本申請要求于2014年10月17日向韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請第10-2014-0141156號的優(yōu)先權和權益，將其全部內(nèi)容以引用方式結(jié)合于本文中。

技術領域

本公開內(nèi)容總體涉及麥克風及其制造方法，且更具體地，涉及具有改進的靈敏度的麥克風及其制造方法。

背景技術：

麥克風可以用于多種用途，諸如將語音轉(zhuǎn)換為電信號。近年來，麥克風已逐漸小型化。為此，微電子機械系統(tǒng)(MEMS)技術得到發(fā)展。MEMS麥克風的有利之處在于其比傳統(tǒng)的駐極體電容式麥克風(ECM)更加耐濕和耐熱，并且其可被小型化和與信號處理電路集成。

通常，MEMS麥克風被分為兩種類型：電容類型和壓電類型。

電容類型MEMS麥克風包括固定電極和振動膜。當外部聲壓施加于振動膜時，電容值因為固定電極與振動膜之間的距離改變而改變?；诖藭r產(chǎn)生的電信號來測量聲壓。

同時，壓電類型MEMS麥克風僅包括振動膜。當振動膜受到外部聲壓而形變時，由于壓電效應產(chǎn)生電信號?；谠撾娦盘杹頊y量聲壓。

目前，為了改進電容類型MEMS麥克風的靈敏度，正在進行多方面的研究。

在該背景技術部分中所公開的上述信息僅用于增進對本公開內(nèi)容背景技術的理解，因此，其包括的信息可能并未形成為本領域的普通技術人員所已知的現(xiàn)有技術。

技術實現(xiàn)要素：

本公開內(nèi)容致力于提供一種麥克風和制造麥克風的方法，該麥克風具有能夠改進麥克風的靈敏度的優(yōu)勢。

本公開內(nèi)容的實施方式提供一種麥克風，包括：基板，包含穿孔；振動膜，設置在基板上并且覆蓋穿孔；固定電極；設置在振動膜以上并且與振動膜間隔開；固定板，設置在固定電極上；和多個進氣口，設置在固定電極和固定板中。振動膜包括定位在穿孔以上的多個狹縫，并且多個狹縫的全部面積是振動膜的全部面積的大約8％至大約19％。

振動膜可包括注入有離子的第一部分和定位在第一部分的外周的第二部分。

多個狹縫可定位在第一部分的外部。

離子可包括硼離子或者磷離子。

固定電極可包括多個開口。

固定板可包括沿著從固定板朝向振動膜的方向突出的多個第一突出部，并且多個第一突出部可以穿透各個開口。

固定電極可包括沿著從固定電極朝向振動膜的方向突出的多個第二突出部。

振動膜可以由多晶硅或者導電材料制成。

固定電極可以由多晶硅或者金屬制成。

固定板可包括氮化硅膜。

基板可以由硅制成。

麥克風可以進一步包括支撐層，該支撐層設置在振動膜的邊緣并且被配置為支撐固定電極。

此外，根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式，一種制造麥克風的方法，包括：提供基板；在基板上形成包括多個狹縫的振動膜；在振動膜上形成犧牲層；在犧牲層上形成固定電極；在固定電極上形成固定板；在固定電極和固定板中形成多個進氣口；通過移除犧牲層的部分在固定電極與振動膜之間形成空氣層；并且通過對基板的后部進行蝕刻在基板中形成穿孔，通過穿孔將振動膜的部分暴露。狹縫的全部面積是振動膜的全部面積的大約8％至大約19％。

多個狹縫可以定位在穿孔以上。

振動膜的形成可包括：在振動膜上形成緩沖層，通過緩沖層將振動膜的中心部分暴露；使用緩沖層作為掩模將離子注入到振動膜的暴露的部分中；并且移除緩沖層。

離子可包括硼離子或者磷離子。

固定電極的形成可包括：在固定電極中形成多個開口和犧牲層的多個凹陷單元。各個開口的邊界線可以與各個凹陷單元的邊界線基本上相同。

固定板可包括多個第一突出部，多個第一突出部被配置為穿透各個開口并且形成在各個凹陷單元中。

犧牲層的形成可包括通過對犧牲層的部分進行蝕刻形成多個凹陷單元。

固定電極可包括定位在各個凹陷單元中的多個第二突出部。

如上所述，并且根據(jù)本公開內(nèi)容的示例性實施方式，具有振動膜的全部面積的8％至19％的面積的狹縫形成在振動膜中。因此，當振動膜振動(例如，響應于外部聲音)時，麥克風的靈敏度可以因為可歸因于空氣阻尼的影響的減小而得到改進。此外，因為通過將離子注入到振動膜的部分中，振動膜具有增加的硬度，所以檢測面積可以得到提高。

附圖說明

圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖；

圖2是示意性地示出了圖1的麥克風的振動膜的俯視平面圖；

圖3是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風和傳統(tǒng)的麥克風的靈敏度的曲線圖；

圖4是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風和傳統(tǒng)的麥克風的噪聲的曲線圖；

圖5至圖8是示出了制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的方法的示圖；

圖9是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖；

圖10至圖13是示出了制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的方法的示圖；

圖14是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖；

圖15是示意性地示出了圖14的麥克風的振動膜的俯視平面圖；

圖16是示出了制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的方法的示圖；以及

圖17是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖。

具體實施方式

在下文中，參照附圖詳細描述本公開內(nèi)容的實施方式。然而，本公開內(nèi)容并不限于在本文中描述的實施方式，而是可以其他形式實現(xiàn)。相反地，提供公開的實施方式以使本文中的主題全面且完整，并且足以向本領域中的技術人員描述本公開內(nèi)容的實質(zhì)。

本文中使用的術語僅是為了描述具體實施方式的目的，并不旨在限制本公開內(nèi)容。除非上下文另有明確說明，否則如本文中使用的單數(shù)形式“一(a)”、“一個(an)”和“該(the)”旨在也包括復數(shù)形式。應進一步理解的是，術語“包含”和/或“包括”在本說明書中使用時指定存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或添加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。如本文所使用的，術語“和/或”包括一個或多個相關列出項的任何和所有組合。

在附圖中，為了描述的清楚起見，層和區(qū)域的厚度已被放大。此外，當說層相對另一層或者基板“位于…上”時，層可能直接地形成在另一層或者基板上或者可能有第三層介于其間。

在下文中，參考圖1和圖2描述根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風。

圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖，及圖2是示意性地示出了圖1的麥克風的振動膜的俯視平面圖。

參考圖1和圖2，麥克風包括基板100、振動膜120、固定電極130、和固定板140。

基板100可以由硅制成，并且穿孔110形成在基板100中。振動膜120設置在基板100上。振動膜120覆蓋穿孔110。振動膜120的部分暴露于穿孔110，并且振動膜120的暴露于穿孔110的部分響應于外部聲音而振動。

振動膜120具有圓形形狀并且包括多個狹縫121。狹縫121形成在穿孔110上。振動膜120被示出為具有4個狹縫121，但是本公開內(nèi)容不限于此。狹縫121的數(shù)量可以大于4。狹縫121可以具有相同的大小或者不同的大小。狹縫121的全部面積可以是振動膜120的全部面積的8％至19％。振動膜120可以由多晶硅制成。然而，振動膜120的材料不限于多晶硅。例如，振動膜120可以由導電材料制成。

與振動膜120隔開的固定電極130設置在振動膜120上，并且固定板140設置在固定電極130上。多個進氣口141設置在固定電極130和固定板140中。固定電極130設置在支撐層163上并且固定于此。支撐層163設置在振動膜120的邊緣部分，并且支撐層163支撐固定電極130。在該情況下，固定電極130可以由多晶硅或者金屬制成。此外，固定電極130包括多個支撐層131。

空氣層162形成在固定電極130與振動膜120之間。固定電極130和振動膜120彼此隔開預定的間隔。

固定板140與固定電極130接觸。固定板140可以由氮化硅制成。然而，固定板140的材料不限于氮化硅，并且固定板140可以由其他絕緣材料制成。此外，固定板140包括多個第一突出部142。第一突出部142被配置為穿透固定電極130的各個開口131并且向振動膜120的方向突出。在該情況下，第一突出部142起防止振動膜120與固定電極130在振動膜120振動時彼此接觸的作用。

外部聲音通過形成在固定電極130和固定板140中的進氣口141引入，因此激勵振動膜120。響應于此振動膜120振動。當振動膜120響應于外部聲音振動時，振動膜120與固定電極130之間的距離改變。因此，振動膜120與固定電極130之間的電容改變。信號處理電路(未示出)通過連接至固定電極130的第一焊盤151和連接至振動膜120的第二焊盤152，將改變的電容轉(zhuǎn)換為電信號，從而能夠檢測外部聲音。

振動膜120包括多個狹縫121。當振動膜120響應于外部聲音振動時，狹縫121減小可歸因于空氣阻尼的影響，從而改進麥克風的靈敏度。在該情況下，空氣阻尼是指振動膜的振動因空氣而減小。如上所述，狹縫121的全部面積可以是振動膜120的全部面積的大約8％至大約19％。如果狹縫121的全部面積小于振動膜120的全部面積的大約8％，則有效檢測面積增加的效果因為振動膜120的剛度增加而減小。因此，難以改進靈敏度，并且減小可歸因于空氣阻尼的影響的效果也減小。如果狹縫121的全部面積超過振動膜120的全部面積的大約19％，噪聲信號因為振動膜120的剛度減小而增加，并且信噪比因為檢測面積減小而具有低值。

以下參考圖3和圖4描述根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風和傳統(tǒng)的麥克風的靈敏性。

圖3是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風和傳統(tǒng)的麥克風的靈敏度的曲線圖，以及圖4是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風和傳統(tǒng)的麥克風的噪聲的曲線圖。

在圖3和圖4中，麥克風的振動膜具有圓形形狀并且包括四個狹縫，并且四個狹縫的全部面積約是振動膜的全部面積的12％。傳統(tǒng)的麥克風的振動膜具有圓形形狀并且不包括狹縫。在該情況下，根據(jù)本公開的實施方式的麥克風的振動膜和傳統(tǒng)的麥克風的振動膜均由多晶硅制成。

圖3示出根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風在1KHz具有31.9的靈敏度(mV/Pa)，而傳統(tǒng)的麥克風在1KHz具有6.8的靈敏度(mV/Pa)。即，可以看出，本文中公開的麥克風的靈敏度大約是傳統(tǒng)的麥克風的靈敏度的4.7倍。

圖4示出根據(jù)本公開的實施方式的麥克風在1KHz具有89.4的噪聲 而傳統(tǒng)的麥克風在1KHz具有27.7的噪聲就信噪比(dB)而論，麥克風具有71.0的比率，而傳統(tǒng)的麥克風具有67.8的比率。因此，可以看到本文中公開的麥克風具有改進的信噪比。

以下參考圖5至圖8描述制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的方法。

圖5至圖8是示出了制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的方法的示圖。

參考圖5，在制備基板100之后，在基板100上形成氧化層10。在氧化層10上形成包括多個狹縫121的振動膜120。在該情況下，基板100可以由硅制成，而振動膜120可以由多晶硅或者導電材料制成。

包括多個狹縫121的振動膜120可以通過在氧化層10上形成多晶硅層或者導電材料層并且使多晶硅層或者導電材料層圖案化來形成。在該情 況下，多晶硅層或者導電材料層的圖案化可通過以下方式進行：在多晶硅層或者導電材料層上形成光致抗蝕劑層，通過在光致抗蝕劑層上進行曝光和顯影形成光致抗蝕劑層圖案，并使用光致抗蝕劑層圖案作為掩模對多晶硅層或者導電材料層進行蝕刻。同樣地，氧化層10也被圖案化。

參考圖6，在振動膜120上形成包括多個凹陷單元161的犧牲層160和包括多個開口131的固定電極130。犧牲層160可以由光致抗蝕劑材料、氧化硅、或者氮化硅制成。固定電極130可以由多晶硅或者金屬制成。

犧牲層160和固定電極130可通過以下方式形成：在振動膜120上形成光致抗蝕劑材料層、氧化硅層、或者氮化硅層，在光致抗蝕劑材料層、氧化硅層、或者氮化硅層上形成多晶硅層或者金屬層，并且同時使光致抗蝕劑材料層、氧化硅層或者氮化硅層以及多晶硅層或者金屬層圖案化。在該情況下，多個凹陷單元161形成在犧牲層160中，并且多個開口131形成在固定電極130中。在該情況下，各個凹陷單元161的邊界線與各個開口131的那些邊界線相同。

參考圖7，在固定電極130和犧牲層160上形成固定板140。通過使固定板140和固定電極130圖案化形成多個進氣口141。固定板140可以由氮化硅制成。

此外，固定板140包括多個第一突出部142。第一突出部142被配置為穿透固定電極130的各個開口131并且形成在犧牲層160的各個凹陷單元161中。犧牲層160的部分通過固定板140和進氣口141暴露。

參考圖8，在連接至固定電極130的第一焊盤151和連接至振動膜120的第二焊盤152形成之后，通過移除犧牲層160的部分形成空氣層162和支撐層163。

在通過移除固定板140的部分暴露固定電極130之后，第一焊盤151形成在暴露的固定電極130上。在振動膜120通過移除犧牲層160的部分而被暴露之后，第二焊盤152形成在暴露的振動膜120上。

可以通過使用蝕刻劑通過進氣口141的濕法來移除犧牲層160的部分，形成空氣層162。此外，可以使用通過進氣口141的干法，諸如根據(jù)氧等離子體的灰化來形成空氣層162。犧牲層160的部分通過濕法或干法來移除，并因此，空氣層162形成在固定電極130與振動膜120之間。保持完好的未被移除的犧牲層160形成支撐固定電極130的支撐層163。支撐層163放置在振動膜120的邊緣。

當移除犧牲層160時，可能發(fā)生振動膜120與固定電極130彼此粘附的靜摩擦現(xiàn)象。固定板140的第一突出部142可防止這種靜摩擦現(xiàn)象。

參考圖1，穿孔110形成在在基板100中。穿孔110通過在基板100的后部進行干法刻蝕或者濕法蝕刻形成。當對基板100的后部進行蝕刻時，氧化層10被蝕刻，使得振動膜120的部分被暴露。因此，狹縫121形成在穿孔110之上。

以下參考圖9描述根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的另一個麥克風。

圖9是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖。

參考圖9，除了固定電極和固定板的形狀之外，該麥克風具有與圖1的麥克風結(jié)構相同的結(jié)構。因此，省略對與圖1的麥克風的那些元件相同的元件的描述。

與振動膜120隔開的固定電極130設置在振動膜120上，并且固定板140設置在固定電極130上。多個進氣口141設置在固定電極130和固定板140中。固定電極130設置在支撐層163上并固定于此。支撐層163設置在振動膜120的邊緣部分處，并且被配置為支撐固定電極130。在該情 況下，固定電極130由多晶硅或者金屬制成。此外，固定電極130包括多個第二突出部132。第二突出部132沿從固定電極130至振動膜120的方向突出。

空氣層162形成在固定電極130與振動膜120之間。固定電極130與振動膜120隔開預定的間隔。

固定板140與固定電極130接觸。固定板140可以由氮化硅制成。然而，固定板140的材料不局限于氮化硅。例如，固定板140可以由與固定電極130的材料相同的材料制成。

外部聲音通過形成在固定電極130和固定板140中的進氣口141引入，因此激勵振動膜120。響應于此，振動膜120振動。

當振動膜120響應于外部聲音振動時，振動膜120與固定電極130之間的距離改變。因此，振動膜120與固定電極130之間的電容改變。信號處理電路(未示出)通過連接至固定電極130的第一焊盤151和連接至振動膜120的第二焊盤152將改變的電容轉(zhuǎn)換為電信號，從而能夠檢測外部聲音。

以下參考圖10至圖13描述制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的另一種方法。

圖10至圖13是示出了制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的方法的示圖。

參考圖10，在制備基板100之后，在基板100上形成氧化層10。在氧化層10上形成包括多個狹縫121的振動膜120。在該情況下，基板100可以由硅制成，而振動膜120可以由多晶硅或者導電材料制成。

此后，在振動膜120和基板100上形成犧牲層160之后，在犧牲層160中形成多個凹陷單元161。在該情況下，犧牲層160可以由光致抗蝕劑材料、氧化硅、或者氮化硅制成。多個凹陷單元161可以通過對犧牲層160的部分進行蝕刻形成。

參考圖11，在犧牲層160上形成包括多個第二突出部132的固定電極130。在該情況下，固定電極130可以由多晶硅或者金屬制成。第二突出部132形成在各個凹陷單元161之上。此外，犧牲層160的部分通過固定電極130暴露。

參考圖12，在固定電極130和犧牲層160上形成固定板140之后，通過使固定板140和固定電極130圖案化形成多個進氣口141。在該情況下，固定板140可以由氮化硅制成。此外，犧牲層160的部分通過進氣口141暴露。

參考圖13，在連接至固定電極130的第一焊盤151和連接至振動膜120的第二焊盤152形成之后，通過移除犧牲層160的部分來形成空氣層162和支撐層163。

在通過移除固定板140的部分使固定電極130暴露之后，在暴露的固定電極130上形成第一焊盤151。在通過移除犧牲層160和固定板140的部分使振動膜120暴露之后，在暴露的振動膜120上形成第二焊盤152。

空氣層162可以通過使用穿過進氣口141的蝕刻劑的濕法移除犧牲層160的部分來形成。此外，空氣層162可以使用干法，諸如通過進氣口141的根據(jù)氧等離子體的灰化來形成。犧牲層160的部分通過濕法或干法移除，因此，空氣層162形成在固定電極130與振動膜120之間。保持完好且未被移除的犧牲層160形成支撐固定電極130的支撐層163。支撐層163形成在振動膜120的邊緣處。

當移除犧牲層160時，可能發(fā)生振動膜120與固定電極130彼此粘附的靜摩擦現(xiàn)象。固定電極130的第二突出部132可防止這種靜摩擦現(xiàn)象。

參考圖9，穿孔110形成在基板100內(nèi)。

通過對基板100的后部進行干法蝕刻或濕法蝕刻來形成穿孔110。當對基板100的后部進行蝕刻時，氧化層10被蝕刻，使得振動膜120的部分暴露。因此，狹縫121形成在穿孔110之上。

以下參考圖14和圖15描述根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的另一個麥克風。

圖14是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖，及圖15是示意性地示出了圖14的麥克風的振動膜的俯視平面圖。

參考圖14和圖15，除了振動膜的結(jié)構之外，該麥克風具有與圖1的麥克風結(jié)構相同的結(jié)構。因此，省略對與圖1的麥克風的那些元件相同的元件的描述。

振動膜120可以由多晶硅或者導電材料制成，并且包括多個狹縫121、第一部分122、和第二部分123。狹縫121在穿孔110之上形成并且放置在第一部分122外部。振動膜120被示出為具有四個狹縫121，但是狹縫121的數(shù)量不限于4并且可以大于4。狹縫121可以具有相同的大小或者不同的大小。狹縫121的全部面積可以是振動膜120的全部面積的8％至19％。

第一部分122被放置在穿孔110上，并且離子被注入到第一部分122中。離子可包括硼離子或者磷離子。第二部分123形成在第一部分122的外周，并且第二部分123起使振動膜120振動的彈簧的作用。因為離子被注入到第一部分122中，所以第一部分122具有比第二部分123更大的硬度。

當振動膜120響應于通過進氣口141的外部聲音振動時，振動膜120與固定電極130之間的距離改變。具體地，振動膜120的第一部分122與固定電極130之間的距離改變。然而，因為通過將離子注入第一部分122中，第一部分122具有增加的硬度(stiffness)，所以第一部分122未彎曲。因此，提高了檢測面積。當振動膜120響應于外部聲音振動時，狹縫121減小可歸因于空氣阻尼的影響，從而改進麥克風的靈敏度。

參考圖16描述制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的另一種方法。

圖16是示出了制造根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的方法的示圖。除了增加將離子注入到振動膜內(nèi)的工藝之外，制造該麥克風的方法與制造圖1的麥克風的方法相同。省略對與制造圖1的麥克風的方法的那些工藝相同的工藝的描述。

參考圖16，在制備基板100之后，在基板100上形成氧化層10。在氧化層10上形成包括多個狹縫121的振動膜120之后，在振動膜120和基板100上形成緩沖層20。在該情況下，基板100可以由硅制成。振動膜120可以由多晶硅或者導電材料制成。振動膜120的中心部分通過緩沖層20暴露。

此后，使用緩沖層20作為掩模，將離子注入到暴露的振動膜120中。因此，振動膜120包括狹縫121、第一部分122、和第二部分123。第一部分122對應于離子已被注入的部分。第二部分123形成在第一部分122的外周，并且第二部分123起使振動膜120振動的彈簧的作用。離子可包括硼離子或者磷離子。第一部分122具有比第二部分123更大的硬度，因為離子被注入到第一部分122中。在緩沖層20移除之后，隨后的工藝與在圖6至圖9中示出的那些工藝相同。

以下參考圖17描述根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的另一個麥克風。

圖17是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的麥克風的示意截面圖。

參考圖17，除振動膜的結(jié)構之外，麥克風具有與圖9的結(jié)構相同的結(jié)構。因此，省略對與圖9的那些元件相同的元件的描述。

振動膜120可以由多晶硅或者導電材料制成。振動膜120包括多個狹縫121、第一部分122、和第二部分123。狹縫121形成在穿孔110上并且形成在第一部分122外部。振動膜120被示出為具有四個狹縫121，但是狹縫121的數(shù)量不限于此。例如，狹縫121的數(shù)量可以大于4。狹縫121可以具有相同的大小或者不同的大小。狹縫121的全部面積可以是振動膜120的全部面積的大約8％至大約19％。

第一部分122形成在穿孔110上。離子被注入到第一部分122中。在該情況下，離子可包括硼離子或者磷離子。第二部分123放置在第一部分122的外周，并且第二部分123起使振動膜120振動的彈簧的作用。第一部分122具有比第二部分123更大的硬度，這是因為離子被注入到第一部分122中。

當振動膜120響應于通過進氣口141引入的外部聲音振動時，振動膜120與固定電極130之間的距離改變。具體地，振動膜120的第一部分122與固定電極130之間的距離改變。然而，第一部分122未彎曲，這是因為第一部分122因?qū)㈦x子注入第一部分122中而具有增加的硬度。因此，提高了檢測面積。當振動膜120響應于外部聲音振動時，狹縫121減小可歸因于空氣阻尼的影響，從而改進麥克風的靈敏度。

雖然已結(jié)合目前被視為實施方式的內(nèi)容描述了本公開內(nèi)容，但是應理解，本公開內(nèi)容不限于所公開的實施方式，而是相反，本公開內(nèi)容旨在覆蓋包括在所附權利要求的實質(zhì)和范圍內(nèi)的各種修改和等同配置。

<符號說明>

110：基板 110：穿孔

120：振動膜 121：狹縫

122：第一部分 123：第二部分

130：固定電極 131：開口

132：第二突出部 140：固定板

141：進氣口 142：第一突出部

160：犧牲層 161：凹陷單元

162：空氣層 163：支撐層。