發(fā)聲裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種發(fā)聲裝置，包括磁路系統(tǒng)，振動(dòng)系統(tǒng)以及收容固定所述磁路系統(tǒng)及振動(dòng)系統(tǒng)的輔助系統(tǒng)；所述磁路系統(tǒng)設(shè)置有磁間隙，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜及與所述振膜固定的音圈，所述音圈設(shè)置于所述磁間隙內(nèi)，并且：所述振膜包括振膜本體部及金屬鍍層，所述金屬鍍層設(shè)置于所述振膜本體部表面。本實(shí)用新型發(fā)聲裝置，振膜表面設(shè)置金屬鍍層可以在保證振膜順性的同時(shí)，增加振膜的剛性，避免因振膜較軟導(dǎo)致的音質(zhì)較差，有效改善發(fā)聲裝置音質(zhì)。因此，本實(shí)用新型發(fā)聲裝置可以平衡音質(zhì)與聲學(xué)性能，具有音質(zhì)好，聲學(xué)性能高的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】發(fā)聲裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲領(lǐng)域，尤其是涉及一種音質(zhì)好，聲學(xué)性能高的發(fā)聲裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著消費(fèi)類電子市場(chǎng)的擴(kuò)大，大量手機(jī)、筆記本電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品得到廣泛推廣，發(fā)聲裝置作為消費(fèi)類電子產(chǎn)品中重要的聲學(xué)部件以及耳機(jī)裝置中的主要器件，具有廣泛的需求。隨著人們對(duì)消費(fèi)類電子產(chǎn)品音質(zhì)要求的提高，發(fā)聲裝置性能也越來(lái)越受到人們的關(guān)注。
[0003]發(fā)聲裝置通常包括磁路系統(tǒng)，振動(dòng)系統(tǒng)以及收容固定磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)的輔助系統(tǒng)。磁路系統(tǒng)包括磁鐵、盆架以及華司，磁鐵與盆架之間設(shè)置有磁間隙；振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜及與振膜固定設(shè)置的音圈，音圈設(shè)置于磁路系統(tǒng)磁間隙內(nèi)。當(dāng)外界驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)入音圈時(shí)，設(shè)置于磁間隙內(nèi)的音圈受到洛侖茲力的驅(qū)動(dòng)而上下振動(dòng)，音圈上下振動(dòng)帶動(dòng)振膜振動(dòng)，振膜振動(dòng)策動(dòng)空氣振動(dòng)，從而發(fā)聲裝置出聲。由發(fā)聲裝置的工作原理可知，振膜作為主要的發(fā)聲部件，其材質(zhì)及性能直接影響發(fā)聲裝置性能。在現(xiàn)有發(fā)聲裝置設(shè)計(jì)過程中，為了保證發(fā)聲裝置的諧振頻率足夠低、低頻聲壓級(jí)足夠高的聲學(xué)性能，振膜材質(zhì)選用順性較大的材料，順性較大的材料通常較薄，從而導(dǎo)致傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)聲裝置的振膜較軟，剛性不足，影響發(fā)聲裝置的音質(zhì)；導(dǎo)致發(fā)聲裝置音質(zhì)差。
[0004]因此，有必要提出一種改進(jìn)，以克服傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)聲裝置缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種音質(zhì)好，聲學(xué)性能高的發(fā)聲裝置。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型發(fā)聲裝置采用以下技術(shù)方案:
[0007]—種發(fā)聲裝置，包括磁路系統(tǒng)，振動(dòng)系統(tǒng)以及收容固定所述磁路系統(tǒng)及振動(dòng)系統(tǒng)的輔助系統(tǒng)；所述磁路系統(tǒng)設(shè)置有磁間隙，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜及與所述振膜固定的音圈，所述音圈設(shè)置于所述磁間隙內(nèi)，并且:所述振膜包括振膜本體部及金屬鍍層，所述金屬鍍層設(shè)置于所述振膜本體部表面。
[0008]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述金屬鍍層設(shè)置于所述振膜本體部遠(yuǎn)離所述音圈的上表面。
[0009]作為另一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述金屬鍍層設(shè)置于所述振膜本體部靠近所述音圈的下表面。
[0010]作為再一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述金屬鍍層包括第一鍍層及第二鍍層，所述第一鍍層設(shè)置于所述振膜本體部遠(yuǎn)離所述音圈的上表面，所述第二鍍層設(shè)置于所述振膜本體部靠近所述音圈的下表面。
[0011]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述金屬鍍層厚度范圍為0.02um至0.03um ;作為另一種優(yōu)選的技術(shù)方案，當(dāng)金屬鍍層為兩層時(shí)，兩層金屬鍍層的厚度相同，其厚度范圍均為0.02um 至 0.03um。
[0012]作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述金屬鍍層為鎳金屬鍍層及鈦金屬鍍層中的一種。
[0013]本實(shí)用新型發(fā)聲裝置，振膜包括振膜本體部及金屬鍍層，金屬鍍層設(shè)置于振膜本體部的表面，金屬鍍層完全覆蓋振膜本體部的表面，可以在保證振膜順性的同時(shí)，增加振膜的剛性，避免因振膜較軟導(dǎo)致的音質(zhì)較差，有效改善發(fā)聲裝置音質(zhì)。因此，本實(shí)用新型發(fā)聲裝置可以平衡音質(zhì)與聲學(xué)性能，改善傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)聲裝置聲學(xué)性能好，但音質(zhì)較差的缺陷，具有音質(zhì)好，聲學(xué)性能高的優(yōu)點(diǎn)。
[0014]在實(shí)際應(yīng)用中，金屬鍍層可以在振膜本體部的上表面、下表面及上下表面設(shè)置，均可保證振膜順性，提高振膜剛性，從而提高發(fā)聲裝置音質(zhì)。當(dāng)然，金屬鍍層的厚度會(huì)對(duì)發(fā)聲裝置的聲學(xué)性能產(chǎn)生影響，因此，在實(shí)際應(yīng)用中，平衡聲學(xué)特性與音質(zhì)后，可以采用0.02um至0.03um厚的金屬鍍層。金屬鍍層可以采用鍍鎳及鍍鈦，也可采用其他金屬鍍層，均可提高振膜剛性。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本實(shí)用新型發(fā)聲裝置第一實(shí)施方式分解圖；
[0016]圖2為圖1所示發(fā)聲裝置剖視圖；
[0017]圖3為本實(shí)用新型發(fā)聲裝置第一實(shí)施方式振膜結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0018]圖4為圖3中I部分放大圖；
[0019]圖5為本實(shí)用新型發(fā)聲裝置第二實(shí)施方式振膜結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0020]圖6為圖5中II部分放大圖；
[0021]圖7為本實(shí)用新型發(fā)聲裝置第三實(shí)施方式振膜結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0022]圖8為圖7中III部分放大圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型內(nèi)容:
[0024]實(shí)施例一:
[0025]本實(shí)用新型發(fā)聲裝置，包括振動(dòng)系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)，如圖1及圖2所示，振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜2，與振膜2固定的音圈3 ;磁路系統(tǒng)包括盆架5，設(shè)置于盆架5內(nèi)的磁鐵41，與磁體41靠近振膜2 —側(cè)固定的華司42，磁鐵41與華司42固定一體的結(jié)構(gòu)與盆架5之間設(shè)置有磁間隙，音圈3設(shè)置于磁間隙內(nèi)；輔助系統(tǒng)包括收容固定磁路系統(tǒng)及振動(dòng)系統(tǒng)的外殼12及前蓋11，前蓋11與外殼12形成收容固定磁路系統(tǒng)及振動(dòng)系統(tǒng)的空腔，輔助系統(tǒng)還包括線路板6，線路板6與音圈3的引線電連接，線路板6將外部電子電路與音圈3電結(jié)合，從而保證外部驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)入音圈3。當(dāng)外部驅(qū)動(dòng)電流通過線路板6進(jìn)入到音圈3內(nèi)時(shí)，設(shè)置于磁間隙內(nèi)的音圈3內(nèi)電流變化使音圈3收到洛侖茲力而上下振動(dòng)，振膜2與音圈3固定一體的結(jié)構(gòu)使振膜2隨音圈3振動(dòng)而振動(dòng),振膜2振動(dòng)策動(dòng)空氣發(fā)聲。
[0026]為了使本實(shí)用新型發(fā)聲裝置的諧振頻率足夠低、低頻聲壓級(jí)足夠高，本實(shí)用新型發(fā)聲裝置的振膜2采用順性較高的材質(zhì)，如圖3及圖4所示，振膜2包括振膜本體部21及金屬鍍層22，本實(shí)施例的振膜2，金屬鍍層22設(shè)置于振膜本體部21遠(yuǎn)離音圈3的上表面。金屬鍍層22通過真空鍍工藝設(shè)置于振膜本體部21遠(yuǎn)離音圈3的上表面并覆蓋振膜本體部21，金屬鍍層22可以在保證振膜本體部21順性的同時(shí)，增加振膜2的剛性，避免因振膜2較軟而導(dǎo)致的發(fā)聲裝置音質(zhì)較差，有效改善發(fā)聲裝置音質(zhì)。因此，本實(shí)用新型發(fā)聲裝置可以平衡音質(zhì)與聲學(xué)性能，改善傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)聲裝置聲學(xué)性能好但音質(zhì)較差的缺陷，具有音質(zhì)好，聲學(xué)性能高的優(yōu)點(diǎn)。
[0027]在實(shí)際應(yīng)用中，為了平衡聲學(xué)特性與音質(zhì)，金屬鍍層22的厚度優(yōu)選為0.02um至0.03um之間，當(dāng)金屬鍍層22的厚度為0.02um至0.03um之間時(shí)，振膜2的順性較好，同時(shí)保證剛性，發(fā)聲裝置的聲學(xué)性能及音質(zhì)得到較好平衡，保證發(fā)聲裝置同時(shí)具有良好的音質(zhì)及較高的聲學(xué)性能。
[0028]金屬鍍層22可以為鎳金屬鍍層，也可以為鈦金屬鍍層還可以為其他金屬鍍層，皆不影響本實(shí)用新型發(fā)聲裝置優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)。
[0029]實(shí)施例二:
[0030]本實(shí)施例與實(shí)施例一發(fā)聲裝置結(jié)構(gòu)相同，不同的是振膜3結(jié)構(gòu)。
[0031 ] 如圖5及圖6所示，本實(shí)施例發(fā)聲裝置振膜2包括振膜本體部21及金屬鍍層22，振膜本體部21為順性較高的材質(zhì)，金屬鍍層22設(shè)置于振膜本體部21靠近音圈的下表面。金屬鍍層22通過真空鍍工藝設(shè)置于振膜本體部21靠近音圈的下表面并覆蓋振膜本體部21，金屬鍍層22可以在保證振膜本體部21順性的同時(shí)，增加振膜2的剛性，避免因振膜2較軟而導(dǎo)致的發(fā)聲裝置音質(zhì)較差，有效改善發(fā)聲裝置音質(zhì)。因此，本實(shí)用新型發(fā)聲裝置可以平衡音質(zhì)與聲學(xué)性能，改善傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)聲裝置聲學(xué)性能好但音質(zhì)較差的缺陷，具有音質(zhì)好，聲學(xué)性能高的優(yōu)點(diǎn)。
[0032]在實(shí)際應(yīng)用中，為了平衡聲學(xué)特性與音質(zhì)，金屬鍍層22的厚度優(yōu)選為0.02um至0.03um之間，當(dāng)金屬鍍層22的厚度為0.02um至0.03um之間時(shí)，振膜2的順性較好，同時(shí)保證剛性，發(fā)聲裝置的聲學(xué)性能及音質(zhì)得到較好平衡，保證發(fā)聲裝置同時(shí)具有良好的音質(zhì)及較高的聲學(xué)性能。
[0033]金屬鍍層22可以為鎳金屬鍍層，也可以為鈦金屬鍍層還可以為其他金屬鍍層，皆不影響本實(shí)用新型發(fā)聲裝置優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)。
[0034]實(shí)施例三:
[0035]本實(shí)施例與實(shí)施例一發(fā)聲裝置結(jié)構(gòu)相同，不同的是振膜3結(jié)構(gòu)。
[0036]如圖7及圖8所示，本實(shí)施例振膜2包括順性較高的振膜本體部21，設(shè)置于振膜本體部21遠(yuǎn)離音圈的上表面的第一金屬鍍層22a及設(shè)置于振膜本體部21靠近音圈的下表面上的第二金屬鍍層22b。通過真空鍍工藝設(shè)置于振膜本體部21上下表面的金屬鍍層，可以在保證振膜本體部21順性的同時(shí)，增加振膜2的剛性，避免因振膜2較軟而導(dǎo)致的發(fā)聲裝置音質(zhì)較差，有效改善發(fā)聲裝置音質(zhì)。因此，本實(shí)用新型發(fā)聲裝置可以平衡音質(zhì)與聲學(xué)性能，改善傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)發(fā)聲裝置聲學(xué)性能好但音質(zhì)較差的缺陷，具有音質(zhì)好，聲學(xué)性能高的優(yōu)點(diǎn)。
[0037]在實(shí)際應(yīng)用中，為了平衡聲學(xué)特性與音質(zhì)，第一金屬鍍層22a與第二金屬鍍層22b厚度相同，均為0.02um至0.03um之間的任一厚度，該厚度范圍下的兩部分金屬鍍層在保證振膜2順性較好的同時(shí)保證振膜2剛性，從而使發(fā)聲裝置的聲學(xué)性能及音質(zhì)得到較好平衡，保證發(fā)聲裝置同時(shí)具有良好的音質(zhì)及較高的聲學(xué)性能。
[0038]第一金屬鍍層22a及第二金屬鍍層22b可以為鎳金屬鍍層，也可以為鈦金屬鍍層還可以為其他金屬鍍層，皆不影響本實(shí)用新型發(fā)聲裝置優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)。
[0039]以上僅為本實(shí)用新型實(shí)施案例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)聲裝置，包括磁路系統(tǒng)，振動(dòng)系統(tǒng)以及收容固定所述磁路系統(tǒng)及振動(dòng)系統(tǒng)的輔助系統(tǒng)；所述磁路系統(tǒng)設(shè)置有磁間隙，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜及與所述振膜固定的音圈，所述音圈設(shè)置于所述磁間隙內(nèi)，其特征在于：所述振膜包括振膜本體部及金屬鍍層，所述金屬鍍層設(shè)置于所述振膜本體部表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)聲裝置，其特征在于：所述金屬鍍層設(shè)置于所述振膜本體部遠(yuǎn)離所述音圈的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)聲裝置，其特征在于：所述金屬鍍層設(shè)置于所述振膜本體部靠近所述音圈的下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)聲裝置，其特征在于：所述金屬鍍層包括第一鍍層及第二鍍層，所述第一鍍層設(shè)置于所述振膜本體部遠(yuǎn)離所述音圈的上表面，所述第二鍍層設(shè)置于所述振膜本體部靠近所述音圈的下表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一權(quán)利要求所述的發(fā)聲裝置，其特征在于：所述金屬鍍層厚度為 O. 02um 至 O. 03um。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)聲裝置，其特征在于：所述第一鍍層與所述第二鍍層厚度相同，均為O. 02um至O. 03um。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)聲裝置，其特征在于：所述金屬鍍層為鎳金屬鍍層及鈦金屬鍍層中的一種。
【文檔編號(hào)】H04R9/02GK204119502SQ201420518605
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月6日
【發(fā)明者】趙國(guó)棟, 翟成祥, 蔡曉東 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司