本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種頻率校準(zhǔn)方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著電子、通信技術(shù)的不斷發(fā)展和廣泛應(yīng)用，現(xiàn)代電子和通信設(shè)備正日益成為人們生活中常用的不可缺少的一部分，而振蕩器作為大多數(shù)電子設(shè)備中為電子系統(tǒng)提供系統(tǒng)時序的重要部件，被廣泛應(yīng)用于移動通信系統(tǒng)、廣播、電視、計算機、遙控器等多種電子設(shè)備中，也越來越受到人們的關(guān)注。例如XO(Crystal Oscillator，晶體振蕩器)，由于其具有高精度和高穩(wěn)定度的優(yōu)良性能，被廣泛地應(yīng)用于通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸、高速數(shù)字數(shù)據(jù)傳輸?shù)阮I(lǐng)域。

對于振蕩器來說，頻率穩(wěn)定度這個性能指標(biāo)特別重要，而由于制作工藝和原材料的限制，一般的XO的頻率精度在10ppm(part per million，百萬分之一)左右，而移動通信系統(tǒng)一般要求的頻率精度需要小于0.1ppm，因此通常的晶體振蕩器遠遠不能滿足通信系統(tǒng)的要求，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了達到對通信系統(tǒng)的頻率精度要求，一般在電子設(shè)備的通信過程中采用AFC(Automatic Frequency Control，自動頻率控制)技術(shù)來自動調(diào)節(jié)XO的振蕩頻率，使之穩(wěn)定在某一預(yù)期的標(biāo)準(zhǔn)頻率(例如0.1ppm)附近，以盡量保證通信系統(tǒng)對XO的頻率精度的要求。

因為XO的頻率精度一般在10ppm，為了能夠達到通信系統(tǒng)要求的0.1ppm，在通信工程中的AFC校準(zhǔn)之前，一般會先進行粗校準(zhǔn)，使XO的頻率由10ppm降到比較接近0.1ppm的值，以使移動終端設(shè)備(例如手機)在通信過程中的AFC校準(zhǔn)更快、更精確，例如現(xiàn)有技術(shù)中一般是先將XO的頻率精度從10ppm調(diào)整到2ppm(例如稱作粗校準(zhǔn))，這樣做的目的是保證電子設(shè)備的頻率能夠盡 量與基站同步，以保證電子設(shè)備的正常使用，例如通常采用的方式例如是在手機的生產(chǎn)過程由生產(chǎn)廠家對手機在產(chǎn)線進行單次粗校準(zhǔn)。

然而，由于XO的頻率精度對于通信性能影響較大，并且隨著通信系統(tǒng)的頻段越來越高，例如TDD B41LTE系統(tǒng)這種收發(fā)同頻的通信系統(tǒng)來說，隨著溫度的變化，XO的頻率偏移將會增大，XO的頻率精度就可能超過AFC校準(zhǔn)前要求的2ppm，從而影響通信系統(tǒng)的性能。

可見，在現(xiàn)有技術(shù)中，XO在通信過程中的AFC校準(zhǔn)之前的粗校準(zhǔn)方式比較單一，校準(zhǔn)的精度也比較低，無法達到通信系統(tǒng)要求的頻率精度。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種信息處理方法及電子設(shè)備，用于解決XO的頻率校準(zhǔn)方式比較單一、校準(zhǔn)精度較低的技術(shù)問題。

一方面，本發(fā)明實施例提供一種頻率校準(zhǔn)方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述方法包括：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號；

解調(diào)所述發(fā)射信號，得到第一解調(diào)頻率；其中，所述第一解調(diào)頻率為與將所述發(fā)射信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

確定所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差；其中，所述發(fā)射頻率為傳輸所述發(fā)射信號的信道的頻點；

判斷所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差是否小于第一預(yù)設(shè)頻率誤差；

若否，調(diào)整所述電子設(shè)備中與晶體振蕩器對應(yīng)的振蕩電路的第一負載電容，以使所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差小于所述第一預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述晶體振蕩器為所述電子設(shè)備中為所述電子設(shè)備提供系統(tǒng)時序 的部件，所述第一負載電容為所述振蕩電路的總負載電容的一部分。

可選的，在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號，具體包括：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收為所述電子設(shè)備提供通信服務(wù)的通信基站發(fā)送的尋呼信號。

可選的，在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號，具體包括：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號。

可選的，在通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號之前，所述方法還包括：

將射頻發(fā)射回路與射頻接收回路在所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻前端模塊內(nèi)連通，以使所述射頻發(fā)射回路與所述射頻接收回路之間形成收發(fā)環(huán)路；其中，所述射頻發(fā)射回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的發(fā)射機對應(yīng)的電路，所述射頻接收回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的接收機對應(yīng)的電路；

通過所述射頻發(fā)射機向所述射頻接收機發(fā)送所述發(fā)射信號。

可選的，在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號之前，所述方法還包括：

在所述電子設(shè)備的調(diào)試過程中，在M個調(diào)試溫度下，M為大于1的整數(shù)，分別執(zhí)行以下步驟：

接收輸入信號；

解調(diào)所述輸入信號，得到第二解調(diào)頻率；其中，所述第二解調(diào)頻率為將所 述輸入信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

判斷所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差是否小于第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述輸入頻率為傳輸所述輸入信號的信道的頻點；

若否，調(diào)整所述振蕩電路的第二負載電容，以使所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差小于所述第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述第二負載電容的值大于所述第一負載電容的值，所述第一負載電容與所述第二負載電容構(gòu)成的負載電容的等效電容為所述總負載電容。

另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種電子設(shè)備，包括：

第一接收模塊，用于在所述電子設(shè)備未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號；

第一解調(diào)模塊，用于解調(diào)所述發(fā)射信號，得到第一解調(diào)頻率；其中，所述第一解調(diào)頻率為與將所述發(fā)射信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

第一確定模塊，用于確定所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差；其中，所述發(fā)射頻率為傳輸所述發(fā)射信號的信道的頻點；

第一判斷模塊，用于判斷所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差是否小于第一預(yù)設(shè)頻率誤差；

第一調(diào)整模塊，用于若否，調(diào)整所述電子設(shè)備中與晶體振蕩器對應(yīng)的振蕩電路的第一負載電容，以使所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差小于所述第一預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述晶體振蕩器為所述電子設(shè)備中為所述電子設(shè)備提供系統(tǒng)時序的部件，所述第一負載電容為所述振蕩電路的總負載電容的一部分。

可選的，所述第一接收模塊具體用于：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收為所 述電子設(shè)備提供通信服務(wù)的通信基站發(fā)送的尋呼信號。

可選的，所述第一接收模塊具體用于：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號。

可選的，所述電子設(shè)備還包括連通模塊和發(fā)射模塊：

所述連通模塊，用于在所述接收模塊具體用于通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號之前，將射頻發(fā)射回路與射頻接收回路在所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻前端模塊內(nèi)連通，以使所述射頻發(fā)射回路與所述射頻接收回路之間形成收發(fā)環(huán)路；其中，所述射頻發(fā)射回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的發(fā)射機對應(yīng)的電路，所述射頻接收回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的接收機對應(yīng)的電路；

所述發(fā)射模塊，用于通過所述射頻發(fā)射機向所述射頻接收機發(fā)送所述發(fā)射信號。

可選的，所述電子設(shè)備還包括第二接收模塊、第二解調(diào)模塊、第二判斷模塊和第二調(diào)整模塊：

所述第二接收模塊，用于在所述電子設(shè)備的調(diào)試過程中，在M個調(diào)試溫度下，分別接收輸入信號；

所述第二解調(diào)模塊，用于解調(diào)所述輸入信號，得到第二解調(diào)頻率；其中，所述第二解調(diào)頻率為將所述輸入信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

所述第二判斷模塊，用于判斷所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差是否小于第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述輸入頻率為傳輸所述輸入信號的信道的頻點；

所述第二調(diào)整模塊，用于若否，調(diào)整所述振蕩電路的第二負載電容，以使所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差小于所述第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述第二負載電容的值大于所述第一負載電容的值，所述第一負載電容與所述第二負載電容構(gòu)成的負載電容的等效電容為所述總負載電容。

本發(fā)明實施例提供了一種在電子設(shè)備未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)中的頻率校準(zhǔn)方法，即，在電子設(shè)備出廠后的使用過程(非通信過程)中對頻率校準(zhǔn)，以使電子設(shè)備中的XO的頻率誤差能夠始終穩(wěn)定在第一預(yù)設(shè)頻率誤差(例如背景技術(shù)中的2ppm)附近，這樣可以盡量減小由于電子設(shè)備的使用而產(chǎn)生的溫度對XO頻率穩(wěn)定度的影響，可以通過頻率校準(zhǔn)來補償XO由于穩(wěn)定影響而產(chǎn)生的頻率偏移，從而可以盡量保證XO振蕩頻率的穩(wěn)定性，達到通信系統(tǒng)對XO頻率穩(wěn)定度的要求，以提高電子設(shè)備的通信性能。

并且，本發(fā)明實施例中的頻率校準(zhǔn)方法可以是周期性定時進行，例如，每隔3分鐘進行一次校準(zhǔn)，這樣，在電子設(shè)備的整個使用周期中(即從出廠到無法使用)，可以盡量減小由于XO器件老化、振蕩電路中的各有源器件的參數(shù)、電源電壓等其它因素對XO頻率的影響，從而可以提高頻率校準(zhǔn)的精度，增強XO的頻率穩(wěn)定性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例中頻率校準(zhǔn)方法的主要流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例中電子設(shè)備是手機時，手機內(nèi)部的各部分電路結(jié)構(gòu)框圖的示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例中與XO對應(yīng)的晶體振蕩電路的示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例中電子設(shè)備的主要結(jié)構(gòu)框圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供一種頻率校準(zhǔn)方法，應(yīng)用于于電子設(shè)備，所述方法包括：在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號；解調(diào)所述發(fā)射信號，得到第一解調(diào)頻率；其中，所述第一解調(diào)頻率為與將所述發(fā)射信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；確定所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差；其中，所述發(fā)射頻率為傳輸所述發(fā)射信號的信道的頻點；判斷所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差是否小于第一預(yù)設(shè)頻率誤差；若否，調(diào)整所述電子設(shè)備中與晶體振蕩器對應(yīng)的振蕩電路的第一負載電容，以使所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差小于所述第一預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述晶體振蕩器為所述電子設(shè)備中為所述電子設(shè)備提供系統(tǒng)時序的部件，所述第一負載電容為所述振蕩電路的總負載電容的一部分。

本發(fā)明實施例提供了一種在電子設(shè)備未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)中的頻率校準(zhǔn)方法，即，在電子設(shè)備出廠后的使用過程(非通信過程)中對頻率校準(zhǔn)，以使電子設(shè)備中的XO的頻率誤差能夠始終穩(wěn)定在第一預(yù)設(shè)頻率誤差(例如背景技術(shù)中的2ppm)附近，這樣可以盡量減小由于電子設(shè)備的使用而產(chǎn)生的溫度對XO頻率穩(wěn)定度的影響，可以通過頻率校準(zhǔn)來補償XO由于穩(wěn)定影響而產(chǎn)生的頻率偏移，從而可以盡量保證XO振蕩頻率的穩(wěn)定性，達到通信系統(tǒng)對XO頻率穩(wěn)定度的要求，以提高電子設(shè)備的通信性能。

并且，本發(fā)明實施例中的頻率校準(zhǔn)方法可以是周期性定時進行，例如，每隔3分鐘進行一次校準(zhǔn)，這樣，在電子設(shè)備的整個使用周期中(即從出廠到無法使用)，可以盡量減小由于XO器件老化、振蕩電路中的各有源器件的參數(shù)、電源電壓等其它因素對XO頻率的影響，從而可以提高頻率校準(zhǔn)的精度，增強XO的頻率穩(wěn)定性。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

另外，本文中術(shù)語“和/或”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和/或B，可以表示：單獨存在A，同時存在A和B，單獨存在B這三種情況。另外，本文中字符“/”，在不做特別說明的情況下，一般表示前后關(guān)聯(lián)對象是一種“或”的關(guān)系。

本發(fā)明實施例中，所述電子設(shè)備可以是指智能手機、電視、PAD(平板電腦)、電腦等等不同的電子設(shè)備，對于所述電子設(shè)備具體是什么樣的設(shè)備本發(fā)明不做限制，只要所述電子設(shè)備包括XO即可。

為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術(shù)方案進行詳細的說明。

請參見圖1，本發(fā)明實施例提供一種頻率校準(zhǔn)方法，所述方法可以應(yīng)用于電子設(shè)備，所述方法的主要流程描述如下：

步驟101：在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號。

本發(fā)明實施例中，以電子設(shè)備是手機為例，手機未進行語音業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)可以是指與其它手機進行通話的通話狀態(tài)，而手機未進行數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)可以是指手機未使用通信網(wǎng)絡(luò)的狀態(tài)，例如未使用通信服務(wù)商提供的流量進行數(shù)據(jù)上傳或者下載的狀態(tài)，也就是說，手機未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)可以理解為手機未與為其提供通信服務(wù)的通信基站進行數(shù)據(jù)交互的工 作狀態(tài)。

并且，本發(fā)明實施例中所指的工作狀態(tài)可以是指手機成功開機后的狀態(tài)，例如不包括手機關(guān)機時的狀態(tài)，這樣可以保證手機能夠接收到發(fā)射信號。并

另外，電子設(shè)備可以是周期性地接收到發(fā)射信號，例如每隔3分鐘接收一次，具體將接收的周期設(shè)置為多久可以由用戶自行設(shè)置，例如可以綜合考慮電子設(shè)備的已使用時長、氣候等等因素來設(shè)置具體的周期，這樣可以盡量根據(jù)電子設(shè)備的實際情況設(shè)置合適的接收周期，在保證校準(zhǔn)精度的前提下，還可以盡量降低電子設(shè)備的功耗。或者，電子設(shè)備也可以隨機選擇接收發(fā)射信號的時刻，例如隨機接收、或者全部接收，等等，本發(fā)明不做具體限制。

也就是說，本發(fā)明實施例中的頻率校準(zhǔn)方法是在手機未與對應(yīng)的通信基站進行數(shù)據(jù)交互的時候、對電子設(shè)備中的XO進行的頻率校準(zhǔn)，以盡量減少由于溫度、器件老化等因素對XO的頻率穩(wěn)定度的影響。

在具體實施過程中，電子設(shè)備是接收的誰發(fā)射的發(fā)射信號呢，也就是說，發(fā)射信號的發(fā)射端具體是誰呢，本發(fā)明實施例中提供了兩種不同的發(fā)射端。

可選的，本發(fā)明實施例中，在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號，具體可以包括：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收為所述電子設(shè)備提供通信服務(wù)的通信基站發(fā)送的尋呼信號。

也就是，發(fā)射信號的發(fā)射端可以是指為電子設(shè)備提供通信服務(wù)的通信基站，而發(fā)射信號可以是指通信基站發(fā)射的尋呼信號，在具體實施過程，通信基站可以定時對電子設(shè)備發(fā)送尋呼信號。

可選的，本發(fā)明實施例中，在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號，具體可以包括：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射 信號。

也就說，發(fā)射信號的發(fā)射端可以是指電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機，而發(fā)射信號可以是由電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機進行接收，在具體實施過程，射頻發(fā)射機也可以通過定時發(fā)射的方式對電子設(shè)備發(fā)送發(fā)射信號。

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明實施例中通過電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機和設(shè)備接收機分別發(fā)射與接收發(fā)射信號，以下從詳細說明實施過程。

可選的，本發(fā)明實施例中，在通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號之前，所述方法還可以包括：

將射頻發(fā)射回路與射頻接收回路在所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻前端模塊內(nèi)連通，以使所述射頻發(fā)射回路與所述射頻接收回路之間形成收發(fā)環(huán)路；其中，所述射頻發(fā)射回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的發(fā)射機對應(yīng)的電路，所述射頻接收回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的接收機對應(yīng)的電路；

通過所述射頻發(fā)射機向所述射頻接收機發(fā)送所述發(fā)射信號。

以電子設(shè)備是手機為例，請參見圖2，圖2所示為手機內(nèi)部的各部分電路結(jié)構(gòu)框圖的示意圖，以及各部分電路結(jié)構(gòu)之間的信號流向示意說明。其中，本發(fā)明實施例中的射頻發(fā)射機與射頻接收機即對應(yīng)圖2中所示的射頻發(fā)射通路和射頻接收通路，而圖2中所示的晶體振蕩電路即為與本發(fā)明實施例中的XO對應(yīng)的振蕩電路。

在具體實施過程中，為了通過電子設(shè)備自身對XO進行頻率校準(zhǔn)，可以通過電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號，并且在這之前，需要將射頻發(fā)射回路(即由射頻發(fā)射通路組成的電路回路)與射頻接收回路(即由射頻接收通路組成的電路回路)在電子設(shè)備內(nèi)的射頻前端模塊內(nèi)進行連通，以使通過射頻發(fā)射機發(fā)射的發(fā)射信號能夠被射頻接收機接 收到，以保證可以通過本發(fā)明實施例中的方式對XO進行校準(zhǔn)。

步驟102：解調(diào)所述發(fā)射信號，得到第一解調(diào)頻率；其中，所述第一解調(diào)頻率為與將所述發(fā)射信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率。

在接收到發(fā)射信號后，電子設(shè)備可以對發(fā)射信號進行解調(diào)，以根據(jù)發(fā)射信號得到第一解調(diào)頻率。

步驟103：確定所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差；其中，所述發(fā)射頻率為傳輸所述發(fā)射信號的信道的頻點。

一般來說，發(fā)射端在向電子設(shè)備發(fā)送發(fā)射信號時，是通過信道進行信號的傳輸，而與信號傳輸額信道對應(yīng)的頻點即可以理解為發(fā)射信號的發(fā)射頻率。

其中，發(fā)射頻率的具體值與采用的通信制式與通信頻段有關(guān)。例如，通信系統(tǒng)中常用的通信制式有CDMA(Code Division Multiple Access，碼分多址)通信制式、WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access Wireless，寬帶碼分多址)通信制式，LTE(Long Term Evolution，長期演進)通信制式，等等。例如采用的是WCDMA通信制式中的band110700信道，那么對應(yīng)的發(fā)射頻率就是2140MHz。

在具體實施過程中，具體采用何種通信制式以及通信頻段，可以根據(jù)發(fā)射端的實際情況而定，本發(fā)明不做具體限制。

步驟104：判斷所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差是否小于第一預(yù)設(shè)頻率誤差。

將第一解調(diào)頻率和與其對應(yīng)的發(fā)射頻率進行比較，就可以得到頻率誤差，再將頻率誤差與第一預(yù)設(shè)頻率誤差進行比較，獲得比較結(jié)果，在具體實施過程中，第一預(yù)設(shè)頻率誤差可以設(shè)置為2ppm。

當(dāng)比較結(jié)果表明頻率誤差小于第2ppm，表明電子設(shè)備中的XO的頻率偏移量不是很大，可以滿足通信系統(tǒng)中的通信要求，則可以結(jié)束流程。

當(dāng)比較結(jié)果表明頻率誤差不小于第2ppm，表明電子設(shè)備中的XO的頻率偏移量比較大，無法滿足通信系統(tǒng)中的通信要求，則繼續(xù)執(zhí)行步驟105。

以發(fā)射頻率為2140MHz為例，如果允許XO的頻率誤差剛好是2ppm，那么是允許第一解調(diào)頻率與2014MHZ的絕對差值在2140MHZ的百萬分之二(即4280HZ)之內(nèi)，根據(jù)計算可得第一解調(diào)頻率的頻率范圍即為[2139995720HZ，2014004280HZ]。

步驟105：若否，調(diào)整所述電子設(shè)備中與晶體振蕩器對應(yīng)的振蕩電路的第一負載電容，以使所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差小于所述第一預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述晶體振蕩器為所述電子設(shè)備中為所述電子設(shè)備提供系統(tǒng)時序的部件，所述第一負載電容為所述振蕩電路的總負載電容的一部分。

本發(fā)明實施例中，與XO對應(yīng)的硬件電路可以稱為晶體振蕩電路，一般XO是以芯片的形式集成的，而晶體振蕩電路可以包括XO與負載電容。

晶體振蕩電路的振蕩頻率例如為f，而頻率f的計算公式為：其中L為XO的等效電感，C即為負載電容，由于XO自身的特性，等效電感L會隨著環(huán)境或溫度變化，導(dǎo)致頻率f也會發(fā)生變化而產(chǎn)生頻率偏移，為了抵消L發(fā)生變化而導(dǎo)致的頻率偏移，可以對負載電容C進行調(diào)整以使f保持恒定。

請參見圖3，圖3為晶體振蕩電路的示意圖，其中，電容C01、C02、C11和C12構(gòu)成的等效電容即為本發(fā)明實施例中的負載電容C，其中，第一負載電容可以是指C11和C12構(gòu)成的等效電容。

當(dāng)檢測到頻率誤差小于所述第一預(yù)設(shè)頻率誤差時，表明XO的頻率偏移較大，此時可能是由于L發(fā)生變化，所以可以對C11和C12進行調(diào)整，以使f保持恒定，在調(diào)整C11和C12時，可以讓C01和C02保持不變。在具體實施過程中，可以將C01和C02的電容值設(shè)置為pF級，以及可以將C11和C12的電容值設(shè)置為(1/10)pF級。

本發(fā)明實施例中，可以對C11和C12進行多次調(diào)整，直至頻率誤差小于第一預(yù)設(shè)頻率誤差，當(dāng)在某一次調(diào)整后頻率誤差就小于了第一預(yù)設(shè)頻率誤差時，便可以將此時C11和C12的電容值存儲在電子設(shè)備中的NVRAM(Non-Volatile Memory，非易失性存儲器)中，那么，C11和C12就有了對應(yīng)的NV值，當(dāng) 在經(jīng)過多次校準(zhǔn)時，與C11和C12分別對應(yīng)NV值會實時進行更新。

本發(fā)明實施例中，本發(fā)明實施例提供了一種在電子設(shè)備未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)中的頻率校準(zhǔn)方法，即，在電子設(shè)備出廠后的使用過程(非通信過程)中對頻率校準(zhǔn)，以使電子設(shè)備中的XO的頻率誤差能夠始終穩(wěn)定在第一預(yù)設(shè)頻率誤差(例如2ppm)附近，這樣可以盡量減小由于電子設(shè)備的使用而產(chǎn)生的溫度對XO頻率穩(wěn)定度的影響，可以通過頻率校準(zhǔn)來補償XO由于穩(wěn)定影響而產(chǎn)生的頻率偏移，從而可以盡量保證XO振蕩頻率的穩(wěn)定性，達到通信系統(tǒng)對XO頻率穩(wěn)定度的要求，以提高電子設(shè)備的通信性能。

并且，本發(fā)明實施例中的頻率校準(zhǔn)方法可以是周期性定時進行，例如，每隔3分鐘進行一次校準(zhǔn)，這樣，在電子設(shè)備的整個使用周期中(即從出廠到無法使用)，可以盡量減小由于XO器件老化、振蕩電路中的各有源器件的參數(shù)、電源電壓等其它因素對XO頻率的影響，從而可以提高頻率校準(zhǔn)的精度，增強XO的頻率穩(wěn)定性。

可選的，本發(fā)明實施例中，在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號之前，所述方法還可以包括：

在所述電子設(shè)備的調(diào)試過程中，在M個調(diào)試溫度下，M為大于1的整數(shù)，分別執(zhí)行以下步驟：

接收輸入信號；

解調(diào)所述輸入信號，得到第二解調(diào)頻率；其中，所述第二解調(diào)頻率為將所述輸入信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

判斷所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差是否小于第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述輸入頻率為傳輸所述輸入信號的信道的頻點；

若否，調(diào)整所述振蕩電路的第二負載電容，以使所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差小于所述第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述第二負載電容的值大于所述第一負載電容的值，所述第一負載電容與所述第二負載電容構(gòu)成的負載 電容的等效電容為所述總負載電容。

本發(fā)明實施例還提供了一種XO的頻率校準(zhǔn)方式，即，在電子設(shè)備出廠之前的調(diào)試過程中，可以由電子設(shè)備的生產(chǎn)商人為進行校準(zhǔn)，以盡量保證電子設(shè)備在出廠之后能夠快速地與通信基站保持頻率同步，方便用戶使用。

本發(fā)明實施例中的頻率校準(zhǔn)原理與步驟101-105的類似，不同之處在于，步驟101-105中的頻率校準(zhǔn)方式是電子設(shè)備自動進行校準(zhǔn)，本發(fā)明實施例中是人為為電子設(shè)備輸入輸入信號以使電子設(shè)備獲得輸入頻率再進行校準(zhǔn)，以及，步驟101-105中校準(zhǔn)的通過調(diào)整電容C11和C12來使f保持恒定，而本發(fā)明實施例中是通過調(diào)整電容C01和C02來使f保持恒定，因為C01和C02的值均大于C11和C12，所以可以通過調(diào)整C01和C02使得XO的頻率誤差快速地由10ppm降低到2ppm，提高頻率校準(zhǔn)的速率。

本發(fā)明實施例中，第二預(yù)設(shè)頻率誤差可以與第一預(yù)設(shè)頻率誤差相同，即都為2ppm，或者也可以稍大于2ppm，例如為2.5ppm，這樣，在電子設(shè)備出廠之后，能夠通過步驟101-105的校準(zhǔn)方法快速將其頻率誤差校準(zhǔn)到2ppm之內(nèi)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例是在多個調(diào)試溫度下分別進行校準(zhǔn)，這樣可以獲得多個調(diào)試溫度下的校準(zhǔn)曲線，提高校準(zhǔn)的精度。在具體實施過程中，可以從電子設(shè)備的工作溫度范圍對M個調(diào)試溫度進行取值，至于具體取多少個調(diào)試溫度進行調(diào)試，也可以根據(jù)電子設(shè)備的工作溫度范圍決定。例如，為了保證校準(zhǔn)的精度和準(zhǔn)確性，可以將M的值設(shè)置的較多，并且M個調(diào)試溫度中的每一個之間間隔的差值可以設(shè)置的較小。

與步驟105中的處理方式類似，在M個調(diào)試溫度下通過調(diào)整C01和C02的值使得XO的頻率誤差降低到2.5ppm或2ppm之后，便將此時C01和C02對應(yīng)的電容值存儲在NVRAM中，即C01和C02就有了對應(yīng)的NV值，當(dāng)在 經(jīng)過多次校準(zhǔn)后，與C01和C02分別對應(yīng)NV值會實時進行更新，那么，C01和C02就有了對應(yīng)的NV值，當(dāng)在經(jīng)過多次校準(zhǔn)后，與C11和C12分別對應(yīng)NV值會實時進行更新，在電子設(shè)備的實際使用過程中，可根據(jù)溫度的變化來實時調(diào)用NVRAM中的與當(dāng)前溫度對應(yīng)下的C01和C02值，以實現(xiàn)實時調(diào)整，盡量減少由于溫度對XO造成的頻率偏移。

請參見圖4，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括第一接收模塊401、第一解調(diào)模塊402、第一確定模塊403、第一判斷模塊404和第一調(diào)整模塊405。

第一接收模塊401，用于在所述電子設(shè)備未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號；

第一解調(diào)模塊402，用于解調(diào)所述發(fā)射信號，得到第一解調(diào)頻率；其中，所述第一解調(diào)頻率為與將所述發(fā)射信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

第一確定模塊403，用于確定所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差；其中，所述發(fā)射頻率為傳輸所述發(fā)射信號的信道的頻點；

第一判斷模塊404，用于判斷所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差是否小于第一預(yù)設(shè)頻率誤差；

第一調(diào)整模塊405，用于若否，調(diào)整所述電子設(shè)備中與晶體振蕩器對應(yīng)的振蕩電路的第一負載電容，以使所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差小于所述第一預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述晶體振蕩器為所述電子設(shè)備中為所述電子設(shè)備提供系統(tǒng)時序的部件，所述第一負載電容為所述振蕩電路的總負載電容的一部分。

可選的，本發(fā)明實施例中，第一接收模塊401具體可以用于：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收為所 述電子設(shè)備提供通信服務(wù)的通信基站發(fā)送的尋呼信號。

可選的，本發(fā)明實施例中，第一接收模塊401具體可以用于：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號。

可選的，本發(fā)明實施例中，所述電子設(shè)備還可以包括連通模塊和發(fā)射模塊：

所述連通模塊，用于在所述接收模塊具體用于通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號之前，將射頻發(fā)射回路與射頻接收回路在所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻前端模塊內(nèi)連通，以使所述射頻發(fā)射回路與所述射頻接收回路之間形成收發(fā)環(huán)路；其中，所述射頻發(fā)射回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的發(fā)射機對應(yīng)的電路，所述射頻接收回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的接收機對應(yīng)的電路；

所述發(fā)射模塊，用于通過所述射頻發(fā)射機向所述射頻接收機發(fā)送所述發(fā)射信號。

可選的，本發(fā)明實施例中，所述電子設(shè)備還可以包括第二接收模塊、第二解調(diào)模塊、第二判斷模塊和第二調(diào)整模塊：

所述第二接收模塊，用于在所述電子設(shè)備的調(diào)試過程中，在M個調(diào)試溫度下，分別接收輸入信號；

所述第二解調(diào)模塊，用于解調(diào)所述輸入信號，得到第二解調(diào)頻率；其中，所述第二解調(diào)頻率為將所述輸入信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

所述第二判斷模塊，用于判斷所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差是否小于第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述輸入頻率為傳輸所述輸入信號的信道的頻點；

所述第二調(diào)整模塊，用于若否，調(diào)整所述振蕩電路的第二負載電容，以使所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差小于所述第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述第二負載電容的值大于所述第一負載電容的值，所述第一負載電容與所述第二負載電容構(gòu)成的負載電容的等效電容為所述總負載電容。

本發(fā)明實施例中，由于電子設(shè)備與上述頻率校準(zhǔn)方法解決問題的原理與信息處理方法相似，因此該電子設(shè)備的實施可以參見方法的實施，在此不再贅述。

本發(fā)明實施例提供了一種在電子設(shè)備未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)中的頻率校準(zhǔn)方法，即，在電子設(shè)備出廠后的使用過程(非通信過程)中對頻率校準(zhǔn)，以使電子設(shè)備中的XO的頻率誤差能夠始終穩(wěn)定在第一預(yù)設(shè)頻率誤差(例如背景技術(shù)中的2ppm)附近，這樣可以盡量減小由于電子設(shè)備的使用而產(chǎn)生的溫度對XO頻率穩(wěn)定度的影響，可以通過頻率校準(zhǔn)來補償XO由于穩(wěn)定影響而產(chǎn)生的頻率偏移，從而可以盡量保證XO振蕩頻率的穩(wěn)定性，達到通信系統(tǒng)對XO頻率穩(wěn)定度的要求，以提高電子設(shè)備的通信性能。

并且，本發(fā)明實施例中的頻率校準(zhǔn)方法可以是周期性定時進行，例如，每隔3分鐘進行一次校準(zhǔn)，這樣，在電子設(shè)備的整個使用周期中(即從出廠到無法使用)，可以盡量減小由于XO器件老化、振蕩電路中的各有源器件的參數(shù)、電源電壓等其它因素對XO頻率的影響，從而可以提高頻率校準(zhǔn)的精度，增強XO的頻率穩(wěn)定性。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，僅以上述各功能模塊的劃分進行舉例說明，實際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要而將上述功能分配由不同的功能單元完成，即將裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)劃分成不同的功能單元，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應(yīng)過程，在此不再贅述。

在本發(fā)明所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性 的，例如，所述模塊或單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上。可以根據(jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可以是個人計算機，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)或處理器(processor)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：U盤、移動硬盤、ROM(Read-Only Memory，只讀存儲器)、RAM(RAM，Random Access Memory，隨機存取存儲器)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

具體來講，本發(fā)明實施例中的一種頻率校準(zhǔn)方法對應(yīng)的計算機程序指令可以被存儲在光盤，硬盤，U盤等存儲介質(zhì)上，當(dāng)存儲介質(zhì)中的與一種頻率校準(zhǔn)方法對應(yīng)的計算機程序指令被一電子設(shè)備讀取或被執(zhí)行時，包括如下步驟：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射 信號；

解調(diào)所述發(fā)射信號，得到第一解調(diào)頻率；其中，所述第一解調(diào)頻率為與將所述發(fā)射信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

確定所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差；其中，所述發(fā)射頻率為傳輸所述發(fā)射信號的信道的頻點；

判斷所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差是否小于第一預(yù)設(shè)頻率誤差；

若否，調(diào)整所述電子設(shè)備中與晶體振蕩器對應(yīng)的振蕩電路的第一負載電容，以使所述第一解調(diào)頻率與發(fā)射頻率之間的頻率誤差小于所述第一預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述晶體振蕩器為所述電子設(shè)備中為所述電子設(shè)備提供系統(tǒng)時序的部件，所述第一負載電容為所述振蕩電路的總負載電容的一部分。

可選的，所述存儲介質(zhì)中存儲的與步驟：在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號，對應(yīng)的計算機指令在被執(zhí)行的過程之中，具體包括：

所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收為所述電子設(shè)備提供通信服務(wù)的通信基站發(fā)送的尋呼信號。

可選的，所述存儲介質(zhì)中存儲的與步驟：在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號，對應(yīng)的計算機指令在被執(zhí)行的過程之中，具體包括：

在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號。

可選的，所述存儲介質(zhì)中存儲的與步驟：通過所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻接收 機接收所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻發(fā)射機發(fā)射的所述發(fā)射信號，對應(yīng)的計算機指令在被執(zhí)行之前，還包括：

將射頻發(fā)射回路與射頻接收回路在所述電子設(shè)備內(nèi)的射頻前端模塊內(nèi)連通，以使所述射頻發(fā)射回路與所述射頻接收回路之間形成收發(fā)環(huán)路；其中，所述射頻發(fā)射回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的發(fā)射機對應(yīng)的電路，所述射頻接收回路為與所述電子設(shè)備內(nèi)的接收機對應(yīng)的電路；

通過所述射頻發(fā)射機向所述射頻接收機發(fā)送所述發(fā)射信號。

可選的，所述存儲介質(zhì)中存儲的與步驟：在所述電子設(shè)備處于未進行語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的工作狀態(tài)時，接收發(fā)射信號，對應(yīng)的計算機指令在被執(zhí)行之前，還包括：在所述電子設(shè)備的調(diào)試過程中，在M個調(diào)試溫度下，M為大于1的整數(shù)，分別執(zhí)行以下步驟：

接收輸入信號；

解調(diào)所述輸入信號，得到第二解調(diào)頻率；其中，所述第二解調(diào)頻率為將所述輸入信號進行解調(diào)后得到的信號對應(yīng)的頻率；

判斷所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差是否小于第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述輸入頻率為傳輸所述輸入信號的信道的頻點；

若否，調(diào)整所述振蕩電路的第二負載電容，以使所述第二解調(diào)頻率與輸入頻率的頻率誤差小于所述第二預(yù)設(shè)頻率誤差；其中，所述第二負載電容的值大于所述第一負載電容的值，所述第一負載電容與所述第二負載電容構(gòu)成的負載電容的等效電容為所述總負載電容。

以上所述，以上實施例僅用以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行了詳細介紹，但以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想 到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。