所述華司為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形磁鐵及環(huán)形華司圍繞所述T鐵設置，所述短路環(huán)圍繞所述T鐵設置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚聲器，其特征在于:所述導磁部為盆架，所述磁鐵與所述華司設置于所述盆架內(nèi)，所述磁鐵與所述華司為柱狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的揚聲器，其特征在于:所述華司對應所述短路環(huán)設置避讓，所述短路環(huán)設置于所述華司避讓內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的揚聲器，其特征在于:所述揚聲器還包括第二磁鐵，所述第二磁鐵設置于所述華司靠近所述振動系統(tǒng)一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚聲器，其特征在于:所述短路環(huán)材料為銅或鋁。
【文檔編號】H04R9/02GK204014046SQ201420363804
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月2日
【發(fā)明者】焦其金, 李志
申請人:歌爾聲學股份有限公司