雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭的制作方法
【專利摘要】一種雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其是磁回結(jié)構(gòu)下方相向?qū)?yīng)于上方的第一振膜，設(shè)有一第二振膜；一第二磁鐵單元，設(shè)在第一磁鐵單元的外周緣；一第二音圈，其底緣連接在該第二振膜的上緣面，且位于該磁回結(jié)構(gòu)中，該第二磁鐵單元的外周緣所形成的磁間隙中；以及一音箱，結(jié)合在支架外周緣，并位于磁回結(jié)構(gòu)下方，其內(nèi)形成一預(yù)定容積的腔室，供該第二振膜完全容置于該腔室之中；借此，在相同的體積下，以內(nèi)、外雙振膜的方式共用一磁回結(jié)構(gòu)，以形成具有高、低音的雙喇叭架構(gòu)，具有營造更真實(shí)音域表現(xiàn)的功效。
【專利說明】雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)一種喇叭結(jié)構(gòu)，尤指一種雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)，使得在相同的體積下，形成具有高、低音的雙喇叭架構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，囿于物理上的限制，一個(gè)喇叭要發(fā)出高、中、低音域，且各音域表現(xiàn)都同時(shí)兼顧的，實(shí)際上是難以達(dá)成的。因?yàn)橐粋€(gè)優(yōu)質(zhì)的高音喇叭，就不會(huì)是一個(gè)優(yōu)質(zhì)的低音喇叭，反之亦然。因此，實(shí)務(wù)上，通常會(huì)將喇叭依據(jù)其特性，設(shè)計(jì)為高音喇叭或低音喇叭，透過不同音域?qū)傩缘睦冉Y(jié)合，形成一個(gè)可兼顧各音域表現(xiàn)的喇叭系統(tǒng)。
[0003]圖1所示是現(xiàn)有一種喇叭的結(jié)構(gòu)示意圖，大體上包括:一支架110 ;—磁回結(jié)構(gòu)120,包括一導(dǎo)磁軛130及一磁鐵單兀140,其自設(shè)在該支架110上；一振膜150,設(shè)在該導(dǎo)磁軛130上方；一音圈160，其頂緣連接在該振膜150的底緣面，且對(duì)應(yīng)設(shè)于該磁鐵單元140的外周緣。
[0004]如前所述，由于一顆喇叭無法真實(shí)反應(yīng)出各個(gè)音域，因此，為了讓聲音表現(xiàn)更加真實(shí)，思及如何在不增加喇叭體積的情況下，可以比現(xiàn)有技藝提供更多重的音域，為本實(shí)用新型所欲解決的課題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，而提供一種雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其在相同的體積下，以內(nèi)、外雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的結(jié)合方式，以形成雙喇叭架構(gòu)，具有營造更真實(shí)音域表現(xiàn)的功效；其與高音振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的低音振膜，完全容置在一具有預(yù)定容積腔室的音箱內(nèi)，以提升低音表現(xiàn)的功效。
[0006]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0007]一種雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，包括:一支架；一磁回結(jié)構(gòu)，其包括一第一導(dǎo)磁軛，設(shè)在該支架上，以及至少一第一磁鐵單元，設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛上；一第一振膜，設(shè)在該磁回結(jié)構(gòu)上方；一第一音圈，其頂緣連接在該第一振膜的底緣面，且對(duì)應(yīng)設(shè)于該第一磁鐵單元的外周緣；其特征在于:
[0008]該磁回結(jié)構(gòu)下方相向?qū)?yīng)于該第一振膜，還設(shè)有一第二振膜，且該第二振膜大于該第一振膜；一第二磁鐵單元，設(shè)在該第一磁鐵單元的外周緣；一第二音圈，其底緣連接在該第二振膜的上緣面，且位于該磁回結(jié)構(gòu)中，該第二磁鐵單元的外周緣所形成的磁間隙中；以及一音箱，結(jié)合在該支架外周緣，并位于該磁回結(jié)構(gòu)下方，其內(nèi)形成一預(yù)定容積的腔室，供該第二振膜完全容置于該腔室之中；借此，使高音的該第一振膜位于該音箱外部，低音的該第二振膜位于該音箱內(nèi)部，以內(nèi)、外雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)，以形成具有高、低音的雙喇叭架構(gòu)。
[0009]在一可行實(shí)施例中，該第一導(dǎo)磁軛呈一板體,該第一及第二磁鐵單兀皆設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛上，其中該第一磁鐵單元設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛中間，該第二磁鐵單元環(huán)設(shè)在該第一磁鐵單元的外周緣，且該第一磁鐵單元外周緣與該第二磁鐵單元內(nèi)周緣形成一第一磁間隙，供該第一音圈容置其中；該第二磁鐵單元外周緣與一具有環(huán)形邊的第二導(dǎo)磁軛的內(nèi)環(huán)壁形成一第二磁間隙，供該第二音圈容置其中。
[0010]承上，又一可行實(shí)施例中，該第一導(dǎo)磁軛呈一板體，該第一及第二磁鐵單元皆設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛上，其中該第一磁鐵單元設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛中間，該第二磁鐵單元環(huán)設(shè)在該第一磁鐵單元的外周緣，且該第一磁鐵單元外周緣與該第二磁鐵單元內(nèi)周緣形成一第一磁間隙，供該第一音圈容置其中；且還于該第二磁鐵單元的外側(cè)環(huán)設(shè)一第三磁鐵單元，該第二磁鐵單元及第三磁鐵單元上，設(shè)有一板形的第三導(dǎo)磁軛，且該第二磁鐵單元外周緣與該第三磁鐵單元內(nèi)周緣形成一第二磁間隙，供該第二音圈容置其中。
[0011]依據(jù)前揭特征，在一可行實(shí)施例中，本實(shí)用新型第一振膜的中心部可設(shè)成向上凸?fàn)?，及該第二振膜的中心部設(shè)成向下凸?fàn)睢?br> [0012]在另一可行實(shí)施例中，該第一振膜的中心部可設(shè)成向上凸?fàn)?，及該第二振膜的中心部設(shè)成凹狀。
[0013]又一可行實(shí)施例中，該第一振膜及該第二振膜的中心部可設(shè)成平狀。
[0014]再一可行實(shí)施例中，該第一磁鐵單元上還設(shè)有一第四導(dǎo)磁軛，該第一振膜的中心部可貼合于該第四導(dǎo)磁軛，形成左右兩個(gè)半圓凸起狀，及該第二振膜的中心部可設(shè)成向下凸?fàn)睢?br> [0015]此外，在一可行實(shí)施例中，該磁回結(jié)構(gòu)的中心部可呈中空狀。該中空狀包括一管狀物所構(gòu)成，該管狀物上緣可與該第一振膜連接。
[0016]再者，上揭任一實(shí)施例中，該支架上可設(shè)有一個(gè)以上的氣孔，及該音箱結(jié)構(gòu)上可設(shè)有一個(gè)以上的小通孔。
[0017]進(jìn)一步，上揭任一實(shí)施例中，該音箱內(nèi)部可填塞有吸音材質(zhì)。
[0018]借助上揭技術(shù)特征，本實(shí)用新型在不增加喇叭體積的情況下，使用『雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)』以及『低音振膜完全容置于音箱內(nèi)』的結(jié)合方式，因此可以比現(xiàn)有技藝提供更多重的音域，例如:該雙振膜為高音喇叭振膜與低音喇叭振膜，在共用一磁回結(jié)構(gòu)下，所形成的雙喇叭架構(gòu)，具有可以營造更真實(shí)的音域表現(xiàn)的功效。
[0019]本實(shí)用新型的有益效果是，其在相同的體積下，以內(nèi)、外雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的結(jié)合方式，以形成雙喇叭架構(gòu)，具有營造更真實(shí)音域表現(xiàn)的功效；其與高音振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的低音振膜，完全容置在一具有預(yù)定容積腔室的音箱內(nèi)，以提升低音表現(xiàn)的功效。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0021]圖1是現(xiàn)有一種喇叭構(gòu)造的示意圖。
[0022]圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2A是圖2中主要結(jié)構(gòu)放大圖。
[0024]圖3是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖4A及圖4B是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖5A及圖5B是本實(shí)用新型第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖6A及圖6B是本實(shí)用新型第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖7A及圖7B是本實(shí)用新型第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖中標(biāo)號(hào)說明:
[0030]10 音箱
[0031]11小通孔
[0032]12 腔室
[0033]13吸音材質(zhì)
[0034]20 支架
[0035]21第一結(jié)合面
[0036]22第二結(jié)合面
[0037]211 第一墊圈
[0038]221 第二墊圈
[0039]23 氣孔
[0040]30磁回結(jié)構(gòu)
[0041]31a第一導(dǎo)磁軛
[0042]31b第二導(dǎo)磁軛
[0043]31c第三導(dǎo)磁軛
[0044]3Id第四導(dǎo)磁軛
[0045]31e第五導(dǎo)磁軛
[0046]31第一磁間隙
[0047]32第二磁間隙
[0048]33中空狀
[0049]331管狀物
[0050]40第一磁鐵單元
[0051]50第一振膜
[0052]51 平狀
[0053]52中心部
[0054]60第一音圈
[0055]70第二振膜
[0056]71 凹狀
[0057]72 平狀
[0058]80第二磁鐵單元
[0059]90第二音圈
[0060]100第三磁鐵單元

【具體實(shí)施方式】
[0061]首先，請(qǐng)參閱圖2及圖2A所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例包括有:一支架20 ;—磁回結(jié)構(gòu)30，其包括一第一導(dǎo)磁軛31a，設(shè)在該支架20上，以及至少一第一磁鐵單元40，設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛31a上；一第一振膜50,設(shè)在該磁回結(jié)構(gòu)30上方；一第一音圈60,其頂緣連接在該第一振膜50的底緣面，且對(duì)應(yīng)設(shè)于該第一磁鐵單元40的外周緣；但，上揭構(gòu)成屬先前技術(shù)(Pr1r Art),容不贊述。
[0062]本實(shí)用新型的主要特征在于:該磁回結(jié)構(gòu)30下方還設(shè)有一第二振膜70，其形狀雖非與該第一振膜50成對(duì)稱狀，但第二振膜70呈現(xiàn)與該第一振膜50相向?qū)?yīng)形態(tài)，且原則上大于該第一振膜50的形態(tài)；一第二磁鐵單兀80,設(shè)在該第一磁鐵單兀40的外周緣；一第二音圈90，其底緣連接在該第二振膜70的上緣面，且位于該磁回結(jié)構(gòu)30中，該第二磁鐵單元80的外周緣所形成的磁間隙32中；以及一音箱10，結(jié)合在該支架20外周緣，并位于該磁回結(jié)構(gòu)30下方，其內(nèi)形成一預(yù)定容積的腔室12，供該第二振膜70完全容置于該腔室12之中。本實(shí)施例中，該第一振膜50的中心部設(shè)成向上凸?fàn)?及該第二振膜70的中心部設(shè)成向下凸?fàn)睢?br> [0063]借此,使高音的該第一振膜50位于該音箱10外部,低音的該第二振膜70位于該音箱10內(nèi)部，以內(nèi)、外雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)30，以形成具有高、低音的雙喇叭架構(gòu)。
[0064]圖2A是圖2的部分放大圖，本實(shí)施例中，該支架20包括一供該第一振膜50裝設(shè)的第一結(jié)合面21，以及一供該第二振膜70裝設(shè)的第二結(jié)合面22 ;亦即本實(shí)用新型的支架20較現(xiàn)有的支架多了一個(gè)位于音箱10內(nèi)部的第二結(jié)合面22。本實(shí)施例中，該第一結(jié)合面21及第二結(jié)合面22上，分別包括設(shè)有:一第一墊圈211及一第二墊圈221，以增加振膜結(jié)合的穩(wěn)固性，但不限定于此。再者，該支架20上設(shè)有一個(gè)以上的氣孔23。
[0065]承上，本實(shí)施例中，該第一導(dǎo)磁軛31a呈一板體，該第一磁鐵單元40及第二磁鐵單元80皆設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛31a上,其中該第一磁鐵單元40設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛31a的板體中間，該第二磁鐵單元80環(huán)設(shè)在該第一磁鐵單元40的外周緣，且該第一磁鐵單元40外周緣與該第二磁鐵單元80內(nèi)周緣形成一第一磁間隙31，供該第一音圈60容置其中；該第二磁鐵單元80外周緣與一具有環(huán)邊形的第二導(dǎo)磁軛31b的內(nèi)環(huán)壁形成一第二磁間隙32，供該第二音圈90容置其中。借此，該低音的第二振膜70的面積將更大于高音的第一振膜50的面積。
[0066]借此,第二振膜70所構(gòu)成的內(nèi)振膜,與第一振膜50所構(gòu)成的外振膜,兩振膜50、70共用同一磁回結(jié)構(gòu)30，此外，兩振膜分別設(shè)有兩組正負(fù)電訊接點(diǎn)，用以串聯(lián)或并聯(lián)形式，電性連接外部輸入的音源訊號(hào)(圖未示)，同時(shí)，透過與外部音源訊號(hào)電性連接方式的設(shè)計(jì)，使第一振膜50及第二振膜70兩振膜于動(dòng)作時(shí)，會(huì)朝同一方向振動(dòng)；如圖2A所示，當(dāng)?shù)鸵衾鹊牡诙衲?0往磁回結(jié)構(gòu)30方向動(dòng)作時(shí)，高音喇叭的第一振膜50則向遠(yuǎn)離磁回結(jié)構(gòu)30的方向動(dòng)作。低音的第二振膜70動(dòng)作所產(chǎn)生的空氣流動(dòng)，會(huì)透過支架20結(jié)構(gòu)上的氣孔23排出。如此一來，形成相同體積的喇叭單體，即具有高、低音的雙喇叭架構(gòu)，以營造更真實(shí)的音域表現(xiàn)。再者，與該高音第一振膜50共用一磁回結(jié)構(gòu)30的低音第二振膜70,完全容置在該音箱10的腔室12內(nèi)，如此一來，可透過該腔室12的預(yù)先容積設(shè)定及調(diào)整，進(jìn)而提升低音的深度或廣度的音域表現(xiàn)。
[0067]圖3所示是本實(shí)用新型的第二實(shí)施例，其相同于上揭實(shí)施例的結(jié)構(gòu)以相同圖號(hào)表不，本實(shí)施例與第一實(shí)施例的主要差異在于:還于該第二磁鐵單兀80的外側(cè)環(huán)設(shè)一第三磁鐵單元100，該第二磁鐵單元80及第三磁鐵單元100上設(shè)有一板形的第三導(dǎo)磁軛31c，且該第二磁鐵單元80外周緣與該第三磁鐵單元100內(nèi)周緣形成一第二磁間隙32，供該第二音圈90容置其中。需特別說明的是，本實(shí)施例中，第二磁鐵單元80的充磁方向，與該第一磁鐵單元40及第三磁鐵單元100的充磁方向相反，亦即，內(nèi)部的第一磁鐵單元40與最外側(cè)的第三磁鐵單元100的充磁方向相同。
[0068]圖4A及圖4B所示是本實(shí)用新型的第三實(shí)施例，其相同于上揭實(shí)施例的結(jié)構(gòu)以相同圖號(hào)表不，本實(shí)施例與上揭二個(gè)實(shí)施例的主要差異在于:低音的第二振膜70的中心位置可形成有缺口(圖未示)。因?yàn)橹饕鸵魵怏w的排出，并非透過第二振膜70的中心部位。因此，截掉第二振膜70的中心部位，可減少第二振膜70中心部位動(dòng)作時(shí)，對(duì)音箱10內(nèi)部產(chǎn)生大量流動(dòng)的氣流，而干擾到第二振膜70的正常動(dòng)作。但，第二振膜70中心部并非一定要真的截除；如圖4A及圖4B所示，第二振膜70中心部表面可以設(shè)計(jì)為與磁回結(jié)構(gòu)30表面相黏的凹狀71，而勿須真的截除，亦可以達(dá)到相同效果。以下所有的實(shí)施例中，都可以應(yīng)用此實(shí)施方式。
[0069]圖5A及圖5B所示是本實(shí)用新型的第四實(shí)施例，其相同于上揭實(shí)施例的結(jié)構(gòu)以相同圖號(hào)表不，本實(shí)施例與上揭實(shí)施例的主要差異在于:高音的第一振膜50或低音的第二振膜70，喇叭單體的中心部位設(shè)成平狀51、72。此種構(gòu)成亦可達(dá)到預(yù)定需求的良好音域表現(xiàn)。
[0070]圖6A及圖6B所示是本實(shí)用新型的第五實(shí)施例，其相同于上揭實(shí)施例的結(jié)構(gòu)以相同圖號(hào)表不，本實(shí)施例與上揭實(shí)施例的主要差異在于:第一振膜50的中心部52是貼合于該第一磁鐵單元40，或是貼合設(shè)于該第一磁鐵單元40上的第四導(dǎo)磁軛31d，本實(shí)施例中第四導(dǎo)磁軛31d，形成左右兩個(gè)半圓凸起狀，此結(jié)構(gòu)因?yàn)槭沟谝徽衲?0面積變小，除了高音可以更好，而且進(jìn)一步避免第一振膜50于軸向上下高速動(dòng)作時(shí)，可能產(chǎn)生的偏移失真情況；因此，本實(shí)施例此結(jié)構(gòu)的另一功效是，除了讓高音更好之外，也可以讓失真更低。
[0071]圖7A及圖7B所示是本實(shí)用新型的第六實(shí)施例，其相同于上揭實(shí)施例的結(jié)構(gòu)以相同圖號(hào)表示，本實(shí)施例與上揭實(shí)施例的主要差異在于:該磁回結(jié)構(gòu)30的中心部是中空狀33，且高音的第一振膜50中心部亦截除，形成高音的第一振膜50中心是中空狀33。這是因?yàn)槿舾咭舻牡谝徽衲?0的面積過大時(shí)，不易準(zhǔn)確呈現(xiàn)中高音域的表現(xiàn)，因此循此作法會(huì)縮小振膜面積，以換取更好的中高音域表現(xiàn)。再者，此結(jié)構(gòu)亦以利第二振膜70的低音喇叭的氣體，能透過該磁回結(jié)構(gòu)30中空部傳出，讓低音喇叭動(dòng)作更順暢。本實(shí)施例中的中空狀33，可由一管狀物331所構(gòu)成，該管狀物331上緣可與該第一振膜50連接，但不限定于此。
[0072]承上，本實(shí)用新型所有的實(shí)施例中，皆可于音箱10內(nèi)部的腔室12中塞入吸音材質(zhì)13(例如:吸音棉等)，以吸收音箱10內(nèi)部過多的氣體，避免影響到振膜的動(dòng)作。
[0073]此外，上述實(shí)施例中所揭露的第一、第三磁鐵單元40、100，其除了磁鐵本體外，亦可在其表面分別設(shè)有一第四導(dǎo)磁軛31d及第五導(dǎo)磁軛31e。但該等導(dǎo)磁軛(或稱為導(dǎo)磁板)于本實(shí)用新型上揭所有實(shí)施例中，皆可配合導(dǎo)磁軛的上、下位置、形狀或功能加以變化及調(diào)整，容不贅述。
[0074]借助上揭技術(shù)特征，本實(shí)用新型上述六個(gè)實(shí)施例，雖然配設(shè)上稍有差異，但其皆具有:『雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)』以及『低音振膜完全容置于音箱內(nèi)』的共同技術(shù)特征，可在不增加喇叭體積的情況下，比現(xiàn)有技術(shù)提供更多重的音域，形成高音喇叭振膜與低音喇叭振膜的雙喇叭架構(gòu)，具有可以營造更真實(shí)的音域表現(xiàn)的功效。
[0075]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
[0076]綜上所述，本實(shí)用新型在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、使用實(shí)用性及成本效益上，完全符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需，且所揭示的結(jié)構(gòu)亦是具有前所未有的創(chuàng)新構(gòu)造，具有新穎性、創(chuàng)造性、實(shí)用性，符合有關(guān)新型專利要件的規(guī)定，故依法提起申請(qǐng)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，包括: 一支架； 一磁回結(jié)構(gòu)，其包括一第一導(dǎo)磁軛，設(shè)在該支架上，以及至少一第一磁鐵單元，設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛上； 一第一振膜，設(shè)在該磁回結(jié)構(gòu)上方； 一第一音圈，其頂緣連接在該第一振膜的底緣面，且對(duì)應(yīng)設(shè)于該第一磁鐵單元的外周緣； 其特征在于: 該磁回結(jié)構(gòu)下方相向?qū)?yīng)于該第一振膜，還設(shè)有一第二振膜，且該第二振膜大于該第一振膜； 一第二磁鐵單元，設(shè)在該第一磁鐵單元的外周緣； 一第二音圈，其底緣連接在該第二振膜的上緣面，且位于該磁回結(jié)構(gòu)中，該第二磁鐵單元的外周緣所形成的磁間隙中；以及 一音箱，結(jié)合在該支架外周緣，并位于該磁回結(jié)構(gòu)下方，其內(nèi)形成一預(yù)定容積的腔室，供該第二振膜完全容置于該腔室之中； 借此，使高音的該第一振膜位于該音箱外部，低音的該第二振膜位于該音箱內(nèi)部，以內(nèi)、外雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)，以形成具有高、低音的雙喇叭架構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁軛呈一板體，該第一及第二磁鐵單元皆設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛上，其中該第一磁鐵單元設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛中間，該第二磁鐵單元環(huán)設(shè)在該第一磁鐵單元的外周緣，且該第一磁鐵單元外周緣與該第二磁鐵單元內(nèi)周緣形成一第一磁間隙，供該第一音圈容置其中；該第二磁鐵單元外周緣與一具有環(huán)邊形的第二導(dǎo)磁軛的內(nèi)環(huán)壁形成一第二磁間隙，供該第二音圈容置其中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁軛呈一板體，該第一及第二磁鐵單元皆設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛上，其中該第一磁鐵單元設(shè)在該第一導(dǎo)磁軛中間，該第二磁鐵單元環(huán)設(shè)在該第一磁鐵單元的外周緣，且該第一磁鐵單元外周緣與該第二磁鐵單元內(nèi)周緣形成一第一磁間隙，供該第一音圈容置其中；且還于該第二磁鐵單元的外側(cè)環(huán)設(shè)一第三磁鐵單元，該第二磁鐵單元及第三磁鐵單元上，設(shè)有一板形的第三導(dǎo)磁軛，且該第二磁鐵單元外周緣與該第三磁鐵單元內(nèi)周緣形成一第二磁間隙，供該第二音圈容置其中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述第一振膜的中心部設(shè)成向上凸?fàn)?，及該第二振膜的中心部設(shè)成向下凸?fàn)睢?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述第一振膜的中心部設(shè)成向上凸?fàn)?，及該第二振膜的中心部設(shè)成向上凹狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述第一振膜及該第二振膜的中心部設(shè)成平狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述第一磁鐵單元上還設(shè)有一第四導(dǎo)磁軛，該第一振膜的中心部是貼合于該第四導(dǎo)磁軛，形成左右兩個(gè)半圓凸起狀，及該第二振膜的中心部設(shè)成向下凸?fàn)睢?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述磁回結(jié)構(gòu)的中心部呈中空狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述中空狀由一管狀物所構(gòu)成，該管狀物上緣與該第一振膜連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述支架上還設(shè)有一個(gè)以上的氣孔，及該音箱結(jié)構(gòu)上還設(shè)有一個(gè)以上的小通孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的雙振膜共用一磁回結(jié)構(gòu)的喇叭，其特征在于，所述音箱內(nèi)部填塞有吸音材質(zhì)。
【文檔編號(hào)】H04R1/20GK204119458SQ201420387165
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年7月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月14日
【發(fā)明者】李秉彧 申請(qǐng)人:富祐鴻科技股份有限公司