本發(fā)明是有關(guān)一種具有高低音驅(qū)動(dòng)單元的微型揚(yáng)聲器，尤指一種由三個(gè)驅(qū)動(dòng)單元共享推動(dòng)同一振膜，并借改變振膜結(jié)構(gòu)或/及振膜與音圈的結(jié)合關(guān)系，進(jìn)而提升高低音音質(zhì)表現(xiàn)的設(shè)計(jì)。

背景技術(shù)：

微型揚(yáng)聲器為了提高承受功率，以獲得更大的音量輸出，因此在有限的空間中，會(huì)采用雙驅(qū)動(dòng)單元結(jié)構(gòu)，來(lái)推動(dòng)同一面振膜，也就是，每個(gè)驅(qū)動(dòng)單元都有獨(dú)立的音圈搭配磁回結(jié)構(gòu)，且平行排列在不同的位置上，共享推動(dòng)同一振膜；因此，這樣雙驅(qū)動(dòng)單元的微型揚(yáng)聲器的優(yōu)點(diǎn)，能較同體積使用單一驅(qū)動(dòng)單元的傳統(tǒng)微型揚(yáng)聲器，具有更大的電磁力，因此能提供更大的音量輸出；于是，若是進(jìn)一步采用三個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，則所能獲得的承受功率一定更大，音量輸出就可以更高，而三個(gè)驅(qū)動(dòng)單元還可因相對(duì)振膜的位置區(qū)分出高低音驅(qū)動(dòng)單元，并對(duì)振膜結(jié)構(gòu)或/及振膜與音圈的結(jié)合關(guān)系加以設(shè)計(jì)，將有助于提升高低音的音質(zhì)表現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的主要技術(shù)問題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，而提供一種具有高低音驅(qū)動(dòng)單元的微型揚(yáng)聲器，其具有提升音量輸出及高低音音質(zhì)表現(xiàn)的功效。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種具有高低音驅(qū)動(dòng)單元的微型揚(yáng)聲器，包括：一支架；一第一振膜，包含第一中心部與圍繞該第一中心部的第一懸邊部，該第一中心部具有一通孔，而借該第一懸邊部外周緣結(jié)合于該支架；一第二振膜，容置于該第一振膜的通孔，而借外周緣底面結(jié)合于該第一振膜的通孔周緣頂面或借外周緣頂面結(jié)合于該第一振膜的通孔周緣底面，并令該第二振膜的剛性高于該第一中心部的剛性，且該第二振膜的質(zhì)量低于該第一中心部的質(zhì)量；三驅(qū)動(dòng)單元，具有一中央音圈、一對(duì)側(cè)邊音圈與一磁回系 統(tǒng)，該中央音圈與該第一振膜的通孔周緣底面或該第二振膜的外周緣底面結(jié)合，各該側(cè)邊音圈各自與該第一振膜底面結(jié)合，該磁回系統(tǒng)結(jié)合于該支架而相對(duì)各該音圈具有三磁間隙；以及一對(duì)導(dǎo)電片，設(shè)置于該支架。

此外，該第一振膜的第一中心部與第一懸邊部為一體式結(jié)構(gòu)，而進(jìn)一步相對(duì)各該側(cè)邊音圈而于該第一振膜的第一中心部上方結(jié)合有質(zhì)量塊；或者，該第一振膜的第一中心部與第一懸邊部為分離式結(jié)構(gòu)，而該第一中心部與該第一懸邊部為不同材質(zhì)，且令該第一中心部的剛性高于該第一懸邊部的剛性；又，該第二振膜具有中央凸起體或凹陷體。另，該對(duì)導(dǎo)電片相對(duì)各該音圈的導(dǎo)線具有三對(duì)音圈電氣連接臺(tái)面，且于該支架的外部具有一對(duì)外部訊號(hào)電氣連接臺(tái)面。

一種具有高低音驅(qū)動(dòng)單元的微型揚(yáng)聲器，包括：一支架；一第一振膜，包含第一中心部與圍繞該第一中心部的第一懸邊部，該第一中心部具有一通孔，而借該第一懸邊部外周緣結(jié)合于該支架；一第二振膜，容置于該第一振膜的通孔，而包含第二中心部與圍繞該第二中心部的第二懸邊部，且借該第二懸邊部外周緣結(jié)合于該第一振膜的通孔周緣，并令該第二中心部的剛性高于該第一中心部的剛性，且該第二振膜的質(zhì)量低于該第一中心部的質(zhì)量；三驅(qū)動(dòng)單元，具有一中央音圈、一對(duì)側(cè)邊音圈與一磁回系統(tǒng)，該中央音圈與該第二振膜的第二中心部與第二懸邊部的交接處底面結(jié)合，各該側(cè)邊音圈各自與該第一振膜底面結(jié)合，該磁回系統(tǒng)結(jié)合于該支架而相對(duì)各該音圈具有三磁間隙；以及一對(duì)導(dǎo)電片，設(shè)置于該支架。

再者，該第一振膜的第一中心部與第一懸邊部為一體式結(jié)構(gòu)，而進(jìn)一步相對(duì)各該側(cè)邊音圈而于該第一振膜的第一中心部上方結(jié)合有質(zhì)量塊，且進(jìn)一步于該第二振膜與該第一振膜的結(jié)合處設(shè)置有結(jié)構(gòu)強(qiáng)化環(huán)；又，該第二振膜具有中央凸起體或凹陷體。另，該對(duì)導(dǎo)電片相對(duì)各該音圈的導(dǎo)線具有三對(duì)音圈電氣連接臺(tái)面，且于該支架的外部具有一對(duì)外部訊號(hào)電氣連接臺(tái)面。

本發(fā)明的有益效果是，其具有提升音量輸出及高低音音質(zhì)表現(xiàn)的功效。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明共通結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)分解圖。

圖2是本發(fā)明共通結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)外觀圖。

圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)分解圖。

圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的長(zhǎng)軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例的短軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的短軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖7是本發(fā)明第三實(shí)施例的短軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖8是本發(fā)明第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)分解圖。

圖9是本發(fā)明第四實(shí)施例的長(zhǎng)軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖10是本發(fā)明第四實(shí)施例的短軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖11是本發(fā)明第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)分解圖。

圖12是本發(fā)明第五實(shí)施例的長(zhǎng)軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖13是本發(fā)明第五實(shí)施例的短軸向結(jié)構(gòu)剖示圖。

圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

10支架

11磁回結(jié)構(gòu)容置口

12高臺(tái)階面

13低臺(tái)階面

131凹陷面

20導(dǎo)電片

21桿體

22音圈電氣連接臺(tái)面

23外部訊號(hào)電氣連接臺(tái)面

30a中央音圈

30b側(cè)邊音圈

31導(dǎo)線

40磁回結(jié)構(gòu)

41中央主磁鐵

42側(cè)邊副磁鐵

43、44上導(dǎo)磁元件

45下導(dǎo)磁元件

451擋墻

46磁間隙

50、50a第一振膜

51、51a第一中心部

52、52a第一懸邊部

53通孔

54質(zhì)量塊

60、60a第二振膜

61第二中心部

62第二懸邊部

63、63a中央凸起體

64結(jié)構(gòu)強(qiáng)化環(huán)

A共通結(jié)構(gòu)

具體實(shí)施方式

首先，請(qǐng)參閱圖1、圖2所示，本發(fā)明各實(shí)施例的共通結(jié)構(gòu)A包括：一支架10，長(zhǎng)條狀而具有三個(gè)磁回結(jié)構(gòu)容置口11，該支架10的兩長(zhǎng)邊向內(nèi)依序具有一對(duì)高臺(tái)階面12與一對(duì)低臺(tái)階面13，且令該對(duì)低臺(tái)階面13具有數(shù)凹陷面131；一對(duì)導(dǎo)電片20，各該導(dǎo)電片20各以一桿體21結(jié)合三音圈電氣連接臺(tái)面22與一外部訊號(hào)電氣連接臺(tái)面23，且令各該音圈電氣連接臺(tái)面22的位置較該桿體21凹陷且往側(cè)向凸出，各該桿體21埋設(shè)于該支架10的各該高臺(tái)階面12，而使各該音圈電氣連接臺(tái)面22恰位于該支架10的各該低臺(tái)階面13的各該凹陷面131，并讓各該外部訊號(hào)電氣連接臺(tái)面23位于該支架10的外部；以及三驅(qū)動(dòng)單元，具有一中央音圈30a、一對(duì)側(cè)邊音圈30b與一磁回系統(tǒng)，各該音圈30a、30b等間距并列而將各自的導(dǎo)線31與各該音圈電氣連接臺(tái)面22電氣連接，該磁回系統(tǒng)具有三個(gè)獨(dú)立的磁回結(jié)構(gòu)40，各該磁回結(jié)構(gòu)40結(jié)合于該支架10的各該磁回結(jié)構(gòu)容置口11而相對(duì)各該音圈30a、30b各具有磁間隙46，各該磁回結(jié)構(gòu)40為具有一中央主磁鐵41與一對(duì)側(cè)邊副磁鐵42的三磁式架構(gòu)，該中央主磁鐵41與各該側(cè)邊副磁 鐵42的頂部各自設(shè)有一上導(dǎo)磁元件43、44，該中央主磁鐵41與該側(cè)邊副磁鐵42的磁場(chǎng)方向相反，并將該中央主磁鐵41與各該側(cè)邊副磁鐵42設(shè)置于一下導(dǎo)磁元件45，且令該下導(dǎo)磁元件45長(zhǎng)軸向的兩端具有擋墻451，而由該中央主磁鐵41、各該側(cè)邊副磁鐵42以及各該擋墻451的設(shè)置間距形成該磁間隙46。

接著，請(qǐng)參閱圖3～圖5所示，本發(fā)明的第一實(shí)施例包括：一前述的共通結(jié)構(gòu)A，包含該支架10、該對(duì)導(dǎo)電片20以及具有該中央音圈30a、該對(duì)側(cè)邊音圈30b與該磁回系統(tǒng)的三驅(qū)動(dòng)單元；一第一振膜50，包含第一中心部51與圍繞該第一中心部51的第一懸邊部52，而該第一中心部51與該第一懸邊部52為一體式結(jié)構(gòu)，該第一中心部51具有一通孔53，且借該第一懸邊部52外周緣結(jié)合于該支架10，并進(jìn)一步相對(duì)各該側(cè)邊音圈30b而于該第一振膜50的第一中心部51上方結(jié)合有質(zhì)量塊54；一第二振膜60，具有中央凸起體63(或凹陷體)而容置于該第一振膜50的通孔53，該第二振膜60借外周緣頂面結(jié)合于該第一振膜50的通孔53周緣底面，并令該第二振膜60的剛性高于該第一中心部51的剛性及該第二振膜60的質(zhì)量低于該第一中心部51的質(zhì)量，且將該中央音圈30a與該第二振膜60的外周緣底面結(jié)合，而各該側(cè)邊音圈30b則各自與該第一振膜50底面結(jié)合。

再者，請(qǐng)參閱圖6所示，本發(fā)明的第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于：該中央音圈30a不與該第二振膜60的外周緣底面結(jié)合而改與該第一振膜50的通孔53周緣底面結(jié)合，且該第二振膜60還是借外周緣頂面結(jié)合于該第一振膜50的通孔53周緣底面。另者，請(qǐng)參閱圖7所示，本發(fā)明的第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于：該中央音圈30a不與該第二振膜60的外周緣底面結(jié)合而改與該第一振膜50的通孔53周緣底面結(jié)合，且該第二振膜60借外周緣底面結(jié)合于該第一振膜50的通孔53周緣頂面。

接著，請(qǐng)參閱圖8～圖10所示，本發(fā)明的第四實(shí)施例包括：一前述的共通結(jié)構(gòu)A，包含該支架10、該對(duì)導(dǎo)電片20以及具有該中央音圈30a、該對(duì)側(cè)邊音圈30b與該磁回系統(tǒng)的三驅(qū)動(dòng)單元；一第一振膜50a，包含第一中心部51a與圍繞該第一中心部51a的第一懸邊部52a，而該第一中心部51a與該第一懸邊部52a為分離式結(jié)構(gòu)，該第一中心部51a與該第一懸邊部52a為不同材質(zhì)，且令該第一中心部51a的剛性高于該第一懸邊部52a的剛 性，該第一中心部51a具有一通孔53，并借該第一懸邊部52a外周緣結(jié)合于該支架10；一第二振膜60a，具有中央凸起體63a(或凹陷體)而容置于該第一振膜50的通孔53，該第二振膜60a借外周緣頂面結(jié)合于該第一振膜50的通孔53周緣底面，并令該第二振膜60a的剛性高于該第一中心部51a的剛性及該第二振膜60a的質(zhì)量低于該第一中心部51a的質(zhì)量，且將該中央音圈30a與該第二振膜60a的外周緣底面結(jié)合(或可如同前述第二實(shí)施例的結(jié)合方式，該中央音圈30a不與該第二振膜60a的外周緣底面結(jié)合而改與該第一振膜50a的通孔53周緣底面結(jié)合，且該第二振膜60a還是借外周緣頂面結(jié)合于該第一振膜50a的通孔53周緣底面；亦可如同前述第三實(shí)施例的結(jié)合方式，該中央音圈30a不與該第二振膜60a的外周緣底面結(jié)合而改與該第一振膜50a的通孔53周緣底面結(jié)合，且該第二振膜60a借外周緣底面結(jié)合于該第一振膜50a的通孔53周緣頂面)，而各該側(cè)邊音圈30b則各自與該第一振膜50a底面結(jié)合；其中，該質(zhì)量塊54可強(qiáng)化低音的音質(zhì)表現(xiàn)，該中央凸起體63、63a(或凹陷體)的大小可用于調(diào)音。

接著，請(qǐng)參閱圖11～圖13所示，本發(fā)明的第五實(shí)施例包括：一前述的共通結(jié)構(gòu)A，包含該支架10、該對(duì)導(dǎo)電片20以及具有該中央音圈30a、該對(duì)側(cè)邊音圈30b與該磁回系統(tǒng)的三驅(qū)動(dòng)單元；一第一振膜50，包含第一中心部51與圍繞該第一中心部51的第一懸邊部52，而該第一中心部51與該第一懸邊部52為一體式結(jié)構(gòu)，該第一中心部51具有一通孔53，且借該第一懸邊部52外周緣結(jié)合于該支架10，并進(jìn)一步相對(duì)各該側(cè)邊音圈30b而于該第一振膜50的第一中心部51上方結(jié)合有質(zhì)量塊54；一第二振膜60b，容置于該第一振膜50的通孔53，而包含第二中心部61與圍繞該第二中心部61的第二懸邊部62，該第二中心部61具有中央凸起體63(或凹陷體)，該第二振膜60b借該第二懸邊部62外周緣底面(或頂面)結(jié)合于該第一振膜51的通孔周緣頂面(或底面)，并令該第二中心部61的剛性高于該第一中心部51的剛性及第二振膜60b的質(zhì)量低于第一振膜50的質(zhì)量，且將該中央音圈30a與該第二振膜60b的第二中心部61與第二懸邊部62的交接處底面結(jié)合，而各該側(cè)邊音圈30b則各自與該第一振膜50底面結(jié)合，另進(jìn)一步于該第二振膜60b與該第一振膜50的結(jié)合處設(shè)置有結(jié)構(gòu)強(qiáng)化環(huán)64。

基于上述的構(gòu)成，本發(fā)明借由三個(gè)驅(qū)動(dòng)單元共享推動(dòng)同一振膜，可使電磁力增加，并且極大化振膜面積，還增設(shè)第二振膜60、60a、60b強(qiáng)化中高音的音質(zhì)表現(xiàn)，進(jìn)而利用改變振膜結(jié)構(gòu)或/及振膜與音圈的結(jié)合關(guān)系，致使本發(fā)明具有提升音量輸出及高低音音質(zhì)表現(xiàn)的功效。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。

綜上所述，本發(fā)明在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、使用實(shí)用性及成本效益上，完全符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需，且所揭示的結(jié)構(gòu)亦是具有前所未有的創(chuàng)新構(gòu)造，具有新穎性、創(chuàng)造性、實(shí)用性，符合有關(guān)發(fā)明專利要件的規(guī)定，故依法提起申請(qǐng)。