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高頻模塊的制作方法

文檔序號:11892273閱讀:227來源:國知局
高頻模塊的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及高頻模塊。



背景技術(shù):

關(guān)于現(xiàn)有的高頻模塊,例如,在國際公開第2007/088732號中公開了一種復(fù)合高頻元器件,其目的是可以減少元器件數(shù)量,使移動通信裝置小型輕量化,簡化移動通信裝置的高頻電路部的電路設(shè)計(jì)(專利文獻(xiàn)1)。在專利文獻(xiàn)1中公開的復(fù)合高頻元器件具備插入至多層基板的內(nèi)部且設(shè)置成在俯視多層基板時(shí)在一個(gè)方向上排列的多個(gè)螺旋狀的電感器。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1:國際公開第2007/088732號



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

如上述的專利文獻(xiàn)1中所公開,已知有用作為移動通信裝置的天線開關(guān)模塊等的復(fù)合高頻元器件。在該復(fù)合高頻元器件中,為了實(shí)現(xiàn)裝置的小型化,要求縮短多層基板的全長。一方面,若為了應(yīng)對上述的要求而將多個(gè)螺旋狀電感器以窄間距排列,則彼此相鄰的電感器間會發(fā)生電磁耦合,從而可能無法獲得足夠的絕緣性(Isolation-絕緣性)。

因此,本發(fā)明的目的是解決上述的問題,提供一種既實(shí)現(xiàn)縮短基板的全長又在相鄰的電感器間獲得足夠的絕緣性的高頻模塊。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的1個(gè)方面的高頻模塊包括:具有主面的基板;以及設(shè)置于基板的多個(gè)電感器,在俯視基板的主面時(shí),該多個(gè)電感器具有呈環(huán)狀延伸的形狀的環(huán)狀部,并且環(huán)狀部沿著規(guī)定方向呈交錯(cuò)狀排列。多個(gè)電感器包含第一電感器、與第一電感器相鄰配置的第二電感器。第一電感器的環(huán)狀部包含呈直線狀延伸的第一直線部。第二電感器的環(huán)狀部包含第二直線部,該第二直線部在與第一直線部平行的方向上呈直線狀延伸,在俯視基板的主面時(shí),在相對于規(guī)定方向傾斜的方向上與第一直線部相對。

根據(jù)如上述所構(gòu)成的高頻模塊,第一直線部和第二直線部在相對于規(guī)定方向傾斜的方向上相對,因此即使在沿著規(guī)定方向呈交錯(cuò)狀排列的多個(gè)電感器間為窄間距的情況下,也容易確保環(huán)狀部間的絕緣性。因此,能實(shí)現(xiàn)縮短基板的全長并且在相鄰的電感器間獲得足夠的絕緣性的高頻模塊。

更優(yōu)選地,在俯視基板的主面時(shí),基板呈具有第一邊、與第一邊相交的第二邊的矩形形狀。規(guī)定方向是第一邊延伸的方向。根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,能縮短在第一邊延伸的方向上的基板全長,并能確保在相鄰的電感器間足夠的絕緣性。

更優(yōu)選地,第一邊的長度比第二邊更長。根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,能縮短在成為長邊的第一邊延伸的方向上的基板全長,并能確保在相鄰的電感器間足夠的絕緣性。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面的高頻模塊包括:具有主面的基板;以及多個(gè)電感器,該多個(gè)電感器設(shè)置于基板,在俯視基板的主面時(shí),該多個(gè)電感器具有呈環(huán)狀延伸的形狀的環(huán)狀部。多個(gè)電感器包含第一電感器、與第一電感器相鄰配置的第二電感器。第一電感器的環(huán)狀部包含呈直線狀延伸的第一直線部。第二電感器的環(huán)狀部包含在與第一直線部不平行的方向上呈直線狀延伸并與第一直線部相對的第二直線部。

根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,第一直線部與第二直線部設(shè)置成相互不平行,因此即使在將第一電感器和第二電感器靠近配置的情況下,也容易確保環(huán)狀部間的絕緣性。因此,能實(shí)現(xiàn)縮短基板的全長并且在相鄰的電感器間獲得足夠的絕緣性的高頻模塊。

更優(yōu)選地,第一直線部和第二直線部成45°角度。根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,容易進(jìn)一步確保環(huán)狀部間的絕緣性。

更優(yōu)選地,在俯視基板的主面時(shí),多個(gè)電感器設(shè)置成環(huán)狀部在一個(gè)方向上排列。根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,能縮短多個(gè)電感器的排列方向上的基板全長,并能確保在相鄰的電感器間足夠的絕緣性。

更優(yōu)選地,在俯視基板的主面時(shí),多個(gè)電感器設(shè)置成環(huán)狀部沿著規(guī)定方向呈交錯(cuò)狀排列。根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,能縮短環(huán)狀部呈交錯(cuò)狀排列的方向上的基板全長,并能確保在相鄰的電感器間足夠的絕緣性。

更優(yōu)選地,高頻模塊還具備布線,該布線以位于第一電感器和第二電感器之間的方式設(shè)置在基板上,并且與接地電位連接。根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,容易確保第一電感器與第二電感器間的絕緣性。

更優(yōu)選地,高頻模塊還具備具有多個(gè)接點(diǎn)的開關(guān)元件。第一電感器與第二電感器分別作為消除在多個(gè)接點(diǎn)間產(chǎn)生的容性的匹配元件,與多個(gè)接點(diǎn)連接。

根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,能在作為匹配元件設(shè)置的電感器間獲得足夠的絕緣性。

更優(yōu)選地,基板具有層疊多個(gè)絕緣層來形成的層疊結(jié)構(gòu)。在從多個(gè)絕緣層的層疊方向觀察基板時(shí),環(huán)狀部具有呈環(huán)狀延伸的形狀。

根據(jù)如上述構(gòu)成的高頻模塊,能實(shí)現(xiàn)縮短具有層疊多個(gè)絕緣層來形成的層疊結(jié)構(gòu)的基板的全長,并且在相鄰的電感器間獲得足夠的絕緣性的高頻模塊。

發(fā)明效果

如上述說明,根據(jù)本發(fā)明,可以提供一種實(shí)現(xiàn)縮短基板的全長并且在相鄰的電感器間獲得足夠的絕緣性的高頻模塊。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的高頻模塊的剖視圖。

圖2是從圖1的箭頭II所示的方向觀察得到的高頻模塊的立體圖。

圖3是將圖2中的高頻模塊局部放大顯示的立體圖。

圖4是示出用于比較的高頻模塊的立體圖。

圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的高頻模塊的立體圖。

圖6是示出圖5中的高頻模塊的第1變形例的立體圖。

圖7是示出圖5中的高頻模塊的第2變形例的立體圖。

圖8是示出圖5中的高頻模塊的第3變形例的立體圖。

圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的高頻模塊的電路圖。

圖10是示出圖9中的用雙點(diǎn)劃線X包圍的范圍內(nèi)的高頻模塊的立體圖。

具體實(shí)施方式

對于本發(fā)明的實(shí)施方式,參照附圖進(jìn)行說明。此外,以下參照的附圖中,對相同或者與其相當(dāng)?shù)臉?gòu)件標(biāo)注相同的編號。

(實(shí)施方式1)

圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的高頻模塊的剖視圖。圖2是從圖1的箭頭II所示的方向觀察得到的高頻模塊的立體圖。在圖1中,示出沿著圖2中的I-I線上的高頻模塊的剖面。

參照圖1與圖2,本實(shí)施方式的高頻模塊10包括基板12、設(shè)置在基板12上的多個(gè)螺旋狀電感器31。

基板12由絕緣性材料形成?;?2具有主面12a。主面12a在基板12包含的多個(gè)側(cè)面中具有最大的面積。在本實(shí)施方式中,在從正面觀察基板12的主面12a時(shí),基板12具有矩形的俯視形狀(以下,將從正面觀察基板12的主面12a時(shí)也簡稱為“俯視基板12”)。在俯視時(shí),基板12具有長邊13和與長邊13相交的短邊14。長邊13在第一箭頭102所示的方向上延伸(以下,也稱為基板12的長邊方向),短邊14在第一箭頭102所示的方向的垂直方向即第二箭頭103所示的方向上延伸。長邊13與短邊14分別具有長度W與長度L。短邊14的長度L比長邊13的長度W更短(L<W)。

基板12是具有層疊多個(gè)絕緣層21A、21B、21C、21D、21E(以下,在沒有特別進(jìn)行區(qū)分的情況下,稱為絕緣層21)來形成的層疊結(jié)構(gòu)的多層電路基板。絕緣層21利用由陶瓷或者樹脂形成的絕緣性材料來形成。由樹脂形成的絕緣層21的材料由例如聚酰亞胺、LCP(液晶聚合物)、PEEK(聚醚醚酮)、PPS(聚苯硫醚)形成。特別是在本實(shí)施方式中,基板12由使用陶瓷材料的陶瓷基板構(gòu)成。陶瓷基板可以使用LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics-低溫共燒陶瓷)基板或者HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics-高溫共燒陶瓷)基板。在多層電路基板的表面與內(nèi)部,設(shè)置由導(dǎo)電性材料形成的布線。

多個(gè)絕緣層21在第三箭頭101所示的一個(gè)方向上層疊。絕緣層21A、絕緣層21B、絕緣層21C、絕緣層21D以及絕緣層21E按照列舉的順序從上向下排列?;?2在從該絕緣層21的層疊方向觀察時(shí),具有矩形的俯視形狀。絕緣層21的層疊方向上的基板12的長度(厚度)比長邊13以及短邊14的長度更小。

此外,基板12也可以具有正方形的俯視形狀,不限于矩形形狀,還可以具有矩形以外的任意的俯視形狀?;?2也不一定要具有層疊結(jié)構(gòu)。

螺旋狀電感器31由導(dǎo)電性材料形成。螺旋狀電感器31由銅、銀、鋁、不銹鋼、鎳或者金等金屬、或包含這些金屬的合金等形成。

螺旋狀電感器31具有環(huán)狀部32作為其結(jié)構(gòu)部位。環(huán)狀部32在俯視基板12時(shí),具有呈環(huán)狀延伸的形狀。在本實(shí)施方式中,環(huán)狀部32具有沿著矩形(更具體而言,正方形)的四邊環(huán)繞的形狀(矩形的環(huán)繞形狀)。

環(huán)狀部32設(shè)置在基板12的內(nèi)部。更具體而言,環(huán)狀部32分別設(shè)置在相鄰的絕緣層21的層間(絕緣層21A與絕緣層21B的層間,絕緣層21B與絕緣層21C的層間,絕緣層21C與絕緣層21D的層間,絕緣層21D與絕緣層21E的層間)。設(shè)置在各層間的環(huán)狀部32彼此利用在絕緣層21的層疊方向延伸的未圖示的內(nèi)部過孔導(dǎo)體相互地連接。利用上述的結(jié)構(gòu),螺旋狀電感器31整體具有沿絕緣層21的層疊方向呈螺旋(螺旋線形)狀延伸的形狀。

圖3是將圖2中的高頻模塊局部地放大顯示的立體圖。參照圖1至圖3,多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成環(huán)狀部32沿著第一箭頭102所示的方向呈交錯(cuò)狀排列(以下,也將環(huán)狀部32呈交錯(cuò)狀排列的方向稱為環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向)。環(huán)狀部32在沿著第二箭頭103所示的方向的一個(gè)方向和反方向上交替地錯(cuò)開,并且作為整體沿著第一箭頭102所示的方向排列。在本實(shí)施方式中,環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向與基板12的長邊方向一致。更詳細(xì)地說,多個(gè)螺旋狀電感器31中的一部分在沿著基板12的主面12a的規(guī)定方向(基板12的長邊方向(交錯(cuò)排列方向))上隔開間距P1地排列。而且,多個(gè)螺旋狀電感器31中的剩余部分沿著基板12的主面12a在上述規(guī)定方向上隔開間距P1排列,且排列在與規(guī)定方向正交的方向上距離上述多個(gè)螺旋狀電感器31中的一部分的間距P1的中央為規(guī)定距離B的位置上。

多個(gè)螺旋狀電感器31中,關(guān)注作為第一電感器任選出的螺旋狀電感器31P和作為第二電感器與上述螺旋狀電感器31P相鄰配置的螺旋狀電感器31Q。螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32具有直線部32m作為其結(jié)構(gòu)部位。螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32具有直線部32n作為其結(jié)構(gòu)部位。

直線部32m與直線部32n在螺旋狀電感器31P與螺旋狀電感器31Q之間彼此相對地設(shè)置。

直線部32m與直線部32n呈直線狀延伸。直線部32m和直線部32n與環(huán)狀部32構(gòu)成的矩形的環(huán)繞形狀中的一邊對應(yīng)。直線部32m與直線部32n相互平行地延伸。直線部32m與直線部32n在相對于環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向傾斜的方向上延伸。

在俯視基板12時(shí),第四箭頭106所示的直線部32m與直線部32n相對的方向是相對于第一箭頭102所示的環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向傾斜的方向。即,直線部32m與直線部32n相對的方向與環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向不平行,并且與環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向不正交。

特別是在本實(shí)施方式中,具有矩形的環(huán)繞形狀的環(huán)狀部32以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)傾斜45°來設(shè)置。直線部32m與直線部32n相對的方向是相對于環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向傾斜45°的方向。

此外,環(huán)狀部32不限于矩形的環(huán)繞形狀。例如,環(huán)狀部32也可以具有包含長方形、正方向、菱形在內(nèi)的平行四邊形的環(huán)繞形狀,其在從基板12的層疊方向觀察螺旋狀電感器時(shí),具有相互平行地相對的一對直線部、以及與上述的一對直線部連接并且相互平行地相對的另一對直線部。而且,環(huán)狀部32也可以具有矩形以外的多邊形的環(huán)繞形狀。此外,在基板12的相同絕緣層上設(shè)置的彼此相鄰的2個(gè)環(huán)狀部32中,在2個(gè)環(huán)狀部32的彼此距離最短的部分分別設(shè)置直線部32m與直線部32n。

在本實(shí)施方式中,多個(gè)螺旋狀電感器31雖然配置成相鄰的環(huán)狀部32彼此不產(chǎn)生在環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向上重疊的部分,但不限于上述的結(jié)構(gòu),也可以配置成產(chǎn)生重疊的部分。此外,在圖2與圖3中,雖然利用直線相交的形狀表示環(huán)狀部32的角部,但在本發(fā)明中,只要環(huán)狀部的至少一部分存在直線部即可,也可以將環(huán)狀部的角部設(shè)為錐形或曲線形狀。

圖4是示出用于比較的高頻模塊的立體圖。圖4是與表示本實(shí)施方式的高頻模塊10的圖2對應(yīng)的圖。

參照圖4,在本比較例中,多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成環(huán)狀部32在基板12的長邊方向排成一列。在上述的結(jié)構(gòu)中,為了使高頻模塊小型化,若以窄間距設(shè)置多個(gè)螺旋狀電感器31,則在相鄰的螺旋狀電感器31間環(huán)狀部32彼此接近,從而難以在兩者間獲得足夠的絕緣性。

參照圖1至圖3,與此相對,在本實(shí)施方式的高頻模塊10中,在相鄰的螺旋狀電感器31間,直線部32m與直線部32n在相對于環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向傾斜的方向上相對。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu),即使在將多個(gè)螺旋狀電感器31以窄間距N設(shè)置的情況下,也可以使相對的直線部32m與直線部32n相互遠(yuǎn)離來配置。由此,可以縮短環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向上的基板12的長度(本實(shí)施方式中,基板12的長邊方向的長度),并且可以在相鄰的螺旋狀電感器31間獲得足夠的絕緣性。

此外,在本實(shí)施方式中,雖然對于環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向與基板12的長邊方向一致的情況進(jìn)行了說明,但是本方面不限于上述的結(jié)構(gòu)。例如,環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向可以與基板12的短邊方向一致,也可以是相對于基板12的長邊方向與短邊方向傾斜的方向。

此外,在本實(shí)施方式中,對于本發(fā)明的電感器是具有沿著絕緣層21的層疊方向呈螺旋狀(螺旋線形狀)延伸的形狀的螺旋狀電感器31的情況進(jìn)行了說明,但是并不限于上述的結(jié)構(gòu)。例如,本實(shí)施方式的環(huán)狀部32可以是設(shè)置在基板12的表層上,也可以是設(shè)置在基板12的不同層上。作為后者的結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例,假設(shè)環(huán)狀部32交替地設(shè)置在圖1中的絕緣層21A與絕緣層21B的層間和絕緣層21B與絕緣層21C的層間的情況。即使在該情況下,只要在俯視地對基板12進(jìn)行透視的情況下環(huán)狀部32排列成交錯(cuò)狀,也適用本發(fā)明。

若對于本實(shí)施方式的高頻模塊10的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步進(jìn)行說明,則高頻模塊10還具有設(shè)置于基板12的接地過孔導(dǎo)體41。接地過孔導(dǎo)體41由導(dǎo)電性材料形成。接地過孔導(dǎo)體41以沿著絕緣層21的層疊方向延伸的方式貫通設(shè)置。接地過孔導(dǎo)體41作為與接地電位連接的布線設(shè)置在基板12上。接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置在彼此相鄰的螺旋狀電感器31P和螺旋狀電感器31Q之間。

螺旋狀電感器31還具有延伸部33作為其結(jié)構(gòu)部位。在俯視基板12時(shí),延伸部33設(shè)置成從環(huán)狀部32延伸出。在本實(shí)施方式中,延伸部33設(shè)置成從具有矩形的環(huán)繞形狀的環(huán)狀部32的角部向一個(gè)方向延伸。

螺旋狀電感器31P的延伸部33和螺旋狀電感器31Q的延伸部33相互之間間隔配置。螺旋狀電感器31P的延伸部33和螺旋狀電感器31Q的延伸部33在環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向上間隔排列。

在本實(shí)施方式中,與接地電位連接的過孔導(dǎo)體即接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置成位于彼此相鄰的螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32和螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32之間。接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置成位于彼此相鄰的螺旋狀電感器31P的延伸部33和螺旋狀電感器31Q的延伸部33之間。

根據(jù)上述的結(jié)構(gòu),在彼此相鄰的螺旋狀電感器31之間設(shè)置連接至接地電位的接地過孔導(dǎo)體41,因此即使在以窄間距設(shè)置環(huán)狀部32的情況下,也能更有效地防止相鄰的螺旋狀電感器31間的電磁耦合。

若對如上所說明的本發(fā)明的實(shí)施方式1的高頻模塊10的結(jié)構(gòu)匯總說明,則本實(shí)施方式的高頻模塊10包括具有主面12a的基板12、以及多個(gè)作為電感器的螺旋狀電感器31,該多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置在基板12上,且在俯視基板12的主面12a時(shí),具有呈環(huán)狀延伸的形狀的環(huán)狀部32,環(huán)狀部32沿著規(guī)定方向呈交錯(cuò)狀排列。多個(gè)螺旋狀電感器31包含作為第一電感器的螺旋狀電感器31P和與螺旋狀電感器31P相鄰配置的作為第二電感器的螺旋狀電感器31Q。螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32包含作為呈直線狀延伸的第一直線部的直線部32m。螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32包含作為第二直線部的直線部32n,該直線部32n在與直線部32m平行的方向上呈直線狀延伸,在俯視基板12的主面12a時(shí),在相對于規(guī)定方向傾斜的方向上與直線部32m相對。

根據(jù)如上所述構(gòu)成的本發(fā)明的實(shí)施方式1的高頻模塊10,可以縮短基板12的全長,并且可以在彼此相鄰的螺旋狀電感器31之間獲得足夠的絕緣性。

(實(shí)施方式2)

圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的高頻模塊的立體圖。圖5和在后文中說明的圖6至圖8與實(shí)施方式1的圖3對應(yīng)的圖。本實(shí)施方式的高頻模塊與實(shí)施方式1的高頻模塊10相比,主要是環(huán)狀部32的配置(排列)不同。以下,對于與實(shí)施方式1的高頻模塊10重復(fù)的結(jié)構(gòu),不重復(fù)說明

參照圖5,多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成環(huán)狀部32在一個(gè)方向上排列。在本實(shí)施方式中,環(huán)狀部32的排列方向與第一箭頭102所示的基板12的長邊13延伸的方向一致。

此外,環(huán)狀部32的排列方向不限于基板12的長邊方向與實(shí)施方式1中環(huán)狀部32的交錯(cuò)排列方向的說明相同。

多個(gè)螺旋狀電感器31中,觀察任選出的螺旋狀電感器31P和與該螺旋狀電感器31P相鄰配置的螺旋狀電感器31Q。螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32具有直線部32m作為其結(jié)構(gòu)部位。螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32具有直線部32n作為其結(jié)構(gòu)部位。

直線部32m與直線部32n在螺旋狀電感器31P與螺旋狀電感器31Q之間相對地設(shè)置。

直線部32m與直線部32n呈直線狀延伸。直線部32m和直線部32n與環(huán)狀部32構(gòu)成的矩形的環(huán)繞形狀中的彼此接近并相對的一邊對應(yīng)。直線部32m與直線部32n相互不平行地延伸。

在本實(shí)施方式中,具有矩形的環(huán)繞形狀的螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32相對于基板12的長邊13與短邊14平行地設(shè)置,另一方面,具有矩形的環(huán)繞形狀的螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)傾斜地設(shè)置。多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成螺旋狀電感器31P和螺旋狀電感器31Q交替排列,其中,螺旋狀電感器31P具有以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)不傾斜的環(huán)狀部32,螺旋狀電感器31Q具有以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)傾斜的環(huán)狀部32。

由此,在本實(shí)施方式的高頻模塊中,在相鄰的螺旋狀電感器31間,直線部32m與直線部32n設(shè)置成不平行。利用上述的結(jié)構(gòu),即使在將多個(gè)螺旋狀電感器31以窄間距設(shè)置的情況下,與圖4中所示的比較例相比,也能減少直線部32m與直線部32n彼此接近的部位。由此,可以縮短環(huán)狀部32的排列方向上的基板12的長度(本實(shí)施方式中,基板12的長邊方向的長度),并且可以在相鄰的螺旋狀電感器31間獲得足夠的絕緣性。

此外,多個(gè)螺旋狀電感器31中,分別具有相互不平行的直線部32m與直線部32n的螺旋狀電感器31P與螺旋狀電感器31Q至少存在1組即可。

圖6是示出圖5中的高頻模塊的第1變形例的立體圖。參照圖6,在本變形例中,直線部32m與直線部32n成45°角度。

具有矩形的環(huán)繞形狀的螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32相對于基板12的長邊13與短邊14平行地設(shè)置,另一方面,具有矩形的環(huán)繞形狀的螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)傾斜45°來設(shè)置。多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成螺旋狀電感器31Q和螺旋狀電感器31P交替排列,其中,螺旋狀電感器31Q具有以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)不傾斜的環(huán)狀部32,螺旋狀電感器31P具有以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)傾斜45°的環(huán)狀部32。

直線部32m以最接近直線部32n的部位作為頂點(diǎn),以遠(yuǎn)離直線部32n的方式向其兩側(cè)延伸。

根據(jù)上述的結(jié)構(gòu),即使在將多個(gè)螺旋狀電感器31以窄間距設(shè)置的情況下,通過將直線部32m與直線部32n彼此接近的部位減少至最小限度,從而可以更有效地防止相鄰的螺旋狀電感器31間的電磁耦合。

圖7是示出圖5中的高頻模塊的第2變形例的立體圖。參照圖7,本實(shí)施例的高頻模塊還具有連接至接地電位的接地過孔導(dǎo)體41。接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置在彼此相鄰的螺旋狀電感器31P和螺旋狀電感器31Q之間。

接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置成位于彼此相鄰的螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32和螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32之間。接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置成位于彼此相鄰的螺旋狀電感器31P的延伸部33和螺旋狀電感器31Q的延伸部33之間。

根據(jù)上述的結(jié)構(gòu),在彼此相鄰的螺旋狀電感器31之間設(shè)置連接至接地電位的接地過孔導(dǎo)體41,因此在以窄間距設(shè)置環(huán)狀部32的情況下,能更有效地防止相鄰的螺旋狀電感器31間的電磁耦合。

圖8是示出圖5中的高頻模塊的第3變形例的立體圖。參照圖8,在本比較例中,多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成環(huán)狀部32沿著第一箭頭102所示的方向呈交錯(cuò)狀排列。直線部32m與直線部32n成45°角度。

具有矩形的環(huán)繞形狀的螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32相對于基板12的長邊13與短邊14平行地設(shè)置,另一方面,具有矩形的環(huán)繞形狀的螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)傾斜45°來設(shè)置。多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成螺旋狀電感器31Q和螺旋狀電感器31P交替地交錯(cuò)排列,其中,螺旋狀電感器31Q具有以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)不傾斜的環(huán)狀部32,螺旋狀電感器31P具有以基板12的長邊13與短邊14為基準(zhǔn)傾斜45°的環(huán)狀部32。

本實(shí)施例的高頻模塊還具有連接至接地電位的接地過孔導(dǎo)體41。接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置在彼此相鄰的螺旋狀電感器31P和螺旋狀電感器31Q之間。

接地過孔導(dǎo)體41設(shè)置成位于彼此相鄰的螺旋狀電感器31P的延伸部33和螺旋狀電感器31Q的延伸部33之間。

根據(jù)上述的結(jié)構(gòu),可以防止相鄰的螺旋狀電感器31間的電磁耦合,并且可以以窄間距配置環(huán)狀部32。

此外,還可以對在從圖5至圖8中說明的螺旋狀電感器31的環(huán)狀部32的各種配置和排列進(jìn)行適當(dāng)組合,來構(gòu)成新的高頻模塊。此外,還可以使用矩形以外的圓形和橢圓形等,將它們與矩形組合來作為環(huán)狀部32的形狀。

若對如上所說明的本發(fā)明的實(shí)施方式2的高頻模塊的結(jié)構(gòu)匯總說明,則本實(shí)施方式的高頻模塊包括具有主面12a的基板12、以及多個(gè)螺旋狀電感器31,該多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置在基板12上,并且在俯視基板12的主面12a時(shí),具有呈環(huán)狀延伸的形狀的環(huán)狀部32。多個(gè)螺旋狀電感器31包含作為第一電感器的螺旋狀電感器31P和與螺旋狀電感器31P相鄰配置的作為第二電感器的螺旋狀電感器31Q。螺旋狀電感器31P的環(huán)狀部32包含作為呈直線狀延伸的第一直線部的直線部32m。螺旋狀電感器31Q的環(huán)狀部32包含在與直線部32m不平行的方向上呈直線狀延伸并與直線部32m相對的作為第二直線部的直線部32n。

根據(jù)如上所述構(gòu)成的本發(fā)明的實(shí)施方式2的高頻模塊,可以縮短基板12的全長,并且可以在彼此相鄰的螺旋狀電感器31之間獲得足夠的絕緣性。

(實(shí)施方式3)

圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的高頻模塊的電路圖。圖10是示出圖9中的用雙點(diǎn)劃線X包圍的范圍的高頻模塊的立體圖。

參照圖9與圖10,本實(shí)施方式的高頻模塊除多個(gè)螺旋狀電感器31以外,還具有開關(guān)元件51。開關(guān)元件51具有在一個(gè)方向上排列的多個(gè)接點(diǎn)56。

在本實(shí)施方式中,多個(gè)螺旋狀電感器31分別連接至多個(gè)接點(diǎn)56。螺旋狀電感器31作為消除在多個(gè)接點(diǎn)56間產(chǎn)生的容性的具有感應(yīng)性的匹配元件。多個(gè)螺旋狀電感器31設(shè)置成具備在實(shí)施方式1中說明的交錯(cuò)狀配置的環(huán)狀部32。

隨著開關(guān)元件51的多端口化,輸出端子52側(cè)的阻抗呈容性。在本實(shí)施方式中,通過將實(shí)施方式1所說明的螺旋狀電感器31作為匹配元件設(shè)置在基板12上,可以防止如圖10中所示沿著基板12的主面的長邊排列的多個(gè)輸出端子52間的絕緣性的惡化,并且可以消除輸出端子52的容性,從而進(jìn)行匹配。

此外,在本發(fā)明中,也可以不必在多個(gè)接點(diǎn)56上全都設(shè)置螺旋狀電感器31。此外,在本實(shí)施方式中,雖然對于將實(shí)施方式1所說明的高頻模塊的結(jié)構(gòu)適用于多端口結(jié)構(gòu)的開關(guān)元件的情況進(jìn)行了說明,但是也可以同樣適用實(shí)施方式2所說明的各種高頻模塊的結(jié)構(gòu)。

本次所公開的實(shí)施方式應(yīng)視作在所有方面均為例示而并非限制本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍來表示,而并非由上述說明來表示,本發(fā)明的范圍還包括與權(quán)利要求的范圍等同的意思及范圍內(nèi)的所有變更。

工業(yè)上的實(shí)用性

本發(fā)明可利用于內(nèi)置在移動電話中的天線模塊等。

標(biāo)號說明

10 高頻模塊

12 基板

13 長邊

14 短邊

21、21A、21B、21C、21D、21E 絕緣層

31、31P、31Q 螺旋狀電感器

32 環(huán)狀部

32m、32n 直線部

33 延伸部

41 接地過孔導(dǎo)體

51 開關(guān)元件

52 輸出端子

56 接點(diǎn)

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